JPS58199047A - 真空加熱装置 - Google Patents
真空加熱装置Info
- Publication number
- JPS58199047A JPS58199047A JP8121582A JP8121582A JPS58199047A JP S58199047 A JPS58199047 A JP S58199047A JP 8121582 A JP8121582 A JP 8121582A JP 8121582 A JP8121582 A JP 8121582A JP S58199047 A JPS58199047 A JP S58199047A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sapphire
- layer
- spacer
- heating device
- vacuum heating
- Prior art date
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- Pending
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- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Devices For Use In Laboratory Experiments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高真空中で試料を加熱する装置に関する屯ので
ある。
ある。
蒸着や分子線エピタキシーの分野等では高真空中で試料
が加熱δれている。特に分子線エピタキシーでは１０−
” Ｔｏｒｒ程度の超裏空下で７００℃以上に加熱する
ための通常の加熱装置では装置自体からのガス放出があ
って真空状態を維持することが困難であった このため
従来は例えは金属モリブデンのような材料を使用し、第
１図あるいｒａｔ第２図のような構造を採用している。
が加熱δれている。特に分子線エピタキシーでは１０−
” Ｔｏｒｒ程度の超裏空下で７００℃以上に加熱する
ための通常の加熱装置では装置自体からのガス放出があ
って真空状態を維持することが困難であった このため
従来は例えは金属モリブデンのような材料を使用し、第
１図あるいｒａｔ第２図のような構造を採用している。
しかしながら第１図中の構造では試料を均−ＶＣ加熱す
ることが困難であり、又第２図におい−Ｌｌま比較的均
熱性は得られるものの１例えば試料かシリコン単結晶の
ような場合には１（１１１（１℃以Ｅでは両者が反応を
起し実用上使用できかいといり欠点があった□ 本発明しｊ高真空ｒＣおいてもガスを放出することなく
、更に試料と反応するようなことのない材料によって均
一に加熱できる装置を開発したもので、短冊状のサファ
イヤをサファイヤ製スペーサーによって組立てたものと
することによってこのような欠点のない装置を完成した
ものである。すなわち、サファイヤは蒸気圧が低く一気
絶縁性があり、父機械的強度も高く、他の材料との反応
性が少ない上に熱伝導性が良好であるというすぐれた特
長を有する。しかしながら熱衝撃性Ｋ ９点があるため
、これを短冊状として熱応力を逃がしてやることによっ
て装置としての実用化に成功したものである。この鳩含
熱の分散状態、サファイヤの熱応力等を考慮して並べる
短冊状サファイヤを幅７ｍ以下とし。
ることが困難であり、又第２図におい−Ｌｌま比較的均
熱性は得られるものの１例えば試料かシリコン単結晶の
ような場合には１（１１１（１℃以Ｅでは両者が反応を
起し実用上使用できかいといり欠点があった□ 本発明しｊ高真空ｒＣおいてもガスを放出することなく
、更に試料と反応するようなことのない材料によって均
一に加熱できる装置を開発したもので、短冊状のサファ
イヤをサファイヤ製スペーサーによって組立てたものと
することによってこのような欠点のない装置を完成した
ものである。すなわち、サファイヤは蒸気圧が低く一気
絶縁性があり、父機械的強度も高く、他の材料との反応
性が少ない上に熱伝導性が良好であるというすぐれた特
長を有する。しかしながら熱衝撃性Ｋ ９点があるため
、これを短冊状として熱応力を逃がしてやることによっ
て装置としての実用化に成功したものである。この鳩含
熱の分散状態、サファイヤの熱応力等を考慮して並べる
短冊状サファイヤを幅７ｍ以下とし。
史に相隣る接触部においてスペーサーと嵌合するように
一′ｆｔ１は更に応力の破壊の少ないものとすることが
できた。
一′ｆｔ１は更に応力の破壊の少ないものとすることが
できた。
Ｊソ下Ｖで本発明の一実施例を図によって説明するＯ
第：４図を五本発明の費ｓｆ＋祝図である。３１は試引
載櫨用の短冊状す７了イヤ根で、これを複数枚接触する
ように並べた試料載置層である。
載櫨用の短冊状す７了イヤ根で、これを複数枚接触する
ように並べた試料載置層である。
３２＆」中間層を構成するサファイヤ製スペーサーで試
料載置層３１と下部１−３３を隔絶させると共ｅ（タン
グステンヒーター線３４を保持させるだめのものである
。下部層３３は試料載！層と同様Ｋ １ｍ ｌ状ナファ
イヤを並べたものである。
料載置層３１と下部１−３３を隔絶させると共ｅ（タン
グステンヒーター線３４を保持させるだめのものである
。下部層３３は試料載！層と同様Ｋ １ｍ ｌ状ナファ
イヤを並べたものである。
３５はこれら組立体を保持するだめの保持治具である。
スペーサーと短冊状サファイヤ板との組みｉイー＋！：
構造の一例を第４図に示す。第４図は試料載−ｔｉｌｔ
ｌ曽、中間層および下部層の各層の組みｉ（せ関係を示
した図であり、試料載置層およびト部噛の短冊状サファ
イヤ板４１．４６の側面に設けられた溝４２．４７によ
って作られる穴Ｖ（中間層のサファイヤ製スペーサー４
３のＥ下方向に設けられた突起４４が嵌合するようにな
、でいる。ヒーター４５は各スペーサー４３を巻回する
ようにして保持される。これら組み合１体ケま保持治具
４８で保持さｈた構造となっており、全体として本発明
装置のヒータ一部分を構１７１ｊ している。保持治具
６例えばモリブデン等の側熱性かありカス放出のないも
のであればよい。本発明のものＶＣおいては試料載量用
サファイヤ板下部層のサファイヤ板は板状体であるため
、又スペーサーとの組み合せを側面で行うため熱Ｉｃ；
力を集中的に受けることはなく、かなりの熱衝撃ＶＣ耐
えることができる。特に幅７ｍ以下の場合Ｋｌま１ （
１４１１１１：以上に加熱することを繰り返してもけと
んど破壊されることはない。
構造の一例を第４図に示す。第４図は試料載−ｔｉｌｔ
ｌ曽、中間層および下部層の各層の組みｉ（せ関係を示
した図であり、試料載置層およびト部噛の短冊状サファ
イヤ板４１．４６の側面に設けられた溝４２．４７によ
って作られる穴Ｖ（中間層のサファイヤ製スペーサー４
３のＥ下方向に設けられた突起４４が嵌合するようにな
、でいる。ヒーター４５は各スペーサー４３を巻回する
ようにして保持される。これら組み合１体ケま保持治具
４８で保持さｈた構造となっており、全体として本発明
装置のヒータ一部分を構１７１ｊ している。保持治具
６例えばモリブデン等の側熱性かありカス放出のないも
のであればよい。本発明のものＶＣおいては試料載量用
サファイヤ板下部層のサファイヤ板は板状体であるため
、又スペーサーとの組み合せを側面で行うため熱Ｉｃ；
力を集中的に受けることはなく、かなりの熱衝撃ＶＣ耐
えることができる。特に幅７ｍ以下の場合Ｋｌま１ （
１４１１１１：以上に加熱することを繰り返してもけと
んど破壊されることはない。
父はとんどがサファイヤ製であるため１０−’Ｔｏｒｒ
程度の超高真空で加熱されても吸着ガスを放出すること
もなく超高真空状態を容易に維持できる。更にサファイ
ヤは他の多くの材料と反応することもないので１例えば
シリコン単結晶を載量【７てｌ １１ （１（１℃以上
に加熱してもシリフン牟結Ｊｌ’ｌ Ｋ対してイロ」ら
影譬を与えない、仮にサファイヤ板を破損しても板状体
を並べただけのものであＺ・ため交換が容易であるばか
りで丹く、サファイヤ板の＠を変えることＫよって、す
なわちヒーターのピッチを変えることができるから任意
の温１分布を得ることができる。
程度の超高真空で加熱されても吸着ガスを放出すること
もなく超高真空状態を容易に維持できる。更にサファイ
ヤは他の多くの材料と反応することもないので１例えば
シリコン単結晶を載量【７てｌ １１ （１（１℃以上
に加熱してもシリフン牟結Ｊｌ’ｌ Ｋ対してイロ」ら
影譬を与えない、仮にサファイヤ板を破損しても板状体
を並べただけのものであＺ・ため交換が容易であるばか
りで丹く、サファイヤ板の＠を変えることＫよって、す
なわちヒーターのピッチを変えることができるから任意
の温１分布を得ることができる。
以ＰＫこの発明を利用した一実施例につき説１１４する
。
。
賦１＃＋載置層および下部層のサファイヤ板を幅４−１
長さ１Ｏ（）■、厚さ２箇の板を使用し。
長さ１Ｏ（）■、厚さ２箇の板を使用し。
こりを２５枚並べて試料載置層および下部層と１７だ。
第４図に示すよつな形状のサファイヤ製スペーサーを使
用し、第３図の構造の加熱体を侍だ。ヒーターおよび保
持治具ＫＦｉモリブデン板を使用した。試料載Ｗ層の上
ＫＰ型５〜ｌＯΩ−の単結晶シリコンウェーハｆ置轡、
ヒーターに１５にの電流を流し、 ｆｏ−’Ｔｏｒｒ
の真空下で１１００℃に加熱したところ、シリコンウェ
ーハｌ内のａ！稜は１１０℃の範囲におさまった。
用し、第３図の構造の加熱体を侍だ。ヒーターおよび保
持治具ＫＦｉモリブデン板を使用した。試料載Ｗ層の上
ＫＰ型５〜ｌＯΩ−の単結晶シリコンウェーハｆ置轡、
ヒーターに１５にの電流を流し、 ｆｏ−’Ｔｏｒｒ
の真空下で１１００℃に加熱したところ、シリコンウェ
ーハｌ内のａ！稜は１１０℃の範囲におさまった。
外銀スピード＃１ｌｌｏｏ℃迄ｆｌＯ分で、又降温ｔＪ
目黙然放冷５０回以上繰り返したが、サファイヤｔ−ｔ
ｔったく破損されなかった。またシリコンウェーハとの
反応も見られず、真空度も低下【７なかった。
目黙然放冷５０回以上繰り返したが、サファイヤｔ−ｔ
ｔったく破損されなかった。またシリコンウェーハとの
反応も見られず、真空度も低下【７なかった。
本発明の装置は、従来の真空加熱装置には見られない特
徴すなわち部材からのガス放出もなく均一加熱が可能で
ある上に試料との反応もないというすぐれた効果を奏す
る峰、のである。
徴すなわち部材からのガス放出もなく均一加熱が可能で
ある上に試料との反応もないというすぐれた効果を奏す
る峰、のである。
第１図Ｆｉ従来の加熱装置の斜視図、第２図は従来の加
熱装置で試料をＭｏブロックに付けて加熱する装置の要
部斜視図、第３図は本発明の加熱装置の斜視図、第４図
は第３図の装置の構造の一部を詳細に示した図である。 発明者 高橋撓− 発明者 見方軸− 出 １ 人 東芝セラミックス株式会社出願人 東
京芝浦電気株式会社 第１図 第、１図
熱装置で試料をＭｏブロックに付けて加熱する装置の要
部斜視図、第３図は本発明の加熱装置の斜視図、第４図
は第３図の装置の構造の一部を詳細に示した図である。 発明者 高橋撓− 発明者 見方軸− 出 １ 人 東芝セラミックス株式会社出願人 東
京芝浦電気株式会社 第１図 第、１図
Claims (4)
- （１）知冊状のサファイヤ板を並べた試料載置層とほぼ
平行に走るヒーター線を隔離するサファイヤ製スペーサ
ー（ｒ ４４する中間層と、短冊状サファイヤを並べた
下ｍｌ−および前記三層を保持する機構とを含むことを
特徴とする真空加熱装置。 - （２）試料載を層の短冊状サファイヤ板が幅７−以下で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の真空
加熱装置ｉｉｔ。 - （３）中間層のスペーサーがサファイヤ製であって、か
つ試料載置層の相隣るサファイヤ板の接触部で保持する
ようＶＣ構成されていることを特徴とする特ｇ＋請求の
範囲第１項記載の真空加熱装置。 - （４）中間層のサファイヤの上下方向に突起を設は該突
起＆（ｉ合する穴又は窪部を有する短冊状サファイヤ板
を組み合せた構造を有することを特徴とする特許−求の
範囲第１項記載の真空加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8121582A JPS58199047A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 真空加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8121582A JPS58199047A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 真空加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58199047A true JPS58199047A (ja) | 1983-11-19 |
Family
ID=13740254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8121582A Pending JPS58199047A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 真空加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58199047A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110245A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Iwatani Internatl Corp | 極低温試験装置 |
| CN112295631A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 沈阳真空技术研究所有限公司 | 实验室小型真空炉加热装置 |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP8121582A patent/JPS58199047A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110245A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Iwatani Internatl Corp | 極低温試験装置 |
| CN112295631A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 沈阳真空技术研究所有限公司 | 实验室小型真空炉加热装置 |
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