JPS58197768A - 電荷転送デバイスに於けるバツクグラウンド削除方法及び装置、及び該装置に使用される電荷結合デバイス並びに赤外線イメ−ジセンサシステム - Google Patents
電荷転送デバイスに於けるバツクグラウンド削除方法及び装置、及び該装置に使用される電荷結合デバイス並びに赤外線イメ−ジセンサシステムInfo
- Publication number
- JPS58197768A JPS58197768A JP58070867A JP7086783A JPS58197768A JP S58197768 A JPS58197768 A JP S58197768A JP 58070867 A JP58070867 A JP 58070867A JP 7086783 A JP7086783 A JP 7086783A JP S58197768 A JPS58197768 A JP S58197768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- store
- source
- transfer
- auxiliary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/452—Input structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
- H10F39/1575—CCD or CID infrared image sensors of the hybrid type
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/20—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming only infrared radiation into image signals
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発＠社電荷転送デバイス（ＣＴＤ）、特に赤外線電荷
結合デバイス（ＩＲ−ＣＣＤ）−赤外イメージセンサ構
造中に組込まれた電荷結合デバイス（ＣＣＤ）−１及び
他のＣＯＤ並びにパケット・プリゲートデバイス（ＢＢ
Ｄ）Ｋ於ける／セックグラウンド削除に係る。
結合デバイス（ＩＲ−ＣＣＤ）−赤外イメージセンサ構
造中に組込まれた電荷結合デバイス（ＣＣＤ）−１及び
他のＣＯＤ並びにパケット・プリゲートデバイス（ＢＢ
Ｄ）Ｋ於ける／セックグラウンド削除に係る。
典型的な赤外線イメージ七ン−９ｊは、例えは赤外線感
知フォトダイオードから成るデテクタ素子アレーを含み
、該素子は行列状に配置される。
知フォトダイオードから成るデテクタ素子アレーを含み
、該素子は行列状に配置される。
各行の素子は、多１人力ＣＣＤレジスター人力レジスタ
を介して読出され、各入力レジスタは、別の多電人力Ｃ
ＣＤレジスター出力レジスタを介して読出される。各入
力レジスタは２棟−の機能【満足する。第１に、咳入力
レジスタは素子からの信号のジ−ケンシャをな続出し【
１ｌＩＪ能にする。第２に、代表標本電荷は各サンプリ
ング時間中にＣＯＤの入力蓄積井戸（ストア〕内に蓄積
場れ−その結果ノイズが低）し、信号がノイズに対して
改良１れ−また理−的には該サンプリング時間はできる
だけ長時間とされるので、該入力レジスタは各信号の時
間積分音可能にする。しかし乍らｌｉ！際には、サンプ
リング時間−積分時間−は、ＣＣＤ井戸蓄積容量及び処
理される最大信号電處に１９＠定される。好ましくは、
シリコンセンナ上の８〜１４μｍのバンド感知ＣＭＴＯ
場合、検分時間は非常に短く、数ｌＯマイクロ秒のオー
ダの範囲に限定される。撮像された一面の蛾高温部分か
解像されなくてはならない場合、アレー中の全素子は上
記時間内に続出されなくてはならない。
を介して読出され、各入力レジスタは、別の多電人力Ｃ
ＣＤレジスター出力レジスタを介して読出される。各入
力レジスタは２棟−の機能【満足する。第１に、咳入力
レジスタは素子からの信号のジ−ケンシャをな続出し【
１ｌＩＪ能にする。第２に、代表標本電荷は各サンプリ
ング時間中にＣＯＤの入力蓄積井戸（ストア〕内に蓄積
場れ−その結果ノイズが低）し、信号がノイズに対して
改良１れ−また理−的には該サンプリング時間はできる
だけ長時間とされるので、該入力レジスタは各信号の時
間積分音可能にする。しかし乍らｌｉ！際には、サンプ
リング時間−積分時間−は、ＣＣＤ井戸蓄積容量及び処
理される最大信号電處に１９＠定される。好ましくは、
シリコンセンナ上の８〜１４μｍのバンド感知ＣＭＴＯ
場合、検分時間は非常に短く、数ｌＯマイクロ秒のオー
ダの範囲に限定される。撮像された一面の蛾高温部分か
解像されなくてはならない場合、アレー中の全素子は上
記時間内に続出されなくてはならない。
値って、アレーの寸法が最も小さい場合、例えば３２Ｘ
３２嵩子の場合、田カレジスタａｍ速度は大きい。３２
Ｘ３２素子アレー及びサンプリング時間５０μｓの場合
、出力に於ける続出速度は素子（画素）蟲たｊ）５０ｎ
ｓ−即ち鵬波数２０ＭＨ１が必要とされよう。該速度は
ＣＯＤにとって非常に高速でｔｈ）、従って使用される
ＣＣＤ １２）設計に厳密な費件がｌ１１れる。
３２嵩子の場合、田カレジスタａｍ速度は大きい。３２
Ｘ３２素子アレー及びサンプリング時間５０μｓの場合
、出力に於ける続出速度は素子（画素）蟲たｊ）５０ｎ
ｓ−即ち鵬波数２０ＭＨ１が必要とされよう。該速度は
ＣＯＤにとって非常に高速でｔｈ）、従って使用される
ＣＣＤ １２）設計に厳密な費件がｌ１１れる。
フォトダイオード信号は同時にまた信号のすンゾリンダ
中に蓄積される代表電荷で４あり、２！素、即ちＩｉｉ
向周四周囲温度存する比較的大きなノ々ツクグラウンド
豐嵩と、１ｉＩｉＩｉと周囲との温良差に依存する非常
に小さい賛嵩とから構成されるものと見做され得る。−
面のコントラスト情報１０送するのは後者の小豐嵩のみ
である。バックグラウンド削Ｗｋ紘、パックグラウンド
要素を除去するため、あるいは少なくとも実質的に減少
させるために使用される。
中に蓄積される代表電荷で４あり、２！素、即ちＩｉｉ
向周四周囲温度存する比較的大きなノ々ツクグラウンド
豐嵩と、１ｉＩｉＩｉと周囲との温良差に依存する非常
に小さい賛嵩とから構成されるものと見做され得る。−
面のコントラスト情報１０送するのは後者の小豐嵩のみ
である。バックグラウンド削Ｗｋ紘、パックグラウンド
要素を除去するため、あるいは少なくとも実質的に減少
させるために使用される。
所謂「電荷スキミング」法なるパックグラウンド削除方
法は、Ｆｒａｚｅｒ ＆Ａ１５ｘａｎｄｅｒ ａｔ ａ
１着″Ａｎ Ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ ５ｉｌｉｃｏｎ Ｃ
ｈａｒｇｅ ＣｏｎｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ ｆｏｒ Ｄ
ｅｔｅｃｔｉｎｇ Ｉｎｆｒａ−ｒ＠ｄ Ｒａｄｉａｔ
ｔｏｎ（赤外線検出用外因性シリコン電荷結合デバイス
）″。
法は、Ｆｒａｚｅｒ ＆Ａ１５ｘａｎｄｅｒ ａｔ ａ
１着″Ａｎ Ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ ５ｉｌｉｃｏｎ Ｃ
ｈａｒｇｅ ＣｏｎｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ ｆｏｒ Ｄ
ｅｔｅｃｔｉｎｇ Ｉｎｆｒａ−ｒ＠ｄ Ｒａｄｉａｔ
ｔｏｎ（赤外線検出用外因性シリコン電荷結合デバイス
）″。
ＩＥＤＭ＋ Ｗａｓｈｉｎｇｔｏｎ ＤＣ＋ Ｔ＠ｃｈ
、 Ｄｉｇｅｓｔ ４４−１−５（１９７４）中に記
載されている。該方法に従うならば、電荷は第１番目の
入力井戸中に８棟され、畝井戸は飽和しオーバー７ｇ−
となるので過剰１１荷は縞１智＠Ｏ入力井戸にすぐｆｉ
ｌＫ接する第２番目の井戸中に蓄積される。鉄過剰ｔ＃
は次にＣＣＤの転送チャネルに浜ってクロックされ、読
出される。
、 Ｄｉｇｅｓｔ ４４−１−５（１９７４）中に記
載されている。該方法に従うならば、電荷は第１番目の
入力井戸中に８棟され、畝井戸は飽和しオーバー７ｇ−
となるので過剰１１荷は縞１智＠Ｏ入力井戸にすぐｆｉ
ｌＫ接する第２番目の井戸中に蓄積される。鉄過剰ｔ＃
は次にＣＣＤの転送チャネルに浜ってクロックされ、読
出される。
該方法の変形例によれば、多少長いサンプリング時間に
於いて籐１１目の井戸壷よ崗勘的に空にされる。
於いて籐１１目の井戸壷よ崗勘的に空にされる。
しかし乍ら上記方法はデバイス不均一性の間亀【構成し
ているにすぎない。共通の制御電圧が数個のデバイス入
力の制御ゲートの各々に印加され倚るにも拘らず、生じ
る有効な井戸ポテンシャルは材料のノ（ラメータに非常
に敏感でおる。入力井戸ポテンシャルが一定となるよう
に該パラメータ會十分にコントロールすることは、不１
Ｊ能ではないとしても、内麺である。従って、１個の入
力から差引かれる′＃ｔ′ｌｉｉは別の入力で差引かれ
る電荷と相違し、その結果、生成される出力信号は固定
の／＠ターンノイズを含むであろう。
ているにすぎない。共通の制御電圧が数個のデバイス入
力の制御ゲートの各々に印加され倚るにも拘らず、生じ
る有効な井戸ポテンシャルは材料のノ（ラメータに非常
に敏感でおる。入力井戸ポテンシャルが一定となるよう
に該パラメータ會十分にコントロールすることは、不１
Ｊ能ではないとしても、内麺である。従って、１個の入
力から差引かれる′＃ｔ′ｌｉｉは別の入力で差引かれ
る電荷と相違し、その結果、生成される出力信号は固定
の／＠ターンノイズを含むであろう。
発明の背景として、壕九、Ｂｒｕｇｌ＠ｒ Ａ Ｊａｓ
ｐｅｒｓ著の論文”Ｃｈａｒｇ＠Ｐｕｍｐｉｎｇ ｉｎ
Ｍｏ８ Ｄｅｖｉｃｅｓ（ＭＯＳデノ々イスにおける
チャージ・ポンピング）″。
ｐｅｒｓ著の論文”Ｃｈａｒｇ＠Ｐｕｍｐｉｎｇ ｉｎ
Ｍｏ８ Ｄｅｖｉｃｅｓ（ＭＯＳデノ々イスにおける
チャージ・ポンピング）″。
ＩＫＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ［）ｅｖ
ｉｃｅｍ、 ＥＤ−１６Ｎｏ。
ｉｃｅｍ、 ＥＤ−１６Ｎｏ。
３ ｐａｇｅｓ ２９７−３０２ （Ｍａｒｏｈ １９
６９）が参照されよう。咳論文中、著書はチャージ・ポ
ンピングを確認、分析し、蚊チャージ・ポンピングは、
フォトトランジスタまたはダイオードの電葡蓄績モード
動作の感度【限定するための効果と見做さ扛る。
６９）が参照されよう。咳論文中、著書はチャージ・ポ
ンピングを確認、分析し、蚊チャージ・ポンピングは、
フォトトランジスタまたはダイオードの電葡蓄績モード
動作の感度【限定するための効果と見做さ扛る。
同様に、ＩＥＥＥ Ｊ、 ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ （
：：１ｒｃｕｉｔ８（７リツドステ一ト型回路）、 Ｍ
ｏ１．５Ｃ−２ｐａｇｅｓ ６５−７３（５ｅｐｔ、
１９６７ ） ｆ＠照されえい。
：：１ｒｃｕｉｔ８（７リツドステ一ト型回路）、 Ｍ
ｏ１．５Ｃ−２ｐａｇｅｓ ６５−７３（５ｅｐｔ、
１９６７ ） ｆ＠照されえい。
本発明に従うならば、電荷転送デバイスに於けるパック
グラウンドのｍ除方法か提供され、該方法に於いて、信
号電荷は積分時間中に第１１１目のストア内に蓄積され
、その後デフ９イス田力に転送され、傷号亀荷藝分は積
分時間中に周期的に除去畜れるものであり、鉄方法は、
デバイスソース領埴及び／又は第１番目のストアと補助
ストアとの閣で電荷の連続的交換が行われることｔ％黴
とし、電荷の増分は、交換されえ電荷の各全行程用のデ
バイス基板電流として除去され、多数の電荷増分は各積
分周期中に除去される。
グラウンドのｍ除方法か提供され、該方法に於いて、信
号電荷は積分時間中に第１１１目のストア内に蓄積され
、その後デフ９イス田力に転送され、傷号亀荷藝分は積
分時間中に周期的に除去畜れるものであり、鉄方法は、
デバイスソース領埴及び／又は第１番目のストアと補助
ストアとの閣で電荷の連続的交換が行われることｔ％黴
とし、電荷の増分は、交換されえ電荷の各全行程用のデ
バイス基板電流として除去され、多数の電荷増分は各積
分周期中に除去される。
従って、各積分周期中に差引かれる総電荷量は、４！ｒ
′＃ＩＬ荷増分の大島さ、及び各周期に除去される電荷
の増分の数により決定される。増分の数は各周期に於い
て正確に決定することが可能であり、増分の大きさはデ
バイスのパラメーター例えばゲート電極の寸法、内ｌｉ
１表向状態密曳−に依存するが、これらのパラメータは
デバイスの延長ゾーンにわ九９適蟲な許容範囲内で均一
に維持され得る。従って、適幽な精度で電荷【除去する
ことが可能であり、その結果、一定の、ｅターンノイズ
に対する寄与を著しく減少させることができ、他方１ｉ
［＃削除の機能は維持される。更に、電荷は積分期間中
にほぼ連続的に差引かれるので、電荷はよｐ緩慢に蓄積
し、よ〕長い時間が積分に許容される。この結果、ノイ
ズ特に低周波数ノイズ要素のよｐ有効な低下が得られる
。を九、本方法が上述のような赤外イメージセンｔＫ適
用される場合、出力レジスタは比軟的低速度で作動され
得、従ってＣＣＬ）設計上の選択はさほど厳密でなくな
る。
′＃ＩＬ荷増分の大島さ、及び各周期に除去される電荷
の増分の数により決定される。増分の数は各周期に於い
て正確に決定することが可能であり、増分の大きさはデ
バイスのパラメーター例えばゲート電極の寸法、内ｌｉ
１表向状態密曳−に依存するが、これらのパラメータは
デバイスの延長ゾーンにわ九９適蟲な許容範囲内で均一
に維持され得る。従って、適幽な精度で電荷【除去する
ことが可能であり、その結果、一定の、ｅターンノイズ
に対する寄与を著しく減少させることができ、他方１ｉ
［＃削除の機能は維持される。更に、電荷は積分期間中
にほぼ連続的に差引かれるので、電荷はよｐ緩慢に蓄積
し、よ〕長い時間が積分に許容される。この結果、ノイ
ズ特に低周波数ノイズ要素のよｐ有効な低下が得られる
。を九、本方法が上述のような赤外イメージセンｔＫ適
用される場合、出力レジスタは比軟的低速度で作動され
得、従ってＣＣＬ）設計上の選択はさほど厳密でなくな
る。
更に１本発明に従うならば上記記載の方法を実施するた
めの装置が提供され、該装置は、ソース、ドレイン、ソ
ースとドレインとの間に配置される値数のストア、及び
ストアからストアへの電荷転送【制御する友めの転送ゲ
ートを含む電荷転送デノｑイス、 ソースの最近傍の第１番目のストア内に蓄積されえ電荷
が、積分周期ＫｋＪｔいて第１査目のストアから鯖２番
目のストアへ周期的に放出されるように、該放出をコン
トロールするための制御回路、及び デバイスの転送ゲートに接続されておシ、電荷をストア
からストア及びドレインへ転送すべく販メートに位相信
号を加えるための位相クロック、１組合わせて含み、鋏
装置は更Ｋ、 ソース及び／又は第１１１目のストアに隣接する補助ス
トア及び？−）、及び 補助２−トに接続されておル、時間可変電圧ゲート儒号
會加え、ソース、第１１目のストア、または両者と補助
ストアとの関に連続的な′ＩＪ１＃交換を行い、各積分
周期に何度も電荷を交換するための制御ジェネレータ 上書むことを特徴とする。
めの装置が提供され、該装置は、ソース、ドレイン、ソ
ースとドレインとの間に配置される値数のストア、及び
ストアからストアへの電荷転送【制御する友めの転送ゲ
ートを含む電荷転送デノｑイス、 ソースの最近傍の第１番目のストア内に蓄積されえ電荷
が、積分周期ＫｋＪｔいて第１査目のストアから鯖２番
目のストアへ周期的に放出されるように、該放出をコン
トロールするための制御回路、及び デバイスの転送ゲートに接続されておシ、電荷をストア
からストア及びドレインへ転送すべく販メートに位相信
号を加えるための位相クロック、１組合わせて含み、鋏
装置は更Ｋ、 ソース及び／又は第１１１目のストアに隣接する補助ス
トア及び？−）、及び 補助２−トに接続されておル、時間可変電圧ゲート儒号
會加え、ソース、第１１目のストア、または両者と補助
ストアとの関に連続的な′ＩＪ１＃交換を行い、各積分
周期に何度も電荷を交換するための制御ジェネレータ 上書むことを特徴とする。
該装置は赤外１メージセンサシステムであり得、該シス
テムに於いて電荷転送デバイスは多数個の１．１・゛ 入力を有し、各入力のソース及び／又は＃１１１００ス
トア社、対応する補助ゲート反びストアと協働する。該
システム紘アレー状に配置され九多数個の赤外線検出素
子を含み、各素子は対応する各デバイスソース會制御し
、共通の信号ジェネレータが補助ゲートの各々に接続さ
れる。
テムに於いて電荷転送デバイスは多数個の１．１・゛ 入力を有し、各入力のソース及び／又は＃１１１００ス
トア社、対応する補助ゲート反びストアと協働する。該
システム紘アレー状に配置され九多数個の赤外線検出素
子を含み、各素子は対応する各デバイスソース會制御し
、共通の信号ジェネレータが補助ゲートの各々に接続さ
れる。
信号ジェネレータは、連続Ｗ（例、正弦波、方形波、三
角波）または、ｅネル型の周期的電圧信号を供給するこ
とが望ましい。好ましくはジェネレータは、ダート信号
Ｊ１ｄ波数、基本周波数または、ｅルス連続周波数を調
整できるように、−節可能である。該調節は手動で行わ
れ得、使用省ｔｉ異なる１Ｉｉｉ面パックグラウンドレ
ベルに対する応ｉｔ最過化すべく、或いは対象となるハ
イレベルの画像を強調すべく、一定の削除闇値を設定す
ることができる。皺調節は自動化され得る。ジェネレー
タは信号出力回路に応答するように接続され、適用−」
能な闇値を与えるように使用され得る。
角波）または、ｅネル型の周期的電圧信号を供給するこ
とが望ましい。好ましくはジェネレータは、ダート信号
Ｊ１ｄ波数、基本周波数または、ｅルス連続周波数を調
整できるように、−節可能である。該調節は手動で行わ
れ得、使用省ｔｉ異なる１Ｉｉｉ面パックグラウンドレ
ベルに対する応ｉｔ最過化すべく、或いは対象となるハ
イレベルの画像を強調すべく、一定の削除闇値を設定す
ることができる。皺調節は自動化され得る。ジェネレー
タは信号出力回路に応答するように接続され、適用−」
能な闇値を与えるように使用され得る。
更に本発明に従うならば、上記記載の４ｋｔＩＩｔに於
いて電荷転送デバイスとして使用される電荷結合デノ々
イスが提供され、咳デバイスは、デバイスノース及びド
レイン【形成するドープされ九領域會含む半導体基板、 基板表面Ｋｍ布される絶縁材層、 ソース及びドレイン間を伸延する基板の電荷転送チャネ
ＡＶｔ形成する手段、 絶縁層の上側でデバイスに溢って配置され、それぞれテ
ヤネｈｆ横切って伸び、籐１番目はソースにすぐｌＩ接
して配置される複数の転送電極、會含み、該デバイスは
史に、 同様にソースにすぐ隣接して配置される補助デート電極 を含むこと′に％黴とする。
いて電荷転送デバイスとして使用される電荷結合デノ々
イスが提供され、咳デバイスは、デバイスノース及びド
レイン【形成するドープされ九領域會含む半導体基板、 基板表面Ｋｍ布される絶縁材層、 ソース及びドレイン間を伸延する基板の電荷転送チャネ
ＡＶｔ形成する手段、 絶縁層の上側でデバイスに溢って配置され、それぞれテ
ヤネｈｆ横切って伸び、籐１番目はソースにすぐｌＩ接
して配置される複数の転送電極、會含み、該デバイスは
史に、 同様にソースにすぐ隣接して配置される補助デート電極 を含むこと′に％黴とする。
好ましくは、ｒ−）電極と第１誉目の転送電極とは、相
互にノースを包囲するように形成される。
互にノースを包囲するように形成される。
転送チャネルは表向チャネル（５ＣＣＵの場合）、まえ
は堀設チャネル（ＢＣＣＤの場合）でありｌＩる。
は堀設チャネル（ＢＣＣＤの場合）でありｌＩる。
本発明は、添付＃Ａ１１Ｉｉに示された具体例【参考に
例示としてのみ以下に記載される。
例示としてのみ以下に記載される。
大部分に於いて既存製の型式の赤外ｌｌ１１撮健亀萄結
合デバイスが、第１図に略示される。該デバイスは、半
導体材料からなる基板１を含み、該基板Ｏ領域８はデバ
イスのソースＳを形成すべく注入壕九は拡散によタドー
プされる。＃デバイスＯ他端に於いて、他の領域が同様
にしてデバイスのドレインＤを形成すべくドープされる
。ソースに対して接点Ｓ８、ドレインに対して接点ＤＤ
の金属接点が形成される。基ｆｊｌのベースは金属層５
會被覆され、デバイスの接地点Ｅが形成される。基板１
の上側表向は絶縁材料層７によシ被後ａれ、１組の転送
電極と基板１４０半導体材料との間に絶縁が施される。
合デバイスが、第１図に略示される。該デバイスは、半
導体材料からなる基板１を含み、該基板Ｏ領域８はデバ
イスのソースＳを形成すべく注入壕九は拡散によタドー
プされる。＃デバイスＯ他端に於いて、他の領域が同様
にしてデバイスのドレインＤを形成すべくドープされる
。ソースに対して接点Ｓ８、ドレインに対して接点ＤＤ
の金属接点が形成される。基ｆｊｌのベースは金属層５
會被覆され、デバイスの接地点Ｅが形成される。基板１
の上側表向は絶縁材料層７によシ被後ａれ、１組の転送
電極と基板１４０半導体材料との間に絶縁が施される。
該１組の転送電極は、ソースＳにすぐ隣接する第１番目
の電極（入力ゲート６□）と、該電極Ｋｖｋ続する蓄積
制御Ｍ＋２−トＧＢと、転送−Ｊ１１ゲートＧＴと、ゲ
ート≠１＋−φ３．φ３．−４の４−ずつ１組に配列さ
れ九複数個の位相デー）（１ｍｌｔＺＪみ図示）とｔ會
む。位相ゲートφ１．−３．φ３及びφ４Ｏ各々は４相
制鉤タロツク（１示せず）の異なる位相ラインに接続さ
れる。該１＋１ｌｃ１転送電極はデノ櫂イスソースＳと
ドレインＤとの間の９関に位置し、絶縁境界−ドーピン
グ剤を多量に含む材＠壜た紘厚い酸化物Ｂの境界−上置
して基板ｌ中に形成され九転送チャネルを横切って伸び
ている。
の電極（入力ゲート６□）と、該電極Ｋｖｋ続する蓄積
制御Ｍ＋２−トＧＢと、転送−Ｊ１１ゲートＧＴと、ゲ
ート≠１＋−φ３．φ３．−４の４−ずつ１組に配列さ
れ九複数個の位相デー）（１ｍｌｔＺＪみ図示）とｔ會
む。位相ゲートφ１．−３．φ３及びφ４Ｏ各々は４相
制鉤タロツク（１示せず）の異なる位相ラインに接続さ
れる。該１＋１ｌｃ１転送電極はデノ櫂イスソースＳと
ドレインＤとの間の９関に位置し、絶縁境界−ドーピン
グ剤を多量に含む材＠壜た紘厚い酸化物Ｂの境界−上置
して基板ｌ中に形成され九転送チャネルを横切って伸び
ている。
センサ素子である赤外線感光デテクターフォトダイオー
ドＰ−は、デバイスの入力接点８８Ｋｍ続される。電荷
はソースＳ内に注入され、デバイスの第１Ｉ目のストア
内卸ち蓄積デー）Ｇ、Ｏ下７＋領域に蓄＆される。電荷
は、位相クロックと転送Ｐ−）ＧＴに縁続され九制−回
路（図示せず）とのＩＩＩＩＩ−下で、前記位置から位
相ゲートφｌ、φ２．φ１及びφ４の下方のストアに転
送される。
ドＰ−は、デバイスの入力接点８８Ｋｍ続される。電荷
はソースＳ内に注入され、デバイスの第１Ｉ目のストア
内卸ち蓄積デー）Ｇ、Ｏ下７＋領域に蓄＆される。電荷
は、位相クロックと転送Ｐ−）ＧＴに縁続され九制−回
路（図示せず）とのＩＩＩＩＩ−下で、前記位置から位
相ゲートφｌ、φ２．φ１及びφ４の下方のストアに転
送される。
上記記載の既存構造に加え、デバイスは補助デー）Ｇ、
を會む。鎖補助デートは、結１喬目の電極、入カデー）
Ｇ、に対して反対側のソース側に配置される。或いは
鋏禎助ゲートは、ソースＳの一方Ｏ＠、または＄１１１
１目の電＆Ｇ、に湿って配置され得、好ましくはソース
後点ＳＳＯ残９の爛辺Ｓｔ−包囲するように形成される
。
を會む。鎖補助デートは、結１喬目の電極、入カデー）
Ｇ、に対して反対側のソース側に配置される。或いは
鋏禎助ゲートは、ソースＳの一方Ｏ＠、または＄１１１
１目の電＆Ｇ、に湿って配置され得、好ましくはソース
後点ＳＳＯ残９の爛辺Ｓｔ−包囲するように形成される
。
ダイオードＰは、−次元を九は二次元のアレー状に配置
された多数のダイオードの１個であり、従ってデバイス
は複合構造であり得る。二次元アレーの具体例が第５図
に略示される。該構造に於いて、デバイスは多数のロー
ド入力９會有する。各ロード人力９の構造は、１１１図
に示されたデバイスの入力部分に対応し、デバイスの補
助ゲートＧＡ及びソースＳから転送デー）Ｇ−で（該ゲ
ートも會むンに反ぶ領域である。各入力の備考電荷は、
入力レジスタ１１の対応する蓄積値１ｉ１９内に転送さ
れ、＊Ｖこ平竹な人力レジスタ群１１から出力レジスタ
１３内に転送され、電荷は該出力レジスタからデバイス
ドレインＤに転送され、逐次出力信号ｔ−発生する１、
動作中、電＃創除は、時間司貧亀圧制−（８号、例えば
各サイクルで／１イレベルとローレベにト＜１）関を変
化する周期個号會各補助ゲートＧＡに加えることにより
行われる。
された多数のダイオードの１個であり、従ってデバイス
は複合構造であり得る。二次元アレーの具体例が第５図
に略示される。該構造に於いて、デバイスは多数のロー
ド入力９會有する。各ロード人力９の構造は、１１１図
に示されたデバイスの入力部分に対応し、デバイスの補
助ゲートＧＡ及びソースＳから転送デー）Ｇ−で（該ゲ
ートも會むンに反ぶ領域である。各入力の備考電荷は、
入力レジスタ１１の対応する蓄積値１ｉ１９内に転送さ
れ、＊Ｖこ平竹な人力レジスタ群１１から出力レジスタ
１３内に転送され、電荷は該出力レジスタからデバイス
ドレインＤに転送され、逐次出力信号ｔ−発生する１、
動作中、電＃創除は、時間司貧亀圧制−（８号、例えば
各サイクルで／１イレベルとローレベにト＜１）関を変
化する周期個号會各補助ゲートＧＡに加えることにより
行われる。
動作の原塩は以下の通りである。
補助ゲートＧＡのデート電圧がＨｉになると、電荷は、
ソース８及び転送電極０８下方の第１番目のストアから
、補助ｒ−）ＧＡ下方領域の補助ストア内、即ち反転層
内に吸引される、次に、時間可変信号サイクルの残り０
部分で該ゲート電圧はＬＯになるので、電荷はソースＳ
及び第１番目のストアへ戻る。しかし乍ら、電荷の−Ｓ
紬ち電荷の増分ΔＱは再結合し、基板ＩｉＬ流−即ち入
力ダイオードＰと基＆Ｅとの間を流れる電流−とじて現
われる。この差引かれた増分は、２ｍ＠の要素、即ち表
面状塾を通る再結合に対応するｌＮ！累と、ノ櫂ルク内
の再結合に対応する部分とを含む。
ソース８及び転送電極０８下方の第１番目のストアから
、補助ｒ−）ＧＡ下方領域の補助ストア内、即ち反転層
内に吸引される、次に、時間可変信号サイクルの残り０
部分で該ゲート電圧はＬＯになるので、電荷はソースＳ
及び第１番目のストアへ戻る。しかし乍ら、電荷の−Ｓ
紬ち電荷の増分ΔＱは再結合し、基板ＩｉＬ流−即ち入
力ダイオードＰと基＆Ｅとの間を流れる電流−とじて現
われる。この差引かれた増分は、２ｍ＠の要素、即ち表
面状塾を通る再結合に対応するｌＮ！累と、ノ櫂ルク内
の再結合に対応する部分とを含む。
電荷は常にソース８、第１番目のストア及び補助ストア
の間で交換され、差引かれ友増分△Ｑは下式で与えられ
る。
の間で交換され、差引かれ友増分△Ｑは下式で与えられ
る。
△Ｑ＝（ａＱＰ＋ｑＮ８Ｔ）ＡＧ
式中、
ΔＱ−ゲデーサイクル当たりの最終的にトラップされ九
ｔ＃（Ｃ）、 α＝バルク内で丹結合する補助デート下刃の自由キャリ
ア部分、 Ｑ、＝反転層に於ける自山亀衛缶ｉ（Ｇ／−へｑ−電Ｍ
（Ｃ）、 Ｎｓ’ｒ−チャージ・ボンピング効果に寄与する内部−
表面一状一 合計＠度（１１）、及びム０−補助デート
ｒｊＥＵ槓 である。
ｔ＃（Ｃ）、 α＝バルク内で丹結合する補助デート下刃の自由キャリ
ア部分、 Ｑ、＝反転層に於ける自山亀衛缶ｉ（Ｇ／−へｑ−電Ｍ
（Ｃ）、 Ｎｓ’ｒ−チャージ・ボンピング効果に寄与する内部−
表面一状一 合計＠度（１１）、及びム０−補助デート
ｒｊＥＵ槓 である。
補助ゲート信号の各サイクルで増分が除去されるので、
生成される基板電流輸は上式で与えられる。
生成される基板電流輸は上式で与えられる。
■Ｂ−△Ｑ−ｆ。
一ムＧ”ｆＧ（−αＣ’Ｏ（Ｖ、−ＶＴ）＋ＱＮ、１．
）式中、 ｆＧ−補助デート電圧信号０８波数、基本周波数または
ノ９ルス連続周波畝、 Ｃｏ一単位面積当たＪ［化物容−（Ｆ／ｃｄ）、ｖＧ＝
補助デート電圧（Ｖ）、及び ■Ｔ＝闇値電圧（Ｖ） である。
）式中、 ｆＧ−補助デート電圧信号０８波数、基本周波数または
ノ９ルス連続周波畝、 Ｃｏ一単位面積当たＪ［化物容−（Ｆ／ｃｄ）、ｖＧ＝
補助デート電圧（Ｖ）、及び ■Ｔ＝闇値電圧（Ｖ） である。
従って、積分周期τ中に除去される総１［、＃ＱＴは、
単に ＱＴ−！Ｂ””Ｇ”τ のみである。
単に ＱＴ−！Ｂ””Ｇ”τ のみである。
こうして補助ゲートＧＡの電圧を）（ルス化し変幽する
ことにより、蓄積ゲートＧ８のｔ方に蓄積される充電流
電荷の一部は補助ゲートの下方を流れ、汲み出される。
ことにより、蓄積ゲートＧ８のｔ方に蓄積される充電流
電荷の一部は補助ゲートの下方を流れ、汲み出される。
従って、一定量の電荷が放出及び排出され得る。このよ
うにしてパックグラウンド電荷は所望の信号ｉＩＬ荷を
残して差引かれ得る。この時第１１に目のストアに流入
する１１１葡はより緩慢に蓄積するので、積分時間は増
加され得、従ってアレーの感度は向上する。汲出される
ｍａｏｉｔはゲート信号周波数に比例するので、パック
グラウンドへ１除の量は周波数と同郷の精度で正確ｔこ
コントロールサレ得る。画面）層ツクグラウンド力・叢
イしする場合、パックグラウンド細隙は、補助ゲート信
号周波数をＩ４１４ＩＩｌｌすることにより変化され侍
る。
うにしてパックグラウンド電荷は所望の信号ｉＩＬ荷を
残して差引かれ得る。この時第１１に目のストアに流入
する１１１葡はより緩慢に蓄積するので、積分時間は増
加され得、従ってアレーの感度は向上する。汲出される
ｍａｏｉｔはゲート信号周波数に比例するので、パック
グラウンドへ１除の量は周波数と同郷の精度で正確ｔこ
コントロールサレ得る。画面）層ツクグラウンド力・叢
イしする場合、パックグラウンド細隙は、補助ゲート信
号周波数をＩ４１４ＩＩｌｌすることにより変化され侍
る。
例えば網間温度が３００〜３２０°にの範囲を震イヒす
る場合、ゲート信号の周波数は増加され侍、ｌ々ラック
ラウンド電荷は更に差引かれる。
る場合、ゲート信号の周波数は増加され侍、ｌ々ラック
ラウンド電荷は更に差引かれる。
別のＣＯＤ構造が第２，３及び４図に示さｔする。
該構造に於いて、補助ストアは補助ゲ トＧＡの下方に
配置され、ソース８から絶縁さｔしる。、図ボされるよ
うに、補助ゲートＧＡは入力電極Ｓ及び人力ゲートＧ０
に隣接して配置され、鶴人力ｗｉ極及び入力ゲートは短
縮されている。
配置され、ソース８から絶縁さｔしる。、図ボされるよ
うに、補助ゲートＧＡは入力電極Ｓ及び人力ゲートＧ０
に隣接して配置され、鶴人力ｗｉ極及び入力ゲートは短
縮されている。
ソースＳと補助ストアとは絶縁環＆１５を介１．−ｃ絶
縁され、該障壁は転送チャネル１９を形成するために使
用される過剰ドープ境界１７の延長である。補助ゲート
への他端は＃ｉ棟ゲデーａ８ｖｍ分にすぐ隣接している
。時間可変制御信号か袖ａデー ） ＧＡに加えられる
と、１ｉ［荷は、第１４目のストア即ち蓄積ゲートＧ８
の下方領域と補助ストアＲＩＩち補助ゲートＧＡの下方
領域との間で交換される。
縁され、該障壁は転送チャネル１９を形成するために使
用される過剰ドープ境界１７の延長である。補助ゲート
への他端は＃ｉ棟ゲデーａ８ｖｍ分にすぐ隣接している
。時間可変制御信号か袖ａデー ） ＧＡに加えられる
と、１ｉ［荷は、第１４目のストア即ち蓄積ゲートＧ８
の下方領域と補助ストアＲＩＩち補助ゲートＧＡの下方
領域との間で交換される。
好ましい例として、基板１は（１００）カットのｐ蓋シ
リコン単結晶で６９得、材料の抵抗ｌＯ〜２０ΩｃＭ１
： ソース拡散及びドレイン拡散深さ約１．８μｍ及び
鳩抵抗約１５０９／ ｓｑ ：絶縁材料シリコン線化物
の厚さ１２００Ｘである。好ましい電極の寸法を下記に
示す。
リコン単結晶で６９得、材料の抵抗ｌＯ〜２０ΩｃＭ１
： ソース拡散及びドレイン拡散深さ約１．８μｍ及び
鳩抵抗約１５０９／ ｓｑ ：絶縁材料シリコン線化物
の厚さ１２００Ｘである。好ましい電極の寸法を下記に
示す。
補助ストアデートＧ ：長さ８０μｍｘ幅２５μｍム
入力制御ゲートＧ１：長さ２０μｙｒ Ｘ ＠４２００
μｍ。
μｍ。
及び
第６図の回路図は、大規模集積ＭＯ８構造として／櫂ケ
ット・プリゲート・デノ々イス（Ｂ１１Ｄ ）を示す。
ット・プリゲート・デノ々イス（Ｂ１１Ｄ ）を示す。
既存の構造のＢＢＤ−例えばＰｈ１ｌｉｐｓ Ｔ＠ｃｈ
Ｒ＠ｖｉ＠ｗ ３１． ｐａｇｅｓ ９７−１１０
（１９７０）参照のこと−に於けると同様に、該ＢＢＤ
は入力ＭＯ８ＦＥＴ２１０ソースＳと端末、即ち出力Ｍ
Ｏ８ＦＥＴ ２３のドレインＤとの関に配置される一連
の靜電番蓋電荷ストアＣを含む。ストアからストア及び
出力０／Ｐへの標本電荷の転送はＭＯＳＦＥＴ ）ラン
ジスタスイツチ２５により制御され、該スイッチＦｉも
各ストアコンデンサＣ間に接続される。各トランジスタ
スイッチ２５のドレイ／接点Ｄ’ｔｉ−ｍするスイッチ
２５のソース接点Ｂ′に接続され、各ストアコンデンサ
Ｃはドレイン接点Ｄ′と対応するトランジスタスイッチ
２５０制御ゲートＧ′とを連接する。他のトランジスタ
ダートＧ′は２個の位相＠ｐ１またはＰ２の各々に接続
され、該位相ラインは続いて２＠制−クロック２７に接
続される、しかし乍ら入力ＭＯ８ＦＥＴ ２１は電ｉｆ
ＩＭ除を行うべく修正及び制御される。該ＭＯ８ＦＥＴ
のソース接点Ｓとドレイン接点Ｄ′とは、信号電流を供
給するフォトダイオードＰＫ同時に接続されこれと協動
する。該電流はサンプリングされ、電荷はν１番目のス
トア即ち蝦近傍のＭＯ８ＦＥＴ２５のストアＣ内に蓄積
される。しかし乍ら、該電荷が蓄積すると、入力トラン
ジスタ２１の制御デートＧに印加される電圧は補助ジェ
ネレータ２９の制御下に変化する。入力トランジスタ２
１のソースＳとドレインＤ′から流出し更に隣接するト
ランジスタ２５のソースＳ′とＦレインＤ′及び第１番
目のストアＣを経た電荷は、こうして、補助デート電圧
の変化に従って、補助ストアー即ち入力トランジスタ２
１の制御デー）Ｇの下方領域−へまたは該領域から転送
される、この結釆、上述と同様にしてチャージ・ポンピ
ング作用及び多数の電荷増分の除去が行われる、
Ｒ＠ｖｉ＠ｗ ３１． ｐａｇｅｓ ９７−１１０
（１９７０）参照のこと−に於けると同様に、該ＢＢＤ
は入力ＭＯ８ＦＥＴ２１０ソースＳと端末、即ち出力Ｍ
Ｏ８ＦＥＴ ２３のドレインＤとの関に配置される一連
の靜電番蓋電荷ストアＣを含む。ストアからストア及び
出力０／Ｐへの標本電荷の転送はＭＯＳＦＥＴ ）ラン
ジスタスイツチ２５により制御され、該スイッチＦｉも
各ストアコンデンサＣ間に接続される。各トランジスタ
スイッチ２５のドレイ／接点Ｄ’ｔｉ−ｍするスイッチ
２５のソース接点Ｂ′に接続され、各ストアコンデンサ
Ｃはドレイン接点Ｄ′と対応するトランジスタスイッチ
２５０制御ゲートＧ′とを連接する。他のトランジスタ
ダートＧ′は２個の位相＠ｐ１またはＰ２の各々に接続
され、該位相ラインは続いて２＠制−クロック２７に接
続される、しかし乍ら入力ＭＯ８ＦＥＴ ２１は電ｉｆ
ＩＭ除を行うべく修正及び制御される。該ＭＯ８ＦＥＴ
のソース接点Ｓとドレイン接点Ｄ′とは、信号電流を供
給するフォトダイオードＰＫ同時に接続されこれと協動
する。該電流はサンプリングされ、電荷はν１番目のス
トア即ち蝦近傍のＭＯ８ＦＥＴ２５のストアＣ内に蓄積
される。しかし乍ら、該電荷が蓄積すると、入力トラン
ジスタ２１の制御デートＧに印加される電圧は補助ジェ
ネレータ２９の制御下に変化する。入力トランジスタ２
１のソースＳとドレインＤ′から流出し更に隣接するト
ランジスタ２５のソースＳ′とＦレインＤ′及び第１番
目のストアＣを経た電荷は、こうして、補助デート電圧
の変化に従って、補助ストアー即ち入力トランジスタ２
１の制御デー）Ｇの下方領域−へまたは該領域から転送
される、この結釆、上述と同様にしてチャージ・ポンピ
ング作用及び多数の電荷増分の除去が行われる、
！！１図は、電荷削除を促進するように修正され九電荷
結合デ／々イスの略断函図、第２図は、同様に電荷削除
を促進するように修正された別の電荷結合デバイスの入
力構造の平面図、第３図及び第４図はそれぞれ第２図の
デバイスの入力構造の墓−璽線に於ける断面図及びＮ−
ＩＶ線に於ける曲折断面図、！ｉ１５図はセンナ素子と
ＣＯＤの構成を示す赤殉軒メージセンサの概略図、及び
８６図は電荷削除を促進するように構成されたＭｏ５ｒ
ｋＴパケ７νす′−１′・ ット・デ／々イスの回路図である。 １、 Ｅ・・・基板、５・・・金属層、７・・・絶縁層
、９・・・ロード入力、１１・・・入力レジスタ、１３
・・・出力レジスタ、１５・・・絶鰍ｗＩＬ做、１９・
・・転送チャネル、２１・・・入力ＭＯ８ＦＥＴ、２３
・・・出力ＭＯ８ＦＥＴ、２５・・・トランジスタスイ
ッチ、Ｓ・・・ソース、Ｄ・・・ドレイン、Ｇ１・・・
入力テート、ＧＳ・・・蓄積制御デート、Ｇ、・・・転
送側ｍダート、ＧＡ・・・補助デート、φ、〜φ４・・
・位相ダート、゛パＶ入ＩＦ１１士今 村
丸Ｆｉｇ、３ 〜．４
結合デ／々イスの略断函図、第２図は、同様に電荷削除
を促進するように修正された別の電荷結合デバイスの入
力構造の平面図、第３図及び第４図はそれぞれ第２図の
デバイスの入力構造の墓−璽線に於ける断面図及びＮ−
ＩＶ線に於ける曲折断面図、！ｉ１５図はセンナ素子と
ＣＯＤの構成を示す赤殉軒メージセンサの概略図、及び
８６図は電荷削除を促進するように構成されたＭｏ５ｒ
ｋＴパケ７νす′−１′・ ット・デ／々イスの回路図である。 １、 Ｅ・・・基板、５・・・金属層、７・・・絶縁層
、９・・・ロード入力、１１・・・入力レジスタ、１３
・・・出力レジスタ、１５・・・絶鰍ｗＩＬ做、１９・
・・転送チャネル、２１・・・入力ＭＯ８ＦＥＴ、２３
・・・出力ＭＯ８ＦＥＴ、２５・・・トランジスタスイ
ッチ、Ｓ・・・ソース、Ｄ・・・ドレイン、Ｇ１・・・
入力テート、ＧＳ・・・蓄積制御デート、Ｇ、・・・転
送側ｍダート、ＧＡ・・・補助デート、φ、〜φ４・・
・位相ダート、゛パＶ入ＩＦ１１士今 村
丸Ｆｉｇ、３ 〜．４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）電荷はデバイスの入力と補助電荷ストアとの閣で
各積分周期中に何度も相互に転送され、電荷の増分線各
転送直ＩＩＫ除去されること七特徴とする電荷転送デバ
イスのパックグラウンド削除方法。 （２）入力ソース、ドレイン、ソースとドレインとＯ関
に配置される入カスドアと他の複数の転送ストア、及び
ストアからストアへの電荷φ 転送をコントロールする九めの転送ゲート、入カスドア
即ちソースの最近傍の第１番目のストア中に蓄積された
電荷が、秋分周期に続いて、入カスドアから第２１１８
のストアへ放出されるように、鋏放出をコントロールす
るためｏｍｍｒｉｎｂ、及び デバイスの転送？−）ＫＩＩＩＨされてお夕、電ａｔス
トアからストア及びドレインに転送すべ〈位相信４１會
該２−トに加える丸めの位相クロック、 デバイス入力に隣接すゐ補助ストア及びゲート、及び 補助ダー）Ｋ接続されておｐ１時間可変電圧？−）信号
を加え、デバイス入力と補助ストアとの閣でｊ！絖的電
荷交換を行い、各積分周期で何度も電荷を交換するため
の制御ジエキレータ七組合わせて含むこと１＊倣とする
特許請求の範囲第１項に記載の方法１−＊施するためＯ
装置。 （３） 特許請求の範−鮪２ｍＫ記載の装置として使
用畜れる赤外距メージセンサシステムであｐ。 電荷転送デバイスは多数個の入力【有し、各人力は対応
する補助２−ト及びストアＫｌ！ｉｌ Ｌ、幀システム
はアレー状に配置され友多数個の赤外線検出素子を含み
、鎖素子の各々は対応するデバイスソースに信号【送ｐ
、補助ゲートの各々社信号ジェネレータに接続されるこ
とを特徴とする赤外亀イメージセンナシステム。 （４）各補助ゲートは共通の信号ジェネレータに接続さ
れることｔｅａとする４１１軒請求のａ間第３ｇｉに記
載のシステム。 （５）各信号ジェネレータ社周期的電圧信号を発生する
ことを特徴とする特許請求の範囲第２積に記載の装置。 （６）信号出力回路と、各信号ジェネレータに協働し出
力回路に応答する制御手段と聖書み、それによって適用
し得る閾値【与えるように各信号ジェネレータの周波数
が設定されることｔ％歓とする特許請求の範囲第す項に
記載の装置。 （７１４ＩＩＦＦＭ求の範囲第２項に記載の装置に於い
て電荷転送デバイスとして使用される電荷結合デバイス
で６９、皺デバイスは、 デバイスソース及びドレイン【形成するドープされた領
域【含む半導体基板、 基板表向に塗布され九絶縁材料層、 基板用電荷転送チャネル、及びソースとドレインとの間
に伸延するチャネルを形成する障壁手段、 絶縁層の上側でデバイスに溢って配置されており、それ
ぞれチャネルに泪って伸延し、嬉１ｉｋ目はソースにす
ぐｌＩ＊して配置される複数の転送電極、及び ソースに隣接する補助デート電極 を含むことｔ−％黴とする１１１＃結合デバイス。 （８）補助ゲートと第１着目の転送電極とは、ソースを
包囲するように構成及び配置されることｔ％黴とする特
許請求の範囲第７横に記載のデバイスＯ
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8211732 | 1982-04-22 | ||
| GB8211732 | 1982-04-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197768A true JPS58197768A (ja) | 1983-11-17 |
Family
ID=10529882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58070867A Pending JPS58197768A (ja) | 1982-04-22 | 1983-04-21 | 電荷転送デバイスに於けるバツクグラウンド削除方法及び装置、及び該装置に使用される電荷結合デバイス並びに赤外線イメ−ジセンサシステム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0092926A3 (ja) |
| JP (1) | JPS58197768A (ja) |
| GB (1) | GB2119567B (ja) |
| IL (1) | IL68488A0 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8314300D0 (en) * | 1983-05-24 | 1983-06-29 | Gen Electric Co Plc | Image sensors |
| RU2262775C2 (ru) * | 2003-06-24 | 2005-10-20 | Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН | Кмоп-фотоприемная ячейка |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3983395A (en) * | 1974-11-29 | 1976-09-28 | General Electric Company | MIS structures for background rejection in infrared imaging devices |
| US3969634A (en) * | 1975-07-31 | 1976-07-13 | Hughes Aircraft Company | Bucket background subtraction circuit for charge-coupled devices |
-
1983
- 1983-04-08 EP EP83301993A patent/EP0092926A3/en not_active Withdrawn
- 1983-04-18 GB GB08310459A patent/GB2119567B/en not_active Expired
- 1983-04-21 JP JP58070867A patent/JPS58197768A/ja active Pending
- 1983-04-25 IL IL68488A patent/IL68488A0/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2119567A (en) | 1983-11-16 |
| GB2119567B (en) | 1985-08-29 |
| EP0092926A3 (en) | 1985-12-18 |
| IL68488A0 (en) | 1983-07-31 |
| EP0092926A2 (en) | 1983-11-02 |
| GB8310459D0 (en) | 1983-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4484210A (en) | Solid-state imaging device having a reduced image lag | |
| US3969634A (en) | Bucket background subtraction circuit for charge-coupled devices | |
| CA1298389C (en) | High dynamic range charge-coupled device | |
| US4169273A (en) | Photodetector signal processing | |
| US4589003A (en) | Solid state image sensor comprising photoelectric converting film and reading-out transistor | |
| JPH06101553B2 (ja) | 電荷転送形撮像装置 | |
| US4231052A (en) | Apparatus for parallel-in to serial-out conversion | |
| EP0069535A2 (en) | Solid state imaging apparatus | |
| JPS5928110B2 (ja) | 赤外線イメ−ジセンサ回路配置 | |
| US4479139A (en) | Charge coupled device open circuit image detector | |
| GB1365751A (en) | Image pick up devices | |
| US4644572A (en) | Fill and spill for charge input to a CCD | |
| EP0059547B1 (en) | Clock controlled anti-blooming for virtual phase ccd's | |
| GB1592373A (en) | Photodetector | |
| US4165471A (en) | Optical sensor apparatus | |
| US4654683A (en) | Blooming control in CCD image sensors | |
| JP3153934B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS59228756A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0337316B2 (ja) | ||
| US4812668A (en) | Multiplexer elements for photovoltaic detectors | |
| JPS6134263B2 (ja) | ||
| EP0241886A1 (en) | Multiplexer cell for photovoltaic detectors | |
| JPH04115575A (ja) | 固体撮像素子 | |
| Washkurak et al. | A high speed, wide dynamic range linear DYNASENSOR CCD detector array for acousto-optic applications | |
| JPS5850874A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動法 |