JPS58197733A - 半導体デバイス製造装置 - Google Patents
半導体デバイス製造装置Info
- Publication number
- JPS58197733A JPS58197733A JP7993982A JP7993982A JPS58197733A JP S58197733 A JPS58197733 A JP S58197733A JP 7993982 A JP7993982 A JP 7993982A JP 7993982 A JP7993982 A JP 7993982A JP S58197733 A JPS58197733 A JP S58197733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- quartz
- protection chamber
- vacuum chamber
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体デバイス製造装置に関するものでおる
。
。
プラズマを利用した檀々のド２イエンテ／グ法、とくに
反応性スパッタエツチング法は微細加工性に優れており
、現在では半導体乗積回路の製造装置として不可欠のも
のとなっている。従来の反応性スパッタエツチング−＆
ｉｔは、第１図に示すように、ステンレスやアルミニウ
ム寺の金Ｊ１＆Ｓの真空室１内に平行平板型の一対の電
極２，３を入れ、反応ガスを上記真空室１内に導入して
、上記電極２．３間に尚周波型カフを印加し、反応性ガ
スのプラズマを発生させ、電極上の被処理体ｌＯをエツ
チングするようになっているが、このような従来の装置
は被処理体を下記原因によって汚染してしまう欠点がめ
った。
反応性スパッタエツチング法は微細加工性に優れており
、現在では半導体乗積回路の製造装置として不可欠のも
のとなっている。従来の反応性スパッタエツチング−＆
ｉｔは、第１図に示すように、ステンレスやアルミニウ
ム寺の金Ｊ１＆Ｓの真空室１内に平行平板型の一対の電
極２，３を入れ、反応ガスを上記真空室１内に導入して
、上記電極２．３間に尚周波型カフを印加し、反応性ガ
スのプラズマを発生させ、電極上の被処理体ｌＯをエツ
チングするようになっているが、このような従来の装置
は被処理体を下記原因によって汚染してしまう欠点がめ
った。
Ｕ）被処理体近傍に、プラズマと接する金ｗ４向が６出
している友め、上記金属が飛散して被処理体上に付着す
る。
している友め、上記金属が飛散して被処理体上に付着す
る。
（２）真空容器内部に蓄積された塵埃やエツチング時の
ｌｉ＆Ｉｊ生成物が被処理体上に付着する。
ｌｉ＆Ｉｊ生成物が被処理体上に付着する。
このような汚染は半導体乗積回路の性能劣化や生産歩留
り低下の原因となっていることは勿論であり、解決が強
く望まれていた。
り低下の原因となっていることは勿論であり、解決が強
く望まれていた。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、汚染を効果
的に防止して、各種半導体ｉ＋ｔを高い歩留まりで形成
することのできる、半導体デバイス製造装置ｔを提供す
ることでめる。
的に防止して、各種半導体ｉ＋ｔを高い歩留まりで形成
することのできる、半導体デバイス製造装置ｔを提供す
ることでめる。
上記目的を達成するため、本発明は、真空容器の内部に
被処理体の保Ｓ室を設け、リークガスや処理用ガスは保
護室内から外へ向けて流れるような構造にすることによ
って、保−室内で発生した汚染物を保護室外へ自動的に
放出し、かつ保護室外部で発生した汚染物が保護室内へ
侵入することを防止するものである。
被処理体の保Ｓ室を設け、リークガスや処理用ガスは保
護室内から外へ向けて流れるような構造にすることによ
って、保−室内で発生した汚染物を保護室外へ自動的に
放出し、かつ保護室外部で発生した汚染物が保護室内へ
侵入することを防止するものである。
以下、本＠明を実施例を参照して詳細に説明する。
実施例１
第２図は、本発明一実施例を示し、反応性スノ々ツタエ
ツチング装置の一例である。′ｍ気口１９を有する真空
室１１の内部に、上部電極１２の下面を覆う石英板２１
．下部電極１３の弐面を覆う石英板２３．２枚の石英板
でニ名まれ排気口２５１を有する石英円筒２２、および
ガス導入用石英ノ（イブ２４から成る保ｉｔＩ室を有し
ている。このように構成されたプラズマエツチングｆ＆
１ｔにおいては、プラズマは保護室内で発生し、真窒ｍ
ｌｌ＋電億１２．１３などから、金属が、スノくツタリ
ングによって飛散することが低減される。プラズマは、
保護室の排気口２５ｆ、通って真空室１１の一部と接触
することもあるが、排気口２５の寸法は小きく、しかも
、エツチングガスの流れは保−呈内から外へ向かってい
るため、たとえ少菫の金属が飛散しても、保護室内へ侵
入する確率は小さい。まだ、被処理体（例えば８ｉウエ
ーハ）２０を出し入れする時に、真空室内を大気圧にリ
ークする場合には、無塵のリークガスを石英パイプ２４
を通してまず保護室内へ導入するため、真空室１１の内
壁等に付層している塵埃（例えばエツチング時の堆積物
がはく離したもの）が保護至内へ舞い込んで被処理体を
汚染することを防止できる。なお、真空中搬送によって
被処理体２０を予備真空室（図示せず）に移送してから
大気圧中に柩ｐ出す場合には、真空中搬送時に保ｔ４ｉ
内の圧力を常に最も尚くしておくことによって保護室内
への塵埃の侵入を防止しておくことが望ましい。
ツチング装置の一例である。′ｍ気口１９を有する真空
室１１の内部に、上部電極１２の下面を覆う石英板２１
．下部電極１３の弐面を覆う石英板２３．２枚の石英板
でニ名まれ排気口２５１を有する石英円筒２２、および
ガス導入用石英ノ（イブ２４から成る保ｉｔＩ室を有し
ている。このように構成されたプラズマエツチングｆ＆
１ｔにおいては、プラズマは保護室内で発生し、真窒ｍ
ｌｌ＋電億１２．１３などから、金属が、スノくツタリ
ングによって飛散することが低減される。プラズマは、
保護室の排気口２５ｆ、通って真空室１１の一部と接触
することもあるが、排気口２５の寸法は小きく、しかも
、エツチングガスの流れは保−呈内から外へ向かってい
るため、たとえ少菫の金属が飛散しても、保護室内へ侵
入する確率は小さい。まだ、被処理体（例えば８ｉウエ
ーハ）２０を出し入れする時に、真空室内を大気圧にリ
ークする場合には、無塵のリークガスを石英パイプ２４
を通してまず保護室内へ導入するため、真空室１１の内
壁等に付層している塵埃（例えばエツチング時の堆積物
がはく離したもの）が保護至内へ舞い込んで被処理体を
汚染することを防止できる。なお、真空中搬送によって
被処理体２０を予備真空室（図示せず）に移送してから
大気圧中に柩ｐ出す場合には、真空中搬送時に保ｔ４ｉ
内の圧力を常に最も尚くしておくことによって保護室内
への塵埃の侵入を防止しておくことが望ましい。
被処理体２０の搬送口は排気口２５と兼ねるようにして
もよいし、搬送時に保護室の一部全開放して設けるよう
にしてもよいことはいうまでもない。
もよいし、搬送時に保護室の一部全開放して設けるよう
にしてもよいことはいうまでもない。
このように保護室を設けることによって、被処理体の汚
染度は下ｉピのように着しく低下した。
染度は下ｉピのように着しく低下した。
金属汚染；真空室やｗ物の材料であるステンレス（ｐｅ
、 Ｃｒ、 Ｎｉ）からのものと思われる金属が、保Ｓ
Ｕなしの場合には処理を行つｆｃＳＳウェーハ上で数十
〜数百ｐｐｍ検出されたが）保護室を設けると数ｐｐｍ
以下（イオンマイクロアナリシスの検出限界以下）にな
った。
、 Ｃｒ、 Ｎｉ）からのものと思われる金属が、保Ｓ
Ｕなしの場合には処理を行つｆｃＳＳウェーハ上で数十
〜数百ｐｐｍ検出されたが）保護室を設けると数ｐｐｍ
以下（イオンマイクロアナリシスの検出限界以下）にな
った。
塵埃；エツチング処理を行った３インチのＳｉウェーハ
上に付着する塵埃（大きさ０．５μｍ２以上）の数を測
定すると、保護室なしの場合は数十個めったものが、保
護室を設けると１０個以下に減少するのが認められた。
上に付着する塵埃（大きさ０．５μｍ２以上）の数を測
定すると、保護室なしの場合は数十個めったものが、保
護室を設けると１０個以下に減少するのが認められた。
なお、保護室の内面は、石英など、エツチングされ−い
材料ができておシ、保護室内面がエツチング時の堆積物
で汚れることがめつ７′ｃ場合でも、保護室を取９外し
て洗浄すればよいので汚染に対する装置の管理も容易で
ある。
材料ができておシ、保護室内面がエツチング時の堆積物
で汚れることがめつ７′ｃ場合でも、保護室を取９外し
て洗浄すればよいので汚染に対する装置の管理も容易で
ある。
実施例２
保護室の排気口面積はできるだけ小さい方が汚染防止効
果が向上するが、各種核処理体のエツチングのための適
正ガス圧力が異なったり装置の排気性能が質化すること
があるので、−合に応じて排気ロー積ｔ−変える必要が
める。第３図（１）に排気口面Ｊ’＠Ｒ；？ｆｉｌ保繰
室の構造の一例を示した。
果が向上するが、各種核処理体のエツチングのための適
正ガス圧力が異なったり装置の排気性能が質化すること
があるので、−合に応じて排気ロー積ｔ−変える必要が
める。第３図（１）に排気口面Ｊ’＠Ｒ；？ｆｉｌ保繰
室の構造の一例を示した。
保ｍａｉｌは上下の石英板３１．３３と石英円筒３２積
に適宜−節できる。なお、石英板３１と石英円筒３２ｆ
ｔ吊るすようにすｒＬはスペーサ３４は不豐である。ガ
スの導入は、石英板に穴３゛５を設けて行うことができ
る。
に適宜−節できる。なお、石英板３１と石英円筒３２ｆ
ｔ吊るすようにすｒＬはスペーサ３４は不豐である。ガ
スの導入は、石英板に穴３゛５を設けて行うことができ
る。
実施例３
汚染物が保護室内に浸入することｒ防止するためには、
保護室内と外部とｔ幀ぶ行路が嫌い機良い、第３１儲）
は、行ｌＮｔを氏くするために保護室の周辺に石英円筒
４４を設けた例を示す。石英円筒を何重にも組合せるこ
とによって行路をさらに艮〈シ、汚染物の侵入ｔさらに
有効に防止することが可能でめる。
保護室内と外部とｔ幀ぶ行路が嫌い機良い、第３１儲）
は、行ｌＮｔを氏くするために保護室の周辺に石英円筒
４４を設けた例を示す。石英円筒を何重にも組合せるこ
とによって行路をさらに艮〈シ、汚染物の侵入ｔさらに
有効に防止することが可能でめる。
実施例４
保−室の材料がエツチング逼れると、それがプラズマ中
に混入し、エツチング特性に影響を及ぼすため、保護室
の材料を選ぶ必費がめる。石英は、加工性、強度、耐熱
性、純度などの点で優ｎているため、第３図（３）に示
すように、保護室の大部分を石英製とし、高周波電極面
などのプラズマからの膜を密着させて、エツチング特性
を教書する方法が有効でおる。保護室の全体または一部
を石英以外の材料（例えばテフロンやアルミナ等）で構
成することももちろん可能である。
に混入し、エツチング特性に影響を及ぼすため、保護室
の材料を選ぶ必費がめる。石英は、加工性、強度、耐熱
性、純度などの点で優ｎているため、第３図（３）に示
すように、保護室の大部分を石英製とし、高周波電極面
などのプラズマからの膜を密着させて、エツチング特性
を教書する方法が有効でおる。保護室の全体または一部
を石英以外の材料（例えばテフロンやアルミナ等）で構
成することももちろん可能である。
処理することができ、汚染に対する管理が谷易なドライ
エツチングを行なうことができる。本ｘＡ明つ は、ドライエツチング装置以外２真空中で処理を行う装
置（例えばイオンインプラ装置、スパッタデポジション
装置、蒸膚装置など）においても、被処理体の出し入れ
を行う部分では被処理体の周辺を覆う保護室を設けかつ
ガスの流れが保護室の中から外へ向かうようにすること
によって汚染を防止することができる。
エツチングを行なうことができる。本ｘＡ明つ は、ドライエツチング装置以外２真空中で処理を行う装
置（例えばイオンインプラ装置、スパッタデポジション
装置、蒸膚装置など）においても、被処理体の出し入れ
を行う部分では被処理体の周辺を覆う保護室を設けかつ
ガスの流れが保護室の中から外へ向かうようにすること
によって汚染を防止することができる。
第１図は従来の反応性スパッタエツチング装置の構違を
示す断面図。 第２図は本発明の反応性スパッタエツチング装置、１１
・・・真空室、２，３，１２．ｉａ・・・電極、１０．
２０・・・被処理体。 ’ｉＡｒ 閏 ′ＶＪ ２ 目
示す断面図。 第２図は本発明の反応性スパッタエツチング装置、１１
・・・真空室、２，３，１２．ｉａ・・・電極、１０．
２０・・・被処理体。 ’ｉＡｒ 閏 ′ＶＪ ２ 目
Claims (1)
- 真空室内に設けられた保護室と、該保ｗｋ嵐内に被処理
体を配置する手段と、上記被処理体を処理する手段と、
上記保ｌＩ室から上記真空室内を経て外部へ反応ガスを
流す手段をそなえたことｔ一時機とする半導体デバイス
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7993982A JPS58197733A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体デバイス製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7993982A JPS58197733A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体デバイス製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197733A true JPS58197733A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=13704284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7993982A Pending JPS58197733A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体デバイス製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197733A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136524A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPH01140821U (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP7993982A patent/JPS58197733A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136524A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | Tokuda Seisakusho Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPH01140821U (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 |
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