JPS58204451A - Ｘ線発生装置 - Google Patents
Ｘ線発生装置Info
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- JPS58204451A JPS58204451A JP57087121A JP8712182A JPS58204451A JP S58204451 A JPS58204451 A JP S58204451A JP 57087121 A JP57087121 A JP 57087121A JP 8712182 A JP8712182 A JP 8712182A JP S58204451 A JPS58204451 A JP S58204451A
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- solid
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- silicon
- electron beam
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/12—Cooling non-rotary anodes
- H01J35/13—Active cooling, e.g. fluid flow, heat pipes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線発生装置のターゲット材料に関する。
従来、固体ターゲットに電子線を照射してＸ線を発生す
るＸ線発生装置に於ては、固体ターゲットを金属材料、
例えば銅、アルミニウム、あるいは白金、パラジウム、
モリブデン、シリコン等を鋼上Ｇこ膜形成したものを用
い、ターゲット自体は水冷、油冷あるいは回転などして
冷却するのが通例であった。
るＸ線発生装置に於ては、固体ターゲットを金属材料、
例えば銅、アルミニウム、あるいは白金、パラジウム、
モリブデン、シリコン等を鋼上Ｇこ膜形成したものを用
い、ターゲット自体は水冷、油冷あるいは回転などして
冷却するのが通例であった。
しかし、上記従来技術では、金属ターゲットの電子線照
射による融解により、より大電力の電子線を照射して、
輝度の高いＸｉを得ることが困難であるという欠点があ
った。
射による融解により、より大電力の電子線を照射して、
輝度の高いＸｉを得ることが困難であるという欠点があ
った。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、輝度の高い
Ｘ線を得るための固体ターゲット材料を提供することを
目的とする。
Ｘ線を得るための固体ターゲット材料を提供することを
目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、固
体ターゲットに電子線を照射してＸ線を発生するＸ線発
生装置に於て、該固体ターゲットをセラミックとなす事
を特徴とする。
体ターゲットに電子線を照射してＸ線を発生するＸ線発
生装置に於て、該固体ターゲットをセラミックとなす事
を特徴とする。
以下、実施例により、本発明の詳細な説明する固体ター
ゲット材料の代表的なものとして、シリコン窒化物（Ｓ
ｉ、ｎ、 ）を用いた。Ｓｉ、Ｎ。
ゲット材料の代表的なものとして、シリコン窒化物（Ｓ
ｉ、ｎ、 ）を用いた。Ｓｉ、Ｎ。
粉末を焼結した固体ターゲットに電子線を照射すると、
固体シリコンをターゲットにした場合に比して、ターゲ
ットが融解する為の電子線の入力電流を２０ＫＶの加速
電圧で、シリコン・ターゲットの場合、最大１Ａである
のに対し１０Ａ迄の入力が可能となり、その結果、出力
Ｘ線は相対値で１桁高いＸ線輝度を得ることができた。
固体シリコンをターゲットにした場合に比して、ターゲ
ットが融解する為の電子線の入力電流を２０ＫＶの加速
電圧で、シリコン・ターゲットの場合、最大１Ａである
のに対し１０Ａ迄の入力が可能となり、その結果、出力
Ｘ線は相対値で１桁高いＸ線輝度を得ることができた。
固体ターゲットは水冷された銅のハース上に置かれた。
上記の如く、固体ターゲットをセラミック材料とするこ
と（こより、より輝度の高いＸ線発生装置とすることが
できる効果がある。
と（こより、より輝度の高いＸ線発生装置とすることが
できる効果がある。
セラミックＱターゲット材料としては、シリコン窒化物
以外の窒化物、例えばモリブデン窒化物、タングステン
、窒化物等の金属窒化物や、シリコン・カーバイド等の
炭化物、アルミナ等の酸化物、あるいは硼化物あるいは
、これらの混合、混成物等を用いることができる。
以外の窒化物、例えばモリブデン窒化物、タングステン
、窒化物等の金属窒化物や、シリコン・カーバイド等の
炭化物、アルミナ等の酸化物、あるいは硼化物あるいは
、これらの混合、混成物等を用いることができる。
更に、銅あるいは胴回転体の表面に上記セラミック材を
形成し、銅自体を水冷あるいは回転しながら水冷等して
冷却する構成となすこともできる以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
形成し、銅自体を水冷あるいは回転しながら水冷等して
冷却する構成となすこともできる以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎
Claims (1)
- 固体ターゲットに電子線を照射してｘｉを発生するＸ線
発生装置に於て、該固体ターゲットをセラミックとなす
事を特徴とするＸｉ発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087121A JPS58204451A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | Ｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57087121A JPS58204451A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | Ｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58204451A true JPS58204451A (ja) | 1983-11-29 |
Family
ID=13906118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57087121A Pending JPS58204451A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | Ｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58204451A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61215259A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-25 | 真空材料株式会社 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53108796A (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-21 | Gen Electric | X ray target coating having high heat emissivity coefficient |
| JPS56141153A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-04 | Toshiba Corp | Target for x-ray tube |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP57087121A patent/JPS58204451A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53108796A (en) * | 1977-02-16 | 1978-09-21 | Gen Electric | X ray target coating having high heat emissivity coefficient |
| JPS56141153A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-04 | Toshiba Corp | Target for x-ray tube |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61215259A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-25 | 真空材料株式会社 | スパツタリング用窒化ケイ素タ−ゲツトの製法 |
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