JPS5819786A - コアメモリ駆動装置 - Google Patents
コアメモリ駆動装置Info
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- JPS5819786A JPS5819786A JP57121948A JP12194882A JPS5819786A JP S5819786 A JPS5819786 A JP S5819786A JP 57121948 A JP57121948 A JP 57121948A JP 12194882 A JP12194882 A JP 12194882A JP S5819786 A JPS5819786 A JP S5819786A
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- Japan
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- conductor
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- conductors
- coupled
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C14/00—Digital stores characterised by arrangements of cells having volatile and non-volatile storage properties for back-up when the power is down
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/06—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
- G11C11/06007—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
- G11C11/06014—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
- G11C11/06021—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
- G11C11/06028—Matrixes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Steering Control In Accordance With Driving Conditions (AREA)
- Stored Programmes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコアメモリ駆動装置、より具体的には、単一の
駆動電流がX及びY次元の両方を通過し、各次元におい
て選択されない導体を通って戻る装置に関するものであ
る。
駆動電流がX及びY次元の両方を通過し、各次元におい
て選択されない導体を通って戻る装置に関するものであ
る。
通常コアメモリ駆動装置は復号ダイオードのマトリック
スを使用し、選択されたXまたはX駆動導体に駆動電流
を結合している。各次元ごとに別々な電流が流れ、全体
の駆動電流はX及びYの部分選択駆動電流の合計に等し
い。しかし他の駆動方式も時々使用されている。ジャン
A、ラックマン(Jan A、 Rajchman )
による文献「ランダムアクセスメモリのフェライト開口
ブレートJ (Ferrite Apertured
Plate For Ramdom Acess Me
m−ory)プロシーデイングオプザエRE (pro
ceedi−ngs of the IRE )第32
5〜334ページ(1957年6月)、では第331ペ
ージにトランススイッチヲ使用した三次元不一致電流駆
動装置が記載されており、n−1の選択されガい導体を
逆電流によって駆動するこ吉によって一行の駆動導体が
駆動され、これは共通端に集まって選択された駆動導体
を通る順方向駆動電流上なる。この方式の目的は、各ト
ランススイッチで発生する駆動電流を減らすことであり
、不一致電流駆動のために電流マージン、すなわち読出
し巻線雑音消去には効果がなかった。メモリプレートの
わずか一行のコアだけがすべての電流を受けていた。
スを使用し、選択されたXまたはX駆動導体に駆動電流
を結合している。各次元ごとに別々な電流が流れ、全体
の駆動電流はX及びYの部分選択駆動電流の合計に等し
い。しかし他の駆動方式も時々使用されている。ジャン
A、ラックマン(Jan A、 Rajchman )
による文献「ランダムアクセスメモリのフェライト開口
ブレートJ (Ferrite Apertured
Plate For Ramdom Acess Me
m−ory)プロシーデイングオプザエRE (pro
ceedi−ngs of the IRE )第32
5〜334ページ(1957年6月)、では第331ペ
ージにトランススイッチヲ使用した三次元不一致電流駆
動装置が記載されており、n−1の選択されガい導体を
逆電流によって駆動するこ吉によって一行の駆動導体が
駆動され、これは共通端に集まって選択された駆動導体
を通る順方向駆動電流上なる。この方式の目的は、各ト
ランススイッチで発生する駆動電流を減らすことであり
、不一致電流駆動のために電流マージン、すなわち読出
し巻線雑音消去には効果がなかった。メモリプレートの
わずか一行のコアだけがすべての電流を受けていた。
本発明によるコアメモリ駆動装置は複数のX導体複数の
X導体を有し、これらは磁気メモリコアのアレイを誘導
結合してその中の選択されたコアの一致電流選択を行ガ
い、各導体は駆動端及び反対側の共通端を有し、これは
それぞれ他のX導体の共通端に接続され、各X導体は駆
動端及び反対側の共通端を有し、これはそれぞれ他のX
導体の共通端に結合されている。コアメモリ駆動装置は
X駆動回路を有し、これけX導体の選択された一つに部
分選択X駆動電流を発生するように結合され、X駆動回
路はそれぞれ選択され々いX駆動導体の駆動端と第一の
バスとの間にX駆動電流の比例した部分の反対方向に向
う戻りの経路を与える。コアメモリ駆動システムl−]
:Y駆動回路を有し、これはY導体の選択された一つに
部分選択X駆動電流を発生するように結合され、X駆動
回路はそれぞれ選択されないX駆動導体の駆動端とバス
点の間にX駆動電流の比例した部分の反対方向に向う戻
シの経路を与える。読出し巻線における部分選択で発生
したシャトル雑音信号を相殺するための小さな雑音信号
を発生する他に、分割された戻りの電流の駆動装置は電
流マージンを改善するのに役立ち、これによって駆動回
路を大規模に集積することができ、同時に電流制御の精
度が低くてよい。復号ダイオードがない直接トランジス
タ駆動であるので、ダイオード電圧降下がなく、5■電
源でX駆動導体及びX駆動導体の両方を通る単一の電流
を流して電流消費を太きく減らすことができる。別な装
置構成では、第1のバス寸たは第2のバスを互いに接続
して選択されたX及びX駆動導体を直列に接続してもよ
い。
X導体を有し、これらは磁気メモリコアのアレイを誘導
結合してその中の選択されたコアの一致電流選択を行ガ
い、各導体は駆動端及び反対側の共通端を有し、これは
それぞれ他のX導体の共通端に接続され、各X導体は駆
動端及び反対側の共通端を有し、これはそれぞれ他のX
導体の共通端に結合されている。コアメモリ駆動装置は
X駆動回路を有し、これけX導体の選択された一つに部
分選択X駆動電流を発生するように結合され、X駆動回
路はそれぞれ選択され々いX駆動導体の駆動端と第一の
バスとの間にX駆動電流の比例した部分の反対方向に向
う戻りの経路を与える。コアメモリ駆動システムl−]
:Y駆動回路を有し、これはY導体の選択された一つに
部分選択X駆動電流を発生するように結合され、X駆動
回路はそれぞれ選択されないX駆動導体の駆動端とバス
点の間にX駆動電流の比例した部分の反対方向に向う戻
シの経路を与える。読出し巻線における部分選択で発生
したシャトル雑音信号を相殺するための小さな雑音信号
を発生する他に、分割された戻りの電流の駆動装置は電
流マージンを改善するのに役立ち、これによって駆動回
路を大規模に集積することができ、同時に電流制御の精
度が低くてよい。復号ダイオードがない直接トランジス
タ駆動であるので、ダイオード電圧降下がなく、5■電
源でX駆動導体及びX駆動導体の両方を通る単一の電流
を流して電流消費を太きく減らすことができる。別な装
置構成では、第1のバス寸たは第2のバスを互いに接続
して選択されたX及びX駆動導体を直列に接続してもよ
い。
添付図面を参照して以下の詳細々説明を考慮すれば本発
明がさらによく理解できる。
明がさらによく理解できる。
第1図に示すように、選択的相補型データストアを有す
る特定の例みしてのデータ処理装置10け、選択的相補
型データストア12と、命令レジスタ18と、命令デコ
ーダ20 ZLを有し、データストア12は512ワー
ド×32ビツトのデータストアをFROMl 6の形で
有する状態シーケンサ14に結合され、命令レジスタ1
8はFROMl6のデータ出力を受けて蓄積するように
結合され、命令デコーダ20は命令レジスタ18によっ
て受信され蓄積された32ビツトのうちの4ビツトを受
けて復号するように結合されている。
る特定の例みしてのデータ処理装置10け、選択的相補
型データストア12と、命令レジスタ18と、命令デコ
ーダ20 ZLを有し、データストア12は512ワー
ド×32ビツトのデータストアをFROMl 6の形で
有する状態シーケンサ14に結合され、命令レジスタ1
8はFROMl6のデータ出力を受けて蓄積するように
結合され、命令デコーダ20は命令レジスタ18によっ
て受信され蓄積された32ビツトのうちの4ビツトを受
けて復号するように結合されている。
I MHzの対称クロック発生器22が結合され、その
立下りで命令レジスタ18をロードし、高レベル状態す
なわち論理1の状態にあれば500ナノ秒ののちに50
0ナノ秒間命令デコーダ2Dを付勢する。システムリセ
ット信号5R8T(これは外部で発生してもよい)で命
令レジスタ18を0にリセットすることによって状態シ
ーケンサ14を初期設定する。これによって所定のOア
ドレスがFROMl乙に与えられ、これに応じて出力D
O〜D31を発生する。クロック信号1CKの次の立下
シで命令レジスタ18はFROMlaの62ビツト出力
をロードし、ラインPAD〜PA8を通してFROMl
sに新しいアドレスを与える。同時に命令デコーダ18
は命令レジスタ18の4ピツ)IDO〜ID3の出力を
復号し、1Ml−1,Zクロック信号の次の高レベル状
態で16個の復号された出力信号のうちの1つを500
ナノ秒パルスとして出力する。
立下りで命令レジスタ18をロードし、高レベル状態す
なわち論理1の状態にあれば500ナノ秒ののちに50
0ナノ秒間命令デコーダ2Dを付勢する。システムリセ
ット信号5R8T(これは外部で発生してもよい)で命
令レジスタ18を0にリセットすることによって状態シ
ーケンサ14を初期設定する。これによって所定のOア
ドレスがFROMl乙に与えられ、これに応じて出力D
O〜D31を発生する。クロック信号1CKの次の立下
シで命令レジスタ18はFROMlaの62ビツト出力
をロードし、ラインPAD〜PA8を通してFROMl
sに新しいアドレスを与える。同時に命令デコーダ18
は命令レジスタ18の4ピツ)IDO〜ID3の出力を
復号し、1Ml−1,Zクロック信号の次の高レベル状
態で16個の復号された出力信号のうちの1つを500
ナノ秒パルスとして出力する。
この例ではわずか15個の状態が実際に出力され、デコ
ーダ出力TOはノーオペレーション状態として利用され
る。また、この例では復号された命令のうちのわずか2
つしか利用していない。命令■1を使用して条件マルチ
プレクサ30を付勢し、命令■2を用いてパルス上のサ
イクルイニシエート入力をデータストア12にORゲー
ト62を通して発生し、これはまた命令レジスタ18か
ら直接パルス状でない、すなわち連続したサイクルイニ
シエ−1・信号を受信することもできる。クロック信号
の次の立下りで命令レジスタは新しい一組のデータをロ
ードし、FROMl 6に新しいアドレスを与える。
ーダ出力TOはノーオペレーション状態として利用され
る。また、この例では復号された命令のうちのわずか2
つしか利用していない。命令■1を使用して条件マルチ
プレクサ30を付勢し、命令■2を用いてパルス上のサ
イクルイニシエート入力をデータストア12にORゲー
ト62を通して発生し、これはまた命令レジスタ18か
ら直接パルス状でない、すなわち連続したサイクルイニ
シエ−1・信号を受信することもできる。クロック信号
の次の立下りで命令レジスタは新しい一組のデータをロ
ードし、FROMl 6に新しいアドレスを与える。
ORゲート34はFROM 34に最下位アドレスビッ
トAOを出力することによって条件ブランチを実行し、
命令レジスタ18の出力から対応するアドレスビットを
、条件マルチプレクサ30からデータ出力信号を受信す
る。そこで状態シーケンサによって偶数アドレスをPR
OM16に与えることによって条件ブランチを実行する
ことができる。条件マルチプレクサ30の出力が論理0
であれば、この命令を実行する。しかし、条件マルチプ
レクサ30の出力が論理1であれは、ORゲート54は
自動的に次のアドレスに歩進し、次の命令を実行する。
トAOを出力することによって条件ブランチを実行し、
命令レジスタ18の出力から対応するアドレスビットを
、条件マルチプレクサ30からデータ出力信号を受信す
る。そこで状態シーケンサによって偶数アドレスをPR
OM16に与えることによって条件ブランチを実行する
ことができる。条件マルチプレクサ30の出力が論理0
であれば、この命令を実行する。しかし、条件マルチプ
レクサ30の出力が論理1であれは、ORゲート54は
自動的に次のアドレスに歩進し、次の命令を実行する。
例えば、FROMl6に与えられた次のアドレスが記憶
位置64であり、条件MUX30が論理1の出力を発生
すると、アドレス65を実際にFROM1乙に与える。
位置64であり、条件MUX30が論理1の出力を発生
すると、アドレス65を実際にFROM1乙に与える。
データ処理装置10に含まれ、システム動作を容易にす
るだめの他の周辺回路はデータラッチ36を有し、これ
はデータストア12の利用できるデータ出力が発生する
とデータストア12の出力データをラッチするものであ
る。ラッチ3乙の出力はC11人力を通して条件マルチ
プレクサ30に戻される。なお、データストア出力のデ
ータアベーラプル、アドレスオーバフロー及び電源障害
も条件マルチプレクサ30の入力信号CI2〜C14を
通してそれぞれ状態シーケンサ14に戻される。またD
O及びDA出力も外部装置に利用でき、外部装置はイン
ターフェースアドレスレジスタ40及びインターフェー
スマルチプレクサ40に、並びに条件マルチプレクサ3
0を通してデータ処理装置10吉交信することができる
。
るだめの他の周辺回路はデータラッチ36を有し、これ
はデータストア12の利用できるデータ出力が発生する
とデータストア12の出力データをラッチするものであ
る。ラッチ3乙の出力はC11人力を通して条件マルチ
プレクサ30に戻される。なお、データストア出力のデ
ータアベーラプル、アドレスオーバフロー及び電源障害
も条件マルチプレクサ30の入力信号CI2〜C14を
通してそれぞれ状態シーケンサ14に戻される。またD
O及びDA出力も外部装置に利用でき、外部装置はイン
ターフェースアドレスレジスタ40及びインターフェー
スマルチプレクサ40に、並びに条件マルチプレクサ3
0を通してデータ処理装置10吉交信することができる
。
モジュロNのプリスケーラすなわちカウンタ44はカウ
ントすべきパルスを含む入力信号を受信し、カウント中
にオーバフローすると最大計数信号を条件マルチプレク
サ入力C15に出力する。プリスケーラ44はシステム
リセット信号によってリセットすると吉ができる。カウ
ンタ44の計数状態の数は特定の応用例に依存し、例え
ば電力計のシャフトの回転数を表わすパルスを受信し、
プリスケールカウントを発生してカウンタ44の各MA
Xカウント出力が電気エネルギーの1キロワット時を表
わすようにする。
ントすべきパルスを含む入力信号を受信し、カウント中
にオーバフローすると最大計数信号を条件マルチプレク
サ入力C15に出力する。プリスケーラ44はシステム
リセット信号によってリセットすると吉ができる。カウ
ンタ44の計数状態の数は特定の応用例に依存し、例え
ば電力計のシャフトの回転数を表わすパルスを受信し、
プリスケールカウントを発生してカウンタ44の各MA
Xカウント出力が電気エネルギーの1キロワット時を表
わすようにする。
データストア12は小さな256×1のコアメモリで実
現するのが有利であり、これはそれ自身内部アドレスカ
ウンタを有し、1500ナノ秒の幅のリード/ライトサ
イクルで動作する。データストア12のハウスギ−ピン
グ接続は電力検出入力を有し、これは電源の8ボルト非
安定化入力から抵抗分圧した6ボルトを受ける。入力が
所定の閾値以下に下がる吉、データストア12は電源障
害出力を発生し、これは条件MUXの入力C14に結合
され、緊急の電源障害を警報し、データストア12を安
全状態において、データストアが低電力状態のために動
作でき々く々つてもメモリサイクルが中断しないように
する。電源障害出力はまた外部装置にも転送され、その
装置に緊急の電源障害を通報する。ある応用例では、外
部装置は、電源が停止する前にデータストア12に蓄積
するためにインターフェース回路に通してシステム10
に転送しなければならないシステムポインタまたはデー
タパラメータを利用することがあシ、これらのポインタ
及びパラメータまたは他のデータは電力障害の間はデー
タストア12の非揮発性コア記憶装置によって保持する
ことができる。適切な電力状態に復旧すると、外部装置
はデータストア12からこのデータを取り出し、電力障
害が発生した点において再開を行うことができる。
現するのが有利であり、これはそれ自身内部アドレスカ
ウンタを有し、1500ナノ秒の幅のリード/ライトサ
イクルで動作する。データストア12のハウスギ−ピン
グ接続は電力検出入力を有し、これは電源の8ボルト非
安定化入力から抵抗分圧した6ボルトを受ける。入力が
所定の閾値以下に下がる吉、データストア12は電源障
害出力を発生し、これは条件MUXの入力C14に結合
され、緊急の電源障害を警報し、データストア12を安
全状態において、データストアが低電力状態のために動
作でき々く々つてもメモリサイクルが中断しないように
する。電源障害出力はまた外部装置にも転送され、その
装置に緊急の電源障害を通報する。ある応用例では、外
部装置は、電源が停止する前にデータストア12に蓄積
するためにインターフェース回路に通してシステム10
に転送しなければならないシステムポインタまたはデー
タパラメータを利用することがあシ、これらのポインタ
及びパラメータまたは他のデータは電力障害の間はデー
タストア12の非揮発性コア記憶装置によって保持する
ことができる。適切な電力状態に復旧すると、外部装置
はデータストア12からこのデータを取り出し、電力障
害が発生した点において再開を行うことができる。
データストア12の+5VVCC入力は基本電力を与え
、地気接続によって電源回路が完結する。端子COと0
1の間に0.1μFのコンデンサを接続し、内部電圧ブ
ースト回路によって使用する。5Ω抵抗を通して電力抵
抗接続RPを地気に接続し、データストア12のコアス
タックで利用される駆動電流の制御を行う。
、地気接続によって電源回路が完結する。端子COと0
1の間に0.1μFのコンデンサを接続し、内部電圧ブ
ースト回路によって使用する。5Ω抵抗を通して電力抵
抗接続RPを地気に接続し、データストア12のコアス
タックで利用される駆動電流の制御を行う。
データストア12のアクティブな制御接続はアドレスオ
ーバフロー出力AOVを含み、これは内部アドレスカウ
ンタが255の最大計数値にありオーバーフローすると
ころであることを示す。
ーバフロー出力AOVを含み、これは内部アドレスカウ
ンタが255の最大計数値にありオーバーフローすると
ころであることを示す。
オーバーフローラッチからAOVが発生し、これは磁気
帰還タイミングパルスMF’Tがメロリリードまだはラ
イトバートサイクルスタートの6o。
帰還タイミングパルスMF’Tがメロリリードまだはラ
イトバートサイクルスタートの6o。
ナノ秒のうちに発生することができなかった吉きに60
0ナノ秒タイムアウト信号によってもセットされる。A
OVはアドレス付勢信号AEによってクリアされるまで
メモリ動作サイクルを禁止する。ハウス)CTを付勢し
て最後の記憶位置をアクセスすると、CIの前縁ののち
約650ナノ秒を駆動する。データアペーラブル出力は
、データを読み出してI)O出力に安定化し、外部で/
F’U用できることを示すパルス上の出力を発生する。
0ナノ秒タイムアウト信号によってもセットされる。A
OVはアドレス付勢信号AEによってクリアされるまで
メモリ動作サイクルを禁止する。ハウス)CTを付勢し
て最後の記憶位置をアクセスすると、CIの前縁ののち
約650ナノ秒を駆動する。データアペーラブル出力は
、データを読み出してI)O出力に安定化し、外部で/
F’U用できることを示すパルス上の出力を発生する。
DAO前縁は、リード、リードコンブリメント、または
ライトメモリアクセスザイクルがサイクルイニシエート
入力信号CIによって始まったのち700ナノ秒よシ前
に発生する。DAは内部データストローブ信号に時間的
に関係し、有効なデータがDOに現われたのち40ナノ
秒アクティブになり、1サイクルの残シの部分において
アクティブにとどはる。これは内部エンドオプサイクル
パルスEOCによって終了し、CIの前縁から1)Aの
後縁までの最大時間は1350ナノ秒である。
ライトメモリアクセスザイクルがサイクルイニシエート
入力信号CIによって始まったのち700ナノ秒よシ前
に発生する。DAは内部データストローブ信号に時間的
に関係し、有効なデータがDOに現われたのち40ナノ
秒アクティブになり、1サイクルの残シの部分において
アクティブにとどはる。これは内部エンドオプサイクル
パルスEOCによって終了し、CIの前縁から1)Aの
後縁までの最大時間は1350ナノ秒である。
Doは両方向接続であり、これはリードサイクル中デー
タ出力を発生し、ライトサイクル中データ入力を受信す
る。データ入力はCIの前線ののち200ナノ秒の間有
効でなければ々らず、DAO前縁ののち10ナノ秒まで
は有効にとどまらなければならない。出力データは信号
DAO前縁の発生前40ナノ秒、CIO前縁ののち65
0ナノ秒有効であり、DAO後縁ののち20ナノ秒まで
有効状態を保持する。
タ出力を発生し、ライトサイクル中データ入力を受信す
る。データ入力はCIの前線ののち200ナノ秒の間有
効でなければ々らず、DAO前縁ののち10ナノ秒まで
は有効にとどまらなければならない。出力データは信号
DAO前縁の発生前40ナノ秒、CIO前縁ののち65
0ナノ秒有効であり、DAO後縁ののち20ナノ秒まで
有効状態を保持する。
リード及びライト入力は符号化された組合せで動作し、
データストア12の4つの動作サイクルのうちの1つを
選択する。RD=0及びWT−1はリードサイクルをコ
マンドする。RD−1及びWT=0けライトサイクルを
コマンドする。
データストア12の4つの動作サイクルのうちの1つを
選択する。RD=0及びWT−1はリードサイクルをコ
マンドする。RD−1及びWT=0けライトサイクルを
コマンドする。
RD=0及びWT=0はリードコンブリメントサイクル
をコマンドし、これによってアドレスされた記憶位置か
らデータを読み出し、コンブリメントを取り、コンブリ
メント形式で出力I)Oにこれを発生し、次に選択され
たアドレス記憶位置にコンブリメント形式で再び蓄積す
る。RD=1゜WT=1はアドレス歩進サイクルをコマ
ンドし、これによってアドレスカウンタは歩進するが、
データ操作は行われない。RD及びWTN:CIの前縁
の前100ナノ秒間有効でなければならず、その後30
0ナノ秒間有効状態を保持しなければならない。
をコマンドし、これによってアドレスされた記憶位置か
らデータを読み出し、コンブリメントを取り、コンブリ
メント形式で出力I)Oにこれを発生し、次に選択され
たアドレス記憶位置にコンブリメント形式で再び蓄積す
る。RD=1゜WT=1はアドレス歩進サイクルをコマ
ンドし、これによってアドレスカウンタは歩進するが、
データ操作は行われない。RD及びWTN:CIの前縁
の前100ナノ秒間有効でなければならず、その後30
0ナノ秒間有効状態を保持しなければならない。
チップイネーブル信号CEは電源障害状態を制御し、ア
クティブ状態ではデータストア12の必要な要素によっ
て動作電力を受け、これによってデータストアをアクテ
ィブ状態にしてデータザイクルコマンドを受信する。C
E=1の電源障害状態では、電力検出回路、AE受信回
路、アドレスオーバーフロー回路及びチップイネーブル
回路のみがアクティブ状態にとどまる。電源障害状態で
はアドレスカウンタのデータが失われるので、面の開始
の時にこれを回復し々ければならない。さらに、CEO
前縁さ第1のアクティブ入力信号との間には500ナノ
秒の時間間隔が必要である。入力CTはカウントイネー
ブル入力であり、これによって内部アドレスカウンタが
現在のメモリサイクルの終了、またはアドレス歩進サイ
クルの始めで歩進する。CTfdCIの前縁の前100
ナノ秒有効でなければならず、少くとも300ナノ秒間
有効状態にとどまらなければならない。
クティブ状態ではデータストア12の必要な要素によっ
て動作電力を受け、これによってデータストアをアクテ
ィブ状態にしてデータザイクルコマンドを受信する。C
E=1の電源障害状態では、電力検出回路、AE受信回
路、アドレスオーバーフロー回路及びチップイネーブル
回路のみがアクティブ状態にとどまる。電源障害状態で
はアドレスカウンタのデータが失われるので、面の開始
の時にこれを回復し々ければならない。さらに、CEO
前縁さ第1のアクティブ入力信号との間には500ナノ
秒の時間間隔が必要である。入力CTはカウントイネー
ブル入力であり、これによって内部アドレスカウンタが
現在のメモリサイクルの終了、またはアドレス歩進サイ
クルの始めで歩進する。CTfdCIの前縁の前100
ナノ秒有効でなければならず、少くとも300ナノ秒間
有効状態にとどまらなければならない。
AEけアドレスイネーブル入力であり、これによってア
ドレス入力MAO〜MA7は内部アドレスカウンタにロ
ードされる。またこれはアドレスオーバーフロー信号A
OVをリセットする。信号■は200ナノ秒の最小パル
ス幅を持たなければならない。このアドレスカウンタは
、AEがサイクル開始時間においてアクティブ状態であ
れば、AEO後縁かまたは内部メモリビジー信号BUS
Yの前縁のいずれかによってラッチされる。アドレス入
力信号はAEO後縁の前200ナノ秒安定状態になけれ
ばならず、AEののち100ナノ秒間有効状態に保持し
なければならんい。
ドレス入力MAO〜MA7は内部アドレスカウンタにロ
ードされる。またこれはアドレスオーバーフロー信号A
OVをリセットする。信号■は200ナノ秒の最小パル
ス幅を持たなければならない。このアドレスカウンタは
、AEがサイクル開始時間においてアクティブ状態であ
れば、AEO後縁かまたは内部メモリビジー信号BUS
Yの前縁のいずれかによってラッチされる。アドレス入
力信号はAEO後縁の前200ナノ秒安定状態になけれ
ばならず、AEののち100ナノ秒間有効状態に保持し
なければならんい。
サイクル開始信号CIはデータストアのチップが付勢さ
れ、ビジーで々い場合ではデータストア動作サイクルを
開始し、これは100ナノ秒の最大パルス幅を有する。
れ、ビジーで々い場合ではデータストア動作サイクルを
開始し、これは100ナノ秒の最大パルス幅を有する。
1サイクルの動作中、C11000ナノ秒の最大パルス
幅を有する。CIがアクティブ状態に吉どまる限り、デ
ータストア12はCEtたはAOVによって消勢される
まで連続的に循環する。
幅を有する。CIがアクティブ状態に吉どまる限り、デ
ータストア12はCEtたはAOVによって消勢される
まで連続的に循環する。
この例では、データ処理装置10のすべての入力コマン
ドは条件マルチプレクサ30を通して入力しなければ々
らガい。状態シーケンサ14は、16個の利用できるコ
マンドを順次サンプリングしてその1つがアクティブ状
態であるとこれに応動することによってこれらのコマ”
)” Ic 応動する。これらの条件入力をサンプリ
ングするプログラムは第1表に示されている。
ドは条件マルチプレクサ30を通して入力しなければ々
らガい。状態シーケンサ14は、16個の利用できるコ
マンドを順次サンプリングしてその1つがアクティブ状
態であるとこれに応動することによってこれらのコマ”
)” Ic 応動する。これらの条件入力をサンプリ
ングするプログラムは第1表に示されている。
システムリセットによってアドレス記憶位置〇になる吉
、これから始まってシーケンサはTROML6の入力ア
ドレス2を指定し命令状態工1がアクティブとなって条
件マルチプレクサ3゜を指定し、条件状態0がアクティ
ブとなって条件CDをテストする。条件入力coがアク
ティブでないき、とのシーケンサは実際にアドレス記憶
位w2に歩進し、これからアドレス記憶位置4に歩進し
てC1人力をテストするっしがし、COコマンド入力が
アクティブであると、シーケンサはアドレス記憶位置2
ではなく記憶位置3に歩進する。アドレス記憶位置3は
FROMアドレス記憶位置64への分岐命令を有し、C
oコマンドに応動するサブルーチンの最初の命令を蓄積
する。図示の例では、入力コマンドcoはデータ処理装
置10にアドレス記憶位置0〜1における2つのピット
の内容をアドレス記憶位置4〜5における2つのピット
の内容に加算し、その結指示する。
、これから始まってシーケンサはTROML6の入力ア
ドレス2を指定し命令状態工1がアクティブとなって条
件マルチプレクサ3゜を指定し、条件状態0がアクティ
ブとなって条件CDをテストする。条件入力coがアク
ティブでないき、とのシーケンサは実際にアドレス記憶
位w2に歩進し、これからアドレス記憶位置4に歩進し
てC1人力をテストするっしがし、COコマンド入力が
アクティブであると、シーケンサはアドレス記憶位置2
ではなく記憶位置3に歩進する。アドレス記憶位置3は
FROMアドレス記憶位置64への分岐命令を有し、C
oコマンドに応動するサブルーチンの最初の命令を蓄積
する。図示の例では、入力コマンドcoはデータ処理装
置10にアドレス記憶位置0〜1における2つのピット
の内容をアドレス記憶位置4〜5における2つのピット
の内容に加算し、その結指示する。
入力コマンドCOがアクティブでないと、シーケンサは
アドレス2に歩進し、コマンド人力c1をテストする。
アドレス2に歩進し、コマンド人力c1をテストする。
入力C1がアクティブで々いと、PROMアドレス4に
よってアドレス6に分岐し、入力C2をテストする。し
かし、入力c1がアクティブであると、シーケンサは実
際にはPROMアドレス5に進み、これによってコマン
ド人力c1に対応するサブルーチンの初期動作に分岐し
、コマンド人力C1はこの例ではアドレス記憶位置12
8に位置するリード入力バイトルーチンである。例えば
入力C1けデータ処理装置1oから外部装置に8ビツト
のデータを読み出すように指示し、これによって内部イ
ンターフェイスアドレスレジスタ40によって指示され
たアドレス記憶位置が開始する。
よってアドレス6に分岐し、入力C2をテストする。し
かし、入力c1がアクティブであると、シーケンサは実
際にはPROMアドレス5に進み、これによってコマン
ド人力c1に対応するサブルーチンの初期動作に分岐し
、コマンド人力C1はこの例ではアドレス記憶位置12
8に位置するリード入力バイトルーチンである。例えば
入力C1けデータ処理装置1oから外部装置に8ビツト
のデータを読み出すように指示し、これによって内部イ
ンターフェイスアドレスレジスタ40によって指示され
たアドレス記憶位置が開始する。
データストア12
データストア12は第2図に示すように単一のデュアル
インラインパッケージにおけるハイブリット回路として
組み立てられている。データストア12はマスクシリコ
ンチップ114ト、コアアレイ116.:、スレーブシ
リコンチップ118キからなる。マスクチップ114及
びスレーブチップ118は、マスタチップはオプション
セレクト入力O8が接地され、スレーブチップではO8
入力が+5Vに接続されてスレーブチップとして構成さ
れている以外は同一である。O8入力は実際には3状態
論理入力であシ、左が接続されていないとこのチップは
256のコアアレイ116ではなく64のコアアレイだ
けを駆動することができる単一のチップ構成として機態
する。
インラインパッケージにおけるハイブリット回路として
組み立てられている。データストア12はマスクシリコ
ンチップ114ト、コアアレイ116.:、スレーブシ
リコンチップ118キからなる。マスクチップ114及
びスレーブチップ118は、マスタチップはオプション
セレクト入力O8が接地され、スレーブチップではO8
入力が+5Vに接続されてスレーブチップとして構成さ
れている以外は同一である。O8入力は実際には3状態
論理入力であシ、左が接続されていないとこのチップは
256のコアアレイ116ではなく64のコアアレイだ
けを駆動することができる単一のチップ構成として機態
する。
マスクチップ114はXドライブ及びシンク、データス
トアアドレスレジスタの4つの最下位ピット、並びにメ
モリ動作のタイミング及び制御の大部分を与える。スレ
ーブチップはおもに、Xドライブラインのドライブ及び
シンク回路、並びにデータストアアドレスレジスタの最
上位の4つのピットを与える。
トアアドレスレジスタの4つの最下位ピット、並びにメ
モリ動作のタイミング及び制御の大部分を与える。スレ
ーブチップはおもに、Xドライブラインのドライブ及び
シンク回路、並びにデータストアアドレスレジスタの最
上位の4つのピットを与える。
第3図はコアアレイ116を示し、これは16×167
レイのスクエアループ磁気データ蓄積コア130を有す
る。簡単のために実際にはいくつかの数のコアだけがコ
アが配列されている二重の杉あやのコアパターンを示す
ように図示されている。第3図はまた説明を簡単にする
ためにいくつかの駆動回路及び読出し回路を示している
。
レイのスクエアループ磁気データ蓄積コア130を有す
る。簡単のために実際にはいくつかの数のコアだけがコ
アが配列されている二重の杉あやのコアパターンを示す
ように図示されている。第3図はまた説明を簡単にする
ためにいくつかの駆動回路及び読出し回路を示している
。
この外部駆動回路及び読出し回路は実際にはコアアレイ
116ではガくマスタ及びスレイプチップ114,11
8の中に位置し、コアアレイ116はメモリコア130
、タイミングコア130に及び2つの分流抵抗134,
136を有する。これらのコアはアムペックスコーポレ
ーションモデル1323−Cのコアであり、外径が13
ミルであシ、全駆動電流は公称230 mAである。
116ではガくマスタ及びスレイプチップ114,11
8の中に位置し、コアアレイ116はメモリコア130
、タイミングコア130に及び2つの分流抵抗134,
136を有する。これらのコアはアムペックスコーポレ
ーションモデル1323−Cのコアであり、外径が13
ミルであシ、全駆動電流は公称230 mAである。
電流駆動方式はXドライブラインについてもつともよく
図示されている。各XドライブラインXO〜X15はそ
れに対応して駆動トランジスタ140を有し、そのコレ
クタは+5■に接続され、エミッタは対応するXドライ
ブラインに接続されている。また各ドライブラインX0
−X15はシンクトランジスタすなわちスイッチ142
を有し、そのコレクタは対応するドライブラインに接続
され、エミッタは5Ωの電流制御抵抗RPを通して接地
されている。スイッチングトランジスタ140.142
のペース入力はデコーダに接続され、これはデータスト
ア12のアドレスカウンタの中に蓄積されたアドレスに
応動して与えられたXドライブラインに対応する一対の
スイッチを選択し、さらに内部リードまたはライトコマ
ンド信号に応動してドライブスイッチ140またはシン
クスイッチ142のいずれかを選択し、選択されたドラ
イブラインを通る電流の方向を制御する。各Xドライブ
ラインの駆動接続端はさらに、分流抵抗144を通して
抵抗バス148に接続され、反対側の端部は互いに共通
バス150に接続されている、 リードパートザイクルにおいて、駆動電流が抵抗バス1
48に与えられ、これは前に説明したように16個の抵
抗144を通してX駆動導体の駆動端に流れると16個
の部分に分割される。
図示されている。各XドライブラインXO〜X15はそ
れに対応して駆動トランジスタ140を有し、そのコレ
クタは+5■に接続され、エミッタは対応するXドライ
ブラインに接続されている。また各ドライブラインX0
−X15はシンクトランジスタすなわちスイッチ142
を有し、そのコレクタは対応するドライブラインに接続
され、エミッタは5Ωの電流制御抵抗RPを通して接地
されている。スイッチングトランジスタ140.142
のペース入力はデコーダに接続され、これはデータスト
ア12のアドレスカウンタの中に蓄積されたアドレスに
応動して与えられたXドライブラインに対応する一対の
スイッチを選択し、さらに内部リードまたはライトコマ
ンド信号に応動してドライブスイッチ140またはシン
クスイッチ142のいずれかを選択し、選択されたドラ
イブラインを通る電流の方向を制御する。各Xドライブ
ラインの駆動接続端はさらに、分流抵抗144を通して
抵抗バス148に接続され、反対側の端部は互いに共通
バス150に接続されている、 リードパートザイクルにおいて、駆動電流が抵抗バス1
48に与えられ、これは前に説明したように16個の抵
抗144を通してX駆動導体の駆動端に流れると16個
の部分に分割される。
選択されたX導体において、選択されたシンクスイッチ
142及び電力抵抗を通して16分の1の電流が地気に
流れる。しかし他の15本の選択されないX駆pf)J
導体では、電流が反対の端部に流れ、これは共通バス1
15に集−g、選択されたX導体を通して逆方向、すな
わち右から左に流れ、対応する抵抗を通して16分の1
の駆動電流と結合し、対応するシンクスイッチ142及
び電力抵抗を通して地気に流れ込む、2ライトパートサ
イクルでは、電流の方向が反対になり、ドライブスイッ
チ140が導通して導体XOなどの選択されたX駆動導
体の駆動端を+5Vに接続し、これによって電流がその
駆動端から反対の端部に向って流れる。この電流の16
分の1が対応する駆動抵抗144を通して抵抗バス14
8に流れる。反対の端部では、選択されたX導体を左か
ら右に流れる電流は共通バス150に到達すると15本
の選択されたX導体の15の径路に分割される。この分
割された電流は選択されないX導体のそれぞれを通って
右から左へ反対の方向に流れ、対応する駆動抵抗144
を通って抵抗バス148に流れる。従ってこの電流はす
べてこの抵抗バスに集まる。
142及び電力抵抗を通して16分の1の電流が地気に
流れる。しかし他の15本の選択されないX駆pf)J
導体では、電流が反対の端部に流れ、これは共通バス1
15に集−g、選択されたX導体を通して逆方向、すな
わち右から左に流れ、対応する抵抗を通して16分の1
の駆動電流と結合し、対応するシンクスイッチ142及
び電力抵抗を通して地気に流れ込む、2ライトパートサ
イクルでは、電流の方向が反対になり、ドライブスイッ
チ140が導通して導体XOなどの選択されたX駆動導
体の駆動端を+5Vに接続し、これによって電流がその
駆動端から反対の端部に向って流れる。この電流の16
分の1が対応する駆動抵抗144を通して抵抗バス14
8に流れる。反対の端部では、選択されたX導体を左か
ら右に流れる電流は共通バス150に到達すると15本
の選択されたX導体の15の径路に分割される。この分
割された電流は選択されないX導体のそれぞれを通って
右から左へ反対の方向に流れ、対応する駆動抵抗144
を通って抵抗バス148に流れる。従ってこの電流はす
べてこの抵抗バスに集まる。
従って明らかなように、この駆動方式は選択されたX導
体を通して選択された方向に駆動電流を通過させるよう
に動作し、それぞれの場合の駆動電流は選択されない1
5本のX導体に等しく分割され、これら選択されない導
体を通して反対の方向に戻される。
体を通して選択された方向に駆動電流を通過させるよう
に動作し、それぞれの場合の駆動電流は選択されない1
5本のX導体に等しく分割され、これら選択されない導
体を通して反対の方向に戻される。
X導体の駆動方式はX導体の場合よシさらに複雑である
が、電気的には同じである。しかしコアの向きがXドラ
イブラインによって異なるので、そのラインの駆動端は
コア130のアレイの両側に物理的に位置しなければな
らない。例えば、YOドライブラインは各コアを左下か
ら右上の向きに結合し、そのドライブトランジスタ17
0及びシンクトランジスタ172はアレイの下に配置さ
れている。Yl及びY2ドライブラインについて、各コ
アは反対の向きに配列され、ドライブ及びシンクスイッ
チングトランジスタはアレイの上にある。それぞれの場
合、各X駆動導体の駆動端は駆動抵抗174を通して抵
抗バス176に結合され、反対の端部は共通バス178
に接続され、共通バスは両端部がすべてこれに接続され
ている。
が、電気的には同じである。しかしコアの向きがXドラ
イブラインによって異なるので、そのラインの駆動端は
コア130のアレイの両側に物理的に位置しなければな
らない。例えば、YOドライブラインは各コアを左下か
ら右上の向きに結合し、そのドライブトランジスタ17
0及びシンクトランジスタ172はアレイの下に配置さ
れている。Yl及びY2ドライブラインについて、各コ
アは反対の向きに配列され、ドライブ及びシンクスイッ
チングトランジスタはアレイの上にある。それぞれの場
合、各X駆動導体の駆動端は駆動抵抗174を通して抵
抗バス176に結合され、反対の端部は共通バス178
に接続され、共通バスは両端部がすべてこれに接続され
ている。
リードパートザイクルにおいて、ドライブラインYOの
スイッチ170などの選択されたYドライブスイッチが
導通して電流を流し、選択されたドライブラインを+5
vに結合し、これを通して駆動電流が流れる。この駆動
スイッチ電流の16分の1が対応する駆動抵抗174を
通して抵抗バス176に流れる。このスイッチ電流の残
りの16分の15は実際の部分選択コア駆動電流を構成
し、選択されたドライブラインを通して共通バスに流れ
、ここで15の方向に別れて15本の選択されないX駆
動導体を通して共通端から駆動端に電気的に反対の方向
に流れ、ここで対応する駆動抵抗174を通して抵抗バ
ス176に流れる。従ってすべての駆動スイッチ電流は
抵抗バス176に集まる。
スイッチ170などの選択されたYドライブスイッチが
導通して電流を流し、選択されたドライブラインを+5
vに結合し、これを通して駆動電流が流れる。この駆動
スイッチ電流の16分の1が対応する駆動抵抗174を
通して抵抗バス176に流れる。このスイッチ電流の残
りの16分の15は実際の部分選択コア駆動電流を構成
し、選択されたドライブラインを通して共通バスに流れ
、ここで15の方向に別れて15本の選択されないX駆
動導体を通して共通端から駆動端に電気的に反対の方向
に流れ、ここで対応する駆動抵抗174を通して抵抗バ
ス176に流れる。従ってすべての駆動スイッチ電流は
抵抗バス176に集まる。
抵抗バス176は分流抵抗134,136の片側に接続
され、この電流の16分の1が抵抗134に流れ、この
電流の16分の15が実際のコア駆動電流と整合し、抵
抗136及びタイミングコア132の2巻回巻線180
を通過する。タイミングコア132はコアアレイのコア
130と同じである。巻線180を通過したのち、この
駆動電流は、前に説明したようにX抵抗バス148に接
続され、ここから15の方向に別れて選択され々いX導
体を通って共通バス150に反対の方向に流れ、次に選
択されたX導体を通って対応するシンクスイッチに読出
し方向に流れ、次に電流制御抵抗RPを通って地気に流
れ込む。タイミングコアの巻線180は2回巻いている
ので、その駆動特性はアレイの中の選択されたコアをX
及びYの方向に駆動電流が2回流れるように整合してお
シ、これによってタイミングコア132は選択されたコ
アと同じ起磁力を発生する。従ってこれは選択されたコ
アと正確に並例にスイッチングする。
され、この電流の16分の1が抵抗134に流れ、この
電流の16分の15が実際のコア駆動電流と整合し、抵
抗136及びタイミングコア132の2巻回巻線180
を通過する。タイミングコア132はコアアレイのコア
130と同じである。巻線180を通過したのち、この
駆動電流は、前に説明したようにX抵抗バス148に接
続され、ここから15の方向に別れて選択され々いX導
体を通って共通バス150に反対の方向に流れ、次に選
択されたX導体を通って対応するシンクスイッチに読出
し方向に流れ、次に電流制御抵抗RPを通って地気に流
れ込む。タイミングコアの巻線180は2回巻いている
ので、その駆動特性はアレイの中の選択されたコアをX
及びYの方向に駆動電流が2回流れるように整合してお
シ、これによってタイミングコア132は選択されたコ
アと同じ起磁力を発生する。従ってこれは選択されたコ
アと正確に並例にスイッチングする。
ライトパートサイクルにおいて、選択されたXドライバ
は選択されたX駆動導体を+5Vに接続し、そのコア駆
動電流は選択されたX駆動導体を通って左から右に流れ
、十分なスイッチ駆動電流が前述のように抵抗バス14
8に集まる。
は選択されたX駆動導体を+5Vに接続し、そのコア駆
動電流は選択されたX駆動導体を通って左から右に流れ
、十分なスイッチ駆動電流が前述のように抵抗バス14
8に集まる。
抵抗バス148は駆動コア162の巻線180に接続さ
れ、その書込み電流は巻線180を読出し電流き反対の
方向に流れ、タイミングコア132を再びスイッチング
させる。この駆動電流は分流抵抗134,13Sを通っ
てY抵抗バス176に流れる。
れ、その書込み電流は巻線180を読出し電流き反対の
方向に流れ、タイミングコア132を再びスイッチング
させる。この駆動電流は分流抵抗134,13Sを通っ
てY抵抗バス176に流れる。
このY抵抗バスにおいて、この電流は16の方向に別か
れ、全体の電流の16分の15が選択されないX駆動導
体の駆動端に流れ、次にこれを通って共通Yバス178
に反対の方向に流れる。
れ、全体の電流の16分の15が選択されないX駆動導
体の駆動端に流れ、次にこれを通って共通Yバス178
に反対の方向に流れる。
この点から電流が集まり、導体YOなどの選択されたX
導体を通って選択されたYシンクスイッチ172に書込
み方向に流れ、次に電流制御抵抗RPを通って地気に流
れ込む。
導体を通って選択されたYシンクスイッチ172に書込
み方向に流れ、次に電流制御抵抗RPを通って地気に流
れ込む。
この駆動方式は多数の非常に1.要な利点を有する。ま
ずすべてのドライブ接続及びシンク接続はドライブライ
ンの片側にあシ、その反対側は単に互いに接続されてい
るにすぎない。従って各駆動導体ごとに外部回路には単
一の接続しかない。また各駆動導体は選択的にドライブ
トランジスタを通して+5■に接続され、またはシンク
トランジスタを通して地気に接続されている。これらの
トランジスタは飽和するか、またはほとんど飽和に近い
状態になって電圧降下がなくなりその中の電力損失がな
くなることがある。従来の復号ダイオードは完全に必要
でなく、それに付随してその中の電圧降下や電力損失も
ない。これらの電圧降下がないことによってX及びYド
ライブラインを+5■電源からの単一の電流で容易に駆
動することができ、また電力損失が々いので高い電源電
圧を使用しなければならないドライバチップによる電力
消費が大幅に減少する。X及びY駆動電流の直列接続に
よって駆動電流の必要な量が2分の1に減少し、そうで
なければ→−5vの電源から別々な駆動電流をそれぞれ
個々に取シ出したとすれば、駆動電流の全体の電力消費
は2分の1に減少する。同時に、選択されないドライブ
ラインを流れる逆電流は選択されないコアにおける選択
されたドライブラインを流れる部分選択電流を部分的に
相殺する。例えばコアXO,YOが選択されたとすると
、コアX1 、YOは部分選択Y駆動電流を受け、これ
は選択されないX導体X1において反対の方向に流れる
部分選択X駆動電流によって15分の1が相殺される。
ずすべてのドライブ接続及びシンク接続はドライブライ
ンの片側にあシ、その反対側は単に互いに接続されてい
るにすぎない。従って各駆動導体ごとに外部回路には単
一の接続しかない。また各駆動導体は選択的にドライブ
トランジスタを通して+5■に接続され、またはシンク
トランジスタを通して地気に接続されている。これらの
トランジスタは飽和するか、またはほとんど飽和に近い
状態になって電圧降下がなくなりその中の電力損失がな
くなることがある。従来の復号ダイオードは完全に必要
でなく、それに付随してその中の電圧降下や電力損失も
ない。これらの電圧降下がないことによってX及びYド
ライブラインを+5■電源からの単一の電流で容易に駆
動することができ、また電力損失が々いので高い電源電
圧を使用しなければならないドライバチップによる電力
消費が大幅に減少する。X及びY駆動電流の直列接続に
よって駆動電流の必要な量が2分の1に減少し、そうで
なければ→−5vの電源から別々な駆動電流をそれぞれ
個々に取シ出したとすれば、駆動電流の全体の電力消費
は2分の1に減少する。同時に、選択されないドライブ
ラインを流れる逆電流は選択されないコアにおける選択
されたドライブラインを流れる部分選択電流を部分的に
相殺する。例えばコアXO,YOが選択されたとすると
、コアX1 、YOは部分選択Y駆動電流を受け、これ
は選択されないX導体X1において反対の方向に流れる
部分選択X駆動電流によって15分の1が相殺される。
従って選択されないパワーは従来のコアメモリスタック
の場合のような部分選択駆動電流全体ではなく、部分選
択駆動電流の15分の14だけを受ける。このように部
分的に相殺することで動作マージンが大きく改善される
。そこでこの部分選択駆動電流は従来のコアメモリカら
ば部分的に選択されたコアが動作し始めるのに十分な大
きさになることができ、本装置ではとの部分的な相殺に
よって選択され力いコアに実際に流れる部分選択電流を
減少させてその動作を防ぐのに十分である。このように
マージンが大きいので、単一チップ半導体駆動回路を使
用することができ、このような駆動回路は従来のコアメ
モリに見られる電流源のように正確左駆動電流制御を行
うことができない。
の場合のような部分選択駆動電流全体ではなく、部分選
択駆動電流の15分の14だけを受ける。このように部
分的に相殺することで動作マージンが大きく改善される
。そこでこの部分選択駆動電流は従来のコアメモリカら
ば部分的に選択されたコアが動作し始めるのに十分な大
きさになることができ、本装置ではとの部分的な相殺に
よって選択され力いコアに実際に流れる部分選択電流を
減少させてその動作を防ぐのに十分である。このように
マージンが大きいので、単一チップ半導体駆動回路を使
用することができ、このような駆動回路は従来のコアメ
モリに見られる電流源のように正確左駆動電流制御を行
うことができない。
増幅器190は駆動電流を帰還して駆動電流の大きさを
安定化するのに役立つ。差動増幅器190は、駆動電流
の大きさを表わす電力抵抗RPの電圧を基準電圧VR(
!:比較して負の帰還信号VDCREFを出力しこれは
その差に比例するものである。この負の帰還信号を使用
してアクティブなシンクスイッチトランジスタ142ま
たは172のどぢらか導通している方のベース電流を制
御し、駆動電流の大きさを制御する。基準電圧信号VR
は温度が補償され、25℃まではほぼ0.625Vで一
定に保持され、その後は1℃あたりは?!0.24%の
割合で降下する。
安定化するのに役立つ。差動増幅器190は、駆動電流
の大きさを表わす電力抵抗RPの電圧を基準電圧VR(
!:比較して負の帰還信号VDCREFを出力しこれは
その差に比例するものである。この負の帰還信号を使用
してアクティブなシンクスイッチトランジスタ142ま
たは172のどぢらか導通している方のベース電流を制
御し、駆動電流の大きさを制御する。基準電圧信号VR
は温度が補償され、25℃まではほぼ0.625Vで一
定に保持され、その後は1℃あたりは?!0.24%の
割合で降下する。
読出し回路は、雑音消去クロスオーバがないとさ、及び
コアアレイを通ってリードパートサイクル中コアスイッ
チング信号の単極性出力が発生するように布線されてい
る点で従来のコアメモリ読出し回路とは異なる。すなわ
ち、すべての読出しコアはセンスライン出力SAに正電
圧を誘起し、センスライン出力■には負電圧を誘起する
。また、従来のコアメモリでは、センスライン及び平行
なドライブラインはその間を通る直交、すなわちXドラ
イブラインによって分離され、誘起された駆動電流雑音
を減少させる。
コアアレイを通ってリードパートサイクル中コアスイッ
チング信号の単極性出力が発生するように布線されてい
る点で従来のコアメモリ読出し回路とは異なる。すなわ
ち、すべての読出しコアはセンスライン出力SAに正電
圧を誘起し、センスライン出力■には負電圧を誘起する
。また、従来のコアメモリでは、センスライン及び平行
なドライブラインはその間を通る直交、すなわちXドラ
イブラインによって分離され、誘起された駆動電流雑音
を減少させる。
しかしこの装置では、Y導体及び対応するセンスライン
は同時に布線することができ、コアアレイの寸法が小さ
く、センスライン巻線配列に固有の雑音消去特性によっ
て価格が減少する。
は同時に布線することができ、コアアレイの寸法が小さ
く、センスライン巻線配列に固有の雑音消去特性によっ
て価格が減少する。
タイミングコア132は第2の単−巻回巻線192を有
する。この巻線192はセンス巻線SA。
する。この巻線192はセンス巻線SA。
SAをコア130の配列の中の選択されたコアに結合す
る単一の巻線に対応する。従って192の出力はメモリ
パートサイクル中選択されスイッチされたコアによって
流れる出カスイツチング信′号にできるだけ密接に追従
する。巻線192の出力は一対の1000の抵抗194
,196によって分割される。従って巻線192の出力
の半分は抵抗196を通ってセンス巻線SA端子に伸び
る回路における差動増幅器198の入力端子に現われ、
そのセンス巻線を通ってSA端子に至り、次に50Ωの
抵抗200を通って増幅器198の負の端子に接続され
る。。
る単一の巻線に対応する。従って192の出力はメモリ
パートサイクル中選択されスイッチされたコアによって
流れる出カスイツチング信′号にできるだけ密接に追従
する。巻線192の出力は一対の1000の抵抗194
,196によって分割される。従って巻線192の出力
の半分は抵抗196を通ってセンス巻線SA端子に伸び
る回路における差動増幅器198の入力端子に現われ、
そのセンス巻線を通ってSA端子に至り、次に50Ωの
抵抗200を通って増幅器198の負の端子に接続され
る。。
従って選択されたコアのコアスイッチング電圧はタイミ
ングコア132の巻線192のコアスイッチング電圧の
半分と直列に反対の極性で結合されている。従って1を
読み出すと、読出し増幅器198の入力に現われる正味
の信号は正の極性でコアスイッチング出力信号の半分で
ある。
ングコア132の巻線192のコアスイッチング電圧の
半分と直列に反対の極性で結合されている。従って1を
読み出すと、読出し増幅器198の入力に現われる正味
の信号は正の極性でコアスイッチング出力信号の半分で
ある。
−力選択されたコアがスイッチングしないと、読出し増
幅器198の入力に現われる信号はやはりコアスイッチ
ング出力信号の半分であシ、負の極性である。コアスイ
ッチング出力信号の大きさが温度や駆動電流などの要因
によって変化すると、信号の大きさが大きく変化するこ
とがあるが、読出し増幅器198の入力に現われるリー
ド1及びリード0の正味の、または差のスイッチング信
号はOVを中心として対称な状態を保持し、正の電圧で
選択されたコアのスイッチング状態を+pわし、負の電
圧で選択されたコアの非スイッチング状態を現わす。従
ってOVは1″!、たは0の選択されたコア出力を検出
する最適読出し閾値を保持する。選択されたコアスイッ
チング信号からタイミングコアスイッチング信号の半分
を差し引くことによって、変化するコアスイッチング信
号状態に応じて読出し電圧閾値をダイナミックに調整す
る。同時に、実際の閾値は差動電圧0■に保持され、こ
の閾値は非常にたやすく安定化させることができる。読
出し増幅器198の出力はディスクリミネータ204に
差動的に転送され、とのディスクリミネータは1及び0
のスイッチング信号出力を識別してストローブタイミン
グ信号を受けるとそれに従ってデータラッチ206をセ
ットする。
幅器198の入力に現われる信号はやはりコアスイッチ
ング出力信号の半分であシ、負の極性である。コアスイ
ッチング出力信号の大きさが温度や駆動電流などの要因
によって変化すると、信号の大きさが大きく変化するこ
とがあるが、読出し増幅器198の入力に現われるリー
ド1及びリード0の正味の、または差のスイッチング信
号はOVを中心として対称な状態を保持し、正の電圧で
選択されたコアのスイッチング状態を+pわし、負の電
圧で選択されたコアの非スイッチング状態を現わす。従
ってOVは1″!、たは0の選択されたコア出力を検出
する最適読出し閾値を保持する。選択されたコアスイッ
チング信号からタイミングコアスイッチング信号の半分
を差し引くことによって、変化するコアスイッチング信
号状態に応じて読出し電圧閾値をダイナミックに調整す
る。同時に、実際の閾値は差動電圧0■に保持され、こ
の閾値は非常にたやすく安定化させることができる。読
出し増幅器198の出力はディスクリミネータ204に
差動的に転送され、とのディスクリミネータは1及び0
のスイッチング信号出力を識別してストローブタイミン
グ信号を受けるとそれに従ってデータラッチ206をセ
ットする。
第3図には示してないが、ストローブタイミング信号は
巻線192からのタイミングコア出力スイッチング信号
に応じて発生してもよい。従ってストローブ信号はコア
スイッチング信号の実際のピークで発生し、雑音耐性が
最大上なる。
巻線192からのタイミングコア出力スイッチング信号
に応じて発生してもよい。従ってストローブ信号はコア
スイッチング信号の実際のピークで発生し、雑音耐性が
最大上なる。
実際のコアスイッチング信号に追従することによって、
ストローブ信号のタイミングは温度や駆動電流などの要
因でコアスイッチング信号特性が変化しても最適化する
と吉ができる。
ストローブ信号のタイミングは温度や駆動電流などの要
因でコアスイッチング信号特性が変化しても最適化する
と吉ができる。
シャントスイッチングトランジスタ212を有する分流
回路210は、ライトパートサイクル中0(コアをスイ
ッチングし々い)を書き込む時に駆動される。0を書き
込む場合、選択されたYアドレスのYシンクスイッチは
導通するが、対応するXドライブスイッチは導通しない
。その代わりシャントトランジスタ212が導通してX
共通バス150を+5■に接続する。この点から、電流
が別れて16本の選択されないX駆動線及び対応する駆
動抵抗144をすべて逆方向に通過し、X抵抗バス14
8に至る。この点から、電流はタイミングコア192を
通って書込み方向に流れ、タイミングコア192をスイ
ッチングしてX抵抗バス176の次のリードパートサイ
クルに(lifiえる。この点から電流はライトパート
サイクルの通常のY電流路を通るこの電流は駆動抵抗1
74を通って15本の選択されない駆動導体の駆動端に
流れ、次に共通バス178の反対側の端部に逆方向に流
れる。この点から、電流は選択されたY導体を通ってこ
れに対応するYシンクスイッチ172に書込み駆動方向
に流れ、次に電力抵抗RPを通って地気に至る。このよ
うにして選択されたコアは単一の部分選択電流だけを受
け、これは部分的に相殺され、0を書き込む場合には選
択されたコアはスイッチングし々い。
回路210は、ライトパートサイクル中0(コアをスイ
ッチングし々い)を書き込む時に駆動される。0を書き
込む場合、選択されたYアドレスのYシンクスイッチは
導通するが、対応するXドライブスイッチは導通しない
。その代わりシャントトランジスタ212が導通してX
共通バス150を+5■に接続する。この点から、電流
が別れて16本の選択されないX駆動線及び対応する駆
動抵抗144をすべて逆方向に通過し、X抵抗バス14
8に至る。この点から、電流はタイミングコア192を
通って書込み方向に流れ、タイミングコア192をスイ
ッチングしてX抵抗バス176の次のリードパートサイ
クルに(lifiえる。この点から電流はライトパート
サイクルの通常のY電流路を通るこの電流は駆動抵抗1
74を通って15本の選択されない駆動導体の駆動端に
流れ、次に共通バス178の反対側の端部に逆方向に流
れる。この点から、電流は選択されたY導体を通ってこ
れに対応するYシンクスイッチ172に書込み駆動方向
に流れ、次に電力抵抗RPを通って地気に至る。このよ
うにして選択されたコアは単一の部分選択電流だけを受
け、これは部分的に相殺され、0を書き込む場合には選
択されたコアはスイッチングし々い。
タイミングコア巻線180はそのコイルを通して部分選
択電流を受け、これによってこの巻線はスイッチングし
、次のリードサイクルに備える。
択電流を受け、これによってこの巻線はスイッチングし
、次のリードサイクルに備える。
ここで第4図を参照すると、データストア12の読出し
及び書込み制御を行うサイクルスタート及びマスク制御
回路が示されている。外部サイクル開始信号が駆動され
、アドレス歩進信号すべて論理1にある吉、NANDゲ
ート400の出力における信号GOによってデータサイ
クルが始まる。これらの付勢信号はいずれの前のメモリ
サイクルも終了し、メモリの新しいサイクルが始まる状
態を規定するものであ一す、これは信号CIによって始
まる。新しいサイクルを開始する信号GOはビジーラッ
チ402をセットし、これはサイクル終了信号EOCま
たはシステムリセット信号R8Tによってリセットされ
るまでそのメモリサイクル中はセット状態を保つ。ビジ
ー信号の前縁はNANDゲート404の出力に60ナノ
秒のパルスを発生し、このゲートはリードラッチ406
をセットするように接続されている。ラッチ406は信
号READを発生し、これは電流ドライバーそれに付随
する回路にリードパートサイクルを実際に実行するよう
に指示するものである。
及び書込み制御を行うサイクルスタート及びマスク制御
回路が示されている。外部サイクル開始信号が駆動され
、アドレス歩進信号すべて論理1にある吉、NANDゲ
ート400の出力における信号GOによってデータサイ
クルが始まる。これらの付勢信号はいずれの前のメモリ
サイクルも終了し、メモリの新しいサイクルが始まる状
態を規定するものであ一す、これは信号CIによって始
まる。新しいサイクルを開始する信号GOはビジーラッ
チ402をセットし、これはサイクル終了信号EOCま
たはシステムリセット信号R8Tによってリセットされ
るまでそのメモリサイクル中はセット状態を保つ。ビジ
ー信号の前縁はNANDゲート404の出力に60ナノ
秒のパルスを発生し、このゲートはリードラッチ406
をセットするように接続されている。ラッチ406は信
号READを発生し、これは電流ドライバーそれに付随
する回路にリードパートサイクルを実際に実行するよう
に指示するものである。
タイミングコア132の出力巻線192の出力スイッチ
ング信号を出力スイッチング信号の公称最大ピーク電圧
のほぼ10%にセットされた閾値と比較することによっ
て信号MFT、すなわち磁気帰還タイミング信号が発生
する。従って信号MFTの前縁では、タイミングコアス
イッチング信号が10チの閾値を越え、後縁でd:タイ
ミングコアスイッチング信号電圧がこの10多の閾値以
下に下がる。MFTの後縁が発生すると、2つのインバ
ータゲートは40ナノ秒の遅延を発生し、これによって
リードラッチ406をリセットしてリードパートサイク
ルを終了する。この40ナノ秒の遅延によって、選択さ
れたコアは確実に十分にその読出し方向にスイッチング
され、均一に十分にスイッチングされたフシックス状態
を与えていづれかのあとに続くライトパートサイクルを
開始する。リード信号の後縁は60ナノ秒のパルスをN
ANDゲート408に発生し、これはライトラッチ41
0をセットする。
ング信号を出力スイッチング信号の公称最大ピーク電圧
のほぼ10%にセットされた閾値と比較することによっ
て信号MFT、すなわち磁気帰還タイミング信号が発生
する。従って信号MFTの前縁では、タイミングコアス
イッチング信号が10チの閾値を越え、後縁でd:タイ
ミングコアスイッチング信号電圧がこの10多の閾値以
下に下がる。MFTの後縁が発生すると、2つのインバ
ータゲートは40ナノ秒の遅延を発生し、これによって
リードラッチ406をリセットしてリードパートサイク
ルを終了する。この40ナノ秒の遅延によって、選択さ
れたコアは確実に十分にその読出し方向にスイッチング
され、均一に十分にスイッチングされたフシックス状態
を与えていづれかのあとに続くライトパートサイクルを
開始する。リード信号の後縁は60ナノ秒のパルスをN
ANDゲート408に発生し、これはライトラッチ41
0をセットする。
ライトラッチ410は書込み出力信号を発生し、これは
電流ドライバを導通させてライトパートサイクルを実行
するように指示する1、読出しラッチ410は、次のラ
イトサイクルにおいて別に40ナノ秒の遅延を与えるこ
となくスイツチングする時にタイミングコア132によ
って発生した磁気帰還タイミング信号によって消勢され
る。
電流ドライバを導通させてライトパートサイクルを実行
するように指示する1、読出しラッチ410は、次のラ
イトサイクルにおいて別に40ナノ秒の遅延を与えるこ
となくスイツチングする時にタイミングコア132によ
って発生した磁気帰還タイミング信号によって消勢され
る。
リードサイクルまたはライトサイクルが発生するごとに
600ナノ秒のタイマ412が動作し、タイムアウト信
号TOを発生するこの信号は、磁気帰還タイミング信号
が600ナノ秒以内にこれらをリセットしないと読出し
ラッチ406及び書込みランチ410をリセットするも
のである。これによって伺らかの原因によりタイミング
コア132が磁気帰還タイミング信号を発生するように
読み出される出力スイッチング信号を発生しない場合に
駆動回路を損傷するような電流ドライバ暴走状態を防止
する。なお、メモリサイクルの最初の時点ではタイミン
グコアは出力スイッチング信号を発生するのに適切な状
態にないことがある。別なときには、■10コマンドの
誤使用、大きな雑音信号、または他の欠陥により磁気帰
還タイミング信号が防害されると吉がちる5゜ データゲートラッチ414はシステム人カリートコマン
ト信号RDに応動してデータ入力ゲート信号DIG及び
そのコンブリメント、データ出力ゲート信号DOGを発
生する。カウントラッチ416がセットされ、入力カウ
ントイネーブル信号CTがサイクルスタート信号GOと
共に発生する吉、メモリサイクルの完了と共にアドレス
カウンタが歩進する。いったん発生するととのカウント
信号は信号GOが信号CTが発生せずに1サイクルの初
めでアクティブロウになる寸でラッチされる。NAND
ゲー1−418はサイクル終了信号EOCを発生し、こ
のきき10Gナノ秒のパルスが書込み制御信号WRIT
Eの後縁で発生する。この同じ時間間隔において、NA
NDゲート4201dカウントハルス信号CTPを発生
し、これは実際に信号C0UNTによって付勢されると
メモリサイクルの終了でアドレスカウンタを歩進させる
。
600ナノ秒のタイマ412が動作し、タイムアウト信
号TOを発生するこの信号は、磁気帰還タイミング信号
が600ナノ秒以内にこれらをリセットしないと読出し
ラッチ406及び書込みランチ410をリセットするも
のである。これによって伺らかの原因によりタイミング
コア132が磁気帰還タイミング信号を発生するように
読み出される出力スイッチング信号を発生しない場合に
駆動回路を損傷するような電流ドライバ暴走状態を防止
する。なお、メモリサイクルの最初の時点ではタイミン
グコアは出力スイッチング信号を発生するのに適切な状
態にないことがある。別なときには、■10コマンドの
誤使用、大きな雑音信号、または他の欠陥により磁気帰
還タイミング信号が防害されると吉がちる5゜ データゲートラッチ414はシステム人カリートコマン
ト信号RDに応動してデータ入力ゲート信号DIG及び
そのコンブリメント、データ出力ゲート信号DOGを発
生する。カウントラッチ416がセットされ、入力カウ
ントイネーブル信号CTがサイクルスタート信号GOと
共に発生する吉、メモリサイクルの完了と共にアドレス
カウンタが歩進する。いったん発生するととのカウント
信号は信号GOが信号CTが発生せずに1サイクルの初
めでアクティブロウになる寸でラッチされる。NAND
ゲー1−418はサイクル終了信号EOCを発生し、こ
のきき10Gナノ秒のパルスが書込み制御信号WRIT
Eの後縁で発生する。この同じ時間間隔において、NA
NDゲート4201dカウントハルス信号CTPを発生
し、これは実際に信号C0UNTによって付勢されると
メモリサイクルの終了でアドレスカウンタを歩進させる
。
または、WT及びRDが発生してデータ操作を行わ々い
アドレス歩進メモリサイクルを指示すると、メモリサイ
クルの初めでNANDゲート422が信号CTPを発生
する。一対のN AN Dゲート424及び426によ
って、発生したカウントパルス信号をデュアルチップ構
成におけるマスクチップからスレーブチップに転送する
。
アドレス歩進メモリサイクルを指示すると、メモリサイ
クルの初めでNANDゲート422が信号CTPを発生
する。一対のN AN Dゲート424及び426によ
って、発生したカウントパルス信号をデュアルチップ構
成におけるマスクチップからスレーブチップに転送する
。
ここで第5図を参照すると、インバータラッチ504を
有するインバータ回路502が示され、このラッチは信
号Goによってパルス駆動され、読出し及び書込み信号
の両方が与えられることによってセットされるように接
続されている。
有するインバータ回路502が示され、このラッチは信
号Goによってパルス駆動され、読出し及び書込み信号
の両方が与えられることによってセットされるように接
続されている。
このインバータラッチはサイクル終了信号EOCオだは
りチセット信号R8Tによってリセットされるように結
合されている。インバータ回路502はデータラッチ2
06から真のデータ及び補数のデータを受信し、リセッ
トされるとデータストアラッチ504に真のデータを通
過させ、セットされるとデータラッチ504に補数のデ
ータを通過させる。データラッチ504はNANDゲー
ト506を通してDo出力端子を駆動するように結合さ
れ、これはさらにデータ出力ゲート信号DOGによって
付勢される。データラッチ504はまた、データ入力ゲ
ートストローブ信号DIG。
りチセット信号R8Tによってリセットされるように結
合されている。インバータ回路502はデータラッチ2
06から真のデータ及び補数のデータを受信し、リセッ
トされるとデータストアラッチ504に真のデータを通
過させ、セットされるとデータラッチ504に補数のデ
ータを通過させる。データラッチ504はNANDゲー
ト506を通してDo出力端子を駆動するように結合さ
れ、これはさらにデータ出力ゲート信号DOGによって
付勢される。データラッチ504はまた、データ入力ゲ
ートストローブ信号DIG。
SAS及びラッチ510のコンブリメント出力が発生す
ることによってNANDゲート508が付勢されると、
NANDゲート508からDOデータ端子の入力データ
を受信するよう結合され、ラッチ510は60ナノ秒だ
け遅延したSASによってセットされ信号EOCまたは
R8Tによってリセットされるように結合されている3
、 アドレスカウンタが特定の1つ号たけ2つのチップ構成
で十分であれば、NANDゲート514の出力によって
セットされるようにオーバーフローラッチ512が結合
され、との場合読取シ増幅器ストローブ信号SA、Sと
同時に信号C0UNTが現われるとこのメモリを使用す
る。ラッチ512はさらに、600ナノ秒タイムアウト
信号TOによってリセットされるように結合され°Cい
る。アドレスラッチ512はアドレスイネーブル信号A
Eによってリセットされるように結合されている。分流
回路520はドライブトランジスタ522を有し、これ
は+5vに接続され、そのベースはANDゲート524
によって駆動され、このゲートは、データラッチ504
がデータビット0を書き込むべきことを示しているとき
はライトサイクル中ドライブトランジスタ522を導通
させる。
ることによってNANDゲート508が付勢されると、
NANDゲート508からDOデータ端子の入力データ
を受信するよう結合され、ラッチ510は60ナノ秒だ
け遅延したSASによってセットされ信号EOCまたは
R8Tによってリセットされるように結合されている3
、 アドレスカウンタが特定の1つ号たけ2つのチップ構成
で十分であれば、NANDゲート514の出力によって
セットされるようにオーバーフローラッチ512が結合
され、との場合読取シ増幅器ストローブ信号SA、Sと
同時に信号C0UNTが現われるとこのメモリを使用す
る。ラッチ512はさらに、600ナノ秒タイムアウト
信号TOによってリセットされるように結合され°Cい
る。アドレスラッチ512はアドレスイネーブル信号A
Eによってリセットされるように結合されている。分流
回路520はドライブトランジスタ522を有し、これ
は+5vに接続され、そのベースはANDゲート524
によって駆動され、このゲートは、データラッチ504
がデータビット0を書き込むべきことを示しているとき
はライトサイクル中ドライブトランジスタ522を導通
させる。
ANDゲート524は2チツプ構成におけるスレーブチ
ップおいて信号SLによって消勢させる。駆動方向制御
回路528が動作してXドライブ信号、Xドライブ信号
、Xシンクドライブ制御信号、及びXシンクドライブ制
御信号を駆動し、リードバートザイクルが進行中かライ
トパートサイクルが進行中かに、及び与えられたチップ
が単一チップ構成、スレーブ構成、またはマスク構成か
によって電流方向ドライバを適切に導通させる。マスタ
チップのNORゲート530がマスクチップからスレー
ブチップに選択イネーブル信号SEを転送し、スレーブ
チップにドライブ選択出力を発生する。同様に、インバ
ータゲート532が接続され、マスタチップからスレー
ブチップに信号S/Sを送出し、ライトパートサイクル
が進行中であるか否かを示す。スレーブチップでは、方
向制御回路のみシζ電源が供給され、ゲート530及び
562は電源遮断状態にとどまり、不動作状態である。
ップおいて信号SLによって消勢させる。駆動方向制御
回路528が動作してXドライブ信号、Xドライブ信号
、Xシンクドライブ制御信号、及びXシンクドライブ制
御信号を駆動し、リードバートザイクルが進行中かライ
トパートサイクルが進行中かに、及び与えられたチップ
が単一チップ構成、スレーブ構成、またはマスク構成か
によって電流方向ドライバを適切に導通させる。マスタ
チップのNORゲート530がマスクチップからスレー
ブチップに選択イネーブル信号SEを転送し、スレーブ
チップにドライブ選択出力を発生する。同様に、インバ
ータゲート532が接続され、マスタチップからスレー
ブチップに信号S/Sを送出し、ライトパートサイクル
が進行中であるか否かを示す。スレーブチップでは、方
向制御回路のみシζ電源が供給され、ゲート530及び
562は電源遮断状態にとどまり、不動作状態である。
さらに方向制御回路528はNORゲート534を有し
、これはXシンク信号またはXシンク信号が真であれば
電流イネーブル信号CRENAを発生する。
、これはXシンク信号またはXシンク信号が真であれば
電流イネーブル信号CRENAを発生する。
第6図はアドレスストア602をブロック図で示し、こ
れは6ビツトカウンタ、Xマトリックススイッチ604
、X−Xマトリックススイッチ605、及びオプション
選択回路608々して実現され、オプション選択回路は
ターミナルオプション選択信号O8に応動してマスク、
スレーブ、及び単一チップ制御信号を発生する。単一チ
ップ構成では、アドレスカウンタ602は6つのアドレ
ス信号AO〜A5を受信する。マスク構成では、アドレ
ス信号AO〜Aろを受信し、スレーブ構成では最上位の
アドレス信号A4〜A7を受信する。異った構成に対処
するため、アドレスカウンタ602が2チツプ構成の記
憶位置0〜6に位置すなわち最大計数値を形成すると、
0〜3のFULL信号がアクティブになり単一チップ構
成を使用して6つの蓄積記憶位置0〜5のすべてはアド
レスカウンタ602が論理1の最大計数値を蓄積すると
O〜5 FULL信号を発生する。
れは6ビツトカウンタ、Xマトリックススイッチ604
、X−Xマトリックススイッチ605、及びオプション
選択回路608々して実現され、オプション選択回路は
ターミナルオプション選択信号O8に応動してマスク、
スレーブ、及び単一チップ制御信号を発生する。単一チ
ップ構成では、アドレスカウンタ602は6つのアドレ
ス信号AO〜A5を受信する。マスク構成では、アドレ
ス信号AO〜Aろを受信し、スレーブ構成では最上位の
アドレス信号A4〜A7を受信する。異った構成に対処
するため、アドレスカウンタ602が2チツプ構成の記
憶位置0〜6に位置すなわち最大計数値を形成すると、
0〜3のFULL信号がアクティブになり単一チップ構
成を使用して6つの蓄積記憶位置0〜5のすべてはアド
レスカウンタ602が論理1の最大計数値を蓄積すると
O〜5 FULL信号を発生する。
カウンタ602は、カウントパルス信号CTPによって
歩進し、信号BUSYによって付勢されるとアドレスイ
ネーブル信号AEに応動して外部アドレス信号がロード
されるように結合されている。
歩進し、信号BUSYによって付勢されるとアドレスイ
ネーブル信号AEに応動して外部アドレス信号がロード
されるように結合されている。
デコーダ612,614はそれぞれマトリックススイッ
チ604.605の3つのアドレス入力信号を復号スル
。デコーダ614はマルチプレクサ616を通してアド
レス入力を受信するよう結合され、マルチプレクサは単
一またはデュアルのチップ構成に応じて適切にアドレス
信号をデコーダ614に入力させる。なお、単一チップ
構成では、Xマトリックススイッチ604は8本のX導
体を駆動し、X−Xマトリックススイッチ605は8本
のY駆動導体を駆動する。マスタチップ構成では、マト
リックススイッチ604.605の両方が16本のX導
体を駆動し、スレーブ構成ではマトリックススイッチ6
04及び6050両方が16本のX導体を駆動する。
チ604.605の3つのアドレス入力信号を復号スル
。デコーダ614はマルチプレクサ616を通してアド
レス入力を受信するよう結合され、マルチプレクサは単
一またはデュアルのチップ構成に応じて適切にアドレス
信号をデコーダ614に入力させる。なお、単一チップ
構成では、Xマトリックススイッチ604は8本のX導
体を駆動し、X−Xマトリックススイッチ605は8本
のY駆動導体を駆動する。マスタチップ構成では、マト
リックススイッチ604.605の両方が16本のX導
体を駆動し、スレーブ構成ではマトリックススイッチ6
04及び6050両方が16本のX導体を駆動する。
電圧ブースト回路620は端子CD、CIに外部コンデ
ンサを利用してvCCCC入力圧1圧vに増圧し、これ
は電流ドライバスイッチによって利用される。電圧ブー
スト回路はデータストア12がビジー状態にありスレー
ブチップで付勢されていないききのみ付勢される。基準
電圧回路622はチップイネーブル信号CEに応じてマ
スタチップにおいてのみ付勢され、基準電圧信号VRを
発生する。この信号をマスタチップ及びスレーブチップ
の両方において低電流源624によって使用し、アクテ
ィブなXまたはYシンクスイッチに供給されるベース電
流を制御して選択されたコアを通る駆動電流の大きさを
制御する。
ンサを利用してvCCCC入力圧1圧vに増圧し、これ
は電流ドライバスイッチによって利用される。電圧ブー
スト回路はデータストア12がビジー状態にありスレー
ブチップで付勢されていないききのみ付勢される。基準
電圧回路622はチップイネーブル信号CEに応じてマ
スタチップにおいてのみ付勢され、基準電圧信号VRを
発生する。この信号をマスタチップ及びスレーブチップ
の両方において低電流源624によって使用し、アクテ
ィブなXまたはYシンクスイッチに供給されるベース電
流を制御して選択されたコアを通る駆動電流の大きさを
制御する。
基準電圧VRを制御して25℃までは約0.6125V
に一定に保持し、次に125°C′!!、では1℃あた
り024チの割合で減少するようにする。1第8図電力
検出回路802を示し、これは電力検出入力信号PDが
閾値電圧以下に下がると電力フラグ出力信号PF’を発
生する」:うに動作する。
に一定に保持し、次に125°C′!!、では1℃あた
り024チの割合で減少するようにする。1第8図電力
検出回路802を示し、これは電力検出入力信号PDが
閾値電圧以下に下がると電力フラグ出力信号PF’を発
生する」:うに動作する。
チップイネーブル信号CEが々く電源が投入されるとリ
セット回路804が動作してメモリリセット信号R8T
が発生する。
セット回路804が動作してメモリリセット信号R8T
が発生する。
第9図を参照するさ、完全を期してモ5■電力分配回路
が2つ示され、これらの回路はマスク及ヒスレープチッ
プ上でチップイネーブル信号面に応動するスレーブ回路
902を有する。信号CE及びSLによってマスターチ
ップの第2の電力分配回路904だけが動作し、スレー
ブチップではなくマスタチップにおいて電源を受ける回
路に」−5Vを分配する。スレーブ■CC基準信号5v
ccは第8図におけるリセット回路804に転送され、
パワーオンリセットを行う。これによってリセット信号
は確実に直流電力が安定化してしまう゛まで終了するこ
とはない。
が2つ示され、これらの回路はマスク及ヒスレープチッ
プ上でチップイネーブル信号面に応動するスレーブ回路
902を有する。信号CE及びSLによってマスターチ
ップの第2の電力分配回路904だけが動作し、スレー
ブチップではなくマスタチップにおいて電源を受ける回
路に」−5Vを分配する。スレーブ■CC基準信号5v
ccは第8図におけるリセット回路804に転送され、
パワーオンリセットを行う。これによってリセット信号
は確実に直流電力が安定化してしまう゛まで終了するこ
とはない。
第10図は電圧ブースト回路620、基準電圧回路62
0に、定電流回路624及びドライブシンクマトリック
ススイッチ604の一例を詳細に示す。また第10図は
磁気帰還回路駆動回路650も示し、これは書込み信号
中部動電流が公称値の90チを超えた時に信号WCを発
生し、読出1〜サイクル中駆動電流が公称値の90係を
超えた時に信号RCを発生する。
0に、定電流回路624及びドライブシンクマトリック
ススイッチ604の一例を詳細に示す。また第10図は
磁気帰還回路駆動回路650も示し、これは書込み信号
中部動電流が公称値の90チを超えた時に信号WCを発
生し、読出1〜サイクル中駆動電流が公称値の90係を
超えた時に信号RCを発生する。
定電流回路はこの基準電圧をRP電力抵抗の電圧上比較
して信号VDCREFを発生し、これは抵抗電圧が基準
電圧を超える吉トランジスタ652に電流を供給し、選
択された同期駆動トランジスタのベースからベース供給
電流を取り出し、これによって電力抵抗の電圧が基準電
圧に一致するまでコア駆動電流を減少させる。
して信号VDCREFを発生し、これは抵抗電圧が基準
電圧を超える吉トランジスタ652に電流を供給し、選
択された同期駆動トランジスタのベースからベース供給
電流を取り出し、これによって電力抵抗の電圧が基準電
圧に一致するまでコア駆動電流を減少させる。
第7図を参照すると、読出し増幅器198は選択された
コアの出力スイッチング信号とタイミングコア出力スイ
ッチング信号の2分の1(!:の間の差を表わす差動セ
ンス信号を受信して増幅する。増幅器すなわちディスク
リミネータ204は増幅された差動信号を受信し、ラッ
チ204が読出し増幅器ストローブ信号SASによって
駆動されると、ラッチ206で1つの状態まだは他の状
態にセットし、読み出されたデータを出力する。2つの
相?1tNH−QDATA及びDATA COME)7
)E出力として取シ出され、選択的インバータ回路によ
って使用される。
コアの出力スイッチング信号とタイミングコア出力スイ
ッチング信号の2分の1(!:の間の差を表わす差動セ
ンス信号を受信して増幅する。増幅器すなわちディスク
リミネータ204は増幅された差動信号を受信し、ラッ
チ204が読出し増幅器ストローブ信号SASによって
駆動されると、ラッチ206で1つの状態まだは他の状
態にセットし、読み出されたデータを出力する。2つの
相?1tNH−QDATA及びDATA COME)7
)E出力として取シ出され、選択的インバータ回路によ
って使用される。
磁気帰還回路702は第11図に曲線KA及びKBで示
すように2つの増幅されたスイッチング信号を発生する
ことによってタイミングコア出力スイッチング信号に応
答する。曲線KAは曲線KBに対して負のオフセットを
有するが、その利得は大きく、曲線KBに対してわずか
に遅延している。従って曲線KAは点1302において
曲線KBO上にのび、読出増幅器ストローブ信号SAS
の前縁を規定する。時点1604では、曲線KAの大き
さが曲線KBの大きさよシ小さくなり、信号SASを終
了する。
すように2つの増幅されたスイッチング信号を発生する
ことによってタイミングコア出力スイッチング信号に応
答する。曲線KAは曲線KBに対して負のオフセットを
有するが、その利得は大きく、曲線KBに対してわずか
に遅延している。従って曲線KAは点1302において
曲線KBO上にのび、読出増幅器ストローブ信号SAS
の前縁を規定する。時点1604では、曲線KAの大き
さが曲線KBの大きさよシ小さくなり、信号SASを終
了する。
さて第7図を参照すると、入力差動増幅器704はタイ
ミングコア読出し巻線のTA及びTA端子からタイミン
グコアスイッチング信号を受信する。増幅器704は電
流源706と、一対の差動増幅器トランジスタ708,
710とを有する。
ミングコア読出し巻線のTA及びTA端子からタイミン
グコアスイッチング信号を受信する。増幅器704は電
流源706と、一対の差動増幅器トランジスタ708,
710とを有する。
トランジスタ708のコレクタは抵抗712及び負荷抵
抗714を通して+5vに接続されている。
抗714を通して+5vに接続されている。
同様に、トランジスタ710のコレクタは抵抗716及
び負荷抵抗718を通して+5Vに接続されている。3
つ抵抗720,721、及び722は負荷抵抗714,
718の間に直列に接続されている。抵抗721の中央
は交流の仮想接地であり、抵抗721及び722は交流
分圧回路として動作し、負荷抵抗718の利得に対して
点Bの利得を減少させる。従って交流利得が減少する。
び負荷抵抗718を通して+5Vに接続されている。3
つ抵抗720,721、及び722は負荷抵抗714,
718の間に直列に接続されている。抵抗721の中央
は交流の仮想接地であり、抵抗721及び722は交流
分圧回路として動作し、負荷抵抗718の利得に対して
点Bの利得を減少させる。従って交流利得が減少する。
抵抗716は負荷抵抗718及び点りに対して交流利得
を減少させるこさなく直流電圧降下を与える。
を減少させるこさなく直流電圧降下を与える。
従って点A及びBにおける電圧は曲線KAに時間遅延が
課せられている点をのぞいて第11図の曲線KA及びK
Bと同じである。抵抗720゜721.722及び71
6を選定して、点Bで読み取った公称ピークスイッチン
グ信号振幅の約10チに等しい直流オフセット電圧を点
Aに与え、点Aでは点Bの信号増幅よ91.2倍大きい
信号増幅を与える。
課せられている点をのぞいて第11図の曲線KA及びK
Bと同じである。抵抗720゜721.722及び71
6を選定して、点Bで読み取った公称ピークスイッチン
グ信号振幅の約10チに等しい直流オフセット電圧を点
Aに与え、点Aでは点Bの信号増幅よ91.2倍大きい
信号増幅を与える。
ストローブ比較器は点A及びBから信号を受信し、これ
らをそれぞれ点KA及びKBでに倍だけ増幅し、読出し
増幅器ストローブ信号SASを発生する。コンデンサ7
34は点KAの信号をわずかに遅延させるように動作し
、第11図に示す点KA及びKBの電圧波形を発生する
。駆動電流が公称振幅の90q6を超え、リードパート
サイクルが進行中であると、信号RCが読出し増幅器ス
トローブを付勢する。
らをそれぞれ点KA及びKBでに倍だけ増幅し、読出し
増幅器ストローブ信号SASを発生する。コンデンサ7
34は点KAの信号をわずかに遅延させるように動作し
、第11図に示す点KA及びKBの電圧波形を発生する
。駆動電流が公称振幅の90q6を超え、リードパート
サイクルが進行中であると、信号RCが読出し増幅器ス
トローブを付勢する。
第2のストローブ比較器は、入力の極性が反対で、これ
によって書込みサイクル中に発生する負極性のスイッチ
ング信号に応動できるようになっている点を除いては比
較器730と同じである。そのWSAS出力信号はMF
Tを発生してライトパートサイクル中駆動電流を遮断す
るように動作する。WSASは信号WCによって付勢さ
れ、信号WCはライトパートサイクル中に発生する以外
はRCと同様である。
によって書込みサイクル中に発生する負極性のスイッチ
ング信号に応動できるようになっている点を除いては比
較器730と同じである。そのWSAS出力信号はMF
Tを発生してライトパートサイクル中駆動電流を遮断す
るように動作する。WSASは信号WCによって付勢さ
れ、信号WCはライトパートサイクル中に発生する以外
はRCと同様である。
ここで第12図を参照すると、本発明によるコアメモリ
スタック1270が簡単に図示され、X駆動導体127
2がそれらの駆動端1276(1つの接続のみが示され
ている)でX駆動スイッチ1274に結合され、それら
の反対側の共通端1278では互いに接続されている。
スタック1270が簡単に図示され、X駆動導体127
2がそれらの駆動端1276(1つの接続のみが示され
ている)でX駆動スイッチ1274に結合され、それら
の反対側の共通端1278では互いに接続されている。
コアアレイ1280は磁気メモリーコア1282を有し
、とれらはそれぞれX駆動導体1272によって誘導結
合され、これは1つの列のすべてのコア1282を誘導
結合する。同様に、スタック1280は複数のX導体1
286を有し、各X導体は一つの行のすべてのコア12
82を誘導結合している。各X導体1286は駆動端1
288を有し、これは直接Xスイッチング回路1290
及び反対の共通端1292に接続され、この端部は各他
方のX導体の共通端に接続されている。X及びX導体の
共通端はこれらの導体自体を通る以外は何らかの一定の
電圧源から電気的に分離されているが、導体1294に
よって互いに接続されている。この導体は駆動電流を選
択されたX導体及び選択されたX導体を通して直列に通
過させ、選択されたコア1282の一致選択に必要2!
i:2つの一致電流を単一の駆動電流によって与えるよ
うにしている。
、とれらはそれぞれX駆動導体1272によって誘導結
合され、これは1つの列のすべてのコア1282を誘導
結合する。同様に、スタック1280は複数のX導体1
286を有し、各X導体は一つの行のすべてのコア12
82を誘導結合している。各X導体1286は駆動端1
288を有し、これは直接Xスイッチング回路1290
及び反対の共通端1292に接続され、この端部は各他
方のX導体の共通端に接続されている。X及びX導体の
共通端はこれらの導体自体を通る以外は何らかの一定の
電圧源から電気的に分離されているが、導体1294に
よって互いに接続されている。この導体は駆動電流を選
択されたX導体及び選択されたX導体を通して直列に通
過させ、選択されたコア1282の一致選択に必要2!
i:2つの一致電流を単一の駆動電流によって与えるよ
うにしている。
各Yスイッチング回路1274は駆動トランジスタ12
96を有し、これはX駆動導体1272の駆動端127
6から電流源1297を通して+5■に結合されている
。また各Yスイッチング回路1274はシンクトランジ
スタ1298を有し、これは駆動端1276から地気に
接続されている。
96を有し、これはX駆動導体1272の駆動端127
6から電流源1297を通して+5■に結合されている
。また各Yスイッチング回路1274はシンクトランジ
スタ1298を有し、これは駆動端1276から地気に
接続されている。
同様に各Xスイッチ回路1290ばX駆動導体1286
の駆動端1288から電流源1297を通して+5Vに
接続された駆動トランジスタ1298と、駆動端128
8から地気に接続されたシンクトランジスタ1299を
有する。リードパートサイクル中、駆動電流はアドレス
デコーダ(図示せず)からの制御信号に応じて選択され
たYスイッチ回路1274を通過し、選択されたX導体
1272を通って共通端に至シ、次に導体1294を通
って選択されたX導体の共通端に至シ、選択されたスイ
ッチ回路1290のシンクスイッチ1299を通って地
気に至る。直接スイッチングトランジスタを導体駆動端
に直接接続することによって復号ダイオードをなくして
いるので、X及びY駆動電流とも、単一の5v電源から
直列に発生することができる。ライトパートサイクル中
は、X駆動スイッチ1299が導通し、Yシンクスイッ
チ1298は導通して電流が反対方向に流れる。
の駆動端1288から電流源1297を通して+5Vに
接続された駆動トランジスタ1298と、駆動端128
8から地気に接続されたシンクトランジスタ1299を
有する。リードパートサイクル中、駆動電流はアドレス
デコーダ(図示せず)からの制御信号に応じて選択され
たYスイッチ回路1274を通過し、選択されたX導体
1272を通って共通端に至シ、次に導体1294を通
って選択されたX導体の共通端に至シ、選択されたスイ
ッチ回路1290のシンクスイッチ1299を通って地
気に至る。直接スイッチングトランジスタを導体駆動端
に直接接続することによって復号ダイオードをなくして
いるので、X及びY駆動電流とも、単一の5v電源から
直列に発生することができる。ライトパートサイクル中
は、X駆動スイッチ1299が導通し、Yシンクスイッ
チ1298は導通して電流が反対方向に流れる。
読出し回路に接続できる端部SA及びSAから2つの部
分に分れた読出し巻線が読出し増幅器端部上反対側の端
部において互いに接続されるアレイ1280の隣接する
列を通して通過する。簡単なスタック構成1280では
、選択されたコア出力スイッチング信号は当然双極性で
ある。
分に分れた読出し巻線が読出し増幅器端部上反対側の端
部において互いに接続されるアレイ1280の隣接する
列を通して通過する。簡単なスタック構成1280では
、選択されたコア出力スイッチング信号は当然双極性で
ある。
第13図には本発明による6線式3D駆動システム16
10が示されている。このシステム1310は4つのア
レイの磁気メモリコア1320〜1623を有する。各
アレイ1320〜1323は便宜上4×4のアレイとし
て図示されているが、各アレイは当然これよりも大きく
てもよい。
10が示されている。このシステム1310は4つのア
レイの磁気メモリコア1320〜1623を有する。各
アレイ1320〜1323は便宜上4×4のアレイとし
て図示されているが、各アレイは当然これよりも大きく
てもよい。
各アレイは駆動端1330 K及び反対側のシンク端1
630を有するX導体1330によって誘導結合され、
すべてのX導体のシンク端は互いに結合されている。こ
のシンク端はまたダイオード1334の陰極にも接続さ
れ、その陽極は接地されている。駆動端1332は電流
源(図示せず)に選択的に結合され、これは図示のよう
に選択されたX導体に読出しまたは書込み方向に駆動電
流を発生する。各駆動導体の駆動端1332は更に電流
制限路を与える抵抗1636を通してX抵抗バス133
Bに接続され、このバスは更にトランジスタ1340を
通して選択的に接地される。
630を有するX導体1330によって誘導結合され、
すべてのX導体のシンク端は互いに結合されている。こ
のシンク端はまたダイオード1334の陰極にも接続さ
れ、その陽極は接地されている。駆動端1332は電流
源(図示せず)に選択的に結合され、これは図示のよう
に選択されたX導体に読出しまたは書込み方向に駆動電
流を発生する。各駆動導体の駆動端1332は更に電流
制限路を与える抵抗1636を通してX抵抗バス133
Bに接続され、このバスは更にトランジスタ1340を
通して選択的に接地される。
同様に、X導体1342は各アレイ1320〜1323
の一列のコアを誘導結合し、駆導端1344及び反対の
シンク端1346を有する。すべてのX導体のシンク端
は互いに結合され、陽極が接地されたダイオード134
8の陰極に接続されている。駆動端1344において、
各X導体1342は電流制限路を形成する抵抗1350
を通してY抵抗バス1352に接続されている。Y抵抗
バス1352は更にトランジスタスイッチ1354を通
って接地されている。
の一列のコアを誘導結合し、駆導端1344及び反対の
シンク端1346を有する。すべてのX導体のシンク端
は互いに結合され、陽極が接地されたダイオード134
8の陰極に接続されている。駆動端1344において、
各X導体1342は電流制限路を形成する抵抗1350
を通してY抵抗バス1352に接続されている。Y抵抗
バス1352は更にトランジスタスイッチ1354を通
って接地されている。
各アレイ1320〜1323は更に、それぞれSA3.
SA3を通して2つの部分からなる読出し巻線SAO
,SAOを受け、これはY駆動導体に平行な列にそって
対応するコアアレイを通過し、各列はそのアレイの中で
クロスオーバするこトナくそのアレイを完全に通過する
。各読出し巻線の方向はそのアレイの中のコアの方向及
び駆動導体の方向と一致するように選択され、単極性の
選択されたコア読出しスイッチング出力信号を発生する
。各読出し巻線のSA端は更にトランジスタスイッチ1
360を通して正の電流源に接続され、これはそれぞれ
対応するアレイに禁止電流IHO〜IH3を与える。ま
た、読出し巻線のSA端はダイオード1362の両極に
接続され、その陰極は接地されている。
SA3を通して2つの部分からなる読出し巻線SAO
,SAOを受け、これはY駆動導体に平行な列にそって
対応するコアアレイを通過し、各列はそのアレイの中で
クロスオーバするこトナくそのアレイを完全に通過する
。各読出し巻線の方向はそのアレイの中のコアの方向及
び駆動導体の方向と一致するように選択され、単極性の
選択されたコア読出しスイッチング出力信号を発生する
。各読出し巻線のSA端は更にトランジスタスイッチ1
360を通して正の電流源に接続され、これはそれぞれ
対応するアレイに禁止電流IHO〜IH3を与える。ま
た、読出し巻線のSA端はダイオード1362の両極に
接続され、その陰極は接地されている。
読出し巻線の2つの部分の接続された端部に禁止電流を
2回流して各部分を通して読出し増幅器端に通過させ々
ければならない従来の3線式3D禁止電流装置とは異々
す、読出し巻線1320〜1323の単極性装置では単
一の禁止電流をSA端において読出し巻線に流し込み、
各選択されたコアにおいてY駆動電流と平行で反対の方
向にその中を通過させ、ダイオード1362を通してS
A端でこの巻線から出るようにすることができる。従っ
て従来の3線式3Dメモリのダイオード電流のわずか半
分しか駆動システム1310では必要としない。
2回流して各部分を通して読出し増幅器端に通過させ々
ければならない従来の3線式3D禁止電流装置とは異々
す、読出し巻線1320〜1323の単極性装置では単
一の禁止電流をSA端において読出し巻線に流し込み、
各選択されたコアにおいてY駆動電流と平行で反対の方
向にその中を通過させ、ダイオード1362を通してS
A端でこの巻線から出るようにすることができる。従っ
て従来の3線式3Dメモリのダイオード電流のわずか半
分しか駆動システム1310では必要としない。
読み出す場合には、選択されたX導体の駆動端1332
でX駆動電流を発生し、これは4つのアレイをすべて通
過して反対の共通端1333に至る。ここで選択されな
い駆動導体に等しく分れ、逆方向すなわち書込み方向に
選択されないX導体の駆動端1332へ流れる。この点
から、分割されたX電流は抵抗1336を通って抵抗バ
ス1638に至り、ライトパートサイクル中導通してい
るトランジスタ1340を通って地気に至る。従って戻
シの書込み電流は反対極性の雑音を与えるので、前述の
ように選択されたX駆動導体にそってコアの中で駆動電
流によって発生する半選択雑音すなわちシャトル雑音を
実質的に相殺する。ライトパートサイクル中、スイッチ
1640は非導通状態にとど1す、反対方向の電流は地
気からダイオード1634を通って接続された共通端1
333に至シ、そこから選択された駆動導体を通ってそ
の駆動端1332に接続された電流源(図示せず)に至
る。その結果、ライトパートサイクル中、そうでなけれ
ばアレイの中において選択されないコアで読出し方向禁
止電流を重畳的に結合させてこれらのコアをスイッチン
グさせるおそれのある分割されない戻シ方向の電流、す
なわち読出し方向電流がない。
でX駆動電流を発生し、これは4つのアレイをすべて通
過して反対の共通端1333に至る。ここで選択されな
い駆動導体に等しく分れ、逆方向すなわち書込み方向に
選択されないX導体の駆動端1332へ流れる。この点
から、分割されたX電流は抵抗1336を通って抵抗バ
ス1638に至り、ライトパートサイクル中導通してい
るトランジスタ1340を通って地気に至る。従って戻
シの書込み電流は反対極性の雑音を与えるので、前述の
ように選択されたX駆動導体にそってコアの中で駆動電
流によって発生する半選択雑音すなわちシャトル雑音を
実質的に相殺する。ライトパートサイクル中、スイッチ
1640は非導通状態にとど1す、反対方向の電流は地
気からダイオード1634を通って接続された共通端1
333に至シ、そこから選択された駆動導体を通ってそ
の駆動端1332に接続された電流源(図示せず)に至
る。その結果、ライトパートサイクル中、そうでなけれ
ばアレイの中において選択されないコアで読出し方向禁
止電流を重畳的に結合させてこれらのコアをスイッチン
グさせるおそれのある分割されない戻シ方向の電流、す
なわち読出し方向電流がない。
同様に、リードパートサイクル中は、選択されたX導体
に読出し電流が発生してアレイ132゜〜1323のす
べてを通って選択されたY駆動導体の共通端1346に
通過する。共通端1346がら、この電流は選択されな
いY駆動導体に等しく分れ、逆方向すなわち書込み方向
にその駆動端に向って流れる。駆動導体の駆動端134
2がらこの電流は抵抗1350を通ってY抵抗バス13
52に流れ、次にトランジスタスイッチ’1354を通
って地気に流れる。従って選択されないY駆動導体には
リードパートサイクル中比例した大きさの逆方向Y電流
が誘起され、読出し巻線における雑音相殺を行い、反選
択Y電流を受けるコアによってそれに誘起されたシャト
ル雑音を平衡させる。ライトパートサイクルにおいて、
ダイオード1348から選択されたX導体1642の端
部1646の共通端にその駆動端1344へ電流が流れ
、次に電流源(図示せず)に流れる。
に読出し電流が発生してアレイ132゜〜1323のす
べてを通って選択されたY駆動導体の共通端1346に
通過する。共通端1346がら、この電流は選択されな
いY駆動導体に等しく分れ、逆方向すなわち書込み方向
にその駆動端に向って流れる。駆動導体の駆動端134
2がらこの電流は抵抗1350を通ってY抵抗バス13
52に流れ、次にトランジスタスイッチ’1354を通
って地気に流れる。従って選択されないY駆動導体には
リードパートサイクル中比例した大きさの逆方向Y電流
が誘起され、読出し巻線における雑音相殺を行い、反選
択Y電流を受けるコアによってそれに誘起されたシャト
ル雑音を平衡させる。ライトパートサイクルにおいて、
ダイオード1348から選択されたX導体1642の端
部1646の共通端にその駆動端1344へ電流が流れ
、次に電流源(図示せず)に流れる。
従ってX導体の場合のように、X導体はライトパートサ
イクル中逆駆動電流を発生しない。との電流は禁止電流
と重畳的に結合され選択されないコアをスイッチングさ
せるおそれのあるものである。
イクル中逆駆動電流を発生しない。との電流は禁止電流
と重畳的に結合され選択されないコアをスイッチングさ
せるおそれのあるものである。
当業者が本発明を実施できるようにするために本発明に
よるコアメモリ駆動システムのさ壕ざまな実施例を説明
したが、本発明はこれに限定されないことは明らかであ
る。従って特許請求の範囲の記載の範囲内のおけるどん
な修正、変形または均等置換なども本発明の範囲に含ま
れるものである。
よるコアメモリ駆動システムのさ壕ざまな実施例を説明
したが、本発明はこれに限定されないことは明らかであ
る。従って特許請求の範囲の記載の範囲内のおけるどん
な修正、変形または均等置換なども本発明の範囲に含ま
れるものである。
本発明を要約すると、高い効率のコアメモリ駆動システ
ムは、選択されたX及びX導体に電流を流し、この電流
を同じXまたはY次元で選択されない駆動線を通して分
割して戻す。駆動導体は駆動端でドライブスイッチ及び
シンクスイッチに結合されX導体は反対側の共通端で互
いに結合され、X導体は反対側の共通端で互いに結合さ
れている。各X導体の駆動端とX抵抗パス吉の間、及び
各X導体の駆動端とY抵抗バスとの間に抵抗によって電
流路が形成される。
ムは、選択されたX及びX導体に電流を流し、この電流
を同じXまたはY次元で選択されない駆動線を通して分
割して戻す。駆動導体は駆動端でドライブスイッチ及び
シンクスイッチに結合されX導体は反対側の共通端で互
いに結合され、X導体は反対側の共通端で互いに結合さ
れている。各X導体の駆動端とX抵抗パス吉の間、及び
各X導体の駆動端とY抵抗バスとの間に抵抗によって電
流路が形成される。
シンクトランジスタ及びドライブトランジスタを含む一
対のスイッチングトランジスタが各導体の駆動端に結合
され、その中に駆動電流を発生する。この駆動電流は共
通端で選択されない導体に等しく分れ、選択されない導
体及び抵抗を通って抵抗バスに戻る。X及びY抵抗バス
は互いに接続されて単一の駆動電流を選択されたX導体
及び選択されたX導体を通して流すものである。戻りの
電流によってそれぞれ部分選択されたコアで発生する電
流が減少し、これによって電流マージンが改善される。
対のスイッチングトランジスタが各導体の駆動端に結合
され、その中に駆動電流を発生する。この駆動電流は共
通端で選択されない導体に等しく分れ、選択されない導
体及び抵抗を通って抵抗バスに戻る。X及びY抵抗バス
は互いに接続されて単一の駆動電流を選択されたX導体
及び選択されたX導体を通して流すものである。戻りの
電流によってそれぞれ部分選択されたコアで発生する電
流が減少し、これによって電流マージンが改善される。
第1図は本発明による状態シーケンヌ装置及び選択動作
可能なコンブリメントライトデータストアを有するデー
タ処理装置を示す概略ブロック図、 第2図は第1図に示すデータストアを示すブロック図、 第3図は第1図に示すデータストアのコアアレイを示す
図、 第4図は第1図に示すデータストアの制御回路を示すブ
ロック図、 第5図は第1図に示すデータストアの選択的データイン
バータ回路を含む制御回路の一部を示す図、 第6図は第1図に示すデータストアのアドレスカウンタ
、ドライバ及びデコーダ回路を示すブロック図、 第7図は第1図に示すデータストアの読出し増幅器及び
磁気帰還回路を示すブロック図、第8図は第1図に示す
データストアのリセット及び電源障害検出回路を示す図
、 第9図は第1図に示すデータストアの選択的駆動電源回
路を示す図、 第10図は第6図に示す駆動回路の回路図、第11図は
第1図に示すデータストアのピーク検出器の動作を示す
2つの電圧波形を示すグラフ、 第12図は本発明による駆動装置の別々実施例を示す図
、 第13図は本発明による駆動装置のさらに別な実施例を
示す図である。 12・・・データストア 115・・・共通バス 116・・・コアアレイ 130・・・スクエアループ磁気データ蓄積コア132
・・・タイミングコア 140・・・X駆動トランジスタ 142・・・シンクトランジスタ 144・・・電流分害11抵抗 148.176・・・抵抗バス 150 、178・・・共通バス 170・・・Y駆動トランジスタ 172・・・シンクトランジスタ 174・・・駆動抵抗 198・・・読出増幅器 XO〜X15・・・Xドライブライン fI −−7−− 1・ ;
可能なコンブリメントライトデータストアを有するデー
タ処理装置を示す概略ブロック図、 第2図は第1図に示すデータストアを示すブロック図、 第3図は第1図に示すデータストアのコアアレイを示す
図、 第4図は第1図に示すデータストアの制御回路を示すブ
ロック図、 第5図は第1図に示すデータストアの選択的データイン
バータ回路を含む制御回路の一部を示す図、 第6図は第1図に示すデータストアのアドレスカウンタ
、ドライバ及びデコーダ回路を示すブロック図、 第7図は第1図に示すデータストアの読出し増幅器及び
磁気帰還回路を示すブロック図、第8図は第1図に示す
データストアのリセット及び電源障害検出回路を示す図
、 第9図は第1図に示すデータストアの選択的駆動電源回
路を示す図、 第10図は第6図に示す駆動回路の回路図、第11図は
第1図に示すデータストアのピーク検出器の動作を示す
2つの電圧波形を示すグラフ、 第12図は本発明による駆動装置の別々実施例を示す図
、 第13図は本発明による駆動装置のさらに別な実施例を
示す図である。 12・・・データストア 115・・・共通バス 116・・・コアアレイ 130・・・スクエアループ磁気データ蓄積コア132
・・・タイミングコア 140・・・X駆動トランジスタ 142・・・シンクトランジスタ 144・・・電流分害11抵抗 148.176・・・抵抗バス 150 、178・・・共通バス 170・・・Y駆動トランジスタ 172・・・シンクトランジスタ 174・・・駆動抵抗 198・・・読出増幅器 XO〜X15・・・Xドライブライン fI −−7−− 1・ ;
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 複数のX導体及び複数のX導体と、X駆動回路と、
X駆動回路さを含み、前記複数のX及びX導体は磁気メ
モリワイヤのアレイを誘導結れ 合してその中の選択さ7たコアの一致電流選択を行い、
各X導体は駆動端及びそれぞれ他のX導体の共通端に結
合された反対側の共通端を有し、各X導体は駆動端及び
それぞれ他のX導体の共通端に接続された反対側の共通
端を有し、前記X駆動回路はX導体の選択された一つに
部分選択X駆動電流を発生するように結合され、それぞ
れ選択されないX駆動導体の駆動端と第1のバスとの間
にX駆動電流の比例した部分の反対方向に向う戻りの経
路を与え、前記X駆動回路はX導体の選択された一つに
部分選択Y駆動電流を発生するように結合され、それぞ
れ選択されないY駆動漕体の駆動端と第2のバスとの間
にY駆動電流の比例した部分の反対方向に向う戻りの経
路を与えるこさを特徴とするコアメモリ駆動装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の装置において、該装置
は、第1及び第2のバスを相互に接続する導体を含み、
前記X及びX駆動回路は一方が選択された導体の駆動端
のソースきなり、他方が選択された導体の駆動端のシン
クとなって選択されたX導体及び選択されたX導体の両
方を通過する単一の電流を発生するように結合すること
を特徴とするコアメモリ駆動装置。 ろ 特許請求の範囲第1項または第2項に記載のコアメ
モリ駆動装置において、前記XまたはX駆動回路はそれ
ぞれ一対のトランジスタを含み、該トランジスタはそれ
ぞれX及びX駆動導体の端部に直接接続され、各対のト
ランジスタは駆動トランジスタを含み、該駆動トランジ
スタは、接続された導体を電圧源に選択的に接続する駆
動トランジスタと、選択された導体を電圧源とは異々る
電圧を有する電圧シンクに選択的に結合するシンクトラ
ンジスタ七を含むことを特徴とするコアメモリ駆動装置
。 4 特許請求の範囲第2項または第3項に記載の装置に
おいて、選択された一対のX及びX導体の駆動端とシン
ク端との間における電圧の差は5vを起えないととを特
徴さするコアメモリ駆動装置。 5、 特許請求の範囲第3項記載の装置において、前記
X導体の共通端は、X導体自体を通る経路以外のいずれ
にも結合されず、前記X導体の共通端けX導体自体を通
る経路以外のいずれにも結合されていないことを特徴と
するコアメモリ駆動装置。 6、 複数のX導体及び複数のX導体と、X駆動回路と
、X駆動回路とを含み、前記複数のX及びX導体は磁気
メモリコアのアレイを誘導結合してその中の選択された
コアの一致電流選択を行い、各X導体は駆動端及び反対
側の共通端を有し、すべてのX導体共通端は互いに結合
され、前記X駆動回路はX導体の選択された一つに部分
選択駆動電流を発生するように結合され、前記X駆動回
路はX導体の選択された一つに部分選択Y駆動電流を発
生するように結合され、それぞれ選択されないX駆動導
体の駆動端とバスとの間にY駆動電流の比例した部分の
反対方向に向う戻りの経路を与えることを特徴上するコ
アメモリ駆動装置。 7 特許請求の範囲第6項記載の装置において、各戻り
の経路は抵抗を含むと吉を特徴上するコアメモリ駆動装
置。 8、 直交するX及びX駆動導体によって誘導結合され
それぞれ駆動端及び反対側の共通端を有し、X駆動導体
の共通端は互いに電気的に接続され、X駆動導体の共通
端は互いに電気的に結合されたメモリコアのアレイと、 該X駆動導体の駆動端にそれぞれ結合され、選択された
X駆動導体を選択された極性の部分選択電流で駆動する
X駆動回路上、 前記X駆動導体の駆動端のそれぞれに結合され、選択さ
れたX駆動導体を選択された極性の部分選択電流で駆動
するY&:動回路と、戻りのX導体と、 戻りのY導体上、 それぞれその駆動端で戻りのX導体と異ったX駆動導体
との間にそれぞれ結合された複数のX駆動線抵抗と、 それぞれその駆動端で戻りのX導体と異ったX駆動導体
上の間にそれぞれ結合された複数のY駆動導体抵抗吉を
含むことを特徴さするコアメモリ。 9行及び列に配列された磁気メモリニアのアレイと、 それぞれ一つの行のすべてのコアを誘導結合し、それぞ
れ駆動端及び反対側の共通端を有し、X導体の共通端が
互いに結合されている複数のX導体と、 それぞれ一つの列のすべてのコアを誘導結合し、それぞ
れ駆動端及び反対側の共通端を有し、X導体の共通端が
互いに接続されている複数のX導体と、 中央の信号に応じてX導体の駆動端を地気がまたは電圧
のいずれかに選択的に結合する複数のX駆動トランジス
タスイッチと、 制御信号に応じてX導体の駆動端を地気かまたは電圧の
いずれかに選択的に結合する複数のX駆動トランジスタ
スイッチと、 X及びX駆動導体の共通端の間に接続され、電圧上地気
との間に選択されたX導体及び選択されたX導体を通し
て選択された方向に完全な直列の駆動電流路を与える導
体と、 該駆動電流路にそって直列に接続されその中の電流を制
御する電流源とを含むことを特徴とする直接駆動直列一
致電流コアメモリスタック。 10 特許請求の範囲第9項記載のコアメモリスタッ
クにおいて、前記電5流源は前記電圧と各X及びY駆動
トランジスタ七の間に接続されていることを特徴上する
コアメモリスタック。 11 行及び列に配列された複数の磁気メモリコアの
アレイと、 それぞれ−行のコアを各アレイから誘導結合し、各X駆
動導体が駆動端及び反対側の共通端を有し、該X駆動導
体のすべての共通端が互いに接続されている複数のX駆
動導体と、それぞれ−列のコアを各アレイから誘導結合
し、各X駆動導体が駆動端及び反対側の共通端を有し、
該X駆動導体のすべての共通端が互いに接続されている
複数のX駆動導体と、X書込み駆動電流をX駆動導体の
共通端に通過させ、X読出し駆動電流を阻止するように
結合させて第1のダイオードと、 X書込み駆動電流を前記X駆動導体の共通端に通過させ
、X読出し駆動電流を阻止するように結合された第2の
ダイオードと、 第1及び第2の端部が読出し回路に接続され、各読出し
巻線が異ったアレイに対応してその中のすべてのコアを
誘導結合し、前記X導体と平行な方向で、かつX及びY
駆動電流の方向並びにコアの方向と一致するように選択
された方向に対応するアレイを通って伸び、選択された
コア読出し出力スイッチング信号の単極性出力を発生す
る複数の読出し巻線き、 複数の禁止駆動回路とを含み、各禁止駆動回路は異った
読出し巻線に結合され、対応するアレイの中の選択され
たコアのスイッチングを禁止する場合はライトパートサ
イクル中鎖1の端部から第2の端部に伸びる単一の禁止
電流をその中に発生することを特徴とするコアメモリ駆
動装置。 12 各メモリパートサイクルにおいて各アレイの中
で選択されたコアの一致電流選択を行うように配列され
た複数のX導体、複数のX導体及び読出し導体によって
各コアアレイが誘導結合された複数のコアアレイを有し
、前記X及びX導体はライトパートサイクルではなくリ
ードパートサイクルにおいて戻りの電流を相殺する雑音
を発生するように結合され、前記読出し導体はリードパ
ートサイクルにおいて選択されたコアの単極性コア読出
しスイッチング信号出力を発生し、アレイの中の選択さ
れたコアのスイッチングを禁止するライトパートサイク
ルでは対応するアレイにおけるすべてのコアを誘導結合
する単一の禁止電流を受けるように結合されているとき
を特徴とする3線式6次元コアメモリ駆動装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/283,973 US4523302A (en) | 1981-07-16 | 1981-07-16 | Core memory with return drive scheme |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5819786A true JPS5819786A (ja) | 1983-02-04 |
| JPS5821354B2 JPS5821354B2 (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=23088366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57121948A Expired JPS5821354B2 (ja) | 1981-07-16 | 1982-07-13 | コアメモリ駆動装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4523302A (ja) |
| JP (1) | JPS5821354B2 (ja) |
| FR (1) | FR2509893B1 (ja) |
| GB (1) | GB2106343B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62170574A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-07-27 | ブリユツクナ− アパラ−テバウ ゲ−エムベ−ハ− | かせ状材料の湿潤処理装置及び方法 |
| JPS6414362A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-18 | Nissen Corp | Liquid flow type fiber treatment apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3525251A1 (en) * | 2018-02-09 | 2019-08-14 | Koninklijke Philips N.V. | Actuator device using current-addressed electroactive polymer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2900623A (en) * | 1954-04-05 | 1959-08-18 | Telemeter Magnetics Inc | Magnetic core memory system |
| NL291014A (ja) * | 1962-04-03 | |||
| US3432835A (en) * | 1965-04-30 | 1969-03-11 | Ibm | Current summing arrangement for a magnetic core memory |
| DE1254693B (de) * | 1965-09-17 | 1967-11-23 | Telefunken Patent | In Speicherbereiche unterteilter Magnetkernmatrixspeicher |
| US3579209A (en) * | 1968-09-06 | 1971-05-18 | Electronic Memories Inc | High speed core memory system |
-
1981
- 1981-07-16 US US06/283,973 patent/US4523302A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-07-08 GB GB08219792A patent/GB2106343B/en not_active Expired
- 1982-07-13 FR FR8212281A patent/FR2509893B1/fr not_active Expired
- 1982-07-13 JP JP57121948A patent/JPS5821354B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62170574A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-07-27 | ブリユツクナ− アパラ−テバウ ゲ−エムベ−ハ− | かせ状材料の湿潤処理装置及び方法 |
| JPS6414362A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-18 | Nissen Corp | Liquid flow type fiber treatment apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2106343A (en) | 1983-04-07 |
| US4523302A (en) | 1985-06-11 |
| FR2509893A1 (fr) | 1983-01-21 |
| JPS5821354B2 (ja) | 1983-04-28 |
| GB2106343B (en) | 1985-08-14 |
| FR2509893B1 (fr) | 1986-05-09 |
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