JPS58199351A - 画像情報記録媒体及び記録読出し方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、−像情報音記録するｋめの画像情報（３） 記録媒体及びこれを用（・るｌｌ１ｉ像情報記録続出し
方法に関し、更に詳しくは電磁放射線による１導情報を
記録り、この記録さｔＩた画像情報を電気信号の形で読
出丁ことのできる画像情報記録媒体及び、′ｔｔｖ用（
・る画像情報記録続出し７方法に関するもｌ／Ｊである
。

従来にお（・て、Ｘ＠像、可視光像等の電磁放射線にす
る＋ｄｉｉ像情＠シＣより対応し１−画像をＰ／成１４
・ためには、主としてＭｉ塩悪感光材料電子写に感光体
等が用（・ら才【て（・るか、近年（（お（・ては、ｌ
１ｌｉｌ像情報の伝送、修正、蓄積、表示、９祝画像化
等の処理り′大さな自由ｌ蝮ｉ・もって行ｆｃい祷る１
５、電磁放射−による画像情報を電気信号による画像情
報に変換−１４）ことの必要性が大さくな）てさて（る
。

然るに、この変換を元寛子増倍管等ケ利用し−（行なり
場合をでは、変換が直接的であ４）ｐめ必要な処理ケ施
−１ことかできな（・。そこで最近にＪ、）（・“τは
、ＣＣＤ　（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃ’ｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖ
ｉｃｅ　）、ＣＩＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏ
ｎ　Ｄｅｖｉｃｅ　）、Ｂ　Ｂ　Ｄ　（ＢｕｃｋｅｔＢ
ｒｉｇａｄｅ　Ｄｅｖｉｃｅ）等の固体撮像素子の実用
化の研究もなされて（・４Ｉか、斯かる固体撮像素子に
お（・て＆ｊ分光感度波長域が限られており、例えば紫
外柳、Ｘ＠等の波長の短い電磁放射線に対しては感に？
自さす、従って適用範囲か狭（・欠点がある。

また、米国特許第３８５９５２７号明細書、特公昭５５
−４７７１９号公報、特公昭５５−４７７２０号公報、
物開昭５５−１２１４２号公報には、Ｘ線、γ線等の放
射線像ン螢元体記録媒体に記録し、その後当該媒体ンレ
ーザ光により走査し−（こｔ；により発生する螢ｙｔ、
ケ検出する方法及びこれに用（・る記録媒体か開示され
て（・＾か、斯かシ）技術においては記録さ才１１こ画
像情報の続出しン、微弱な螢光を電気信号に変換するこ
とによって行なわなければならす、尤電子増倍管或（・
は特殊な光学系を必要とし、装置が複雑化し、しかも−
・わゆるオンライン処理を打なうことかできず、解像力
も小さい等の欠点がある。　　　川 一方、米国特許第４２６８７５０号明細書には、アルミ
ニクム電他層ＥＫセレ／より成る光導電層重（５） 設け、この光導電層ヒに透明絶縁層ン設け、更４ｒこの
絶縁層上に透明電極層１に：設けて欣る記録媒体、及び
このｎＣ録媒体により放射線像を記録し、これケレーザ
光で読み出す方法が開示さ１１て（・くＩ。この技術に
ｊ、、：　Ｌ・では、記録さ１ＩＴｓ−像情報が電気信
号の形で読み出され、即時読出しが６Ｊ能である利点は
ある。

しかしなから、この技術にお−・てけ、光導電層にお（
・−Ｃ定住ｔ−ｒ、′キャリアの利用効率が低（・Ｅ１
キャリアの保持能力か小さく・Ｔ、−めに記録さ２１　
ｌこ情報の劣化の程髪か大さく、また使用ヒ榴々の制約
があるために必ずしも十分なＩＩＩＩｉ像情報の配録及
び読田しを行なうことができない。

本発明は以上の妬き事情に基いてなきｔｔｙ＝ものであ
って、記録用電磁放射線にょっ−（確実に画像情報を記
録すること□かできると共にその記録された画像情報を
十分圧保存することかでさ、まに絖出しＫお（・ては直
接電気信号によるｉｋｉ像情砿としてＩ＆ｂ（・ｓｉで
ａｒｔ出°づことかでさて良好な再生画像Ｖ得ることが
ｈ１訃であり、しかも使用にお（ｒゐ自（６） 内置が大さくて種々の特長のある態様で使用することか
でさる画像情報記録媒体及びこれｔ用いる画像情報記録
続出し方法ン提供することを目的とする。

木兄１５＃１ｕｉｉ敏情報記鍮媒体の％像とするところ
は、光導電層の両面に一亀体層？積層して成る潜像形成
層と、この潜像形成層の両面に積場される電極層、と丁
り敗り、前記光導電層の少なくとも一面上ｋＣｉ・（し
する銹亀体層及び電極層が何れも波長４００ｎｍＵ上の
光に対して透光性である点にある。

。１二、１１：：：：ご：：ニニ：：：：：二Σ二るｍ
像形成層を具えて成る画像情報記録媒体ン用い、その光
導電層に画像情報に従う記録用電磁放射１ｍヲ照射する
ことにより前記潜像形成層に当該画像情報に対応するバ
ター７の潜像ン形成する画像端＠記録工程と、前記潜像
形成層Ｋａｋ長４ＱＱｎｍ以上の続出し月光を照射して
走査せしめることにより、前記潜像形成層の両面に設け
た電極ン介して、前記バター／の潜像に対応した電気信
号を得（７） る続出し工程と６よむ点にある。

以下図面によって本発明を具体的に説明１−る。

第１図は本発明方法の概略）ｒ７ｒ、丁−明図であり、
Ｘ−源等より成る記鎌用電磁放射縁発生装ｍｌよりの電
磁放射ｌＩＭＲを被写体２を介して、後述１も画像情報
記録媒体３に照射する。電磁放射Ｍｔｔ＆ｚ破写体２の
各部における当該電磁放射ＩＭＲの透過率に従って透過
するから、記録線体３に対し′（゛照射される記録用電
磁放射、１ｉｌＲＩは、被写体２　ｒＣ，Ｊるｔｉｉｊ
＆情報ｔこ従うものとｔ、Ｃす、後述″′ｆるようＶに
のｌ［ｌｊ＠情報か記録媒体３にｊｊｌ−・てキャリア
の分布による潜像として記録さｉｌる。続出しに際して
は、例えばレーザ光源等より成る絖出し用光発生装置４
よりの続出し月光りにより記録媒体３ケ走査し、前記潜
ｇ１ケ構成するキャリアによる電気信号を記録媒体３０
両而面設けた電極により堆出して信号処理装置５により
画像情報として再生せしめ、画像表示装ｗ６によってこ
の画像情報による一家乞表示せしめる。こ才【によって
、記録用放射４１ｉ１ＲＩによる一儂情報ン記鍮媒体３
に記録し、読出し、による電気信号Ｙ遠隔地にまで伝送
し、処理し、可視化することかできる。以上にお（・て
信号処理装置５及び画像表示装置は、記録線体３より得
られる電気信号による画會情報な適当に処理して可視像
として表示し得るものであればよく、特に制限はない。

本発明画像情報記録線体の具体的構成を第２図及び第３
図に示す。第２図のもσ〕は、金属板より敗る導電支持
体により構成された下部電極層ｌＯ上に、下Ｓ誘電体層
１１、光導電層１２及び上部誘電体・層１３″Ｉｋ：こ
のｊｌＫ積層せしめて成る潜像形成層１４に’設け、こ
の潜像形成層１４の上面即ち上部誘電体層１３の表面上
に上部電極層１ｓｔ積層せしめた層構成を有し、上ＳＳ
電体層１３及び上部電極層１５は、波長４００　ａｍ以
上の光Ｋｍして実質上透明となるよう形成される。第３
図のものは、絶縁性基板１６上に下部電極層１０、第２
図と同様の潜像形成層１４及び上部電極層１５１に：こ
の順に積層せしめた層構成を有し、第２図のものと同様
に下部誘電体層１３と上部電極層１５とが、或いはこれ
に（９） 代えて若しくけこれと共に、下部誘電体層１１と下部電
極層ｌＯと絶縁性基板１６とが、波長４００ａｍ以上の
光に対して実質上透明とさｔする。

下部誘電体層１１及び−ヒｓｈ電体層１３　Ｇｅｔ、そ
の比抵抗が１０１４Ω・１以上であることが好ましく、
材質としては任意の誘電体、例えばポリエナレノ・テレ
フタレート等の樹脂、その他が用（・られ、その形成に
は、塗布法、ラミネート法等が利用される。

波長４００ｎｍ以上の光に対して透光性とする必要のな
（・下部電極層ｌＯ又は上部電極層１５は、任意の導電
性材料を用（・て任意の方法で形成することかでさ、例
えば、アルミニウム、］ζラジウム、銅。

鉄、ニッケル、ステンレス鋼、金、銀、スズ、畦鉛等の
金属板、或いは斯かる金属のシートｖう、ネートし若し
くは蒸着膜を設けたもの、又は前記の如き金属若しくは
カーボンブラック等の導電性粉末ケバインダー樹脂中に
分散せしめて成る導電層を設けたものｔ用−・ることか
でさる。

下１ｉｔｎ極層１０又は上部電極層１５を波長４００ｎ
０１以上の光に対して透光性のものと１石場合にお４ｊ
（ｌＯ） るそ１らの材料としては、アルミニウム、金、白書、銀
、パラジウム、酸化インジウム、酸化スズ等の薄膜より
成る透明電極材料か用（・られ、そσ）形成１１ＣＡｔ
、例えば蒸着法、スズくツタ法、圧着法、ラミネート法
などが利用される。

前記記録線体３の潜像形成層１４における光導電層１２
は、用（・られる紀鍮用電磁放射綜及び銃田し月光に対
して感ｔｖ有するものであれ１よ−・。この光導電層１
２は、光導電性物質の塗布、蒸着、スバソタリ／グ、化
学蒸着などの方法により形成することかできる。光導電
性物質として昏ｉ暗時にお（・て１０１２〜ｔｏｌ？Ω
・１の比抵抗値を有し、関係する電磁放射線の照射によ
り抵抗値か１桁以上減少するものか好ましい。なお、以
上の光導電層１２σ）厚さは、０．１〜５００μ、好ま
しくは１〜４００μである。

前記光導電層１２の構成に用いられる光導電性物質の例
を挙げると次の遡りである。

１）無機光導電性物質 ８４％Ｇｅ　、　Ｓｓ　ナトの半導体、これら半導体装
置（１１） （はＳｎ、　　Ｐｂ％Ｂｉ　、　Ｓ、　Ｔｅ、　Ａｓ　
、　　Ｚｎ％ＣｄＳＩｊｇ、Ｃｕ、　Ａｇ、　ＡＩ　、
Ｇａ、　　Ｉｎなどの会楓馨含有する化合物。これらは
結晶状態でｋ・つても無定形丁゛あってもよ（・。好ま
しし・ものとしては、アモルファスＳｉ、　７モ＃７７
Ｘｓｉｃ、　７−ｔニルｙ−ｒｘＧｅＣ、Ｓｅ。

５ｅ−Ｔｅ　、　５ｅ−Ｔｅ−Ａｓ　、　Ａｓ、Ｓ、　
、　Ａｓ２Ｓｅ、、ＰｂＯ５ＰｂＳ。

ＺｎＯ，ＺｎＳ、　Ｃｄｓなどを挙げることかでざる。

他の有用なものとしては、（Ｚｎ、　Ｃｄ　）　Ｓ、　
ｕよびＺｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、　（Ｚｎ　、Ｃｄ　）
　Ｓ：Ａ１ＺｎＳ：Ａ、Ｘ％ＣｄＳ：Ａ、Ｘ（これらに
お（・てＡはＣｕ、　Ａｇ、ＡｕまたはＭｎ　１１　次
わし、Ｘはハロゲンである。）、オよび米国特許第３，
８５９，５２７号明細誓に記載されて（・る、ＳｒＳ：
Ｃｅ、Ｓｍ　％　ＳｒＳ：Ｅｕ、ａｍ、　　Ｌａ２Ｏ２
Ｓ：Ｅｕ、Ｓｔｎ　　Ｍ　よび（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ
、Ｘ　（ここにＸはハ０ゲ／である。）、特開昭５５−
１２１４２号公報に＆：４ｍ！されているＺｎＳ　：　
Ｃｕ　、　Ｐｂ　、　ＢａＯ−ｘＡｌ、０３　：Ｅｕ　
（Ｔｖだり、　０．８　ｉ、、　Ｘ≦１０）、およびＭ
”０・ｘＳｔｏｚ　：Ａ　（ココテＭ”はＭｇ、　Ｃａ
、　Ｓｒ、Ｚｎ、ＣｄまたはＢａを表わし、；−ＡはＣ
ｅ、　Ｔｂ、　Ｂｕ、Ｔｍ、Ｐｂ、’［’ｌ　、　Ｂｉ
　４１．ＨはＭｌｌｙ（表わし、０．５　：　Ｘ　ｋ２
．５である。）、特開昭５５−１２１４３号公報に記載
され−（ｙ、；ｂ　（Ｂａ１−、−ｙ、Ｍｇｘ、Ｃａｙ
）ＦＸ：ａＥｕ”（ココでＸはＣ１およびＢｒのうちの
少な（とも一方であり、０＜ｘ＋ｙ≦０．６かつｘｙ”
ｒｏであり、１０ｑ、’ａ≦５×ｌＯで１釦）る。）、
特開昭５５−１２１４４号公報に記載さオ＋　１７　Ｌ
ｎＯＸ　’、　ｘＡ　（ココテＬｎはＬａ％Ｙ、Ｇｄｊ
ｃｆよびＬｕのうちの少な（とも−者゛であり、ＸはＣ
ＩおよびＢｒのうちの少１ｃ　（とも一方であり、Ａは
ＣｅおよびＴｂのうちの少なくとも一方であり、０（ｘ
（０，１である、）、特開昭５５−１２１４５号公報に
記載されて（、る（　Ｂａ、ｘ、Ｍ−）　ＦＸ　：　ｙ
Ａ　（、：−コでＭ”　ｌｊ　Ｍｇ　、　Ｃａ　。

Ｓｒ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一者であり、
ＸはＣＩ、Ｂｒ　ｓ＝よびＩのうちの少１ｘ　くとも−
考でＪ、’）　、ＡはＥｕ％Ｔｂ、　　Ｃｅ、　Ｔｍ、
　　Ｄｙ、　　Ｐｒ、１１ｏ。

Ｎｄ、Ｙｂｘ、；よびＥｒのうちの少な（とも−考であ
り、０１、ｘ≦０．６．０≦７　（−ｏ、　２である。

）、特開昭５５−８４３８９号公報に記載されて（・る
ＨａＦ　Ｘ　：　ｘＣｅ　、　ｙＡ（こζでＸはＣ１，
Ｂｒおよび夏のうちの少な（とも−考であり、ＡはＩｎ
％ＴＩ％Ｇｄ％舖およびＺｒのうちの少な（とも−考で
あり、Ｑ　＜’　ｘ≦２　Ｘ　ｌ　Ｏ−’、Ｑ＜’ｙｉ
５ｘ１０−”である。）、特開昭５５−１６００７８号
（１３） 公報に記載さｆ＋てイ６Ｎ４ＩＦＸ−ｘＡ：ｙＬｎ（コ
コテＭＩはＢａ、　Ｃａ、　Ｓｒ、Ｍｇ、Ｚｎ＃よびＣ
ｄ　１７）うちの少な（とも−考テａｒｔ、ＡはＢｅＯ
、ＭｇＯ１ＣａＯ１ＳｒＯ１ＢａＯ、ＺｎＯ、Ａｔ２０
．　　、　　Ｙ２Ｏ３、ｌ１１２０．、　　ｓｉｏ□　
、　　ＴｉＯ２，７、ｒ０２、Ｇｅｍ２、ｂ　ｎ　０２
、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２０６　Ｍよび’ｒｈ　ｏ２、のう
ちの少なくとも一者であり、ＬｎはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、
　Ｔｍ、　Ｄｙ％Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅ
ｒ％Ｓｍ：ＮよびＧｄのうちの少な（とも−者であり、
Ｘ＆′ｉＣＩ、Ｂｒおよび■のうちの少なくとも一者で
あり、５Ｘ１０−”≦Ｘ≦０．５．０＜ｙ≦０．２であ
る。）、”ｓｏ〜１４ＸｔＯｎ　（ここでＸはＧｅ　、
　Ｓｉ　、　’Ｉ’ｉ　、　ＧａおよびＡ１のうちの少
な（とも−考であり、ｎは化学量論的に定まるａｉ！素
成分の数を表わ丁。）、Ｂ　１４　Ｇｅ、ｏ１２、その
他を挙げることかでざる。

２）有機光導電性物質 °　　ポリビニルカルバゾール誘導体、ビレ／、テトラ
フェニルビレ／こ　ｌ−メチルビレ／、アゾビレ／など
のピレン誘導体、ア／トラセ／、テトラセノなどの間級
縮合芳査族化合物、クリ七ン、バイヤン、２，３−べ／
ゾクリセ７などのクリ七／類、（１４） ソエニルインドールなどのイノドール誘導体、ピラゾリ
ンハイドロクロライド、ビラゾリンピクレートなどのピ
ラゾリン誘導体、２，４．７−）ジニトロ−９−フルオ
レノンなどのフルオレノ７騎導体、ボＩＪ　（ミダゾピ
ロロ／誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジア
ゾール鱈導体、トリアジ／誘導体、イミダゾール誘導体
、オキサゾール誘導体、チオフェノ誘導体、トリアジ／
誘導体、）・イドラゾン錦導体、スチリル化合物、アゾ
メチ／系化合物、アシルノ・イドラジ／＃ｓ導体、ピラ
ゾリン誘導体、イミダシロン＃ｓ４体、イミダゾールチ
オン誘導体、ベンズイミダゾール銹導体、べ／ズオキサ
ゾール誘導体、ぺ／ジチアゾール誘導体、メロシアニン
誘導体、クロロフィル誘導体、ポリアリールアルカ／例
えばトリアリールメタン、ロイコ色累或いはスクエアリ
ｙｒａｎ導体染料、２．４．８−　トリニトロチオキサ
７トンなど。他の有用なものとしては、フタロシアニン
顔料、ペリレ／ＩＩ料、インジゴ顔料、キナクリド／＃
ｉ料、ア　　′ゾ顔料、ビスベンズイミダゾール顔料、
シアニ／（１５） 顔料、ピＩＪ　リウム塩顔料、その他がある。

前記光導電層１２は、光その他の電磁放射−の照射を受
けて電子−正孔対のキャリアを発生すると共にこの電子
又は正孔を輸送する光導電性Ｗ質により好ましく形成す
ることがでさるが、キャリア発生能の大きいキャリア発
生物質と、キャリア輸送能即ち電子又は止孔の少な（と
も一方につ（・ての輸送能力の大さく・キャリア輸送物
質とを組み合せることによって光導電層’１２Ｙ構成す
ることができ、この場合にお（・ては、キャリア発生物
質馨含有して成るキャリア発生層と、キャリア輸送物質
を含有して成るキャリア輸送鳩とを！Ｒ鳩ゼしめγこ構
成とすることかでざる。そしてこのように、光導電層１
２にお（・て必要とされる２つの機能を互に別の物質に
分担せしｙ）ることにより、キャリア発生物質又はギヤ
リア輸送物質として用（・ることのでさる物質群の範囲
が広がると共に１各機能馨ト分に発揮せしめることが可
能となる。

前記先導電層１２を光導電性物質が結着剤中に分散され
たものとな丁場合の当該結着剤としては、例えばゼラチ
ンの如き蛋白質、デキストランの如きポリサンカライド
またはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸
ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、ｆｆｌ
化、ヒニリテンー塩化ビニル共重合体、ポリメチルメタ
クリレート、セルロースアセテートフチレート、ポリビ
ニルアルコール、スｆ７７＊Ｈｉｌ、７り’Ｊ　ル＊ｌ
１１．　塩化ヒニルー酢酸ビニル共重合体、スチレン−
ブタジェン共重合体、ビニルトルエン−ブタジェン共重
合体、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタ／樹脂、フェ
ノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フラノ樹脂
など、通常この種の用途に供されていめ結着剤ン用（・
ることができる。

本発明方法にお（・て、記録廟亀磁放射線として蚤工、
潜像形成層１４の光導電層１２における感度波長域の波
長の電磁放射線であれば何れのものをも用いることがで
さ、Ｘ線、α線、β線、γ線、烏エネルギー中性子−１
真空紫外線、紫外線、可視元締、赤外線等の電磁波或い
は粒子線から選ばれる。また続出し月光としては、波長
４００ｎｍ以上の（１７） 元であって前記光導電層１２の感度波長域の波長の光で
あ１ば何れのものンも用いることかできるか、主とし、
て熱線、可視光線又は赤外線か用い【、わ、特にＶ−ザ
元を用（・４）のが好ましい。Ｖ−サ九は元ビームの収
束性が旨くて走査光点のスホット面積を小さくすること
が容易であり、記録媒体σ）ＭＰ位面積当りの情報ｍ−
が著しく多いので、高Ｍ像力で高鮮鋭性の続出（ｔ゛達
成ること〃・でさ、し、かもレーザ光は鍋エネルギービ
ームである１、／）で、筒密度の励起エネルギーが記録
媒体に付与され、そめ結果検出さｆ＋る電気信号量が増
加してＳ／Ｎ比が向上し、高速の読出しが可能となるか
らで多）４）。

ここにＶ−ザ光としては、Ｈｅ　−Ｎｅレーサ、ＡｒＬ
ｚ−ザ、色素Ｖ−ザ、半導体Ｖ−ザ、ＹＡＧレーザ、Ｃ
Ｏ□レーザ等任意のレーザ光を用（・ることが可能であ
る。

本発明にお（・ては、例えば上部誘電体層１３及び上部
電極Ｊｉ＊１５か透明と公れた記録媒体を用（・て、次
のような方法により、画像情報の記録及び続出し１行な
うことができる。

（１Ｂ） 方法Ｉ ＋Ｉ＋第４図（４）に示、丁ように、下Ｓ電極層１０と
上部電極層１５との間に直流電源Ｅ１により直流電圧ケ
印加した状態に８（・て、上部電極層１５側から白色九
トン全向に均一に照射する（予備工程）。こｇＶこより
、光導電層１２内でキャリアが発生し、そσ〕画面七の
下部酩亀体層１１と上部誘電体層１３とσ）界面に均一
な電荷の分布が現わ才（る。

（役人に第４図（樽に示すように、両電極層１０．１５
間を蝮絡した状態で、画像情報に従うｍｌ録用電磁放射
線ｆＨｖ−ｈ都電極層１５ｍから照射する（記録り程）
。こＴｔにより、記録用１畿放射耐ＲＩ力５照射さ才【
た領域の電荷か消失し、画像情報／＋ターンｙｒ対し″
ｒ陰画の状態の電荷の分布による潜像か形Ｉ戊さむる。

（４）第４図（Ｃ１に示すように、両電極層１０．１５
間に検出用抵抗ＤＲＹ接続した状態で、読出し月光Ｌ＆
Ｃより上部電極層１５１１より走査せしめる（絖出し工
程）。これにより、前記潜僚の電荷に従って電圧１ｒ１
号が出力熾１゛に得られる。

（１９） この方法【昌・ては、工程■における直流電源Ｅｌの極
性は逆であってもよい。なお、記録用電磁放射−ＲＩが
Ｘ＃吟の透過性線で多）るときは、ト部電極層１０　Ｉ
＋からその照射を行なってもよ（・場合がある（以下に
お（・て同じ）。

方法■ ■第５図（４）に示すよ５に、方法■の工程（１）と同
様の操作を行なう（予備工程）。直流電源Ｅｔは逆極性
であってもよ（・。

（２）第５図（Ｂ）　Ｋ示すように、両電執層１０．１
５間ｅこ、工程（１）の直流電源Ｅｌとは逆極性の直流
電源Ｅ２により、直流バイアス電圧を印加し１こ状態で
上部側より記録用電磁放射４１ＲＩの照射を行なう（記
録工程）。

■第５図（Ｃ）Ｋ示ｊよ”ｌｃ、両ｔｌｉＮ１１ｔｏ、
ｔＳ間に検出用抵抗ＤＲと直流バイアス電源Ｅ３とを・
接続した状態と−（るほかは、方法■の工程■と同様の
操作）行なう（続出し工８）。直流バイアス電源Ｅ３１ の極性は直流電源Ｅ２と逆極性で、Ｇ）つてもよ（・。

方法１ｕ １１開昭５８−１９９３５１　（６） （１）第６回国及び（四に示すように、方法■Ｉの工程
■及び工程■と同様の操作を行なう（１予備工程及び記
録工程）。

■第６図（Ｃ）に示すように、両電極層１０．１５％＝
短絡丁４．（強調工程）。これにより、潜像か強ｉ＆ｌ
１ｍされる。

（１＋第６図（Ｄ）に示すよ５に、方法Ｉの工程■と同
様の操作ケ行なう（絖出し工程）。

ｈ法ＩＶ ■第７図（４）ｒＣ示すよ５に、両電極層１０．１５間
に直流電源Ｅ１により直流電圧を印加した。状態にお（
・て、記録用電磁放射線ＲＩの照射を行なう（記録上程
）。直流電源Ｅ１は逆極性であってもよ−・。

（ｐ第７図（Ｂ）　Ｋ示すよ５に、両電極層１０．１５
間を軸結する（０強調工程）。

Ｑノ第７図ｔｅｌに示すように、方法■の工程■と同様
の操作を行なう（読出し工程）。

方法Ｖ ■第８回国に示すように、ｈ法■の工程■と同様の操作
を行なう（記録工程）。直流電源Ｅ１は（２１） 逆極性であ′）てもよ（・。

■第８図（Ｂ）に示１ように、ＩＮ配置流電確Ｅｔとは
逆極性の直流バイアス電源Ｅ２と検出用抵抗ＤＦＬ４両
電極層１０．１５間に接続し１こ状態と１く・ほかは、
方法ｌの工程■と同様の操作ケ行なう（続出し工程）。

以上のように、本発明によれは、記録用電磁放射線の照
射によってそのｌＩｉ像情報Ｖ紀録課体の潜像形成績に
静電荷潜像の形で配録することかでさると共にこの記録
された画像情報ゲ電気偏号として続出丁ごとかでさる上
、記録媒体の１１１歇杉敗層か光導電層の両面上にそれ
ぞれ酩電体層か設けられた構成であるので、光導電層の
両面にお（・て潜像ン形成するキャリアの分布が傅られ
るため記録の強度が大さくて続出しＫおける信号か大さ
くなるのみならず、記録さｊた状態を安定に保つことか
できて保存性が大きく、また潜像形ｂｋＰ＃１の少な（
とも−面上の酵電体層及び電極層ン波長４００ｎｍ以−
ヒの元に対して透光性のものとすることＫより、続出し
月光として極めて好ましく・レーザｆｆｌ’利用→（２
２） ４）ことかでざる。更に上述の方法例の説明からも理解
されるように１本発明によれは種々の態様で１儂情報を
記録し続出丁ことかでざるので、例えば記録さ１するｌ
！Ｉｉ像情報に対して続出し信号か陰画−陽−の関係と
なるようにすること、記録または続出しを信号か強！１
１１された状態で行なうこと等、所望の成る橿の処理を
加えて記録続出しを行なうことがでさ、この結果特定の
条件が必要とされる場合＆ｎお（・てもこｒＬを満足さ
せることか容易であり、或いは記録媒体に８（・て要求
さ第１る条件が緩和される。

以トのように、本発明記録媒体を用いることにより、撞
々の方法によって情報の記録及びその続出しが可能であ
るが、各方法には特長があり、例えば第４図に示し１こ
方法ＩＫお（・ては非画像部の電荷が消去され、従って
続出しは電荷の有無を検出ｊることによって行なわｎる
。これに対し、第５図にボした方法■にお（・ては、非
画像部に画像部とは逆の極性の電荷を与えるため、ＩＩ
ｊＩ葎部と非画像部との電位の差が大さくなり、その結
果ダイ（２３） ナミツクレンジか大きくなって電磁放射−に対する感度
か向上する。同様に、第６図に示しＬ一方法■■にお（
・ても、方法Ｉに比して大きな感度力・得られる。また
第７図に示しｔ二方法■にょ４ばポジ画像ケ胱出丁こと
かできる。既述の記録続出（、方法の何４を利用するか
は、それぞれ用途、経済性、その他ｊ・考慮して適宜選
定子わばよ（・。

以下に本発明の実施例にっ（・て説明する。

実施例１ 第９図に示すように、下部誘電体層１１７構敗する７１
ｇ７５μｍのポリエチレンテレフタレートシートの下面
にアルミニウムＹ厚ａｔｏｏｏＡＶｃ＾空蒸着して下部
電極層１０を形成し、下部誘電体層１１σ）上部にはセ
レンを１００μｍの厚さに真空蒸着して光導電層１２ｉ
形成し、この光導電層１２上に厚さ７５μｍのポリエチ
Ｖノテレフタレートシ一トヲ７ミ才一トシ、て上部誘電
体層１３ケ形成し、更にそσ）−ヒ＋に＆こアルミニウ
ムン厚さ２ｏｏＸＫ真空蒸着真空上隔′Ｔ４１＋Ｍ層１
５を形成し、以っ−Ｃ本発明画像情報ｓ己録媒体を製作
し１こ。

このＡ己録媒体を用いて、既述の方法■に準じた実験を
行なった。即ち、下部電極層１０？接地電位ｔ（保つと
共に直流電源Ｅｌにより上部電極層１５に−ｌＫＶの直
流電圧を印加した状態で、上部電極層１５よりＩＮＩＩ
離間して設けた消費電力５００Ｗのキセノ／ショートア
ークランプよりの光を記録用電磁放射−として当該上部
電極層１５０面積１ｄの円形領域に５秒間照射し、その
後電圧の印加Ｙ中止して両電極層１０，１５１に：短絡
させた後、上部電極層１５１１＋−Ｌ：’　コア／メー
タヲ接続して前記キセノ／ショートアークランプの光ン
再び上部電極層１５に照射したところ、萌配円形領域に
つい−（はそれ以外の領域におけるよりも約１００倍大
きい電流信号がピ”−１ｆ７メーターにより検出された
。

実施例２ Ｌ用４　Ｇｅ　０２（＋の微結晶８０重量部をポリカー
ボ不−１−樹脂２０嶽ＪＩｌｌｓ中に分散→トしめた分
散体の塗布液を・／　１”ｆバー　により下部誘電体層
１１七に塗布して１ ＃さ３００μｍの光導電層１２を形成しメニはかは＊施
例１と同様に駿て本発明画像情報記録媒体を製作（２５
） し、こｔ’＋を用（・て実施例１におけると同様の実験
を行なつＬ−ところ、約９０倍の電流信号が得らＪ＋ｆ
、：、０実施例３ Ｂ　Ｉ　１４８１０２０　の微結晶８０重量部ンボリカ
ーボ不一・ト樹脂２０重量部中に分散せしめｒ１分散体
の塗布液ンワイアパーにより下部誘電体層１１．、）：
Ｋｅ和して厚さ３００μｍの光導電層１２を形成したけ
がは実施例１と同様にし、て本発明画像情報記録媒体を
製作し１、これｔ用（・て実施例ＩＫおけると同様の実
験χ行なったところ、約９０倍の電流信号が得Ｇ）ｉｌ
た。

実施例４ 実施例１におけると同様にして裏作し１１画画像報記録
媒体を用（・、既述の方法ｎＫ準じ、直流電源Ｅｌｌ）
！圧を−ｔＫＶ、直流電源Ｅ２の電圧を４１ＫＶ、直流
バイアス電源Ｅ３の電圧ｙ＋ｔＫＶとした条件下で、予
ｆｌｉｉ工程、記録１桿及び続出しｌ：稈を灯ｔ（りた
ところ、続出し工程において約１５０倍の電流信号が得
ｉ）ゎム一。

以上のように本発明によれば、記録用１！磁放射−によ
つ°（確実に画像情報を記録することがでさく２６） ると共にその記録された画像情＠１馨十分に保存するこ
とができ、また続出しＫｊ、）（・ては直接電気信躬ｖ
Ｃよる画像情細として烏（・精度で続出子ことかでさて
良好な再生ｍ！ｖ得ることか可能であり、しかも使用ｅ
（ネタける自由度が大ざくて袖々の特長のある１ｉ１１
Ｉｓで使用することかでさる画像情報記録媒体及びこ７
１４用いる画像情報記録読出し方法ケ提供することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明画像情報記録媒体し方法の概略ケ小″′
ｆ説明図、′４２図及び第３図は本発明画像情報記録媒
体の構成例につ（・て示す説明用断面図、４４４Ｖ〜第
８図はそれぞれ本発明による方法の態様ケ［梶１＠に示
”［説明図、第９図は本発明の一実施例を・′）いての
説明用断面図である。 ｌ・・記録用電磁放射線発生装置 ２・・・破写体　　　　　　３・・・画像情報記録媒体
４・・・ａｌｌ用光発生装ｗｔ　５・・・信号処理装置
６・・画１歇表示装置　　　ｌＯ・・下部電極層１１　
　・）都訪電体層　　１２・・・元４’ｍ層（２７） １３・・」一部誘電体層　　１４・・潜像形成ｊ―１５
・上部′ｆ！Ｌ極層　　　１６・・・絶縁性基板特開昭
５８−１９９３５１（３） 第１図 （Ｂ： 舛２図 第３図 第４図 　ｊ　ｌ 第５図 Ｆ １１１ 第６図 １１１ 第７図 ＲＩ（Ａ） 第８図 １ 第９図 ５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）光導電層の両面に誘電体層を積層しｒｔｌｉ、る潜
   像形成層と、この潜像形成層の両面に積層される電極層
   とより成り、前記光導電層の少なくと（、−面上におけ
   る誘電体層及び電極層が例れも波長４００ｎｍｌＪ上の
   光に対して透光性であることＹ％徴とする画像情報配録
   媒体。 ２）前記誘電体層がｌＯΩ・１以−Ｆの比抵抗を′ｉす
   る特許請求のａＦＢＡ第１項記載の画像情報記録媒体。 ３）ｆ３ｔＪｉ光導電層がセＶ７より成る特許請求の範
   囲第１項記載の画像情報記録媒体。 ４）前記光導電層が、電磁放射−シノ照射化受けてキャ
   リアケ発生−ｆるキャリア発生物質と、キャリア輸送層
   るキャリア輸送物質とにより構成されている）特許請求
   の範囲第１項記載のｌＩｉ像情報記録媒体。 （２） ５）前記光導電層が、電磁放射線の照射を受け′（キャ
   リアケ発生するキャリア発生層とキャリア輸送−ツるキ
   ャリア輸送層とン積層して構成さ才１（（・る特許請求
   の範囲第１項記載の画像情報記録媒体。 ６）光導電層の両面に鱒電体層ン積層して成る潜像形成
   層ケ具えて成るＩｌｌＩｉｇＩ情報記鎌媒体を用記録、
   その光導電層ｆＣ画像情報に従う記録用電磁放射線電照
   射することにより前記＃像形成層に当該画像情報に対応
   するパターンの潜像を形成する画像情報記録工程と、前
   記潜像形成層に波長４００ｎ＜ｎ以Ｅの続出し、出光を
   照射して走査せしめることにより、前記潜像形成層の両
   面に設けた電極を介して、ｗｌＪ記バター／の潜像に対
   応した電気信号ケ得る続出し、Ｌ機とを含むことヶ特徴
   とする画像情報記録読出し方法。 ７）前記続出し朋党がレーザ光である特許請求の範囲第
   ６　／＃記賊のＩＩＩＩｉ僚情報記録続出し方法。