JPS58201347A - Leadless chip parts and preparation thereof - Google Patents
Leadless chip parts and preparation thereofInfo
- Publication number
- JPS58201347A JPS58201347A JP57084074A JP8407482A JPS58201347A JP S58201347 A JPS58201347 A JP S58201347A JP 57084074 A JP57084074 A JP 57084074A JP 8407482 A JP8407482 A JP 8407482A JP S58201347 A JPS58201347 A JP S58201347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- conductive layer
- pattern
- substrate
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
- H10W70/658—Shapes or dispositions of interconnections for devices provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、成子、電気回路用のリードレス(リードのな
い)チップ部品、及びその製造方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a leadless (leadless) chip component for an electric circuit, and a method for manufacturing the same.
昨今、殊に混成集積回路用等として、リードがなく、そ
の代わりに部品外面に沿った面状の外部端子を待つチッ
プ部品乃至ミニモールド部品と呼ばれる電子、電気部品
が汎用化されるに至っている。その種類としては、受動
集子としてJ)a抗、コンfンナ、コイル等の電気部品
。Recently, electronic and electrical components called chip components or mini-mold components, which do not have leads and instead have planar external terminals along the outer surface of the component, have become widely used, especially for hybrid integrated circuits. . The types include passive collectors, J) electric components such as a resistors, conductors, coils, etc.
各種ダイオード尋の電子部品、能動素子としてのトラン
ジスタ、I!には集積回路Kまで及んでいる。Electronic components such as various diodes, transistors as active elements, I! This extends to the integrated circuit K.
この種部品を総称する場合、チップ部品と呼ぶのが一般
であるので、本書でもこれに従うが、周知のように、チ
ップ部品は、使用に際してはプリント基板上へ半田リフ
ロー法、噴射法やディップ法で取り付け、自動化も容易
であるから、使用者側にはかなり便利なもので、もとよ
り極めて小型であることから混成集積回路の集積密度を
上げることができ、高周波用途では、リードのないこと
から!1♀性が向上する等、多々なる効果を持つもので
ある。が、従来のこ、D41!Iチップ部品は、生産者
−からすれば、必ずしも作り易いものではなく、製造工
程に複雑かつ極めて精密な工程が請求され、生産能率に
制限を受けたり、コスト高となる欠点を有していた。When referring to these types of parts, it is common to refer to them as chip parts, and this book also follows this.As is well known, chip parts are soldered onto printed circuit boards by reflow, injection, or dip methods. Since it is easy to install and automate, it is very convenient for the user, and since it is extremely small, it is possible to increase the integration density of hybrid integrated circuits, and it is suitable for high frequency applications because it does not have leads! It has many effects such as improving 1♀ properties. However, the conventional one, D41! I-chip parts are not necessarily easy to manufacture from a manufacturer's perspective, and have the disadvantage of requiring complex and extremely precise manufacturing processes, limiting production efficiency, and increasing costs. .
こうした欠点を顧らかKするため、カップ部品としてミ
ニ七−!レドバイボーラトラ/ジスタを在来法により製
造する場合に就き、第1図に即して説明する。In order to ignore these shortcomings, we have created a mini-7 as a cup part! The production of Red Vibrator/Dista by a conventional method will be explained with reference to FIG.
第1図Aに示すように、複数fi(一般に極めて多数)
のチップ部品を作妙得る面積のセラミック等の基材lを
用意したなら、次の工程で直ぐに、この基材lをX 1
lIj Y行に&断し、各々のm積が各−別チツブ部品
用基板面積StとなるX・YoliIの小さな基板コ・
・・・・に分けてしまう(籐1図B)。As shown in Figure 1A, a plurality of fi (generally a very large number)
If you have prepared a base material l made of ceramic or the like with an area that will allow you to create a chip component of
lIj A small board of
It is divided into ... (Rattan 1 Diagram B).
以下、その中J)−111を採り出して説明すると、切
出し九谷基板コに所要の加工を施して、ls1図Cに示
すような所要の焼何杉態を持った基板Jとする。ここで
例に採っているトランジスタでは、この谷基板の寸法は
縦横共、丸かだか数−であり、厚さも極めて傅い。Hereinafter, J)-111 will be selected and explained. The cut-out Kutani substrate is subjected to the necessary processing to produce the substrate J having the required Yasuda-sugi shape as shown in Figure C of ls1. In the transistor taken as an example here, the dimensions of this valley substrate are round and round in both length and width, and the thickness is also extremely small.
久に、この基板Jの、トランジスタエレメントを搭載す
る力の1(こちらを表面と呼ぶ)上に所定のパターンの
導電層ダを蒸着その他の手法で形成する。この例では、
基板甲央の平面部上C将来トランジスタエレメントt−
搭載する面となる縞−導一層ダαと、基板四隅に起立し
ている四本の脚の中、段のない脚!ia 、 jg J
)1面から内1#面を経て第一4電11i % zc社
ながる第二導電層Q、 #bと、残抄二本の脚の中の一
方&、6J)上面から段部面で留まる第三導電層参Cと
、他方1cO上面か段部面で留まる第四導鑞層匂とを形
成する(縞1図D)、。First, a conductive layer with a predetermined pattern is formed by vapor deposition or other methods on the surface of the substrate J on which the transistor elements are mounted (this is called the surface). In this example,
Future transistor element t- on the flat part of the center of the board
The mounting surface is the striped single-layer conductor α, and among the four legs standing at the four corners of the board, there are no steps! ia, jg J
) The second conductive layer Q, #b, which connects from the 1st surface through the inner 1# surface and the second conductive layer Q, #b, and one of the two remaining legs &, 6J) From the top surface to the step surface A third conductive layer (C) that stays at the top surface and a fourth conductive layer (FIG. 1D) that stays at the upper surface or step surface of the 1cO are formed on the other hand.
その後、主面導電層ダミ上に一般にコレクタを接してト
ランジスタエレメント基を搭載し1.エミッタを第三導
電層外の段部面ゲr′1(、ベースを第四導電層匂り@
7部面〜:て、それぞれ結線する(第1図E)。After that, a transistor element group is mounted on the main surface conductive layer dummy with the collector generally in contact with it.1. The emitter is connected to the step surface r′1 outside the third conductive layer, and the base is connected to the fourth conductive layer.
Section 7~: Connect each wire (Fig. 1E).
最後K、各導電層ダb、ダC,ダdにおいて、脚部む*
!;c r 3dの各上面部分を4呈させた状懸會保
って、エレメント番をエボキ74尉脂等の1当な材料で
モールドする1、七−ルド部汁を第1図Fにおいて仮M
1a7で示しているが、かくして、ミニモールドバイポ
ーラトランジスタとしてのチップ部品lが完成する。At the end K, in each conductive layer da b, da C, da d, the leg part *
! ;Cr Hold each upper surface part of 3d in the shape of 4 and mold the element number with a suitable material such as ebokki 74 fat.
As shown by 1a7, the chip component 1 as a mini mold bipolar transistor is thus completed.
使用に際しては、各露呈している面拭電糧部分が外部端
子となるので(この場合、端子llb 。When in use, each exposed surface wipe portion becomes an external terminal (in this case, terminal llb).
す1)t−xレクタ端f、’lcがエミッタ端子5ダd
、つ;ベース端子)、第1図FD状態から、ひつく9返
して混成集積回路上の所要パターン部分に各端子をあて
がうよう圧する。そのだめ、この種のチップ部品はLI
D (Laadlazz Ihvartgd DavL
cg :リードレス・インバーティノド・ディバイス)
と呼ばれている。まだ、勿鍮、エレメント6の種類に応
じ、端子数や配置、形状は異なってくる。1) t-x collector end f, 'lc is emitter terminal 5da d
From the FD state shown in FIG. 1, press each terminal 9 times to apply pressure to the desired pattern portion on the hybrid integrated circuit. No, this kind of chip parts are LI
D (Laadlazz Ihvartgd DavL
cg: leadless invertinod device)
It is called. However, the number, arrangement, and shape of the terminals will vary depending on the type of brass and element 6.
第2図示のチップ部品は、同じ〈従来例でも、1子匂r
IIcr ’Idとモールド部7とで構成されていて
、端子面がモールド部外方に張出しているものである。The chip parts shown in the second figure are the same (even in the conventional example, one child)
It is composed of IIcr'Id and a molded part 7, and the terminal surface protrudes outward from the molded part.
製造手順としては、一枚のリードフレームに数十組のリ
ード配列されたものを用いて、フレーム本位で組立、モ
ールド作業を行うものとなる。As for the manufacturing procedure, dozens of sets of leads are arranged on one lead frame, and assembly and molding operations are performed frame-oriented.
然し、まず、第1図の構造のチップ部品を見ると、当初
の段階で既に各チップ用の−l同−個の基板コ・・1・
を切り出してしまい、この極めて小さな基板コに対して
一蘭一(固、加工処理や導電層作成、チップエレメント
搭載、モールディング作業を行なわなければならないた
め、その作業性は極めて悪いものとなる。例え、各工程
の処理を自動化したてしても、そのように小さい基板コ
(又は幾何的形態加工済基板J)を正しい方向に向けて
整列自動送りするだめKは精巧な姿勢決め、送り手段等
、高価な付帯設備を要し、これがなければとても生産ラ
インには乗せられない。また、M2図示の従来例構造で
は、作業性は比較的良いが、端子が外部に張出さざるを
得ないだめ、実装密度を上げ得ない、。However, first of all, if we look at the chip components with the structure shown in Figure 1, we can see that at the initial stage, the same number of substrates for each chip...1...
The work efficiency is extremely poor, as processing, conductive layer creation, chip element mounting, and molding work must be performed on this extremely small board. Even if each process is automated, it is necessary to align and automatically feed such small substrates (or geometrically shaped substrates J) in the correct direction, which requires sophisticated positioning, feeding means, etc. However, the conventional structure shown in the M2 diagram has relatively good workability, but requires expensive auxiliary equipment, and without it it would be impossible to put it on the production line. , it is not possible to increase the packaging density.
本発明は、L述のようしく、従来構成のチップ部品が本
質的に持っている生産と、実装上の欠点を解決せんとし
てノ【されたものであり、構造的にも至便なものを提供
せんとしている。As mentioned above, the present invention was developed to solve the inherent production and mounting disadvantages of chip components with conventional configurations, and provides an extremely convenient structure. I'm trying.
また、付随的には、従来構造のチップ部品では、エレメ
ント番の搭載面と外部面状端子亭の当該端子面とは同じ
向きを向いているだめ、上レメント6が発丸ダイオード
とかフォトトランジスタ等である場合、モールド樹脂を
対!!彼醍に対しては少くとも透明な材料としても、プ
リン1基板への実装時にはひっくり返すために、このエ
レメント番を搭載している導゛禮層面4((Zが邪魔に
なり、結局は光変換機能が損なわれる、乃至機能しない
という欠点もあるが、本発明では、これをも改善できる
ものである。エレメント搭載面とは対向する面に面状端
子が設けられるからであり、ひりくり返して配線用/す
/ト基板に装着する必要がないからである。Incidentally, in chip components of conventional structure, the mounting surface of the element number and the corresponding terminal surface of the external planar terminal tab face the same direction, so the upper element 6 is used for mounting a circular diode, a phototransistor, etc. If so, use mold resin! ! Although the material is at least transparent to the element, in order to turn it over when mounting it on the printed circuit board, the conductive layer surface 4 ((Z gets in the way, and the light conversion Although there is a drawback that the function is impaired or does not function, the present invention can also improve this.This is because the planar terminal is provided on the surface opposite to the element mounting surface, and the wiring can be done by turning it over. This is because there is no need to attach it to the PC board for use.
本発明では、チップ部品の基板の表面にチップエレメン
ト用り所−の導電層パターンを設け、他面(裏面又は側
面)にエレメント4!r電極用の面状外部端子として所
要の導11LI−パターンを設けて、これ等双方のバタ
ー/中において、接続を採るべき4電層部分の相互を、
基板を頁通し、内面に導電層の付着したスルーホールで
接続するようにしたチップ部品を提供する。導vt+−
付きスルーホールは、一つが−m、vチノ7’l1品に
専用のものとして匿われるとともあるが、本発明による
特定の製造方法では、一つの導′d11−付きスルーホ
ールが製造途中では二つ以上のチップ部品で共用され、
各チップ部品:で分割される時にこの導電層付きスルー
ホールを陰む分割線で分割されることν(より、完成し
た一蘭−gADtッグ部品として見ると、基J&側面−
で沿う溝状の、或いは平らな、1:F方向導電層【吃え
るようfなる。In the present invention, a conductive layer pattern for chip elements is provided on the front surface of a substrate of a chip component, and an element 4! is provided on the other surface (back surface or side surface). A required conductor 11LI-pattern is provided as a planar external terminal for the r electrode, and in both butters, the four conductive layer portions to be connected are connected to each other.
To provide a chip component which is connected through a through hole with a conductive layer attached to the inner surface of the board. Guide vt+-
It is said that one through hole with a conductor is hidden as a dedicated one for the -m, v chino 7'l1 product, but in the specific manufacturing method according to the present invention, one through hole with a conductor 'd11- is hidden during the manufacturing process. shared by two or more chip components,
When each chip component is divided, it is divided by a dividing line that hides this through hole with a conductive layer.
A groove-like or flat conductive layer along the 1:F direction.
導電層付きスルーホールは、本来は配線用プリント基板
において開発された技術であるJ)?’。Through-holes with conductive layers are a technology originally developed for printed circuit boards for wiring. '.
IXs図に即して刷本に説明しておく。I will explain it in the printed version based on the IXs diagram.
配線用プリント基板、殊、(両面プリント基板FB (
仮想線断面)、cおいて、衣の導・醒1一部分cp、
(半断面)と8面の導′成層部分cp、 (半断面)と
の接続を採りたい場合に用い、られる、頃術であって、
両悸WIc層cp、 、 cp、 、Cmル4孔Hを穿
ち、この内面に尋′藏層Hcを付着させるものである1
、こJ)基板透孔Hとその内面の4通層を併セテ、コJ
)撞(支索分野では、琳:てスルーホーυTl(と呼び
、%にンま″犀電層′付きlと断らなくとも、スルーホ
ーIしと盲えばこうした構+21j bものを指す、。Printed circuit boards for wiring, especially (double-sided printed circuit boards FB (
imaginary line cross section), at c, part of the first part of the clothing, cp,
This technique is used when you want to make a connection between (half cross-section) and the eight-sided conductor layered part cp, (half cross-section).
Drill 4 holes H in both WIc layers cp, , cp, , Cm, and attach a thick layer Hc to the inner surface.
, J) Set the substrate through hole H and the four layers on its inner surface together.
) (In the field of struts, it is called 琳: te through-hole υTl(), and even if it is not specified that it has a rhinoelectric layer, it refers to such a structure.
従って、本書でも、以下では単1cスヤーホールと記す
が、このスルーホールの内面導電層Hcをどのようにし
て形成するかは公知技術で吃いくつかの方法があり、両
面導電1@CP、 、 CP、を所望のパターンにメッ
キするに伴い同時に形成する方法とか、両面導電層cp
、 、 cp、は通常のエツチングで所要のパターンに
形成t、、ス#−ホール用導電導電層は別途にメッキす
る方法婢があり、メッキ法も電解メッキとか化学メッキ
等の方法がある。Therefore, in this book as well, it will be referred to as a single 1c through hole in the following, but there are several known methods for forming the inner conductive layer Hc of this through hole. , a method of forming a double-sided conductive layer cp simultaneously with plating into a desired pattern,
, , cp are formed into a required pattern by normal etching.The conductive conductive layer for holes can be plated separately, and plating methods include electrolytic plating and chemical plating.
本発明では、予じめ述べておくと、このスルーホールの
形成法自体は特定する本のではなく、公知手法を任意選
択的に利用して良い。けだし、本発明は、スルーホール
構造をチップ部品内に採り入れることにより、後述の様
々な効果を得ることに成功したものであり、その発想か
らして公知スルーホール技術の琳なる転用ではないから
である。In the present invention, as previously stated, the method for forming the through hole itself is not specified in any specific book, and any known method may be used as desired. However, the present invention has succeeded in obtaining various effects described below by incorporating a through-hole structure into a chip component, and the idea is that it is not a diversion of known through-hole technology. be.
以下、第4図以降に即して本発明の各実施例に就き詳記
する。Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 4 and subsequent figures.
84〜9図に示す実施例は、各種の半導体ダイオードを
エレメントとするチップ部品及びその製造法を示してい
る。The embodiments shown in FIGS. 84 to 9 show chip components using various semiconductor diodes as elements and methods of manufacturing the same.
先づ、将来、各チップ部品の基板となるに適した材料、
例えば安価にはベークライト、紙フェノール、特性1憂
れているものではガラスエポキシ、その他ガラスコンポ
ジット材料、更にはセラミック等の材料の基材10を用
意する。First, materials suitable for becoming the substrate for each chip component in the future.
For example, the base material 10 is prepared from materials such as Bakelite, paper phenol, which are inexpensive, glass epoxy, other glass composite materials, and even ceramics, which have poor characteristics.
この基材10の面積は、罵・11I6Iのチップ部品を
将来切り出せる大きさとする。第4図中では、この基材
の表面を下段:で、集面を上段3て併示し。The area of this base material 10 is set to be large enough to allow chip parts of 11I6I to be cut out in the future. In FIG. 4, the surface of this base material is shown in the lower row 3, and the collected surface is shown in the upper row 3.
ている0本発明チップ部品を本発明製’rMb法で製造
する場合、基材/θの裁断乃至分割は、モールド工程の
終わった最後で良く、それまでは一括処理ができるが、
この第4図中では、説明の便宜のだめ、将来の列方向分
割mXtと行方向分割線乃を付記している。同、基材1
0の外周四辺までを有効に使うのなら、列方向分割、v
XtO数は行方向チップ個数Jこ対してFll−1本(
即ちXs ”、 @ =1 、 2 、 * 111
1 II 11 、 rlL−+ )、行方向分割線η
の本数は列方向チップ数路に対してルー1本(即ちη;
)=真、2.・・・・−、ル、)となプ、基材の最外周
を成る幅を持って四辺分、切り捨てるのなら1列方向分
割線友は友;t=1゜2、・・・・・、属+、となり、
行方向分割線ηはη;j=1.z、・・・・・、ル+1
となる。以下の実施例では後者に従うものとし、列方向
分割線AとXi+い行方向分割線ηとη」1で画される
一つのチップ部品用の基板面積部分をCi + )で表
すものとして、第4図中にこの単位面積部分Ci lノ
ともう一つの例としてCi→リー、を挙げて、この部分
に斜線を施し、理解の助けとしておく。When manufacturing a chip component of the present invention using the 'rMb method of the present invention, the cutting or dividing of the base material /θ can be done at the end of the molding process, and batch processing is possible until then.
In FIG. 4, for convenience of explanation, future column direction divisions mXt and row direction division lines are added. Same, base material 1
If you want to effectively use up to the four outer edges of 0, divide in the column direction, v
The number of XtO is Fll-1 for the number J of chips in the row direction (
That is, Xs'', @ = 1, 2, * 111
1 II 11 , rlL-+ ), row direction dividing line η
The number of lines is 1 Roux for the number of chips in the column direction (i.e. η;
) = true, 2. ...-, Le, ) and Nap, if you cut off four sides with the width that forms the outermost periphery of the base material, the dividing line in the 1st column direction is a friend; t = 1゜2, ... , genus +, and
The row direction dividing line η is η;j=1. z, ..., le +1
becomes. In the following examples, the latter is followed, and the substrate area portion for one chip component defined by the column direction dividing line A and the row direction dividing line η and η'1 is expressed as Ci + ). In Figure 4, this unit area portion Ci I and another example, Ci→Le, are shown and this portion is shaded to aid in understanding.
また%C11l、Cl1t、””’ CI I n+−
+ ; C1l I %C,、、、11+111@11
、CN # n ; ””’ ; CmI l + C
mHl・・・・・、C□、4の各チップ用基板部分を場
所に限らず一個の基板面積部分として説明する時は、単
にチップ用基板面積部分Cと記し、サフィックスは省略
する。Also, %C11l, Cl1t, ""' CI I n+-
+; C1l I %C,,,11+111@11
, CN #n; ””'; CmI l + C
When describing each of the chip substrate areas mHl, .
さて、後に各チップエンメントを搭載する面となる第4
図中、下段の基材表面−ヒには、当該エレメント(この
場合は既述のように半導体ダイオード)をlル械するI
)K都合の良い4’dt祷パターン//が形成される。Now, the fourth surface will be the surface on which each chip element will be mounted later.
In the figure, on the bottom surface of the base material, there is an I.
) A convenient 4'dt prayer pattern // is formed.
この実!!#4例での導電層パターンl/は、各個別の
チップ用基板面積部分C毎に見ると、メ°イオードエレ
メ/ト搭載用の比較的大rjIi横化し、t i mイ
ボ醒禰lらとこれに連続してスルーホールis・・0・
に接続を抹る1縁部導電層/27)とから成る第一パタ
ーンL6分12と、ダイオードエレメントの一方の這頼
とのワイイボンディフグ部導4m/Jaと先のスジ−ホ
ール/jとは対向するスルーホールlS:て接依を採る
1縁イボ’IU@/、3hとからhiる第二パターン部
分/Jとから成っている。而して、この実施例では、そ
れぞれの基板面積部分C毎に第一、第二パターン部分/
コ、/3が4接、2)J!板面#lt部分と独立別個、
C設けられているのではなく(そうでbつでも良いが)
1列方向KvV4接する(即ち、同じ例で隣接行中に位
置する)基板面積部分C寥。This fruit! ! When looking at each individual chip substrate area C, the conductive layer pattern l/ in example #4 is relatively large for mounting a diode element, and according to TIM Ibo Seine et al. This is followed by a through hole is...0...
A first pattern L6/12 consisting of one edge conductive layer /27) that eliminates the connection to the wire, a wide bonding part conductor 4m/Ja with one side of the diode element, and the previous stripe hole /j. consists of an opposing through-hole IS: one edge wart IU@/, 3h, and a second pattern portion /J extending from the opposite through-hole IS:. Therefore, in this embodiment, the first and second pattern portions/
Ko, /3 is 4 tangent, 2) J! Separate and independent from plate surface #lt part,
It's not that C is provided (but it's okay to have B)
The portion of the substrate area C which is in contact with KvV4 in one column direction (ie, located in an adjacent row in the same example).
ノ゛とC1+ノ゛−s 81U Cトノ+、において、
一つの基板面積部分CI、j の第一パターン部分lコ
は図IjjE、上の行の基板面積部分C* a )+、
OJl!ニパターン都13と44縁部/2b、 /34
0相互で一体的に接続し、換舊すれば成る基板面積部分
C1すの第二パターン部分73は図面上、下方の行に+
4接する基板面積部分CI+71の第一パターン部分/
コと各端縁部/JA 、 /コhの相互で一体的に接*
lf、 L Cいる。No. and C1 + No. s 81U C tonneau +,
The first pattern portion l of one substrate area portion CI,j is shown in Figure IjjE, the substrate area portion C* a )+ in the upper row,
OJl! Ni pattern capital 13 and 44 edge /2b, /34
The second pattern portion 73 of the substrate area portion C1, which is formed by integrally connecting and replacing the parts, is shown in the lower row in the drawing.
4 First pattern portion of contacting board area portion CI+71/
and each end edge /JA, /coh are integrally connected*
lf, LC is here.
そのためK、これ等二つの基板面積部分に跨る第一、第
二ハターン部/λ、/3の対は、一つのパター//4I
を形成しており、その結果、行方向の各分割婦Y) (
) ”= 1 s 2 m・φ・・・+ lL+1 )
は行方向に整列したこの場合円形断面のスルーホールt
SD群中を横切り、かつまたスルーホール/Sの群は列
方向fも列方向に沖びる分割#lXj −Xi 1=t
(’=1+2+・・・・・*mト、) の間で整列し
、従って、基材10の表面を全体的に飢めると、同一、
v −b パターンlダが整然と行1列両方向に整列し
ているものとなる。同、谷スルーホールとの接続を藏る
端縁部lコb s /3bはごの場合、略々同幅の半円
形となっているため、E下に隣接する基板面積部分間に
跨る一つのパターン/ダとして晃ると、スルーホール開
口の周知がリング状導電層(/2A 、 /37) )
で囲まれた形を成し、この列方向一端からワイヤボンダ
イング都/3aが、直径方向に対向する同方向他4から
工Vメント搭載slコαが夫々伸び出している形状とな
っている。Therefore, K, the pair of first and second pattern parts /λ, /3 spanning these two substrate area parts is one pattern //4I
As a result, each division in the row direction Y) (
) ”= 1 s 2 m・φ...+lL+1)
are through-holes t, in this case circular cross-section, aligned in the row direction.
A division #lXj −Xi 1=t that traverses the SD group and also extends the through-hole/S group in the column direction f as well.
('=1+2+...*mt,) Therefore, if the surface of the base material 10 is completely starved, the same,
The v-b patterns are arranged neatly in both rows and columns. Similarly, in the case of the edge portion lcob s /3b that connects with the valley through hole, it is a semicircle with approximately the same width, so one layer that spans between the adjacent board area portions below E. When patterned as a pattern/da, the through-hole opening becomes a ring-shaped conductive layer (/2A, /37)
The wire bonding cap/3a extends from one end in the row direction, and the mechanical bonding cap/sl co. .alpha. extends from the other end in the same direction facing in the diametrical direction.
ひつくね返して見た層面のスルーホールlSの周抄のパ
ターン16も、全体としては咳不−M開口の周りのリン
グ状4篭層となっているが、その9り方向の図面上の下
半内部分lりは夕11方向h7)基板面積部分戊−のワ
イヤ1Zンデイ/グ部/Jaと端縁部/3bを介しC1
また。夕1j方向の図面と。The pattern 16 of the circumference of the through-hole IS on the layer surface when viewed by turning around is also a ring-shaped four-layered layer around the opening M, but the bottom of the drawing in the 9-direction is The inner half is connected to the wire 1Z in the direction 11 (h7) of the board area through the wire 1Z and the edge part /Ja and the edge part /3b.
Also. A drawing of the evening 1j direction.
上の手内部分/gは、ヤリ方向下り底板面積部分表面の
エレメント搭載部ノλ4と輸嫌部/コb’を介し7て、
夫々従続され、夫々、後程、D分鯖[程を経た後は、ワ
イヤボンfイ/グl!!l J)−万のヌ°イ4−−ド
醒龜用外部面状4子/7.搭載部側の地乃のダイオード
−慣用外部面状端子/1.と、・:Cるものである。The upper hand part/g is connected to the element mounting part λ4 on the surface of the bottom plate area part in the downward direction of the spear and through the carrying part/b'7.
Each will be followed, and later, after going through the D minute mackerel [process, wirebon f I/G l! ! l J) - 10,000 Nui 4 - External surface shape 4 pieces for door opening / 7. Jino's diode on the mounting part side - conventional external planar terminal/1. And...:C.
同、こJ)複面の面状端子(/7./ざ)の形状は。Same, J) What is the shape of the double-sided planar terminal (/7./za)?
半円形状(両者合わせて円)である必要はなく。It doesn't have to be semicircular (both circles together).
後述の実施例轡から11せるように、任意形状で嵐−0
まえ、勿論、各スルーホール/jの内面には基板上下方
向(II!裏方向)に連続する導電層/fが付されでい
る。逆に言えば、先に述べたように、基材10i/C機
械的に単に開けだ穴Jの内面に導電4/9f付して、こ
の技術分野でいうスルーホールl!を形成しているので
ある。As shown in the example below, Arashi-0 can be created in any shape.
First, of course, the inner surface of each through hole /j is provided with a conductive layer /f that is continuous in the vertical direction (II! back direction) of the substrate. Conversely, as mentioned earlier, the base material 10i/C is simply mechanically attached with a conductive 4/9f on the inner surface of the drilled hole J, forming what is called a through hole l! in this technical field. is formed.
上記のような虎裏面のパターン(1/又は/l)。Tiger back pattern (1/ or /l) as above.
76及びスルーホール導電層/9t−如何なる方法で形
成するかということ自体は本発明が直接これを規定する
ものではなく、公知任意の手法によって成い。76 and through-hole conductive layer/9t - The present invention does not directly specify the method for forming the layer, and any known method may be used.
以上のようK、基材10(Q表裏面に対して、夫々所要
の通り、スルーホーν/jで必要部分相互(lコとit
、iJとl?又は、まとめて見てl事と76)が![l
W&され九所要パターンlダ、 14を形成したなら、
蘂4図中、仮想−の枠J/で囲った四個外の部分のみを
第S図に採抄出して拡大して示すように、m−路1I6
1ある基板面積部分Cの各個のエレメント搭載部12a
上に、この場合は半導体ダイオードであるエレメント−
を搭載する。この時、一般とは搭載部/J、EKダイオ
ードのアノード又はカソードが直接するので、他方の電
極。As described above, for K, the base material 10 (Q front and back sides, the necessary parts (l and
, iJ and l? Or, if you look at it all together, there are 76)! [l
After forming W & 9 required patterns, 14,
In Fig. 4, only the parts outside the four areas surrounded by the virtual - frame J/ are extracted and enlarged in Fig. S, as shown in m-path 1I6.
Each element mounting portion 12a of a certain board area portion C
Above, an element - in this case a semiconductor diode -
Equipped with At this time, in general, the mounting part /J and the anode or cathode of the EK diode are connected directly, so the other electrode.
カソード又はアノード、をワイヤ刀によりワイヤホ/テ
ィ/グ部/jgK接続を採ればそれで良い。即ち、一方
のダイオード電極は表面の面状端子となる部分It (
本図では示さず)K、他方のダイオード′IIt極は裏
面のこの電極用の面状端子となる部分/’IK、それぞ
れ接続が取られることになる。It is sufficient if the cathode or anode is connected to the wire ho/te/g/jgK using a wire knife. That is, one diode electrode has a portion It (
(not shown in this figure), and the other diode 'IIt pole is connected to a portion /'IK on the back surface which becomes a planar terminal for this electrode.
基材10上で一括的にエレメント搭載部−を終えたなら
、次に、第6図疋示すように、基材10の表面側を一括
的:C−脂モーヤドしくモールド部分は仮想纏誹で示す
)、エレメント6を保護する。モーヤド材も任意適当な
もので良いが、基材10との馴染みが良いものを選ぶの
は当然である。After completing the element mounting part on the base material 10, as shown in Fig. 6, the surface side of the base material 10 is completed in one go: C-The molded part is virtually tampered with. ), protects element 6. Although any suitable moryad material may be used, it is natural to select a material that is compatible with the base material 10.
このように、モールド工程までを完了した。γら、こ仁
で始めて、基材10を行列各方向分割線ηl Xi K
よってatL&材を分割乃至裁断する。献新法はカッタ
による機械的なものは勿論、レーず光等のエネルギビー
ムによっても良い。In this way, the molding process was completed. Starting from γ et al., the base material 10 is divided into matrix and each direction dividing line ηl
Therefore, the atL& material is divided or cut. The new method may be mechanical using a cutter, or may be performed using an energy beam such as a laser beam.
このようにして裁断され九−々の部分は、第1図示のよ
うに、夫々、一つづつが目的のチップ部品訪としてのチ
ップダイオード乃至ミニモールドダイオード易を構成す
る。第8図のJ17図A−Afi[沿う中央縦断面も参
考にして、静的に構成子の捕捉説明を行うと、基材10
から切り出された基板面積部分Cはこのチップ部品コ乃
至チップダイオ−トムの基板コクとなっており、ダイオ
ードエレメントの各@f、極の外部面状端子lデ、/1
は、スルーホール内壁面導電層として形成されてい九基
板両端縁を上下方向に伸びる導電層/デ、lデを介して
エレメント−の搭載面とは反対1DIIK位置するもの
となる。Each of the nine parts cut in this manner constitutes a chip diode or a mini-mold diode as a target chip component, as shown in the first figure. J17 of FIG. 8 A-Afi
The board area portion C cut out from the board is the board area of this chip component or chip diode, and each @f of the diode element, the external planar terminal l of the pole, /1
is formed as a conductive layer on the inner wall surface of the through-hole and is located 1 DIIK opposite to the mounting surface of the element via the conductive layer /D, lD which extends in the vertical direction along both edges of the 9-board.
tた。この製造法では、スルー1ζ−ルljを含む分#
J 41 Yjの分割により、各上下方向導電層/9゜
/1は基板コク側へ喰い込む半円状の溝形となっている
。It was. In this manufacturing method, the component # containing the through 1ζ-ru lj
Due to the division of J 41 Yj, each vertical conductive layer /9°/1 has a semicircular groove shape that digs into the body side of the substrate.
向1通常行なわれているように1面状端子/7゜it
−? P、裏導電層を連通させる上下方向両側導電層/
l 、 /9は、複数金属層としたシ、その上に半田メ
ッキ層を有していて勿論良い。Direction 1 Single-sided terminal/7゜it as usual
−? P, conductive layers on both sides in the vertical direction that connect the back conductive layer/
Of course, l, /9 may have a plurality of metal layers and a solder plating layer thereon.
本チップ部品# (24)を混成集積回路用に適当な基
板コの所定導電パターノコ9.3θ上に眠気的。This chip component # (24) is placed on a predetermined conductive pattern saw 9.3θ on a substrate suitable for hybrid integrated circuits.
機械的に固定する作業は、第8図示のように公知手法と
変わりはなく、半田す70−法やディツビ/グ法、その
他導電ペースト等による接着媒体J/に:よって良い。The mechanical fixing operation is the same as the known method as shown in FIG. 8, and may be performed using a soldering method, a Ditzbing method, or an adhesive medium such as a conductive paste.
上記の実施例は二端子型のニレメン) u Q(対して
のものであるが、勿論、基材10乃至各基板コアに対す
る表裏導電層パターンやスルー小−ル個数、位置等を設
計的に所要のものとすればトランジスタ等のヨ端子型、
集積チップエレメント等の多端子型のエンメン)K就い
ても本発明は適用できるものである。第9〜12図示の
二つの実施例はこうした場合を示している。The above example is for a two-terminal type Niremen) u Q (However, of course, the front and back conductive layer patterns, number of through holes, position, etc. for the base material 10 and each board core are required in design. If it is a terminal type such as a transistor,
The present invention is also applicable to multi-terminal components such as integrated chip elements. The two embodiments shown in Figures 9 to 12 illustrate such cases.
第−実施例中の各構成子と対応する構成子、では同一の
符号を対応的に付し、サフィックスだけは数の増減に応
じて付は加えたり変更し九りして説明する。The same reference numerals are assigned to components corresponding to each component in the second embodiment, and only the suffixes are added or changed depending on the number of suffixes.
第9.10図示の実施例は、バイポーラ乃至ユニポーラ
トランジスタ等の三端子型半導体エレメントnを搭載し
たミニモールドトランジスタ31等をチップ部品おとし
て構成したものである。The embodiment shown in Figures 9 and 10 is constructed using a mini mold transistor 31 mounted with a three-terminal semiconductor element n such as a bipolar or unipolar transistor as a chip component.
gxo図の静的構成から説明すると、基板コアの表面上
’vcは、ニレメン)Uの裏面電極と電気的接続の採ら
れた搭載部導電層lコ、があり、基板27の一側に設け
られた、もとはスルーポール73Aであった半円状溝の
内壁面導電層/9に端縁部導電層l−すを介して接続が
採られていると共に、例えばベース、エミッタ用又はゲ
ート、ソース用の各ボンディング用導電層/3a 、
/3.が上記−側とは対向する基板側辺側に設けられ、
夫々。To explain from the static configuration of the gxo diagram, there is a conductive layer on the surface of the board core, which is electrically connected to the back electrode of the board 27, and is provided on one side of the board 27. A connection is made to the inner wall conductive layer /9 of the semicircular groove, which was originally a through pole 73A, through an edge conductive layer l-. , each bonding conductive layer/3a for source,
/3. is provided on the side of the substrate opposite to the - side,
Respectively.
この1則辺の角部にある四半円状痛みの上下方向導電層
/? 、 /?に端縁部導電層/31. 、 /3dを
介して接続されている。この上下方向導電1% /?
、 /?も、また、もとはスルーホールtrB、 /z
Btv内壁面であったものである。各上下方向導電層/
9・・・・・と接続し、基板裏面において外部面状端子
となる各導電4#:、/りA 、 /?Bは、既述のよ
うに任意パターンで良く、この場合は、やはり。The vertical conductive layer of the quadrant-shaped pain at the corner of this one-rule side/? , /? Edge conductive layer/31. , /3d. This vertical conductivity 1%/?
, /? Also, it was originally a through hole trB, /z
This was the inner wall of the Btv. Each vertical conductive layer/
Each conductor 4#:, /A, /? is connected to 9... and becomes an external planar terminal on the back side of the board. B may be any pattern as described above, and in this case, it is.
円形を分割した簡率なもOKなっている。勿論。A simple version with a circular shape divided is also acceptable. Of course.
モールド材2II(仮想線)がニレメン)Q2を保護し
ている。Mold material 2II (imaginary line) protects Niremen) Q2.
この実施例では、一つの部品の基板27の表面Icおい
ては、互いに電気的に独立した三つの導電層パターン部
分/2 、 /、?A 、 /JBを要している。In this embodiment, on the surface Ic of the substrate 27 of one component, there are three electrically independent conductive layer pattern portions /2, /, ? A, /JB is required.
これ尊王つのパターンは、本発明を物として晃だ場合適
宜な製造法により、各パターンを個別に形成しても良い
が、既述の第一の実施例、で即して詳記した本発明の一
括処理を基調とする有効な製造ガ法による場合、多数個
の部品を切出し得る基材10上に当初形成する表面パタ
ーンとしては、第9図示のようなパター7によることが
望ましい。このパターン形成では、覆数−の隣接基板面
積部分C・・・・・に跨る三種類の・くターン/41A
、 /ψBを規則的て形成すれば萌りるので、パター
ン設計製作上、また基材/θの有効利用上、有利となる
。These three patterns may be formed individually using an appropriate manufacturing method if the present invention is to be used as a product, but the present invention described in detail in the first embodiment described above may be used. In the case of an effective manufacturing method based on batch processing, it is desirable that the surface pattern initially formed on the base material 10 from which a large number of parts can be cut out is a pattern 7 as shown in FIG. In this pattern formation, three types of patterns/41A are formed across the adjacent substrate area C...
, /ψB can be formed regularly, which is advantageous in terms of pattern design and production and effective use of the base material /θ.
第9図では1行方向に隣接する将来の各部品用基板面積
部°分Ci −+ ’、 C4すに斜線を施してす
各領域を明示しているが、先づ、これ等三つの基板面積
部分において考えると、それぞれのエレメント搭載部/
コa r /コ、は、両者間の列方向分割#i1′X4
上にあって半円部づつ両者に跨る一つのスルーホール/
NkK対して対称な位置にあり。In Fig. 9, the areas of the future board areas for each component adjacent in the direction of one row, °Ci - + ', and C4, are indicated by diagonal lines. Considering the area, each element mounting area/
Co a r / co, is the column direction division #i1'X4 between both
One through hole at the top that spans both semicircular parts/
Located symmetrically to NkK.
夫々の端縁部/コh+/コbは相俟ってスルーホール/
jAの周縁を囲んでいる。従って、各部品用の第−導電
層/2./コは相俟って−りの第一パターン/弘ムとじ
て基材上に形成され、全体として見ると1列方向分割線
の一つ置きに行方向に。The respective edge parts / ko h + / ko b together form a through hole /
It surrounds the periphery of jA. Therefore, the second conductive layer for each component/2. / is formed on the base material together with the first pattern / hiromu, and when viewed as a whole, it is arranged in the row direction at every other dividing line in the column direction.
また行方向隣接分割線Y) +t 、 Y)’ 、 Y
) 、 Yj−+ 間で列方向に整列している。In addition, adjacent dividing lines in the row direction Y) +t, Y)', Y
) and Yj-+ in the column direction.
次に、各ボンディング部’3a r /3(、に関する
各スルーホールlNB 、 /!fBは、上記搭載部用
スルーホーν/jAの含まれていない一つ置きの列方向
分割線上で各行方向分割線との交点に中心を置いて設け
られている。従って、各スルーホー A//3−Bは1
列方向及び行方向に各隣接する計四個の各チップ用基板
面積部分7C跨ってお秒。Next, each through hole lNB, /!fB for each bonding part '3a r /3(, Therefore, each through-hole A//3-B is provided with its center at the intersection with
The area of the substrate area 7C for each of the four chips, which are adjacent to each other in the column and row directions, is covered for a second.
このスルーホール疋接続を採る各基板面積部分の端縁部
/37) 、 /34 : /Jd 、 /Jdは夫々
四半円状のものが相俟ってスルーホーA/ /kn f
+7 yグ状に取妙囲んでいる。The edge parts of each board area that adopt this through-hole connection /37), /34: /Jd, /Jd are the through-holes A/ /kn f
+7 It is surrounded by a Y-shaped shape.
そして、各端縁部tB 、 ts4 ; ts、1 、
ty、1 ;ではワイヤボンディング部/J、 、
/J、 : /、7. 、 /Jcが連続している。結
局、一つのスルーホー〜/1Bを中心に、 、i:紀の
各部/3g 、 734 : /3k * /JA :
/jte/3. : /74 、 /3dが全体とし
て二り目のパターン/ll1lを形成していること1(
なる。但し、このような基板表面パターンであると、各
行fおいて1行方向に14接する基板面積部分は行方向
で互いに反対方向を向く。逆にgえば、各チップ用基板
面積Cの隣接するもの同志り方向を勘案すれば。And each edge portion tB, ts4; ts,1,
ty, 1; then the wire bonding part/J, ,
/J, : /,7. , /Jc are consecutive. In the end, focusing on one through hole ~/1B, , i:Each part of the period/3g, 734: /3k * /JA:
/jte/3. : /74, /3d form the second pattern /ll1l as a whole1(
Become. However, with such a substrate surface pattern, the 14 substrate area portions in each row f that are in contact with each other in the row direction face in opposite directions. Conversely, if we take into account the direction in which each chip substrate area C is adjacent to each other.
−鯛当たりのパター/llは三種類(/コ、 /、7A
。-There are three types of putters/ll for sea bream (/ko, /, 7A
.
/JR)を要しても、基材lOへのパターン形成時には
二種類のバター//ダA、/41B、D規41J的t℃
繰返し配置で済むよう;(なる。/JR), when forming a pattern on the base material, two types of butter//dA, /41B, D standard 41J t℃
It will be enough to repeat the arrangement.
第11 、12図示の実施例は、チップ部品おとして多
端子(この場合穴端子)集積回路チップ33を構成した
もので、端子数、従って各パターン部分やスルーホール
数が増えているが基本的に先掲の第一、第二実施例と変
わる所はない。The embodiment shown in the 11th and 12th figures is a multi-terminal (hole terminal in this case) integrated circuit chip 33 as a chip component, and although the number of terminals and therefore the number of pattern parts and through holes has increased, the basic There is no difference from the first and second embodiments mentioned above.
基板コク乃至各チップ用基板面積部分Cの表面fは、裏
面に一電極、上面に五電極を持つ集積回路チツプエレメ
/)、uK応じて、裏面電極と電気的に接続を採り乍ら
エレメントを搭載する搭載部/コ、とこれを基板外面の
上下方向導電層itに接続する端縁部lコbと力為ら成
る第一パターン部分lコを始め、他の五itimの各々
とのワイヤボンディング部/、7.. /30. /、
?、 、 /、3. 、 /3i を含む第二〜第五パ
ターン部分/jA −/JEが形成されている。夫々の
パターン部分/2 、 /JA A−/、71は。The surface f of the board area C for each chip is an integrated circuit chip element with one electrode on the back surface and five electrodes on the top surface, and an element is mounted while electrically connecting with the back electrode depending on the uK. Wire bonding with each of the other five items, including the first pattern portion consisting of the mounting portion/co, the edge portion b, and force plate connecting this to the vertical conductive layer it on the outer surface of the board. Department/, 7. .. /30. /,
? , , /, 3. , /3i are formed as second to fifth pattern portions /jA - /JE. The respective pattern portions /2, /JA A-/, 71 are.
夫々、裏面の面状端子(形状1寸同じく拘わらないが、
ここでは円形を後述のように分割した形状) /l 、
/7に、もとはスルーホールであった部分の内壁導電
層/9にて接続が採られている。同様にまた、モールド
材24((仮想#l)がエレメント−を覆っている。Respectively, the planar terminal on the back side (the shape is not limited to the same size, but
Here, the shape is a circle divided as described below) /l,
/7 is connected to the inner wall conductive layer /9 of the portion that was originally a through hole. Similarly, a molding material 24 ((virtual #l) covers the element.
この実施例でも、各電極配置乃至パターン部分は任意な
ものとして喪いが、既述した本発明の方法を用いて、か
つ、パターンの合理化、各チップの小面積化を図るなら
ば、基材10へのパターン形成時における工夫により、
各チップ当た抄六個のパターン部分lコ、/3A〜/3
Eは、第11図示のように、二種#4のパター7 /I
A 、 /ダBの規則的な繰返し配置で済ますことがで
きる。In this embodiment as well, each electrode arrangement or pattern part is assumed to be arbitrary, but if the method of the present invention described above is used and the pattern is rationalized and the area of each chip is reduced, the base material 10 Through ingenuity during pattern formation,
Six pattern parts per each chip, /3A~/3
E is second type #4 putter 7 /I as shown in Figure 11
A regular repeating arrangement of A, /daB can suffice.
即ち、先づ1例えば4a部lコαと一つDワイヤポンデ
ィフグ部/3.とは、基板コクD崗;則辺の略々同位置
に来るようにし、残りの四個のワイヤボンディング部を
含むパター/部分/JB −/J@は基板り四隅;(−
り宛が来るようにする。That is, first, for example, 4a part l, and one D wire pond puffer part/3. The board should be at approximately the same position as the regular side, and the putter/portion containing the remaining four wire bonding parts should be placed at the four corners of the board.
Make sure that the address is received.
すると、パターンw5汁lコと/、7A K閂しては。Then, pattern w5 juice lko/, 7A K bolted.
分割前り基材10 J:、において、一つのスフレ−ホ
ールtzh t 中心にしたークのパター/部分Aとし
て。In the pre-divided base material 10 J:, as a putter/portion A of the arc centered on one soufflé hole tzh t .
このスルーホール13人を各列方向分割、i!Xs):
で隣接する一対の行方向分割−間に位置さぜることKよ
り1行方向に隣接する各チップ用基板面積部分において
−b:(は部分/コと、他方IC/′i部分/jA t
−配させることがで画る。Divide these 13 through holes in each row direction, i! Xs):
In each chip substrate area adjacent in one row direction from K, which is located between a pair of adjacent row-direction divisions, -b: (is part/ko, and the other is IC/'i part/jA t
-I draw by arranging.
残りの四部分/3B −/jE K関しては、各同方向
分割線と行方向分割線との交点に#!で配したスルーホ
ール/jBかう、このスルーホール/jBを囲む列行各
ニーづつ計四叫の基板面積部分の各々に対してワイヤボ
ッ14フフ部/3C,/J−+13g 、 /3Bを対
角一方向に呻ばせば、−りの基材上パター/部分Bで済
ますことができる。同。For the remaining four parts /3B - /jE K, #! is placed at the intersection of each same-direction dividing line and row-direction dividing line. For each of the four board area parts of each row and column surrounding this through hole /jB, wire holes /3C, /J-+13g, /3B are placed diagonally. If you swing in one direction, you can get away with putting it on the base material/part B. same.
この実施例のパターン配置は1部分/コと/jAから成
るパターン/ダAK関しては第一実施例のパターン14
1.り応用、残に0部分13B〜/jEから成るパター
ンlダBK喘しては第二実施例のパター7 /#Bの応
用となっている。The pattern arrangement of this embodiment is pattern 14 of the first embodiment regarding the pattern/daAK consisting of one part /ko and /jA.
1. The rest of the pattern is an application of the putter 7/#B of the second embodiment.
ところで、これまでの実施例では1表面パターン中の導
層層部分の相互の接続を採る上下方向導電層l!は、比
較的小径の円形スルーホール/J 、 /jA 、 /
jllの内壁面とされてい丸ものを用いるため、基材1
0上でモールド工程を終わった後に切り出した各チップ
部品においては、これ等導電層19はいづれも半円形断
面或いは四半円形断面状に基板コア内方に向かつて凹ん
だ形尤なっている。実は、このようKなっていると、裏
面の面状端子/7 、 /lだけではなく、l1c8図
示りように配線用プリント基板上KN装する時に。By the way, in the embodiments so far, the vertical conductive layer l! connects the conductive layer portions in one surface pattern with each other. are relatively small diameter circular through holes /J, /jA, /
Since the inner wall of the JLL is round, the base material 1
In each chip component cut out after the molding process is completed on the substrate 0, each of the conductive layers 19 has a semicircular or quarter-circular cross section that is concave toward the inside of the substrate core. In fact, when K is used like this, it is not only necessary to use the planar terminals /7 and /l on the back side, but also when mounting KN on the printed circuit board for wiring as shown in the figure l1c8.
半田等の付着部分がこの基板側部の導成麺Itに及ぶに
際して当該層/9の表面積が大きいために電気的、+*
槻的固着力が大色〈採れて甚だ具合が良いのではあるが
、仕様によっては基板一部は平面:(保ちたい4&もあ
る。When the adhering part of solder etc. reaches the conductive layer It on the side of the board, the surface area of the layer/9 is large, so that the electrical
It has a great adhesion force.Although it is very good, depending on the specifications, some parts of the board are flat.
このような場合5ては、第13図示のようなパターンと
することにより、M−実施例と同一の本発明製造工程を
そのまま盪用して目的を達することかで睡る。In such a case, by creating a pattern as shown in Figure 13, the same manufacturing process of the present invention as in the M-Embodiment can be used as is to achieve the purpose.
先づ、第7図示Diニモールドダイオードムを側部平面
上下方向導電1−と代えた第14A図示のもの疋する場
合のスルーホール形状、パターン形状、配置KSr&す
ると、第13図、ておいて、基材lOの両喘の列方向不
要部分/(7A 、 10B (蛾外側分割−XI 、
’X1ll+I D外側)においてのみ列方向Dm
部分ljaで閉じられてはいるが行方向の周部分/jj
は各列を横切った直線上のものとなっている大無な長円
形スルーホール/jを各行方向分割線を含んで設ける。First, the through-hole shape, pattern shape, and arrangement KSr in the case of the one shown in FIG. 14A in which the diode molded diode shown in FIG. , unnecessary parts in the column direction of both sides of the base material IO/(7A, 10B (Moth outer division-XI,
'X1ll+I D outside) only in column direction Dm
The peripheral part in the row direction that is closed by the part lja/jj
A large elliptical through hole /j, which is on a straight line across each column, is provided including each row direction dividing line.
そして、このスルーホール/jの直線周部分/jbt/
Caつて列方向一連に第一パターン/41Aと第二パタ
ーン形状Bを各帯状のものとして設ける。すると、各々
一つの基板面積部分Cにおいては、5A線を施した部分
CI−j−+等に示すように、エレメント搭載部lコと
ワイヤボンディング部13とが列方向に対向したものと
なる。画部分/コ、/3は、相俟って各チップ用基板表
面パターン//を構成する。Then, the straight circumferential portion of this through hole /j /jbt/
The first pattern/41A and the second pattern shape B are provided as each strip in series in the column direction. Then, in each substrate area portion C, the element mounting portion l and the wire bonding portion 13 face each other in the column direction, as shown in the portion CI-j-+ marked with line 5A. The image portions /3 and /3 together constitute a substrate surface pattern for each chip.
また、各導シ層部分乃至パターン部分lユ、/3の各裏
面を極/?、/1となる裏面パターンは、第13図には
示していないが表面パターンと同じで良いO
その後、第一の実施例に即して述べたように。In addition, each back surface of each conductive layer portion or pattern portion lU, /3 is connected to the pole /? , /1 is not shown in FIG. 13, but may be the same as the front surface pattern.O Thereafter, as described in connection with the first embodiment.
ダイオードエレメ7)Q2を各領域Cに搭載し。Diode element 7) Q2 is installed in each area C.
ワイヤボンディング作業を行い、樹H旨封正評を基材1
0の全面に対して施した後1行方向には各スルーホール
/Sの中心を通る行方向分割線で。Perform wire bonding work and attach the seal to the base material 1.
After applying it to the entire surface of 0, in the 1st row direction, use the row direction dividing line passing through the center of each through hole /S.
列方向fは行方向に一連の第一、第二パターン配置 、
74tBを断ち切る列方向分割線で、基材10を裁断
すれば、第14A図示のように、基板コアの側面の導電
層1q、 /?が平らで、またこの場合は裏面面状端子
/り、7gも角形りものが提供される。The column direction f is a series of first and second pattern arrangements in the row direction,
If the base material 10 is cut along the column direction dividing line that cuts off 74 tB, the conductive layer 1q on the side surface of the substrate core, /? The terminal is flat, and in this case, the terminal is on the back surface, and a square shaped one weighing 7g is provided.
また、第13図において、第二バター7 /JIBを図
中仮想線で示すように各チップ当たり二つのポンディン
グ部/、?A 、 /JBとして形成すれば。In addition, in FIG. 13, there are two pounding parts/, ? for each chip, as shown by the imaginary line in the figure for the second butter 7/JIB. If formed as A, /JB.
@ 141図示のように、)ランジスタ等り三端子エレ
メントnでも、各上下方向導電・−lデ・・・・・を千
両形状としたチップ部品B乃至ミニモールドトランジス
タ3コが形成できる(、11!に両パターン部分/l
、/$Bの行方向分割数を増やせば多端子型エレメント
にも対応でき、その場合、4板コクの両側の面状端子ピ
ッチをこの種技術で規格化乃至それに準する扱いを受け
ているピッチ。@141 As shown in the figure, even with a three-terminal element n such as a transistor, it is possible to form a chip component B or three mini-mold transistors in which each vertical conductor, -l de..., is shaped like a thousand ryo (,11 !Both pattern parts/l
, /$B can be used for multi-terminal elements by increasing the number of divisions in the row direction, and in that case, the planar terminal pitch on both sides of the 4-plate body is standardized or treated similarly using this type of technology. pitch.
例えばl、27−とすれば、この゛種チップ型集積回路
のデユアシイ/ラインピン配列L(応えることができる
。勿論、シングルインラインも片方のパターン/l又は
/lIBを使わなければ可能である。For example, if it is 1, 27-, the dual/line pin arrangement L (L) of this kind of chip type integrated circuit can be met. Of course, single in-line is also possible without using one of the patterns /l or /lIB.
次に、受動エレメントに対する実施例に就き説明する。Next, an example for a passive element will be described.
以下のこうした実施例では、やはり。Again, in these examples below.
第13図示のスルーホール形状を基にして上下方向導電
ノーを平面とする。但し、第13図と第4〜6図示の関
係のように1円形小径スルーホールを使っても良い。Based on the through-hole shape shown in FIG. 13, the vertical conductive hole is made into a flat surface. However, a circular small-diameter through hole may be used as shown in FIG. 13 and FIGS. 4 to 6.
第15〜17図はエレメント二として抵抗を考えたもの
である。第15図は分割前の基材10上のパターン配置
を示し、また、スルーホール/j’は第13図示と同様
に基材両側の切捨部分#l)A 、 10Bでのみ閉じ
られた行方向には直線状周縁lSBを持つ長円形状とな
っている。15 to 17 consider resistance as element 2. FIG. 15 shows the pattern arrangement on the base material 10 before division, and the through holes /j' are lines closed only at the truncated portions #l)A and 10B on both sides of the base material, similar to the illustration in FIG. 13. It has an elliptical shape with a linear peripheral edge ISB in the direction.
而して、1H13図示の表面パターンにおいて、搭載部
lコとワイヤボンディング部/3とを、共【。Therefore, in the surface pattern shown in Figure 1H13, the mounting part l and the wire bonding part /3 are both [.
エレメント=の各電極を対応奥面面状端子に接続を採る
ための表面接続+473 、13と考えれば。If we consider surface connection +473,13 to connect each electrode of element = to the corresponding back surface terminal.
これ婢両者間に別途に作った抵抗体の両電極を各一方宛
接続することにより、チップ抵抗35を得ることは勿、
倫できるが、この実施例では、パターン導電材料を抵抗
材料1例えば二ノゲルクロム系、夕/りIし系、ルテニ
ウム系等の材料とし、各チップ用基板面積部分Cにおい
て両端接続用導電層/、?、/J間に予じめ、所定幅、
所定厚味の抵抗源パターン部分3ダを橋渡し状;C一体
成形しておく。By connecting both electrodes of a separately made resistor between the two, the chip resistor 35 can of course be obtained.
However, in this embodiment, the patterned conductive material is a resistor material 1 such as Ninogel chromium-based, aluminum-based, ruthenium-based, etc., and in each chip substrate area C, a conductive layer for connection at both ends/, ? , /J with a predetermined width,
Three resistance source pattern portions having a predetermined thickness are integrally molded into a bridging shape.
この状態で、基材10上の総ての当該抵抗源部分3Qに
所望の抵抗1直を得るだめのレーザトリミング等の抵抗
瞳調整技術(公知手法を援用り、 r良い)を施せば、
第16図示のように、抵抗エレメント22が得られ、モ
ールド後、各分割、−に沿って裁断すれば、目的の第1
7図示のチップ抵抗3jがチップ部品おとして得られる
。In this state, if a resistance pupil adjustment technique such as laser trimming (using a known method, it is good) is applied to all the resistance source portions 3Q on the base material 10 to obtain the desired resistance,
As shown in FIG. 16, the resistive element 22 is obtained, and after molding, it is cut along each division.
A chip resistor 3j shown in FIG. 7 is obtained as a chip component.
第18 、19図示の実施例は、コイル37を搭載エレ
メント二としたものである。In the embodiments shown in the 18th and 19th figures, the coil 37 is used as the second mounting element.
第19図示のチップコイル3gの゛完成状態から説明ス
ると、基板ニアの図・面り、上方の一端部側の表面パタ
ーン部分/JA a一部には、スパイラル状パターンを
形成するコイルエレメント37 J)一端37aが一体
的に連続し、渦を巻いた中心部端3りbは第二パターン
部分/、7Bに接続している。To explain the finished state of the chip coil 3g shown in Fig. 19, there is a part of the coil element forming a spiral pattern. 37 J) One end 37a is integrally continuous, and the spiral central end 3b is connected to the second pattern part/7B.
第一パターン部分/JAは、先の実施例におけると同様
の長円形状のスルーホール/3A (第18図)Kよっ
ているため、上下方向導電層/9を介して裏面の面状端
子/りに接続が採られるが、中央部のパターン部分/3
Bは、この部分に設けたスルーホール/lBを介して裏
WJのやや中広な面状端子/lに連通が採られている。Since the first pattern part /JA has an oval through hole /3A (Fig. 18) K similar to that in the previous embodiment, the planar terminal /JA on the back side can be connected to the back side through the vertical conductive layer /9. The connection is made in the central pattern part/3
B is communicated with a slightly wide planar terminal /l on the back WJ via a through hole /lB provided in this part.
従って、第18図示のよう:C1基材lO上のパターン
においてスルーホール/Nムの対向長辺部分疋沿うパタ
ーン部分39は本来的に不要であり、また、これに連ら
なる導電層部分/9′も本来的には不要であるが。Therefore, as shown in Fig. 18, in the pattern on the C1 base material IO, the pattern portion 39 along the opposite long side of the through hole/Num is essentially unnecessary, and the conductive layer portion/ 9' is also essentially unnecessary.
パターン描画の画一性1作業性に鑑みれば概ねこのよう
なパターンとするのが具合が良い。また特に、導電層席
は、端子/Iの補助的な半田濡れ面積増加分として働く
ので、満1.無用とは言い難い。In view of uniformity of pattern drawing and workability, it is generally convenient to use such a pattern. In particular, the conductive layer serves as an additional additional solder wetting area for the terminal/I, so the conductive layer is less than 1. It's hard to say it's useless.
コイルエレメント37のスバイラルノ(ターンは。Coil element 37 Svairalno (turn.
他の導電)−パターン部分形成と同時に行うことができ
る。また、そのインダクタンス(直は、スバイラルの平
均半径、巻数、線路幅に応じて数理的方程式が存在する
ので、設計可能である。(other conductive)--can be performed simultaneously with pattern portion formation. In addition, the inductance (direction) can be designed because there is a mathematical equation depending on the average radius of the spiral, the number of turns, and the line width.
第20〜24図示の実施例は、基#10上に複数層を堆
積する公知技術と同じく公知の礪択エツチング技術を本
発明懸想と共に援用することによす、エレメント−とし
てコンデンサエレメント39を搭載したチップ部品コ乃
至チップコンデ/すaOを構成するものである。The embodiment shown in FIGS. 20 to 24 has a capacitor element 39 mounted as an element by using the known selective etching technique as well as the known technique of depositing multiple layers on the substrate #10 together with the aspects of the present invention. It constitutes a chip component core or a chip connector/sustainer.
第2OA、B図には、基材10中で一列二行分の二つの
各チップ用基板面積部分CI + ) : ctリ−1
を取り出して示している。また、行列を横:で寝かせて
示しているが、これは、本来、行とタリはいづれも相対
的な問題ではあるものの、先の実施例と長円形状スルー
ホールtSO方向性に対応を採ったためである。In the second OA and B diagrams, two substrate area portions for each chip corresponding to one column and two rows in the base material 10 are shown.
is extracted and shown. In addition, the matrix is shown laid out horizontally, but although the rows and tallies are originally relative issues, this is done in response to the previous example and the directionality of the elliptical through hole tSO. This is because of this.
即ち、行方同圧直線状周縁部/kl)を待つスルーホー
ル/Sの当該行方向周縁部tsb、c沿って、基材/θ
の表面上に細巾な第一パターン部分13にと巾広な第二
パターン部S /3Bとを形成するが、両者相俟って一
種cA 、7)パターン陣を構成する。That is, along the row direction peripheral edge portions tsb and c of the through hole /S waiting for the same pressure linear peripheral edge portion /kl), the base material /θ
A narrow first pattern portion 13 and a wide second pattern portion S/3B are formed on the surface of the substrate, and together they form a pattern group.
従って、このパターンlダを革に列方向に整列配置すれ
ば良い。Therefore, it is sufficient to arrange these patterns on the leather in rows.
また、裏面スルーホール周りのパターン/1も一種類で
良く、対向縁側が列方向に隣り合う基板面穣部分用の各
面状端子lり、lりとなる。Further, the pattern /1 around the back surface through-hole may be of one type, and the opposing edges become the respective planar terminals for the substrate surface portions adjacent in the column direction.
広巾な第一バター/部分/jBは、将来、コンデンサエ
レメントの一方のコンデンサ電極II/を構成するもの
である。The wide first butter/portion/jB will in the future constitute one capacitor electrode II/ of the capacitor element.
次に、基材10の全表面上に、将来、コンデンサエレメ
ントの誘電層となる絶縁層乃至誘電層を堆積又は形成し
た後1選択エツチング技術を援用して所定パターンの誘
電膜ダコを残す。具体的には広巾パターン/JBを覆い
、細巾パターン/jAは−5JII!呈サセル(第21
図)。Next, after depositing or forming an insulating layer or a dielectric layer that will become a dielectric layer of a capacitor element in the future on the entire surface of the base material 10, a predetermined pattern of dielectric film occlusions is left using a selective etching technique. Specifically, the wide pattern/JB is covered, and the narrow pattern/jA is -5JII! Presentation Sacer (21st
figure).
次いで、第22図に示すよって、基材10の全面にコン
デンサエレメントのもう一方の電藩となる適当な、但し
露呈導!1111部分/JAと機械的にも馴染みの良い
材料の金属層グ3を蒸着、メッキその他適宜な手法によ
り形成し、その上てフォトフシストを塗付し、S光、現
像処理を行う等して所要部分にレジスト島件を残す。Next, as shown in FIG. 22, the other capacitor element of the capacitor element is coated on the entire surface of the base material 10, provided that it is exposed! A metal layer 3 made of a material that is mechanically compatible with the 1111 part/JA is formed by vapor deposition, plating, or other appropriate methods, and then a photochromic layer is applied, followed by S light, development, etc., to form the required layer. Leaves a resist island on the part.
基材10を適当なエツチング手法によりエツチング処理
して、′dt極層413を、各チップ用基板面積部分表
面において第一パターン部分/、?Aから誘電膜$/I
c乗り上げ、第二パターン部分7.7B上に留まるよう
に形成し、その後レジスト島件を除去すれば、第2;3
図示のように、各チップ用基板面積部分の行方内圧連続
するもの同志に亘って、上下ii!極113 、41/
、勇電層ダコから成る条片状のコンデンサ3qが形成さ
れる。The base material 10 is etched using an appropriate etching method to form the 'dt pole layer 413 on the surface of each chip substrate area in the first pattern portion/? A to dielectric film $/I
If the resist islands are formed so as to stay on the second pattern portion 7.7B and then remove the resist islands, the second;
As shown in the figure, the inner pressure of each chip substrate area is continuous between the upper and lower ii! pole 113, 41/
, a strip-shaped capacitor 3q consisting of a galvanic layer octopus is formed.
その後、基材表面とをモールド社評でモールドした後、
行列分割線に従って各チップを切り出せば、第24図示
のようなチップ部品コとしてのチップコンデンサ荀が得
られる。After that, after molding the base material surface with a mold company,
By cutting out each chip along the matrix dividing lines, a chip capacitor as a chip component as shown in FIG. 24 is obtained.
同、コンデンサ容1は材質が同じなら、各電極型なり面
積及び誘を膜厚fより決定されるか、これ等はいづれも
現在の技術で精密I(制御可能・である、。Similarly, if the capacitor capacitor 1 is made of the same material, the area and dielectric potential of each electrode type are determined by the film thickness f, and these can all be precisely controlled using current technology.
また、第25図示のチップコンデンサq′に示スように
、E部電極り3′を機械的溶着その他により一方の導電
11パターン13kに接続固定しても良いし、誘電膜も
個別的な誘電層qコ′とじても良い。Further, as shown in the chip capacitor q' shown in Fig. 25, the E section electrode 3' may be connected and fixed to one of the conductive 11 patterns 13k by mechanical welding or the like, and the dielectric film may also be a separate dielectric film. It is also possible to close the q layers.
この場合も、本発明の製造方法は採用することかで色る
。即ち1行方向【各行当たシ条片状にコンデンサを形成
し、モールドを済ましてから裁断すれば良い。勿論1本
発明のチップ部品君は、物としての進歩性も十分なもの
であるから、個別製造方法によっても良い。それでも在
来の個別製造チップ部品(第1.2図)に比せは数多く
の効果を見い出せる。In this case as well, it depends on whether the manufacturing method of the present invention is adopted. In other words, capacitors may be formed in the shape of strips in one row direction (for each row), molded, and then cut. Of course, since the chip component of the present invention has sufficient inventive step as a product, it may be manufactured by an individual manufacturing method. However, compared to conventional individually manufactured chip components (Fig. 1.2), many advantages can be found.
向、上述したいづれの実施例でも、スルーホールの内壁
面であった上下方向導電層/デと、外部面状端子/7
、 /lとは別個な部材となってい友。In each of the above-mentioned embodiments, the vertical conductive layer /7, which is the inner wall surface of the through hole, and the external planar terminal /7
, /l is a separate member and friend.
即ち、面状端子は基板底面に設けられてい丸。That is, the planar terminal is provided on the bottom of the board and is round.
しかし、第8図を鯵照すると分かるようf、素子間配線
用プリント基板コの各所定の導゛電層ノくターン29
、30に半田その他の導電性接着剤で本チップ部品Bを
固定する場合、必ずしも面状端子/7 、 /Iが底面
になくとも、J:下H内溝電層/9がこの面状端子/7
、 /lの役を兼ねることもてきる。即ち1面状端子
は基板の側面でも良い場合があるので、ここで一括して
1本発明てよるチップ部品コは、スルーホール/! t
介してエレメント搭載面以外の外面に面状端子を持つ
ものとしておく。However, as can be seen from FIG.
, 30 with solder or other conductive adhesive, even if the planar terminals /7, /I are not necessarily on the bottom surface, the J: lower H inner groove conductive layer /9 is attached to this planar terminal. /7
, can also serve as /l. In other words, since one-sided terminals may be used on the side of the board, the chip components according to the present invention can be made by using through-holes/! t
A planar terminal is provided on the outer surface other than the element mounting surface.
以上、各種述べた本発明の実施例に鑑るに。In view of the various embodiments of the present invention described above.
本発明の主たる効果は次のようにまとめることができる
。The main effects of the present invention can be summarized as follows.
まず、物として見ると、
:) エレメント搭載面と外部面状端子の設けられてい
る面とは異なる面であるので、実装時にひつくり返す必
要はない。従って、外部九回路との情報のやり取りを行
うためのフォトトランジスタとか発光ダイオードをエレ
メントとして選んでも、モールド材に透明な物を用いれ
ば支障のない機能が行え、第1.2図示りような従来チ
ップ部品に見られるよう疋導4Ci−パターンが邪lJ
lになることがない。First, if you look at it as a physical object: :) The element mounting surface and the surface on which the external planar terminals are provided are different surfaces, so there is no need to turn it over when mounting. Therefore, even if a phototransistor or a light emitting diode is selected as an element for exchanging information with nine external circuits, if a transparent molding material is used, the function can be performed without any problem, and the conventional method as shown in Figure 1.2 can be used. The conductive 4Ci-pattern as seen in chip parts is
It never becomes l.
11) また、従来構造チップでは、エレメント搭載
面と面状端子とが同一面側にあるので、エレメントをモ
ールドして尚1面状端子を4呈させるためKは、モール
ド材の4味を越えて面状端子をエレメント上方に位置付
けるための配慮が必41になる;即ち、第1図示の従来
構造ではそれでなくとも小さい基板コに対して脚ja
# 8 #ICを形成せねばならない大変な工程が必須
であり1M!図示の従来構造では、製作上の要請からも
外部に張出したリードとぜねばならない。11) In addition, in the conventional structure chip, the element mounting surface and the planar terminal are on the same side, so in order to mold the element and present 4 single planar terminals, K must exceed the 4 tastes of the molding material. Therefore, consideration must be given to positioning the planar terminal above the element; that is, the conventional structure shown in FIG.
#8 #The difficult process of forming the IC is essential and costs 1M! In the conventional structure shown in the drawings, it is necessary to connect the leads extending to the outside due to manufacturing requirements.
これに対して、本発明チップ部品では、原則として基板
コツの機械加工による凸凹成形は不要である。ただ平ら
であって良いのであるから、その会場性、生雌性は極め
て高い。On the other hand, in the chip component of the present invention, in principle, it is not necessary to form irregularities by machining the substrate tips. However, since it only needs to be flat, its suitability and femininity are extremely high.
!11)従来構造では、基板rjH慣、−1,どんなに
小さくしても、エレメント面積と各1ilE4WJ積の
和風下には絶対にならないし、ま九番電極面積は余りに
小さくすることはで色ないことから、小型化に@界があ
り、ましてや第2図示の構造では製造作業性(′i夷く
とも外部へ7)Iノードの張出しがTof4であるが1
本発明では、そのような制限は大−KIIk和され、実
装密度を大いて高め得る。! 11) In the conventional structure, no matter how small the substrate rjH is -1, it will never be as small as the element area and each 1ilE4WJ product, and it is impossible to make the No. 9 electrode area too small. Therefore, there is a limit to miniaturization, and even more so, in the structure shown in the second figure, the manufacturing workability (at least to the outside 7) and the overhang of the I node is Tof4, but it is 1
In the present invention, such limitations are reduced to a large extent, and the packaging density can be greatly increased.
例えば、エレメントの一つの電極は当該エレメントの搭
載面を真下に抜けるスルーホールで裏面へ導通を採れば
、その分、大きく面積の低減化が図れるし、それでなく
とも、裏面側の面状端子は面積を十分とって表面りエレ
メントと位置的に重なっても何等差仕えないのであるか
ら。For example, if one electrode of an element is made conductive to the back side with a through hole that passes directly below the mounting surface of the element, the area can be reduced by that much. Even if you take enough area and overlap the surface element in position, it will not make any difference.
エレメントとこの裏面電極間のスルーホールに接続を採
る表面パターンは極めて小さくできる。The surface pattern connecting the through hole between the element and this back electrode can be made extremely small.
更に1面状端子を側面に形成した場合、即ちスルーホー
ル内壁面導゛成層でちった七丁H向導電層そのものを面
状端子とした場合には、J@々エレメント面積Kiかな
周辺面積を加えた極Iarri積チップにまで極限化で
きる。Furthermore, when a one-plane terminal is formed on the side surface, that is, when the seven H direction conductive layer itself formed by the conductive layer on the inner wall of the through hole is used as a plane terminal, the peripheral area of the J@ element element area Ki is It can be maximized to the added maximum Iarri product chip.
IV) スルーホール技術に関しての基板材DIM用
範囲は広く、安価なものをも用いることがで断るし、ま
た、モールド材にエポキ7樹脂、基材10にガラスエボ
キンを選ぶ等、相性の良い材料の選択自由度が増し、温
度係数の違いによる機械的損傷を未然に防ぐことができ
る外、裁断加工も容易になる。IV) With regard to through-hole technology, the range of substrate materials for DIM is wide, and it is possible to use inexpensive ones, and we also choose compatible materials such as choosing Epoki 7 resin for the mold material and glass Evokin for the base material 10. The degree of freedom in selection increases, mechanical damage due to differences in temperature coefficients can be prevented, and cutting becomes easier.
次に1本発明のチップ部品を本発明の製造方法により製
作することは、更に以下の利点を生む。Next, manufacturing the chip component of the present invention by the manufacturing method of the present invention further produces the following advantages.
6) 先づ纂−に、生産工程が大幅に簡単化し。6) First of all, the production process has been greatly simplified.
生産性、経済性共、甚だしく向tする。本発明では、基
材lo、f−にテップエレメントを搭載する時も、その
配線作業を行う時も、そしてまた。Both productivity and economy will be significantly improved. In the present invention, when mounting the tip element on the base material lo, f-, when performing the wiring work, and also.
モールド工程においても、基材10上の多数個の素子に
対して一括的に処理することかで自る。Even in the molding process, it is possible to process a large number of elements on the base material 10 at once.
基材lOという大面積部品のままで処理することができ
、最後の工程で始めて各チップ部品毎に分割、裁断すれ
ば良いのである。It is possible to process the base material 1O, which is a large-area component, and only needs to start dividing and cutting each chip component in the final step.
従って、従来のように、各工程毎に既に切り出してしま
っている極微な基板をその方向を揃えながら一つづつ処
理ステーションて送るという極めて精密高価な装置が要
る、しかも基板自体の加工工程、エレメント搭載、配線
工程、モールド工程の逐一に必要とする。という大きな
債務から逃れることができる。基材/θの大きさで取扱
うことは極めて楽であるし、基材/θを或る方向に向け
れば基材上の各チップ用基板面積部分乃至導電;−パタ
ーン等は、i!;て画一的、τ一定方向を向くのである
。Therefore, as in the past, extremely precise and expensive equipment is required to send the microscopic substrates that have already been cut out one by one to the processing station while aligning the directions for each process. Required for each element mounting, wiring process, and molding process. You can escape from such a huge debt. It is extremely easy to handle the size of the base material/θ, and by orienting the base material/θ in a certain direction, each chip substrate area or conductive pattern etc. on the base material can be controlled by i! ; it is uniform, and τ points in a constant direction.
b) エレメントやパターンに対する汚染問題を大きく
回避できる。従来のように、予じめストックしておいた
各小チツプ基板を−っづつ取出してからエレメント搭載
処理をし、また処理を終えたものから順K 81J D
ステー7ヨンに送るという作業をしないで済む丸め、同
一の成形室乃至各1形成チャ/バ内で一度に全部の処理
を行うこともできるからであ抄、ま九条件の均貰性も満
足させることができる。b) Contamination problems for elements and patterns can be largely avoided. As in the past, each small chip board that had been stocked in advance was taken out one by one, and then the elements were mounted, and the processed chips were loaded in order.
The process of rounding without sending to a station 7 can be done all at once in the same molding chamber or in each molding chamber, which also satisfies the uniformity of the rounding and machining conditions. can be done.
C) 上記したII)に関連するが、基材乃至基板に対
する機械的K11l雑な成形処理は原理的疋は全く不要
である。C) Related to II) above, there is no need at all in principle for the mechanical and sloppy molding process for the base material or substrate.
d)隣接素子間でのパター/共用が容易でめるため、基
材70に詰め込めるチップ数を増すことかで龜、利用効
率を格段に向上できる。d) Since patterning/sharing between adjacent elements is easily possible, by increasing the number of chips that can be packed into the base material 70, utilization efficiency can be significantly improved.
−) また、パターン設計は、本質的に在来のプリント
配S基板における技術やノウハウを応用できる丸め、設
計自体、至便である。-) In addition, the pattern design itself is very convenient, as it can essentially apply the technology and know-how of conventional printed S-boards.
このように1本発明のチップ部品及びその製造法は、生
1!1lllKも多々なる利点をもたらし。In this way, the chip component and its manufacturing method of the present invention bring about many advantages even in raw materials.
使用者側にも実装密度を大いに上げられる利点を与え、
将来に亘ってこの種部品の大徽需要が見込まれる状況に
あって、この種分野に多大なる貢献をすること、顕らか
である。It also provides the user with the advantage of greatly increasing packaging density.
It is clear that the company will make a significant contribution to this field, as it is expected that there will be a huge demand for this type of parts in the future.
jlt図は従来のチップ部品及びその製造工程の#を明
図、第2図は他の従来例チップ部品の一部破砕した斜視
図、lEa図は在来り素子間配線用乃至部品壜付用プリ
ント配線基板に・おけるスルーホールの説明図、第4図
、第5図、第6図は1本発明製造方法の一実施例の各工
程の説明図、第7図は本発明第一の実施列としてのチッ
プダイオード乃至ミニモールドダイオードのモールド社
を仮Mj−で示し#−斜視図、第8図は第7図ムーA線
に沿う断面図、第9図は第二実施例としてのミニモール
ドトランジスタ等の三端、子部品に好適な基材J!!面
導七ノーパターンの説明図、第10図は本発明第二実施
例としてのミニモールドトランジスタ等の三端子チップ
部品の概略構成斜視図、JIl1図は多端子1例えば六
端子チツプエレメ/ト用として好適な基材表面導電層パ
ターンの説明図、第12図は本発明第三の実施例として
の六端子チップ部品の概略構成斜視図、第13図はll
la面のと下方向導電i−を平面形状とするに適したス
ルーホーV形状の説明図、4114図は、それぞれ、纂
13図示スジーホール形状を基にして作成した第四、第
五実施例としてDテップ部品の概略構成斜視図、第15
1鋪、第16図は1本発明製造方法に即してチップ抵抗
を作成する場合り各工程8a明図、Jilt図は本発明
第六実施例としてのチップ抵抗の概略構成斜視図、1s
18図は本発明製造方法によりチップコイルを作成する
場合に好適な基材我面犀蒐層パター/の説明図、第19
図は本発明第七り実施例としてのチップコイルの概略溝
成−戊図、第20図、第21図、第22図、第23図は
1本発明製造方法を基にチップコンデンナr作成する場
合の各工程り説明図、第24図は本発明第への実施例と
してのチップコンデンサの概略構成斜視図、II!!!
I図は本発明第九の実m例としてコンデンサエレメント
構成を変更したチップコンデンサの概略構成斜視図、で
ある。The jlt diagram clearly shows the # of a conventional chip component and its manufacturing process, Figure 2 is a partially fragmented perspective view of another conventional chip component, and the lEa diagram is a conventional one for wiring between elements or for attaching a component bottle. 4, 5, and 6 are explanatory diagrams of each step of an embodiment of the manufacturing method of the present invention. Figure 7 is an illustration of the first embodiment of the present invention. The mold of the chip diode or mini-mold diode as a row is indicated by Mj- and is a perspective view, FIG. 8 is a sectional view taken along line A in FIG. 7, and FIG. 9 is a mini-mold as a second embodiment. Base material J suitable for three terminals and child parts of transistors, etc. ! FIG. 10 is a schematic perspective view of a three-terminal chip component such as a mini-mold transistor as a second embodiment of the present invention, and FIG. An explanatory diagram of a suitable base material surface conductive layer pattern, FIG. 12 is a schematic configuration perspective view of a six-terminal chip component as a third embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a ll
Figure 4114 is an explanatory diagram of a through-hole V shape suitable for making the la plane and downward conductive i- into a planar shape, and is D as the fourth and fifth embodiments created based on the through-hole shape shown in Figure 13, respectively. Schematic perspective view of tip parts, No. 15
1. Figure 16 is a clear view of each step 8a for producing a chip resistor in accordance with the manufacturing method of the present invention, and Figure 16 is a schematic perspective view of the structure of a chip resistor as a sixth embodiment of the present invention.
Fig. 18 is an explanatory diagram of a base material made of rhinoceros layer putter/ which is suitable for producing a chip coil by the manufacturing method of the present invention, Fig. 19
The figure shows the schematic groove formation of a chip coil according to the seventh embodiment of the present invention. Figures 20, 21, 22, and 23 show a chip condenser fabricated based on the manufacturing method of the present invention. FIG. 24 is a schematic perspective view of the structure of a chip capacitor as an embodiment of the present invention, II! ! !
Figure I is a perspective view of a schematic configuration of a chip capacitor in which the capacitor element configuration is changed as a ninth practical example of the present invention.
Claims (1)
チップエレメントの電極を部品外面に沿う面状端子に接
続して成る電気、電子回路用のリードレスチップ部品で
あって、 上記チップエレメントの各電極と接続を採る基板表面導
電層パターンを該チップエンメント搭載面と同じ基板面
に形成すると共に。 上記面状端子は、上記部品外面の中、上記チップエレメ
ント搭載面とは異なる面に形成し、上記表面導電1−パ
ターンと上記面状端子の接続を採るべき相互部分を、内
面導電層付きスルーホールの当該内面導電層゛として形
成された上下方向導電層で接続して成ることを特徴とす
るリードレスチップ部品。 (2) 面状端子は基板腹面に設けられていることを
特徴とする特許請求の範囲(1)に記載のIJ−ドレス
チップ部品。 (3) 面状端子は基板側面に設けられ、上下方向導
電層が該面状端子を兼ねていることを特徴とする特許請
求の範囲(1)に記載のリードレスチップ部品。 (4)基板上て配され、モールド材にてモールドされた
チップエレメントの電極を、部品外面に沿う面状端子に
接続して成る電気、電子回路用のリードレステップ部品
の製造方法であって、 複数制のチップ部品用基板面積部分を含む基材の表面上
に、L紀各チップエレメントの電極を採る各チップ部品
用基板表面導電rmパターンを一括的圧形成する工程と
、 該各チップ部品用表面導電層パターンと。 上記表面とは異なる而りの面状端子との接続を採るべき
部分相互を、上記基材上に開けた内面導電層付きスルー
ホールの当該内面導電層で接続する工程と、 上記各チップ部品用基板面積部分表面上に、上記表面パ
ターンの対応する部分KIE慣を接続するチップエレメ
ントを配する工程と。 上記基材訝面上を一括的にモールドすることにより各チ
ップエレメント會モーヤドする工程と。 と記モーVド後の基材を所定の行列方向各分割MAに従
って分割し、鯛々Dチップ部品を採り出す工程と、 から成ることを特徴とするリードレスチップ部品の製造
U法。 th> 基板表面導′gtI−パターン形成r程とス
ヤーホール内面導電j11形成工程とが同一の工程で行
なわれていることを特徴とする特#fIiIll求の範
囲(4)に記aJ)方法。 (6)各チップ部品用rkJ状端子、d分割以前5cお
いて基材画面に一括的に形成されていることを特徴とす
る特1fnI求の範囲、4) −(5)のいづれか一つ
に記載の方法1、 (7) 面状端子はスジ−ホール内面導電層の一部と
なっていることを特徴とする特許請求の範囲(4) e
(s)のいづれ力1一つに記載の方法。 (II) 各チップ部品用基板ti面導[1@バター
/には、隣接する各チップ部品用基板面積部分において
、基材ヒに形成された表面パターンを共用する部分のあ
ることに%愼とする特許請求の範囲+4) l (5)
、 (6) I (7) J)いづれか−って紀絨の
方法。[Scope of Claims] (1) A leadless chip component for electric or electronic circuits, in which electrodes of a chip element arranged on a substrate and molded with a molding material are connected to planar terminals along the outer surface of the component. A substrate surface conductive layer pattern for connection with each electrode of the chip element is formed on the same substrate surface as the chip element mounting surface. The above-mentioned planar terminal is formed on a surface different from the above-mentioned chip element mounting surface in the outer surface of the above-mentioned component, and the mutual portion where the connection between the above-mentioned surface conductive pattern 1 and the above-mentioned planar terminal is to be made is formed through an inner conductive layer. A leadless chip component characterized in that the hole is connected by a vertical conductive layer formed as the inner conductive layer. (2) The IJ-dress chip component according to claim (1), wherein the planar terminal is provided on the bottom surface of the substrate. (3) The leadless chip component according to claim (1), wherein the planar terminal is provided on the side surface of the substrate, and the vertical conductive layer also serves as the planar terminal. (4) A method for manufacturing a leadless step component for electric or electronic circuits, which comprises connecting the electrodes of a chip element arranged on a substrate and molded with a molding material to a planar terminal along the outer surface of the component. , a step of collectively press-forming a conductive rm pattern on the surface of each chip component substrate, which takes the electrodes of each chip element, on the surface of the base material including the plurality of chip component substrate areas, and each of the chip components. with surface conductive layer pattern. A step of connecting the parts to be connected to a planar terminal having a surface different from the above surface with the inner conductive layer of a through hole with an inner conductive layer made on the base material, and arranging on the surface of the substrate area a chip element that connects the corresponding portions of the surface pattern; A step of molding each chip element by collectively molding the base surface. A method for manufacturing leadless chip components, comprising: dividing the base material after mode V according to predetermined divisions MA in the matrix direction to extract Taito D chip components. th> A method described in (4) above, characterized in that the step of forming a conductive pattern on the substrate surface and the step of forming a conductive pattern on the inner surface of the shear hole are performed in the same step. (6) rkJ-shaped terminals for each chip component, the range of special 1fnI requirements, characterized in that they are formed all at once on the base material screen at 5c before d division, any one of 4) - (5) Method 1 (7) Claim (4) e characterized in that the planar terminal is a part of the conductive layer on the inner surface of the striped hole.
The method described in item 1 of (s). (II) Each chip component substrate ti-surface conductor [1@butter/] has a portion that shares the surface pattern formed on the base material H in adjacent chip component substrate areas. Scope of claims +4) l (5)
, (6) I (7) J) Which is Kihoro's method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084074A JPS58201347A (en) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | Leadless chip parts and preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57084074A JPS58201347A (en) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | Leadless chip parts and preparation thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201347A true JPS58201347A (en) | 1983-11-24 |
Family
ID=13820329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57084074A Pending JPS58201347A (en) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | Leadless chip parts and preparation thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201347A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112333A (en) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Stanley Electric Co Ltd | Manufacture of minimold type semiconductor element |
| JPS6389251U (en) * | 1986-11-28 | 1988-06-10 | ||
| JPH0287557A (en) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Murata Mfg Co Ltd | Manufacture of ic chip |
| JPH09205044A (en) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Tokin Corp | Manufacturing method of chip parts |
| WO2000057491A1 (en) * | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Rohm Co., Ltd. | Chip light-emitting device |
| US6737740B2 (en) * | 2001-02-08 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | High performance silicon contact for flip chip |
| JP2010103176A (en) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Tdk Corp | Manufacturing method for multilayer capacitor |
| EP2234147A3 (en) * | 1998-11-18 | 2014-05-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating resin-sealed semiconductor devices |
| JP2016004946A (en) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | ローム株式会社 | OPTICAL DEVICE, OPTICAL DEVICE MOUNTING STRUCTURE, AND OPTICAL DEVICE MANUFACTURING METHOD |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4948267A (en) * | 1972-04-26 | 1974-05-10 | ||
| JPS5384681A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-26 | Mitsumi Electric Co Ltd | Method of producing leadless package |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP57084074A patent/JPS58201347A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4948267A (en) * | 1972-04-26 | 1974-05-10 | ||
| JPS5384681A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-26 | Mitsumi Electric Co Ltd | Method of producing leadless package |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62112333A (en) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Stanley Electric Co Ltd | Manufacture of minimold type semiconductor element |
| JPS6389251U (en) * | 1986-11-28 | 1988-06-10 | ||
| JPH0287557A (en) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Murata Mfg Co Ltd | Manufacture of ic chip |
| JPH09205044A (en) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Tokin Corp | Manufacturing method of chip parts |
| EP2234147A3 (en) * | 1998-11-18 | 2014-05-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating resin-sealed semiconductor devices |
| WO2000057491A1 (en) * | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Rohm Co., Ltd. | Chip light-emitting device |
| US6737740B2 (en) * | 2001-02-08 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | High performance silicon contact for flip chip |
| US6812137B2 (en) | 2001-02-08 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Method of forming coaxial integrated circuitry interconnect lines |
| US6828656B2 (en) | 2001-02-08 | 2004-12-07 | Micron Technology, Inc. | High performance silicon contact for flip chip and a system using same |
| JP2010103176A (en) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Tdk Corp | Manufacturing method for multilayer capacitor |
| JP2016004946A (en) * | 2014-06-18 | 2016-01-12 | ローム株式会社 | OPTICAL DEVICE, OPTICAL DEVICE MOUNTING STRUCTURE, AND OPTICAL DEVICE MANUFACTURING METHOD |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2288244A1 (en) | Wiring circuit substrate | |
| KR20020008400A (en) | Chip holder for a chip module and method for producing said chip module | |
| US3680209A (en) | Method of forming stacked circuit boards | |
| JPS58201347A (en) | Leadless chip parts and preparation thereof | |
| US3579813A (en) | Method of making electronic components on comblike metal fingers and severing the fingers | |
| CN206877985U (en) | Semiconductor encapsulation device and semiconductor lead frame | |
| US9165872B2 (en) | Chip scale diode package no containing outer lead pins and process for producing the same | |
| US6830496B2 (en) | Method of fabricating light emitting diode device with multiple encapsulants | |
| US3787961A (en) | Chip-shaped, non-polarized solid state electrolytic capacitor and method of making same | |
| US3434208A (en) | Circuit assembly process | |
| US3618200A (en) | Method of manufacturing chip-shaped passive electronic components | |
| JPH0684716A (en) | Manufacture of solid electrolytic capacitor | |
| JPH03120747A (en) | Film material for manufacturing film carrier and manufacture of the carrier | |
| JPS627109A (en) | Manufacture of network electronic component | |
| TWI766684B (en) | Batch semi-finished product of chip resistor, chip resistor and manufacturing method thereof | |
| JPH01189102A (en) | Manufacture of electrodes of circuit component | |
| CN110265305B (en) | Patch type infrared bracket, production process thereof and infrared receiving head | |
| JPS62269509A (en) | Deray line and its manufacture | |
| JPS58134450A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| JPH025528Y2 (en) | ||
| DE69527529T2 (en) | Silicon semiconductor diode, its circuit module and structure with an insulating body and manufacturing process therefor | |
| JPS62139345A (en) | Manufacture of semiconductor chip mounting substrate | |
| US3772773A (en) | Electrical component and method of making the same | |
| JPH0410657Y2 (en) | ||
| JPH0397279A (en) | Board for electronic component and manufacture of the component having the board |