JPS58197892A - 磁場検出素子 - Google Patents

磁場検出素子

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JPS58197892A
JPS58197892A JP57079991A JP7999182A JPS58197892A JP S58197892 A JPS58197892 A JP S58197892A JP 57079991 A JP57079991 A JP 57079991A JP 7999182 A JP7999182 A JP 7999182A JP S58197892 A JPS58197892 A JP S58197892A
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JP
Japan
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magnetic field
field detection
detection element
present
magnetic
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JP57079991A
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Satoshi Takahashi
聡 高橋
Katsuyoshi Tamura
勝義 田村
Hiromi Kanai
紘美 金井
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、周期的信号磁界の強弱、ピーク近傍の変化″
に磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ本子と略称する）の電気
抵抗変化を介して検出する磁場検出素子に関する。
従来の磁場検出素子に用いるＭＲ単素子間一点を図を用
いて説明する。
第１図（＆）は従来のＭＲ単素子斜視図、（ｂ）ｔユそ
の静特性図、（Ｃ）はその等価回路図を示したものであ
る。ＩＦｉＭＲＪＩＣ子、２Ｆｉ碕石の磁界分布、３，
４は磁石の磁化方向を示す。信号磁界ＨＸとＭＲ木子の
抵抗変化との間には、図（ｂ）の５に示す様な関係があ
る〇 飽和磁界Ｈ（この値は、ＭＲＸ子の形状及び磁気特性に
１って決まる）以下で磁界が変化する場合、初期抵抗か
らＨを加えた時の抵抗変化の傾きで信号の出力が決まる
が、磁石ピッチＰが微小なためＭＲ単素子ストライプの
幅４ｈ微小となり、そのため反磁界が大きくなって低磁
場での抵抗変化が小さくなるという欠点があった。
ｔた、検出部が１本のため磁石ピッチのバラツキ及び出
力のバラツキに１９図（・）の出力電圧Ｖｏｕｔは大急
〈変動し正確な位置検出が出来ない。
本発明の目的は、ＭＲ単素子低磁場にて電気抵抗変化が
大きくなり、それを電圧信号に変換した場合にそのバラ
ツキを小さくすることが可能な磁場検出素子【提供する
ことにある０ 低磁場においては、ＭＲ単素子反磁界の影譬が大となり
実際にＭＲ単素子加わる磁界が小さくなる。そこで本発
明は、動電↓＜ＭＲ累子ＶＣ磁界が加わる工うにする九
めに両脇または片脇にＭＲ累子と同一の材料を配置し磁
束が検出部に集する様にし、それｔｍ数のヘアピンルー
プ状に形成し磁場の不均一によるＭＲ素子の電圧出力の
バラツキを小さくするようにしたものである。
１／Ｅ２図は本発明の磁界検出部の方式の１例であり、
（ａ）Ｆｉ斜視図、（ｂ）は等価回路図である。ＭＲ＊
子１０（０６個の磁界検出部の中央及び両脇に有限長の
ギャップを介して高透磁率の材料１１０虻線もしくはパ
ターンを形成している。その抵抗変化は図（＠）の６の
ようになり従来の５より低磁場にて抵抗便化が大急いの
で図（ｂ）の様な回路に実装した場合の電圧信号Ｖｏ　
ｕ　ｔの振幅が大きくなる。ま次仁の場合、電圧信号は
６個のａ界検出部の平均化されたものが電気的出力とな
５，１個の場合よりも大幅にバラツキがなくなる。ｔた
磁石製造時の磁化のバラツキも補正でき、ある程度のバ
ラツキの磁石も使用出来るので歩留が向上する。
このように、本発明によると、出力信号大でバラツキの
少ない高精度の磁場検出素子を得ることができる９
【図面の簡単な説明】
嬉１図鉱従来の磁場検出素子の概略図、第２図に本発Ｆ
ＩＡｉＣよる磁場検出素子の一実施例を示すもので（ａ
）は斜Ｉｌ１図、伽）は等価回路図、（・）は特性図で
ある。 １．１０・・・・ＭＲ素子、２・・・・磁石の磁界分布
、１，４・・・・磁化方向、５・・・・従来の抵抗変化
％性、６・魯−中本発明１’（よるＭＲ素子の抵抗変化
特性。 第１図 （Ｃ） 第２図 （ｂ） （Ｃ） 膚早め５気（Ｈｘ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に形成された１個もしくは複数個の磁気抵抗効果
    素子１ｖ成る磁場検出素子において、前記磁気抵抗効果
    素子の少なくとも一つがヘアピン形状から成り、かつそ
    の両脇ま九は片脇に有限長のギャップを介して高透磁率
    材料を有することを特徴とする磁場検出素子。
JP57079991A 1982-05-14 1982-05-14 磁場検出素子 Granted JPS58197892A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007114019A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Tokai Rika Co Ltd 磁気センサの磁性体配置構造
WO2009084435A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Alps Electric Co., Ltd. 磁気センサ及び磁気センサモジュール
WO2009084434A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Alps Electric Co., Ltd. 磁気センサ及び磁気センサモジュール
WO2009151024A1 (ja) * 2008-06-11 2009-12-17 アルプス電気株式会社 磁気センサ及び磁気センサモジュール
WO2009151023A1 (ja) * 2008-06-11 2009-12-17 アルプス電気株式会社 磁気センサ及び磁気センサモジュール

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5637822A (en) * 1979-09-03 1981-04-11 Nec Corp Magnetic-field detector

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5637822A (en) * 1979-09-03 1981-04-11 Nec Corp Magnetic-field detector

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007114019A (ja) * 2005-10-19 2007-05-10 Tokai Rika Co Ltd 磁気センサの磁性体配置構造
WO2009084435A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Alps Electric Co., Ltd. 磁気センサ及び磁気センサモジュール
WO2009084434A1 (ja) * 2007-12-28 2009-07-09 Alps Electric Co., Ltd. 磁気センサ及び磁気センサモジュール
US7859258B2 (en) 2007-12-28 2010-12-28 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic sensor and magnetic sensor module
JP5066580B2 (ja) * 2007-12-28 2012-11-07 アルプス電気株式会社 磁気センサ及び磁気センサモジュール
JP5066581B2 (ja) * 2007-12-28 2012-11-07 アルプス電気株式会社 磁気センサ及び磁気センサモジュール
WO2009151024A1 (ja) * 2008-06-11 2009-12-17 アルプス電気株式会社 磁気センサ及び磁気センサモジュール
WO2009151023A1 (ja) * 2008-06-11 2009-12-17 アルプス電気株式会社 磁気センサ及び磁気センサモジュール
JP5149964B2 (ja) * 2008-06-11 2013-02-20 アルプス電気株式会社 磁気センサ及び磁気センサモジュール

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JPH0473316B2 (ja) 1992-11-20

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