JPS5819788A - 磁気バブル素子 - Google Patents
磁気バブル素子Info
- Publication number
- JPS5819788A JPS5819788A JP56117344A JP11734481A JPS5819788A JP S5819788 A JPS5819788 A JP S5819788A JP 56117344 A JP56117344 A JP 56117344A JP 11734481 A JP11734481 A JP 11734481A JP S5819788 A JPS5819788 A JP S5819788A
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- magnetic
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- film
- magnetic field
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- Pending
Links
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- 230000008034 disappearance Effects 0.000 claims description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルを利用する磁気記憶素子に関するも
のである。
のである。
磁気バブル(以下バブルと称す)は膜面1こ垂直な方向
に磁化容易軸を有する磁性膜(バブル磁性膜と称す)中
に生じる円筒状の反転磁区である。バブルの有無を数字
のIOに対応させれば情報のiiシ憶が可能となり、メ
モリ素子を構成しうる。
に磁化容易軸を有する磁性膜(バブル磁性膜と称す)中
に生じる円筒状の反転磁区である。バブルの有無を数字
のIOに対応させれば情報のiiシ憶が可能となり、メ
モリ素子を構成しうる。
61%気バブル素子を駆動する方法にはパーマロウパタ
ーンを用いた方法、イオン注入を用いた方法、そして導
体パターンを用いた方法等従来から4部重々の方法が用
案されている。各′Jt動方法にはそれぞれ利点と欠点
があり、高性能の磁気バブル素イを4、、rI成するた
めには同一末子中lこいくつかの駆動方法を組合わせて
利点を相乗的に利用することが望ましい。しかるにいく
つかの駆動方法を同一素子中に14j純に組込むと各部
分でバブルを安シj嗣化するために必要なバイアスミl
場恥囲が異なり、同一素子を一つの均一に磁化したバイ
アス磁石でバブルを安定化することが回外となる欠点が
あった。
ーンを用いた方法、イオン注入を用いた方法、そして導
体パターンを用いた方法等従来から4部重々の方法が用
案されている。各′Jt動方法にはそれぞれ利点と欠点
があり、高性能の磁気バブル素イを4、、rI成するた
めには同一末子中lこいくつかの駆動方法を組合わせて
利点を相乗的に利用することが望ましい。しかるにいく
つかの駆動方法を同一素子中に14j純に組込むと各部
分でバブルを安シj嗣化するために必要なバイアスミl
場恥囲が異なり、同一素子を一つの均一に磁化したバイ
アス磁石でバブルを安定化することが回外となる欠点が
あった。
本発明のL]的は上記問題点を」■除き、実質的に同一
のバイアス磁場のもとで異った駆動力法、異った機能動
作手段を用いることをb1能とする磁気バブル素子を提
供1−ることにある。
のバイアス磁場のもとで異った駆動力法、異った機能動
作手段を用いることをb1能とする磁気バブル素子を提
供1−ることにある。
本発明によればバブル磁性膜の磁化が部分的に膜面方向
に向け、この部分でのバブル消失磁場がバブル磁性膜本
来のもつバブル消失磁場とほぼ等しくすることにより、
バイアス磁場変動許容範囲の広い磁気バブル素子を得る
ことができる。
に向け、この部分でのバブル消失磁場がバブル磁性膜本
来のもつバブル消失磁場とほぼ等しくすることにより、
バイアス磁場変動許容範囲の広い磁気バブル素子を得る
ことができる。
次に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
単一のバブル磁性膜におけるバブルの安定性については
詳細な理論がTh1eleによって開発されており、ザ
働ベル拳システムやテクニカルジャーナル(T)+e
I(ell System Technical Jo
urnal )の第48巻(1969年)3287頁〜
3335頁、 および同誌第50巻(1971年)72
5頁〜773頁に示されている。
詳細な理論がTh1eleによって開発されており、ザ
働ベル拳システムやテクニカルジャーナル(T)+e
I(ell System Technical Jo
urnal )の第48巻(1969年)3287頁〜
3335頁、 および同誌第50巻(1971年)72
5頁〜773頁に示されている。
この理論を拡張すると、バブル磁性膜の一部の磁化が膜
面方向に向き、複合膜構造となった場合のバブル消失磁
場、ストライブ磁場を計算することが出来る。第1図に
おいて厚さhのバブル磁性膜11があり、その第一の領
域中の磁化13は膜面に垂直な方向を向いている。バブ
ル磁性膜の一部12である第二の領域にイオン注入をし
たり、あるいは部分的に特定の界囲気ガス中で焼鈍する
と、その部分の異方性磁場が変化し、磁化】4を腔さ△
tにわたって膜面方向に白けることが出来る。第二の領
域では膜面に垂直な磁化の部分と膜面に平行な部分の磁
化の相互作用、特に齢・磁的な相互作用によりバブル消
失磁場、ストライブ磁場が第一の領域での値から変化す
る。
面方向に向き、複合膜構造となった場合のバブル消失磁
場、ストライブ磁場を計算することが出来る。第1図に
おいて厚さhのバブル磁性膜11があり、その第一の領
域中の磁化13は膜面に垂直な方向を向いている。バブ
ル磁性膜の一部12である第二の領域にイオン注入をし
たり、あるいは部分的に特定の界囲気ガス中で焼鈍する
と、その部分の異方性磁場が変化し、磁化】4を腔さ△
tにわたって膜面方向に白けることが出来る。第二の領
域では膜面に垂直な磁化の部分と膜面に平行な部分の磁
化の相互作用、特に齢・磁的な相互作用によりバブル消
失磁場、ストライブ磁場が第一の領域での値から変化す
る。
第二の領域での膜直に平行になった部分の厚さ△tが種
々に変った場合のバブル消失lia場I■co1、スト
ライブ磁’M I(31をk[算すると第2図のように
なる。この「1算ではバブル磁性膜の特性長lと膜厚り
の磁気を実用的な値である01としている。
々に変った場合のバブル消失lia場I■co1、スト
ライブ磁’M I(31をk[算すると第2図のように
なる。この「1算ではバブル磁性膜の特性長lと膜厚り
の磁気を実用的な値である01としている。
Δtが大きくなるとともにHcol % Hst
ともに静磁相互作用のためいったん増加し、やがて磁化
垂直部分の厚さが減少する効果が顕著になってHeal
、 11st は減少する。△tが0の時のすなわち
第一の領域でのバブルコラプス5場Aと等しいバブルコ
ラプス磁場をもつ第二の領域が特定の6t/b の所B
で必ず存在することが第2図かられかる。
ともに静磁相互作用のためいったん増加し、やがて磁化
垂直部分の厚さが減少する効果が顕著になってHeal
、 11st は減少する。△tが0の時のすなわち
第一の領域でのバブルコラプス5場Aと等しいバブルコ
ラプス磁場をもつ第二の領域が特定の6t/b の所B
で必ず存在することが第2図かられかる。
第3図は本発明の実施例を示す図である。
第一の領域31は磁化が垂直のままの部分であり、第二
の領域32はイオン注入により表面の磁化が膜面に向け
られている。第二の領域にはバブル検出器するとともに
保持する。マイナーループと称するバブル転送路33が
設けられている。第一の領域には導体電流によりバブル
を転送するメジャーループと称するバブル転送路34が
設けられている。
の領域32はイオン注入により表面の磁化が膜面に向け
られている。第二の領域にはバブル検出器するとともに
保持する。マイナーループと称するバブル転送路33が
設けられている。第一の領域には導体電流によりバブル
を転送するメジャーループと称するバブル転送路34が
設けられている。
導体電流にバブルを発生したり、又バブルからもれ出る
磁束によりバブルの存在を検出する検出器35等の機能
動作を行なわせるためには膜面方向の磁化をもつ部分が
ない方が望ましい。又電流駆動によりバブルを転送する
場合には膜面方向の磁化をもつ部分は必要でない。第3
図のようなバブルデバイス構成をとることにより低電力
駆動、高速書込み、読出し動作が可能となる。さらに領
域31と32でバブル消失磁場の値をほぼ等しくしであ
るので簡単なほぼ均一に磁化されたバイアス磁石により
チップ全面にわたってバブルの安定化を容易 5− に実現することができる。
磁束によりバブルの存在を検出する検出器35等の機能
動作を行なわせるためには膜面方向の磁化をもつ部分が
ない方が望ましい。又電流駆動によりバブルを転送する
場合には膜面方向の磁化をもつ部分は必要でない。第3
図のようなバブルデバイス構成をとることにより低電力
駆動、高速書込み、読出し動作が可能となる。さらに領
域31と32でバブル消失磁場の値をほぼ等しくしであ
るので簡単なほぼ均一に磁化されたバイアス磁石により
チップ全面にわたってバブルの安定化を容易 5− に実現することができる。
第3図では第一領域と第二領域で異なるバブル転送方式
をとる場合を示したが必ずしもその必要はなく、第4図
に示すごとく第二領域にバブル転送路41があり、部分
的に第一領域42が設けてあって、膜面に平行な磁化が
あると好ましくない機能、例えばバブル検出器等の機能
を配置してもよい。
をとる場合を示したが必ずしもその必要はなく、第4図
に示すごとく第二領域にバブル転送路41があり、部分
的に第一領域42が設けてあって、膜面に平行な磁化が
あると好ましくない機能、例えばバブル検出器等の機能
を配置してもよい。
こうすることによりあらゆる機能部でのバブル消失磁場
をほぼ一致させることが出来、バイアス許の表面に他の
軟磁性膜52等をつけてもよいことはもちろんである。
をほぼ一致させることが出来、バイアス許の表面に他の
軟磁性膜52等をつけてもよいことはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の詳細な説明する図であり、11はバブ
ル磁性膜、12は磁化が膜面に平行になった部分、13
.14は磁化方向を示す。 6− 第2図は本発明の詳細な説明するグラフである。 第3図は本発明の実施例を示す図であり、31は第一の
領域、32は第二の領域、33はマイナーループ、34
はメジャーループ、35は検出器を示す。 第4図は本発明の他の実施例を示す図であり、41はバ
ブル転送路、42は検出器を示す。 第5図は本発明の他の実施例を示す図であり、51は磁
化が膜面を向いた部分であり、51は軟磁性膜を示す。 遁 1図 第3図 3憶 ン ) 3′l ヨZ 亭4−図 z
ル磁性膜、12は磁化が膜面に平行になった部分、13
.14は磁化方向を示す。 6− 第2図は本発明の詳細な説明するグラフである。 第3図は本発明の実施例を示す図であり、31は第一の
領域、32は第二の領域、33はマイナーループ、34
はメジャーループ、35は検出器を示す。 第4図は本発明の他の実施例を示す図であり、41はバ
ブル転送路、42は検出器を示す。 第5図は本発明の他の実施例を示す図であり、51は磁
化が膜面を向いた部分であり、51は軟磁性膜を示す。 遁 1図 第3図 3憶 ン ) 3′l ヨZ 亭4−図 z
Claims (1)
- 膜面に垂直な方向に磁化を有し磁気バブルを保有しうる
バブル磁性膜と、その磁気バブルを安定に存在させるた
めの磁気的手段および磁気バブルを移動させるための磁
気的手段を含む磁気記憶装置において、前記バブル磁性
膜の1個所もしくは複数個所の磁化の1部を膜面方向に
向けた第二の領域がありかつ、この部分のバブル消失磁
場をバブル磁性膜本来の第一の領域のもつバブル消失磁
場とほぼ等しくしたことを特徴とする磁気バブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117344A JPS5819788A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117344A JPS5819788A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 磁気バブル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5819788A true JPS5819788A (ja) | 1983-02-04 |
Family
ID=14709372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117344A Pending JPS5819788A (ja) | 1981-07-27 | 1981-07-27 | 磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819788A (ja) |
-
1981
- 1981-07-27 JP JP56117344A patent/JPS5819788A/ja active Pending
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