JPS58207680A - 薄膜半導体装置の製造方法 - Google Patents
薄膜半導体装置の製造方法Info
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- JPS58207680A JPS58207680A JP57091072A JP9107282A JPS58207680A JP S58207680 A JPS58207680 A JP S58207680A JP 57091072 A JP57091072 A JP 57091072A JP 9107282 A JP9107282 A JP 9107282A JP S58207680 A JPS58207680 A JP S58207680A
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- JP
- Japan
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- substrate
- thin film
- film semiconductor
- amorphous
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜半導体装置の製造方法に関し、特に大面積
基板上に複数の半導体素子を作製する薄膜半導体装置の
製造方法に関するものである。
基板上に複数の半導体素子を作製する薄膜半導体装置の
製造方法に関するものである。
薄膜半導体装置、例えばアモルファスＳｉ太陽電池は、
平滑な表面に加工された基板上にアモルファスＳｉ層を
プラズマ放電等の手段を利用して堆積させ、更に該アモ
ルファスＳｉ層上に出力を取り出すだめの電極を被着し
て構成されている。
平滑な表面に加工された基板上にアモルファスＳｉ層を
プラズマ放電等の手段を利用して堆積させ、更に該アモ
ルファスＳｉ層上に出力を取り出すだめの電極を被着し
て構成されている。
このような従来から開発されている薄膜を用いた太陽電
池は、各素子を構成するのに必要な寸法に裁断されたガ
ラス板、金属板等の基板が用いられ、このように予め所
望形状に成形された基板を準備し、該基板上に薄膜半導
体層を成膜させている。
池は、各素子を構成するのに必要な寸法に裁断されたガ
ラス板、金属板等の基板が用いられ、このように予め所
望形状に成形された基板を準備し、該基板上に薄膜半導
体層を成膜させている。
子の形状に対応する寸法に加工された基板を用いて半導
体装置が製造されている。
体装置が製造されている。
しかし上記薄膜太陽電池は、比較的大きい形状で利用さ
れる電力用としてだけではなく、電子式卓上計算機や腕
時計のような各種電子機器の電力源としても利用される
ようになってきた。電子機器に組込んで電力源とする場
合、機器の意匠的な衡り合いをくずすことなく充分小さ
い受光面績をもつ太陽電池、が好ましい。このような要
望に対して、機器の動作回路をＩＣやＬＳＩ化すると共
に薄膜太陽電池が提供されるようになってきた。上Ｒａ
のように各種電子機器に組込捷れる太陽電池についても
、依然として前述の大型電力用太陽電池と同様に予め最
終素子形状に近い形状に裁断された基板カニ用いられ、
該基板の夫々に薄膜半導体層をｔｒＦ積して太陽電池を
製造する方法を採っている。
れる電力用としてだけではなく、電子式卓上計算機や腕
時計のような各種電子機器の電力源としても利用される
ようになってきた。電子機器に組込んで電力源とする場
合、機器の意匠的な衡り合いをくずすことなく充分小さ
い受光面績をもつ太陽電池、が好ましい。このような要
望に対して、機器の動作回路をＩＣやＬＳＩ化すると共
に薄膜太陽電池が提供されるようになってきた。上Ｒａ
のように各種電子機器に組込捷れる太陽電池についても
、依然として前述の大型電力用太陽電池と同様に予め最
終素子形状に近い形状に裁断された基板カニ用いられ、
該基板の夫々に薄膜半導体層をｔｒＦ積して太陽電池を
製造する方法を採っている。
このように従来の小型薄膜太陽電池は製造にあたって非
常に能率が悪く、丑だ任意の形状に加工し難いという問
題があった。
常に能率が悪く、丑だ任意の形状に加工し難いという問
題があった。
本発明は上記従来の薄膜半導体装置製造方法における問
題点に鑑みてなされたもので、任意の形状からなる薄膜
半導体装置を能率よく製造し得る方法を提供する。次に
実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
題点に鑑みてなされたもので、任意の形状からなる薄膜
半導体装置を能率よく製造し得る方法を提供する。次に
実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
本発明を要約すれば、大面積の基板を用いて複数個分の
素子に相当する基板領域を被って一体的に薄膜半導体層
を堆積し、該薄膜半導体層表面の各素子領域部分に電極
を形成し、次に大面積基板から小面積をもつ各素子領域
を金型で分離するものである。
素子に相当する基板領域を被って一体的に薄膜半導体層
を堆積し、該薄膜半導体層表面の各素子領域部分に電極
を形成し、次に大面積基板から小面積をもつ各素子領域
を金型で分離するものである。
第１図において、ステンレス、アルミ、４の金属板、フ
レキシブルな樹脂フィルム或いはガラスエポキシ、フェ
ノール樹脂等の硬質板等からなる広面拶、即ち複数個の
太陽電池素子を作製し得るに充分な面積をもつ基板１を
支持板として、該基板１の一表面にアモルファスＳｉ層
２がプラズマ放電等によって堆積される。該アモルファ
スＳｉ層２は本実施例では太陽電池として機能させるた
め、成膜の過稈でｐ−ｎ、ｐ−１−ｎ等の光電変換特性
を得るに充分な接合が作製される。
レキシブルな樹脂フィルム或いはガラスエポキシ、フェ
ノール樹脂等の硬質板等からなる広面拶、即ち複数個の
太陽電池素子を作製し得るに充分な面積をもつ基板１を
支持板として、該基板１の一表面にアモルファスＳｉ層
２がプラズマ放電等によって堆積される。該アモルファ
スＳｉ層２は本実施例では太陽電池として機能させるた
め、成膜の過稈でｐ−ｎ、ｐ−１−ｎ等の光電変換特性
を得るに充分な接合が作製される。
上記アモルファスＳｉ層２は基板１の一表面にほぼ全域
に均一に堆積されており、これは複数個分の太陽電池素
子に相当する。従って次にアモルファスＳｉ層２上に透
明導電膜３．３ が各素子位置に対応させて繰返しパタ
ーンで蒸着等により作成される。透明導電膜３が蒸着さ
れたアモルファスＳｉ層２上には表面を外気や衝撃から
保護するために樹脂４がスクリーン印刷等によってコー
トされる。樹脂４は予め出力取り出し用の集電極５の部
分を除去してコートされ、該除去部分に銀ペースト等の
導電材が集電極５として印刷される。
に均一に堆積されており、これは複数個分の太陽電池素
子に相当する。従って次にアモルファスＳｉ層２上に透
明導電膜３．３ が各素子位置に対応させて繰返しパタ
ーンで蒸着等により作成される。透明導電膜３が蒸着さ
れたアモルファスＳｉ層２上には表面を外気や衝撃から
保護するために樹脂４がスクリーン印刷等によってコー
トされる。樹脂４は予め出力取り出し用の集電極５の部
分を除去してコートされ、該除去部分に銀ペースト等の
導電材が集電極５として印刷される。
上記工程を経た状態では同一基板に複数個の素子が作製
されている。従って次に基板本体から個々の素子に分離
される。該素子分離は第２図に示すように上金型６と下
金型７間に上記工程を終えた基板１をセットし、打ち抜
き加工することによって分離される。
されている。従って次に基板本体から個々の素子に分離
される。該素子分離は第２図に示すように上金型６と下
金型７間に上記工程を終えた基板１をセットし、打ち抜
き加工することによって分離される。
ここで上記分離工程に際して、基板の任意の位置で切断
可能になるわけではない。即ち上記打ち抜き用金型によ
って押圧された場合に、透明導電膜３や集電極５に外力
が作用してそれらが下部基板１と短絡するような事態が
生じた場合には、素子の分離けなされたとしても太陽電
池としての特性を示し得ない。従って本実施例は第２図
に示す如く、透明導電膜３及び集電極５のいずれもが設
けられていない基板部分Ａに、金型６の二ノジＢが対向
し、且つ透明導電膜３領域と対向する上金型６は打ち抜
き加工時に各電極を損傷しない程度に空間８が設けられ
ている。
可能になるわけではない。即ち上記打ち抜き用金型によ
って押圧された場合に、透明導電膜３や集電極５に外力
が作用してそれらが下部基板１と短絡するような事態が
生じた場合には、素子の分離けなされたとしても太陽電
池としての特性を示し得ない。従って本実施例は第２図
に示す如く、透明導電膜３及び集電極５のいずれもが設
けられていない基板部分Ａに、金型６の二ノジＢが対向
し、且つ透明導電膜３領域と対向する上金型６は打ち抜
き加工時に各電極を損傷しない程度に空間８が設けられ
ている。
尚アモルファスＳｉ層２は金型６．７によって押圧力を
受けるが、面方向での抵抗が大きいため受けた加工が太
陽電池特性に影響を及ぼすことはほとんどない。第３図
は上記工程によって基板１から分離された一つの太陽電
池素子を示す断面比である。また第４図は基板１から中
心に孔９を備えた円形太陽電池素子を打ち抜く場合のパ
ターンであり、素子領域には°ドーナツ状の透明導電膜
３用及び集電極５用のパターンが設けられている。
受けるが、面方向での抵抗が大きいため受けた加工が太
陽電池特性に影響を及ぼすことはほとんどない。第３図
は上記工程によって基板１から分離された一つの太陽電
池素子を示す断面比である。また第４図は基板１から中
心に孔９を備えた円形太陽電池素子を打ち抜く場合のパ
ターンであり、素子領域には°ドーナツ状の透明導電膜
３用及び集電極５用のパターンが設けられている。
第５図は分離された一つの円形太陽電池素子を示す図で
ある。第４図において基板１のコーナ部に設けられた孔
７は位置決め用の孔である。
ある。第４図において基板１のコーナ部に設けられた孔
７は位置決め用の孔である。
上記実施例は薄膜半導体層に光電変換機能をもだせた半
導体装置を用いて説明したが、薄膜半導体層に他のトラ
ンジスタ等を作製した半導体装置を製造する場合にも適
用し得る。
導体装置を用いて説明したが、薄膜半導体層に他のトラ
ンジスタ等を作製した半導体装置を製造する場合にも適
用し得る。
以上のように本発明によれば、大面積をもつ基板にバッ
チ式によって多数個作製された小面積の半導体素子を、
金型を用いて基板本体から分離することにより、多数の
素子を同時に作製することができ、量産性にすぐれた製
造方法となるだけでなく また任意の外形及び孔等を加
工することができてデザイン性にすぐれた加工が可能に
なり、形状の規格化が容易になると共に小型素子の製造
が容易になる。
チ式によって多数個作製された小面積の半導体素子を、
金型を用いて基板本体から分離することにより、多数の
素子を同時に作製することができ、量産性にすぐれた製
造方法となるだけでなく また任意の外形及び孔等を加
工することができてデザイン性にすぐれた加工が可能に
なり、形状の規格化が容易になると共に小型素子の製造
が容易になる。
第１図は本発明による実施例を説明するための複数個の
素子を設けた基板断面図、第２図は同実施例を説明する
だめの基板を金型にセットした断面図、第３図は同実施
例を説明するだめの分離された単一素子の断面図、第４
図及び第５図は同実施例を説明するだめの分離パターン
図及び分離された単一素子の平面図である。 １、基板 ２．薄膜半導体層 ３°透明導電膜４ 樹脂
５ 集電極 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）、６ ／
Ｂ ／ ７・″ノ １ ・ ７ １ 第 ２ 図
素子を設けた基板断面図、第２図は同実施例を説明する
だめの基板を金型にセットした断面図、第３図は同実施
例を説明するだめの分離された単一素子の断面図、第４
図及び第５図は同実施例を説明するだめの分離パターン
図及び分離された単一素子の平面図である。 １、基板 ２．薄膜半導体層 ３°透明導電膜４ 樹脂
５ 集電極 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）、６ ／
Ｂ ／ ７・″ノ １ ・ ７ １ 第 ２ 図
Claims (1)
- １、大面積の基板上に薄膜半導体層を積層する工程と、
小面積複数の素子を作製するために上記薄膜半導体層上
に繰返しパターンで電極を形成する工程と、薄膜半導体
層が積層された基板を上・下金型間にセットして基板本
体から個々の素子領域を分離する工程とからなることを
特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57091072A JPS58207680A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57091072A JPS58207680A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207680A true JPS58207680A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=14016294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57091072A Pending JPS58207680A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207680A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0948060A1 (fr) * | 1998-03-27 | 1999-10-06 | Asulab S.A. | Procédé de fabrication collective de cellules photovoltaiques |
| AU738721B2 (en) * | 1998-03-25 | 2001-09-27 | Asulab S.A. | Batch manufacturing method for photovoltaic cells |
| US7867366B1 (en) * | 2004-04-28 | 2011-01-11 | Alameda Applied Sciences Corp. | Coaxial plasma arc vapor deposition apparatus and method |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP57091072A patent/JPS58207680A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU738721B2 (en) * | 1998-03-25 | 2001-09-27 | Asulab S.A. | Batch manufacturing method for photovoltaic cells |
| EP0948060A1 (fr) * | 1998-03-27 | 1999-10-06 | Asulab S.A. | Procédé de fabrication collective de cellules photovoltaiques |
| US7867366B1 (en) * | 2004-04-28 | 2011-01-11 | Alameda Applied Sciences Corp. | Coaxial plasma arc vapor deposition apparatus and method |
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