JPS58201378A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPS58201378A JPS58201378A JP57085186A JP8518682A JPS58201378A JP S58201378 A JPS58201378 A JP S58201378A JP 57085186 A JP57085186 A JP 57085186A JP 8518682 A JP8518682 A JP 8518682A JP S58201378 A JPS58201378 A JP S58201378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grids
- solar battery
- amorphous semiconductor
- conductive film
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、透光性基板上に非晶質半導体層を形成し、そ
の基板側を受光自とする非晶負半導体の太陽電極に関す
るものである。
の基板側を受光自とする非晶負半導体の太陽電極に関す
るものである。
このような太１ｌｔｈ！１％池として、従来例えは動１
図に示すようなものかあった。ここで、１１は例えはガ
ラスのような透光性基板であり、該基板１１上には１に
数の太陽電極ａｓ１．Ｂ８２．・・・か形成されている
。それぞれの太陽電極Ｂ８は、透光性基板ｌｌ上に形成
された例えはｌ Ｔ Ｏ（ｌｏｇ（Ｊａ −８ｎ（Ｊｌ
ｌ ）等による透明導電膜１３を自し、非晶負半導体３
１１１５を動量して形成している。さらに、半導体−１
５上から金属層で伽って金属−極（裏電極）１７として
いる。
図に示すようなものかあった。ここで、１１は例えはガ
ラスのような透光性基板であり、該基板１１上には１に
数の太陽電極ａｓ１．Ｂ８２．・・・か形成されている
。それぞれの太陽電極Ｂ８は、透光性基板ｌｌ上に形成
された例えはｌ Ｔ Ｏ（ｌｏｇ（Ｊａ −８ｎ（Ｊｌ
ｌ ）等による透明導電膜１３を自し、非晶負半導体３
１１１５を動量して形成している。さらに、半導体−１
５上から金属層で伽って金属−極（裏電極）１７として
いる。
かようにして形成された個々の太陽電極Ｂ８にあっては
、透光性基＄１１を介して得られる光エネルギが非晶負
半導体１１１１１５によって鬼気エネルギに変換され、
透明導電膜１３および金属電極１７を両電極として当該
両電極間から電圧（亀ｆＭ）が取り出される。１１８１
図に示した例では２個の太陽電池Ｂ８１およびＢＯ２を
直列接続したものであり、一方の太陽電極１ｓｓｌの４
１ｔ１１４電極１７を伸長させて隣りの太陽電池ｌ８８
２の導電膜１３に接触させている。通常、透明導電膜１
３のシート抵抗は＾いので、細長い導電膜１３に沿って
金属−極１７を幅広く形成して、流れるｋｍの分子ｏ省
度を小さくしている。これにより、透明導電膜１３のシ
ート抵抗に因る電力供給能力の低化を防いでいる。
、透光性基＄１１を介して得られる光エネルギが非晶負
半導体１１１１１５によって鬼気エネルギに変換され、
透明導電膜１３および金属電極１７を両電極として当該
両電極間から電圧（亀ｆＭ）が取り出される。１１８１
図に示した例では２個の太陽電池Ｂ８１およびＢＯ２を
直列接続したものであり、一方の太陽電極１ｓｓｌの４
１ｔ１１４電極１７を伸長させて隣りの太陽電池ｌ８８
２の導電膜１３に接触させている。通常、透明導電膜１
３のシート抵抗は＾いので、細長い導電膜１３に沿って
金属−極１７を幅広く形成して、流れるｋｍの分子ｏ省
度を小さくしている。これにより、透明導電膜１３のシ
ート抵抗に因る電力供給能力の低化を防いでいる。
また、透明導電膜１３を形成する材負は酸化物であるた
めに、金属電極１７を形成するアルミニラム等の金属と
の接触抵抗が問題となる。さらに、非晶負半導体Ａｍ１
５を形成する手段として常用されるプラズマＵＶＩＪ法
では形成生導体膜のまわり込みかｌ！Ｉ題となり太陽電
池素子ＢＳＩ、Ｂ８２の相互間の間隔を大きくとる必姿
力り、す、全体としての受光面積か実賀的に小さいとい
った欠点を有しており、製造工程も極めて複雑となると
いう欠点があった。
めに、金属電極１７を形成するアルミニラム等の金属と
の接触抵抗が問題となる。さらに、非晶負半導体Ａｍ１
５を形成する手段として常用されるプラズマＵＶＩＪ法
では形成生導体膜のまわり込みかｌ！Ｉ題となり太陽電
池素子ＢＳＩ、Ｂ８２の相互間の間隔を大きくとる必姿
力り、す、全体としての受光面積か実賀的に小さいとい
った欠点を有しており、製造工程も極めて複雑となると
いう欠点があった。
本発明の目的は、上述したすべての欠点を解消するた約
になさ才またもので、実効受ｆｉｉｌ積か大きく且つ製
造工程の簡単な太陽電池を提供することにある。
になさ才またもので、実効受ｆｉｉｌ積か大きく且つ製
造工程の簡単な太陽電池を提供することにある。
このような目的は、透光性基板上に透ａ８導亀部、非晶
負半導体ｉＷＩおよび金属電極を血ねて構成した太陽電
池において、絶縁被板した金属グリッドを、ｒｉｉＪ記
透明導亀部と非晶質半導体触との間に介在させて構成す
ることＫよって達成される。
負半導体ｉＷＩおよび金属電極を血ねて構成した太陽電
池において、絶縁被板した金属グリッドを、ｒｉｉＪ記
透明導亀部と非晶質半導体触との間に介在させて構成す
ることＫよって達成される。
以）、図−に基ついで本発明の詳細な説明する。
第２図に本発明による太−電池σ、−実範例を不し、こ
こで、２１はガラス勢の透光性Ｊ＆［，２３は１１゛０
等の透明導電膜、２５は例えはアモルファスシリコンに
よる非晶負半導体触、２７は裏電極たる金属電極（＃Ｓ
えはアルミニウム）である。
こで、２１はガラス勢の透光性Ｊ＆［，２３は１１゛０
等の透明導電膜、２５は例えはアモルファスシリコンに
よる非晶負半導体触、２７は裏電極たる金属電極（＃Ｓ
えはアルミニウム）である。
また、３１は透明導電膜２３とｌ＃、起簀半導体層２５
との間に設けた櫛状の４＆職グリツド、３３は金属グリ
ッド３１を伽った絶縁物である。
との間に設けた櫛状の４＆職グリツド、３３は金属グリ
ッド３１を伽った絶縁物である。
次に本実施例太陽電池の製作工程を説明する。
先ず、第３図４）に示す如く、透光性基＆２１上で例え
はスパッタリングによってＩｎ −８ｎ を一様に層
形成した透明導電＃２３の上に、例えはマスクを用いて
アルミニウムと銀とを一子ビーム蒸着法によって蒸着し
て、多数の格子部を有する金属グリッド３１を形成する
。
はスパッタリングによってＩｎ −８ｎ を一様に層
形成した透明導電＃２３の上に、例えはマスクを用いて
アルミニウムと銀とを一子ビーム蒸着法によって蒸着し
て、多数の格子部を有する金属グリッド３１を形成する
。
次いで、鋤３図書）に示１如く、金属グリッド３１をす
べての格子部をもめて絶縁物３３で被接する。
べての格子部をもめて絶縁物３３で被接する。
この絶縁物としては、ｂ田、 ｅｉｉ（Ｊｇ 、
町、Ｎ、ＩＩ ｂｓある。図中、矢印ム←Δからみた１
ｌＩＩｔｈＪを第３図ｐ）に示す。
町、Ｎ、ＩＩ ｂｓある。図中、矢印ム←Δからみた１
ｌＩＩｔｈＪを第３図ｐ）に示す。
このようにして透明導電膜２３の１に絶縁物３３で被核
された金属グリッド３１を形成し、更に亀ねて非晶質半
導体階２５および金属電極２７を重畳形成する。
された金属グリッド３１を形成し、更に亀ねて非晶質半
導体階２５および金属電極２７を重畳形成する。
このように、透明導電膜２３と非晶負半導体−２５との
間で当該透明導電膜２３と電気的に接続された金属グリ
ッド３１を設けたので、透明導電膜２３のシート抵抗に
因る太陽電池としての性能劣化はなく、且つ実効受光面
積の大きい亀力用太陽電池か実現できる。また、この新
設した金属グリッド３１を亀池の一方の極性電極とする
ことかできるので、複数個の亀池を直列接続する場合で
も金属同士の接続を行うことができる。
間で当該透明導電膜２３と電気的に接続された金属グリ
ッド３１を設けたので、透明導電膜２３のシート抵抗に
因る太陽電池としての性能劣化はなく、且つ実効受光面
積の大きい亀力用太陽電池か実現できる。また、この新
設した金属グリッド３１を亀池の一方の極性電極とする
ことかできるので、複数個の亀池を直列接続する場合で
も金属同士の接続を行うことができる。
さらに、金属グリッド３１を絶縁被板したため、例えば
プラズマＵＶＬ）法によって非晶質半導体−２５を形成
する際、そのアモルファスシリコンの中に金属グリッド
３１か不純物として取り込普れることはなく、非晶負半
導体−２５の膜犀か薄い場合でも、金属グリッド３１と
金属電極２７とか接触する危険はない。
プラズマＵＶＬ）法によって非晶質半導体−２５を形成
する際、そのアモルファスシリコンの中に金属グリッド
３１か不純物として取り込普れることはなく、非晶負半
導体−２５の膜犀か薄い場合でも、金属グリッド３１と
金属電極２７とか接触する危険はない。
第１図は従来の太陽電池の構造を示″１−ｒ面図、第２
図は本発明による太陽−池Ｑ・一実施例を示す断―構造
図、＄３区忰）〜（Ｌｉ）は第２図に示す太陽電池の振
作工程を説明するためのｆＩ＋祝いおよびＩＩＴ曲図で
ある。 １８１、 ｋＳ８２． Ｂ８２１・・・太陽電池、１１
゜２１・・・透光性基板、１３．２３・・・透明導電膜
、１５．２５・・・非晶質半導体場、１７．２７・・・
金属電極、３１・・金−グリッド、３３・絶縁物。 特許出願人 京都セラミック株式会社
図は本発明による太陽−池Ｑ・一実施例を示す断―構造
図、＄３区忰）〜（Ｌｉ）は第２図に示す太陽電池の振
作工程を説明するためのｆＩ＋祝いおよびＩＩＴ曲図で
ある。 １８１、 ｋＳ８２． Ｂ８２１・・・太陽電池、１１
゜２１・・・透光性基板、１３．２３・・・透明導電膜
、１５．２５・・・非晶質半導体場、１７．２７・・・
金属電極、３１・・金−グリッド、３３・絶縁物。 特許出願人 京都セラミック株式会社
Claims (1)
- 透光性基板上に透明導亀部、非晶質半導体層および金属
電極を亀ねて構成した太陽電極において、絶縁被検した
金属グリッドを、前記透明導一部と非晶質半導体層との
間に介在させて構成したことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57085186A JPS58201378A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57085186A JPS58201378A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201378A true JPS58201378A (ja) | 1983-11-24 |
Family
ID=13851624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57085186A Pending JPS58201378A (ja) | 1982-05-19 | 1982-05-19 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201378A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62170651U (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-29 | ||
| CN111490109A (zh) * | 2019-01-28 | 2020-08-04 | 神华（北京）光伏科技研发有限公司 | 一种太阳能薄膜电池及制造方法 |
| JP2021531658A (ja) * | 2018-07-25 | 2021-11-18 | ネーデルランドセ オルガニサティエ フォール トエゲパスト−ナトールヴェテンシャッペリク オンデルゾエク ティエヌオー | 光起電デバイス及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-05-19 JP JP57085186A patent/JPS58201378A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62170651U (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-29 | ||
| JP2021531658A (ja) * | 2018-07-25 | 2021-11-18 | ネーデルランドセ オルガニサティエ フォール トエゲパスト−ナトールヴェテンシャッペリク オンデルゾエク ティエヌオー | 光起電デバイス及びその製造方法 |
| CN111490109A (zh) * | 2019-01-28 | 2020-08-04 | 神华（北京）光伏科技研发有限公司 | 一种太阳能薄膜电池及制造方法 |
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