JPS58209295A - トランスジユ−サ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明はコンデンサ−・マイクロホン等に好適するトラ
ンスジューサに関する。

［発明の技術的背幀］ トランスジューサ、例えばエレクトレット形コンデンサ
・マイクロホンは、第１図に示すように、電極１の一方
の主表面に［レフトレット化された高分子誘電体Ｍ２を
形成しで構成した固定電極３を、■１形の基台４の開放
し１内側に支持させ、この固定電極３の上端縁にスペー
リリン７７Ｆ）を介１ノ（振動膜６の張架された躾リン
グ７を順次積−由ね、導電性ケース８をこれら膜リング
７、スベーリリング５および基台４に被せＣｖ基台のト
面Ｃ・折曲するようにかしめた構造を有している。

なお、符号９は固定電極３および基台４にＶ設された連
通孔であり、符号１０は導電性ノノース８に設けられた
音通孔、そしで？Ｊ弓１１１１電極１の裏面から基台４
を貫通して突出づる外部出力端゛ｒである。

そしてこのエレクトレット形］ンフ゛ンリ・マイクロホ
ンは、電極１の外部出力端子１１を一方の出力端とし、
振動膜６に形成されｌｃ導電薄膜（第１図および第２図
において図示省略）に接続された導電性ケース８を他方
の出力端どして、ｌ［Ｊ＋膜６の振動による固定電極３
と振動膜６間の間隔の変化に応じた容量変化を、音声信
号としＣ外部に出力するものである。　　　　　　１ ［背景技術の問題点］ しかしながらこのように構成された従来のエレり［−レ
ット形］ンデン［トマイクロホンは、そｒｌそれ個別に
製造された基台４、固定電極３、スペーサリング５およ
び膜リング７を積重ねたうえで導電性ケース８を被せる
ことにより一体化してなるので、各構成部品の寸法精度
がばらつき易く、また、積重ねられた各構成部品間の気
密が不十分となることから、感度等の特性が一定せず量
産時に性能が均一とならない欠点がある。

さらにまた、基台４、固定電極３、スペーサリング５、
脱リング７および導電性ケース８等多くの構成部品から
なるので、■レフトレット形１ンデンザ・マイクロホン
の小型化には限界があるうえ、小さな構成部品を組立て
る作業か極めて煩雑どなり１組立能率が劣り製造コス１
へが上昇し易く、量産に適Ｊるものではなかった。

［発明の目的１ 本発明はこのような欠点を解消するためになされたもの
で、構成部品が少なく構造が簡単でかつ均一なｔ’ｌ能
の得られる量産に適した安１１１ｉなトランスジコー勺
の提供を１］的とする。

［発明の概要］ この目的を達成するために本発明は、絶縁３．を板の主
表面に形成された導電層を部分的に除ノ、して電極とこ
の電極を電気的に独）γした状態（゛囲む支持層を形成
し、導電１１膜の形成された振動膜が、その支持層より
低く形成された上記電極の前面にこれと所定の間隔を隔
ててその支持層にづん架されてなることを特徴とし、絶
縁基板の導電層から形成された電極および支持層により
特性の均一化および量産性の向上を図ったものである。

［発明の実施例］ 以下本発明の詳細を図面を参照しつつ説明りる。

なお従来例と共通する部分には同一の符月を付づ。

第３図および第４図は本発明のトンンスジコーサの一実
施例をエレクトレフ１〜形〕ンデン１ｊ・マイクロホン
を例にして示した縦断面図およびぞのＡ−Ａ横断面図で
ある。

図において偏平な絶縁基板１２の−ｈの主表面（図中上
面）には、その小火に絶縁基板１２より小径の円盤状の
電極１が形成されでおり、この電極１の上面にはエレク
トレット化された＾分子誘電体層２が被着されて固定電
極３が構成されている。

絶縁基板１２の上端縁には、固定電極３の周縁から僅か
な間隔を隔ててこの固定電極３を囲む導電性の支持リン
グ１３が形成されている。

この支持リング１３は、振動ＩＩＩ！　６を張架する支
持層として機能し、°電極１とともに絶縁基板１２上面
に形成した後述する導電層から形成され固定電極３より
も厚みが厚くなってスペーサリングを兼ねており、支持
リング１３の先端に、紬縁竹フィルム１４のＦ面に導電
薄膜１５を蒸着等により形成した振動膜６が、その導電
薄膜１５を支持°リング１３に接触させるとともに固定
電極３の前方に所定の間隔を隔てた状１ｇで張架されて
いる。

絶縁基板１２の他りの主表面（図中下面）には、固定電
極３の電極１の中央に対向する位置に出力電極１６が形
成されており、この出力電極１６を囲んで電気的に独立
した状態でアース電極１７が形成されている。なお、こ
のアース電極１７は、出力電極１６とともに絶縁基板１
２の下面に形成した後述する導電層から形成されたもの
−（゛ある。。

そして、電極１、絶縁基板１２おＪ、ひ出力電極１６に
はこれらを貫通するスルーホールＩ　Ｂが穿設されてお
り、このスルー小−ル１８内には固定電極３と出力電極
１６を接続する導電性接着剤１９が充填されている。

また、支持リング１３、絶縁基板１２および）７−ス電
極１７の側面には、導電性接着剤が塗布されて支持リン
グ１３と）ノース電ｖＭ１−／を接続づる接続リード２
０が形成されＣいる。

このエレクトレット形コンデンυ・マイク［−１ホンは
、固定電極３の電極１に接続された出力電極１６と、導
電薄膜１５に接続リード２０８よび支持リング１３を介
して接続されたアース電極１７間を出力端として、振動
膜６の振動にＪ、る撮ｖＪ膜６と固定電極３間の容幀変
化を８Ａｉ仁号としで出りするものである。

そして、このように構成されたｒレクトレット形コンデ
ンサ・マイクロホンにあっ（は、絶縁基板１２上面に固
定電極３とこの固定電極３を囲むように支持リング１３
を形成し、この支持リング１３に振動膜６を張架ザると
いう極めて簡単な構造になっているので、薄形で部品点
数が極めて少なくなる。しかもこのエレクトレット形コ
ンデン］Ｊ・マイクロホンの構造は、後述するように極
めて量産に適したものであり性能も均一化される。

次に、発明のＪレフトレフト形コンデンリ・マイクロホ
ンの製造方法の一実施例を説明する。

まず、第５図に示すように、絶縁Ｍ＆１２の表裏両生表
面に導電層２１．２２を被着した両面プリント基板２３
を用意Ｊる。

−ｉして、この両（２）プリント基板２３の上面の導電
層２１を、従来公知のフォトエツチング等の化学的処理
により、電極１およびこれを所定の間隔で囲む支持リン
グ１３を上記第４図に示１ように同心円状に形成する一
方、絶縁基板１２の下面の導電層２２においても同様に
フォトエツチング等により、出力電極１６とこれを囲む
ようにアース電極１７を形成りる（第６図）。なお、導
電層２１．２２から電極１、支持リング１３、出力電極
１６およびアース電極１７を形成１゛るには、化学的処
理のほか切削等の機械処理にＪ、）（シ形成１す能であ
る。

次に、支持リング１３で囲まれた°電極１の１而を、や
はり従来公知の）Ａ１・］−ツヂング８により削り、第
７図に示づように、支１４リング１（］よりも低くした
後、電極１上面に高分子−電４４Ｍ２を被着し、加圧法
等によりこの高分子誘電（４層２をエレクトレット化し
て固定′電極３を構成りる。高分子誘導体層２は、予め
土しク１−レッ１〜化されたものを被ＩＩすることも可
能である。

その後、第８図に示すように、固定電極３、絶縁基板１
２および出力電極１６を貫通りるスルーホール１８を穿
設し１導電付接る剤７９を充填ｃＪる一方、第３図のよ
うな振動膜６を支持リング３の先端に張架して固定電極
３の前りを所定の間隔を隔てて覆い、支持リング１３ど
Ｉ−スミ極１７を接続して完成する。なおスルーホール
１８は、加工前の第５図に示す両面プリント基板２３に
予め穿設しておいてもよい。

このように本発明のエレクトレット形］ンデンリ゛・マ
イクロホンにおいては、両面プリント基板２３を利用し
て−ｈの上面の導電層２１から電極１および支持リング
１３が形成される一方、下面の導電層２２から外部出力
電極としての出力電極１６とアース電極１７が形成可能
となるので、従来のように別個に＃！Ｊ造ｄれた構成部
品を積重ねてケースで一体化する構造に比べ、薄形で、
極めて１１法精度が正確どなるばかりか、支持リング１
３や電極１が予め絶縁基板１２に被褐されたものである
の（、各構成部品間の気密を−１分保つことが可能とな
って感唯等の緒特性を均一化することかぐきる。

さらにまた、１枚の両面プリント基板２３には電極１、
支持リング１３、出力電極１６やアース電極１７を一度
に複数組形成することが可能であるから、極めて量産性
が良好である。なお、プリント基板２３にミシン口やＶ
溝等の分割手段を形成しておけば、分割が容易である。

また、両面プリント基板２３を用いることによって、絶
縁基板１２の裏面に出力電極１に＼Ｓ）’／／−ス電極
１７等の外部出力電極を形成ｎＪ能とへるので、電子機
器の回路基板に■レフ１〜レツ１−形１ンデンサ・マイ
クロホンを直接接続づ゛ることが可能となり、電子機器
の組立能率の向１−を図ることができるしアース電極１
７によってシールド９）宋も得ることができる。

なお、本発明のトランスジューサにあ）（は、上述のご
とき高分子誘電体層２を電極１　ｉＪ影形成る構造の■
レフトレット形二］ンデンリ・ンイクｌ」ホンに限らず
、高分子誘電体層２を振動膜６に形成する構造のものに
も実施（゛さることはいうまぐもない。

ざらに、電極と振動膜を組合せた一般的なトランスジュ
ーサに広く応用可能である。

［錘用の効果］ 以上説明したように本発明の１〜ランスジー、　−（Ｊ
は、絶縁基板の主表面に形成された導゛市層を部分的に
除去して電極および電気的に類骨した状態Ｃこの電極を
囲む支持層を形成し、導゛４ｉ薄膜の形成された振動膜
が、その支持層より低く形成された上記電極の前面にこ
れと所定の間隔を隔ててその支持層に張架されてなるの
で、極めて薄形化となり構成部品の１」法粘１哀が　定
となるうえ、その構成部品間の気密を十分保つことが可
能となって、性能が均一化される。

また、部品点数も少なく、従来公知の手段によって絶縁
基板に被着形成された導電層を除去することによって組
立可能であるから、プリント基板の利用が可能となって
組立の簡素化とコストの低減並びに量産化を図ることが
できる。

さらにまた、絶縁基板の裏面に導電層を形成する場合、
例えば両面プリント基板を用いるには、１〜ランスジユ
ーサの出力電極の形成ら可能となつで、電子機器の回路
への接続が極めて容易となり、シールド効果も期待でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来のトランスジューサを示す縦
断面図および分解斜視図、第３図および第４図は本発明
のトランスジューりの一実施例を示す縦断面図およびそ
の△−へ横断面（Ｘｌ、第ｉ）図〜第８図は第３図に示
す本発明のトフンスシ１−サの製造方法の一実施例を小
ゴＴ程図である。 １・・・・・・・・・・・・電　極 ２・・・・・・・・・・・・高分子誘電体層３・・・・
・・・・・・・・固定電極 ４・・・・・・・・・・・・基台 ５・・・・・・・・・・・・スペーサリング６・・・・
・・・・・・・・振動膜 ７・・・・・・・・・・・・膜リング ８・・・・・・・・・・・・導電性ケース１２・・・・
・・・・・・・・絶縁基板１３・・・・・・・・・・・
・支持層（支持リング）１５・・・・・・・・・・・・
導電ＩＩ！１６．１７・・・外部出ノ１電極 １７・・・・・・・・・・・・アース電極１８・・・・
・・・・・・・・スルーホール１９・・・・・・・・・
・・・導電性接着剤２１．２２・・・導電層 第１叉 第２図 第４図 第５図 第６図 第７図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁基板の主表面に形成された導電層を部分的に除去し
   て電極とこの電極を電気的に独立した状態で囲む支持層
   を彩成し、導電薄膜の形成された振動膜が、前記支持層
   より低く形成した前記電極の前面にこれと所定の間隔を
   隔てて前記支持層に張架されてなることを特徴とするト
   ランスジューサ。