JPS58210653A - 膜回路装置 - Google Patents
膜回路装置Info
- Publication number
- JPS58210653A JPS58210653A JP57093821A JP9382182A JPS58210653A JP S58210653 A JPS58210653 A JP S58210653A JP 57093821 A JP57093821 A JP 57093821A JP 9382182 A JP9382182 A JP 9382182A JP S58210653 A JPS58210653 A JP S58210653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- width
- cutting groove
- guiding
- trimming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 33
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 abstract description 10
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 4
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁性基板の表面に形成された導体。
抵抗体を含む膜回路基板、ｆＰに微細なパターンをもつ
膜回路基板を使用した膜回路装置に関する。
膜回路基板を使用した膜回路装置に関する。
従来、絶縁性基板の上に形成された膜回路上の抵抗体は
、それが薄膜であれ、厚膜であれ、はじめに第１図（ａ
）、第２図（ａ）の如くその抵抗値を設計目標値よシ低
くなるように形成し、次に第１図（ｂ）。
、それが薄膜であれ、厚膜であれ、はじめに第１図（ａ
）、第２図（ａ）の如くその抵抗値を設計目標値よシ低
くなるように形成し、次に第１図（ｂ）。
第２図（ｂｌの如く抵抗体の一部に切断溝を設けて抵抗
値を上げ、目標値に到達せしめるいわゆる抵抗トリミン
グ法によ多形成されていた。
値を上げ、目標値に到達せしめるいわゆる抵抗トリミン
グ法によ多形成されていた。
抵抗体の一部に切断溝を設ける方法としては従来、サン
ドブラスト法と、レーザー光線を利用したレーザー）
ＩＪミング法とがあったが、近年高密度膜回路基板上の
微細な抵抗パターンでも高速でトリミングできる等、レ
ーザ一応用技術の急速な発展のためレーザートリミング
法が一般的に広く普及しつつある。
ドブラスト法と、レーザー光線を利用したレーザー）
ＩＪミング法とがあったが、近年高密度膜回路基板上の
微細な抵抗パターンでも高速でトリミングできる等、レ
ーザ一応用技術の急速な発展のためレーザートリミング
法が一般的に広く普及しつつある。
第１図（ａ）は従来の膜回路基板上の抵抗体で、抵抗値
トリミング前のものであり、１は導体、２は抵抗体％２
′は抵抗体のうちトリミングをするために設けた凸部パ
ターンである。第１図（ｂ）は、第１図（ａ）Ｋ示す抵
抗体の凸部パターン２′をレーザートリミング法によシ
トリミングした後の抵抗体であり、３は抵抗値修正のた
めに矢印の方向にレーザー光線を走査照射することによ
多形成されたレーザ切断溝である。
トリミング前のものであり、１は導体、２は抵抗体％２
′は抵抗体のうちトリミングをするために設けた凸部パ
ターンである。第１図（ｂ）は、第１図（ａ）Ｋ示す抵
抗体の凸部パターン２′をレーザートリミング法によシ
トリミングした後の抵抗体であり、３は抵抗値修正のた
めに矢印の方向にレーザー光線を走査照射することによ
多形成されたレーザ切断溝である。
同様に第２図（ａｌ 、 （ｂ）はそれぞれサーペンタ
イン形紙抗体のトリミング前、およびレーザートリミン
グ方法によるトリミング後の抵抗体であり、ｌは導体、
２′は抵抗体％３はレーザー光線による切断溝である。
イン形紙抗体のトリミング前、およびレーザートリミン
グ方法によるトリミング後の抵抗体であり、ｌは導体、
２′は抵抗体％３はレーザー光線による切断溝である。
一般に膜回路基板は、大きな絶縁性基板の上に多数個の
膜回路をアレイして形成し、レーザートリミング時に絶
縁性基板を載せたステージの移動及びレーザー光線の走
査照射により、この多数個の膜回路基板上の抵抗体を個
々にトリミングした後１個片に切断して製造される。こ
のようにして製造される膜回路基板は、近年小型化と、
低コスト化の要求のため高密度で微細な抵抗パタンを有
するものへと移行しており、第１図（ａｌ（ｂ） 、第
２図（ａ）（ｂ）の如き抵抗パターンでは、抵抗幅が０
．１〜０．０５朋のものがしばしば用いられている。
膜回路をアレイして形成し、レーザートリミング時に絶
縁性基板を載せたステージの移動及びレーザー光線の走
査照射により、この多数個の膜回路基板上の抵抗体を個
々にトリミングした後１個片に切断して製造される。こ
のようにして製造される膜回路基板は、近年小型化と、
低コスト化の要求のため高密度で微細な抵抗パタンを有
するものへと移行しており、第１図（ａｌ（ｂ） 、第
２図（ａ）（ｂ）の如き抵抗パターンでは、抵抗幅が０
．１〜０．０５朋のものがしばしば用いられている。
しかるにレーザー光による切断溝の幅は０．０５〜０．
０２５程度あシ、またトリミング装置の基板ステージの
移動、レーザー光線の走査、膜回路基板のアレイ位置等
に誤差がありこれらの誤差の総和は０．０５〜０．１５
顛にも及ぶため第１図（ｂ）、第２図（ｂ）の如きレー
ザートリミング後のレーザ切断溝を有する抵抗体におい
て、レーザ切断溝の著しい位置ずれが生じることは必至
である。この結果、例えば第１図（ｂ）においては凸部
抵抗体パターンに設けられたレーザ切断溝の左側の抵抗
体の幅は右側の幅よシ著しく狭くなってしまうという現
象がおこる。
０２５程度あシ、またトリミング装置の基板ステージの
移動、レーザー光線の走査、膜回路基板のアレイ位置等
に誤差がありこれらの誤差の総和は０．０５〜０．１５
顛にも及ぶため第１図（ｂ）、第２図（ｂ）の如きレー
ザートリミング後のレーザ切断溝を有する抵抗体におい
て、レーザ切断溝の著しい位置ずれが生じることは必至
である。この結果、例えば第１図（ｂ）においては凸部
抵抗体パターンに設けられたレーザ切断溝の左側の抵抗
体の幅は右側の幅よシ著しく狭くなってしまうという現
象がおこる。
このようにレーザ切断溝の位置ずれや、切断溝幅のばら
つきは、動作暗抵抗体の電流が流れる抵抗体幅の狭いと
ころ、広いところを生じせしめ、高密度基板の微細な抵
抗体においては、狭いところは抵抗体の設計幅よシ狭く
なってしまうことがしばしば起る。
つきは、動作暗抵抗体の電流が流れる抵抗体幅の狭いと
ころ、広いところを生じせしめ、高密度基板の微細な抵
抗体においては、狭いところは抵抗体の設計幅よシ狭く
なってしまうことがしばしば起る。
抵抗体において設計幅を維持できず抵抗幅が狭すぎると
、流れる電流の密度を上昇させ、抵抗体の信頼性の低下
つながることは周知の通りであり。
、流れる電流の密度を上昇させ、抵抗体の信頼性の低下
つながることは周知の通りであり。
抵抗体の設計幅を確保するために、トリミング時上述の
切断溝の位置ずれや幅のばらつきを極力小さくするよう
色々工夫されているが限度がちシ満足できるものではな
い。従って、抵抗体のレーザートリミング後の外観検査
において、目視または顕微鏡を用いてレーザ切断溝の両
側の抵抗体幅が設計幅以上あるかないかを一瞬にして見
極めることは困難で、そのため時として設計幅以下であ
るものを良品と判断して信頼性の低い膜回路基板を製造
してしまったり、または信頼性を重視する余９に測微計
や、測距計付の顕微鏡ですべての抵抗体のトリミング箇
所の抵抗幅を個々に測定して良否判定するため外観検査
に多大の時間を要していた。
切断溝の位置ずれや幅のばらつきを極力小さくするよう
色々工夫されているが限度がちシ満足できるものではな
い。従って、抵抗体のレーザートリミング後の外観検査
において、目視または顕微鏡を用いてレーザ切断溝の両
側の抵抗体幅が設計幅以上あるかないかを一瞬にして見
極めることは困難で、そのため時として設計幅以下であ
るものを良品と判断して信頼性の低い膜回路基板を製造
してしまったり、または信頼性を重視する余９に測微計
や、測距計付の顕微鏡ですべての抵抗体のトリミング箇
所の抵抗幅を個々に測定して良否判定するため外観検査
に多大の時間を要していた。
本発明の目的はトリミング後の抵抗体幅のバラツキを容
易に認識できる目安を有する膜回路装置を提供すること
にある。
易に認識できる目安を有する膜回路装置を提供すること
にある。
即ち１本発明の膜回路装置は、絶縁性基板の表面に形成
された導体と抵抗体とを含む膜回路基板において、前記
膜回路基板上の抵抗体には該抵抗体の抵抗値修正甲切断
溝を設ける箇所に切断溝ガイド用凹パターンを設けたこ
とを特徴とする。
された導体と抵抗体とを含む膜回路基板において、前記
膜回路基板上の抵抗体には該抵抗体の抵抗値修正甲切断
溝を設ける箇所に切断溝ガイド用凹パターンを設けたこ
とを特徴とする。
以下１本発明の詳細をその一笑施例を開示した図面を用
いて具体的に説明する。
いて具体的に説明する。
第３図（ａｔ 、 （ｂ） 、 （ｃ）は本発明の膜回
路装置の第１５− の実施例を説明するための膜回路基板上の抵抗体である
。第３図（ａ）はトリミング前の抵抗体であシ。
路装置の第１５− の実施例を説明するための膜回路基板上の抵抗体である
。第３図（ａ）はトリミング前の抵抗体であシ。
第１図（ａ）Ｋ示す従来の抵抗体にトリミング切断溝ガ
イド用凹パターン４を設けたものである。同図において
％ ｌは導体、２は抵抗体、２′はトリミングするため
に設けた凸部抵抗パターン、４は抵抗値をトリミングす
るための切断溝ガイド用凹パターンである。今、凸部抵
抗パターン２′の幅をＷ。
イド用凹パターン４を設けたものである。同図において
％ ｌは導体、２は抵抗体、２′はトリミングするため
に設けた凸部抵抗パターン、４は抵抗値をトリミングす
るための切断溝ガイド用凹パターンである。今、凸部抵
抗パターン２′の幅をＷ。
切断溝ガイド用凹パターン４の幅をＷ／ 、位置ずれ誤
差をＥ、切断溝ガイド用凹パターンの両側の抵抗体幅Ｉ
Ｑ とすれば、切断溝ガイド用凹パターンは。
差をＥ、切断溝ガイド用凹パターンの両側の抵抗体幅Ｉ
Ｑ とすれば、切断溝ガイド用凹パターンは。
ｗｙ ：＝ｗ７ ＋ Ｒ
ＷＲ＝ ＋（Ｗ−ｗｐ ）
となるように設計し、しかもＷＢが流れる電流密度から
必要な最小設計幅に等しくなるように設計されている。
必要な最小設計幅に等しくなるように設計されている。
第３図（ｂ）、Φ′）は第３図（ａｔの抵抗体を有する
膜回路基板のレーザートリミング後の抵抗体を示してい
る。第３図（ｂ）ではレーザ切断溝３は切断溝ガ６− イド用凹パターンの両側の壁の内側に矢印の方向にある
。従ってレーザ切断溝両側の抵抗体幅はそれぞれ上述の
ＷＲよシ大きくなり、外観上良品と判定されるべきもの
である。第３図（ｂ′）ではレーザ切断溝３は凸部抵抗
パターンの中央よシ左にずれているため切断溝ガイド用
凹パターンの左側の壁を溶融して矢印の方向にあるため
、トリミング切断溝両側の抵抗体幅のうち、左側の抵抗
体幅は上述のＷＲより小さくなってお９、外観上不良と
判定されるべきものである。上述の如く１本発明の第１
の実施例でも明らかなように第３図（ａｌの如き、トリ
ミングのための切断溝ガイド用凹パターン４を有する抵
抗体膜回路基板をレーザートリミング後の第３図（ｂｌ
、 （ｂ’）の如き抵抗体膜回路基板の外観検査にお
いて、レーザ切断溝の両側の抵抗体幅が設計幅ＷＢ以上
のものを良品、以下のものを不良品として判定すること
は、単にレーザー切断溝ガイド用凹パターン４の両側壁
が共にレーザー光によってカットされてないことを目視
または顕微鏡によって確認すれば良く、抵抗体幅の測定
等を要しないので、わずかの工数で、ミスない正確な良
否判定が可能となる。
膜回路基板のレーザートリミング後の抵抗体を示してい
る。第３図（ｂ）ではレーザ切断溝３は切断溝ガ６− イド用凹パターンの両側の壁の内側に矢印の方向にある
。従ってレーザ切断溝両側の抵抗体幅はそれぞれ上述の
ＷＲよシ大きくなり、外観上良品と判定されるべきもの
である。第３図（ｂ′）ではレーザ切断溝３は凸部抵抗
パターンの中央よシ左にずれているため切断溝ガイド用
凹パターンの左側の壁を溶融して矢印の方向にあるため
、トリミング切断溝両側の抵抗体幅のうち、左側の抵抗
体幅は上述のＷＲより小さくなってお９、外観上不良と
判定されるべきものである。上述の如く１本発明の第１
の実施例でも明らかなように第３図（ａｌの如き、トリ
ミングのための切断溝ガイド用凹パターン４を有する抵
抗体膜回路基板をレーザートリミング後の第３図（ｂｌ
、 （ｂ’）の如き抵抗体膜回路基板の外観検査にお
いて、レーザ切断溝の両側の抵抗体幅が設計幅ＷＢ以上
のものを良品、以下のものを不良品として判定すること
は、単にレーザー切断溝ガイド用凹パターン４の両側壁
が共にレーザー光によってカットされてないことを目視
または顕微鏡によって確認すれば良く、抵抗体幅の測定
等を要しないので、わずかの工数で、ミスない正確な良
否判定が可能となる。
第４図は本発明の膜回路装置の第２の実施例を説明する
ための膜回路基板上の抵抗体で、トリミング前のもので
ある。同図においても、４はレーザ切断溝ガイド用凹パ
ターンであり、トリミング時に矢印の方向にレーザー光
線を走査照射することによシレーザ切断溝が入れられる
ものである。
ための膜回路基板上の抵抗体で、トリミング前のもので
ある。同図においても、４はレーザ切断溝ガイド用凹パ
ターンであり、トリミング時に矢印の方向にレーザー光
線を走査照射することによシレーザ切断溝が入れられる
ものである。
第４図の抵抗体も、第３図（ａｌと同様に切断ガイド用
凹パターンを、この両側壁の内側にトリミング切断溝が
入ったときのみトリミング完了後の抵抗幅が設計幅を確
保できるようにあらかじめ設計しておけば、トリミング
後の外観検査が容易なることは第１の実施例と全く同様
である。
凹パターンを、この両側壁の内側にトリミング切断溝が
入ったときのみトリミング完了後の抵抗幅が設計幅を確
保できるようにあらかじめ設計しておけば、トリミング
後の外観検査が容易なることは第１の実施例と全く同様
である。
以上説明したように１本発明の膜回路装置の抵抗体パタ
ーンは、トリミング箇所にレーザ切断溝ガイド用凹パタ
ーンを抵抗パターン形成と同時に設けておくことにより
、トリミング時にレーザ切断溝の位置ずれを常に少くす
るようにコントロールすることを容易ならしめ、かつト
リミング後の外観検査において、抵抗体幅が設計幅を確
保しているか否かの検査において正確でかつミスのない
判定を容易ならしめることにより、抵抗体の信頼性の高
い膜回路装置を、高い歩留と、少ない工数で製造するこ
とができその効果は大なるものがある。
ーンは、トリミング箇所にレーザ切断溝ガイド用凹パタ
ーンを抵抗パターン形成と同時に設けておくことにより
、トリミング時にレーザ切断溝の位置ずれを常に少くす
るようにコントロールすることを容易ならしめ、かつト
リミング後の外観検査において、抵抗体幅が設計幅を確
保しているか否かの検査において正確でかつミスのない
判定を容易ならしめることにより、抵抗体の信頼性の高
い膜回路装置を、高い歩留と、少ない工数で製造するこ
とができその効果は大なるものがある。
第１図、第２図は従来の膜回路装置の抵抗体の平面図、
第３図、第４図は夫々本発明の実施例による膜回路装置
の抵抗体の平面図である。 第１図、第２図、第３図、第４図において、（ａ）はト
リミング前の（ｂｌ 、 （ｂ’）はトリミング後の各
抵抗体パターンを示す平面図である。 １・・・・・・導体、２・・・・・・抵抗体、２′・・
・・・・凸部抵抗体バタンまたはトリミング部抵抗体パ
ターン、３・・・・・・レーザ切断溝％ ４・・・・・
・切断溝ガイド用凹パターン。 ９− 拵１図（ｂ） 第２図（１）） ４ 第３図（ａ−） 強３図（ｂ） 第３図（ｂ′）第４図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第９３８２
１号２、発明の名称 膜回路装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」、「図面の簡単な説明」
の欄及び図面（第３図） ７、補正の内容 （１）明細書第６頁１６行目に［第３図（ｂ）、（ｂ’
）は」とあるな「第３図（ｂ） ＊ （ｃ）は」と補正
する。 （２）明細書第７頁４行目に［第３図（ｂ’）Ｊとある
を［第３図（ｃ）Ｊと補正する。 （３１同頁１４行目に［第３図（ｂ）、（ｂ’）Ｊとあ
るを［第３図（ｂ） ＊ （ｃ）Ｊと補正する。 （４）明細書第９頁１１行目に「第３図、第４図におい
て、」とあるを「第３図において、」と補正する。 （５） 明細書筒９頁１２行目にｒ （ｂ）、 （ｂ
’）は」とあるを「第３図（ｂ） 、 （ｃ）は」と補
正する。 （６）図面の第３図を別紙のとおル補正する。 代理人 弁理士 内 原 晋 第３図（６Ｌ）
第３図、第４図は夫々本発明の実施例による膜回路装置
の抵抗体の平面図である。 第１図、第２図、第３図、第４図において、（ａ）はト
リミング前の（ｂｌ 、 （ｂ’）はトリミング後の各
抵抗体パターンを示す平面図である。 １・・・・・・導体、２・・・・・・抵抗体、２′・・
・・・・凸部抵抗体バタンまたはトリミング部抵抗体パ
ターン、３・・・・・・レーザ切断溝％ ４・・・・・
・切断溝ガイド用凹パターン。 ９− 拵１図（ｂ） 第２図（１）） ４ 第３図（ａ−） 強３図（ｂ） 第３図（ｂ′）第４図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第９３８２
１号２、発明の名称 膜回路装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住友三田
ビル６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」、「図面の簡単な説明」
の欄及び図面（第３図） ７、補正の内容 （１）明細書第６頁１６行目に［第３図（ｂ）、（ｂ’
）は」とあるな「第３図（ｂ） ＊ （ｃ）は」と補正
する。 （２）明細書第７頁４行目に［第３図（ｂ’）Ｊとある
を［第３図（ｃ）Ｊと補正する。 （３１同頁１４行目に［第３図（ｂ）、（ｂ’）Ｊとあ
るを［第３図（ｂ） ＊ （ｃ）Ｊと補正する。 （４）明細書第９頁１１行目に「第３図、第４図におい
て、」とあるを「第３図において、」と補正する。 （５） 明細書筒９頁１２行目にｒ （ｂ）、 （ｂ
’）は」とあるを「第３図（ｂ） 、 （ｃ）は」と補
正する。 （６）図面の第３図を別紙のとおル補正する。 代理人 弁理士 内 原 晋 第３図（６Ｌ）
Claims (1)
- 絶縁性基板の表面に形成された導体と抵抗体とを含む膜
回路基板において、前記膜回路基板上の抵抗体には、該
抵抗体の抵抗値修正用切断溝を設ける箇所に切断溝ガイ
ド用パターンを設けたことを特徴とする膜回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093821A JPS58210653A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 膜回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093821A JPS58210653A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 膜回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210653A true JPS58210653A (ja) | 1983-12-07 |
Family
ID=14093058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57093821A Pending JPS58210653A (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 膜回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210653A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6451602A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Murata Manufacturing Co | Trimming method for resistance film |
| US5266529A (en) * | 1991-10-21 | 1993-11-30 | Trw Inc. | Focused ion beam for thin film resistor trim on aluminum nitride substrates |
-
1982
- 1982-06-01 JP JP57093821A patent/JPS58210653A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6451602A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Murata Manufacturing Co | Trimming method for resistance film |
| US5266529A (en) * | 1991-10-21 | 1993-11-30 | Trw Inc. | Focused ion beam for thin film resistor trim on aluminum nitride substrates |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4433911A (en) | Method of evaluating measure precision of patterns and photomask therefor | |
| US5751428A (en) | Exposure method and exposure apparatus using the same | |
| JPH0277111A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6683684B1 (en) | Device for measuring relative position error | |
| JP3363082B2 (ja) | パターンの合わせずれの電気的測定方法 | |
| EP0654690A2 (en) | Active-type automatic focusing apparatus | |
| US6444995B1 (en) | Focussing method and system of exposure apparatus | |
| JPH02162789A (ja) | 直接描画方法 | |
| JP3248580B2 (ja) | 重ね合わせ精度測定マークおよび重ね合わせ精度測定方法 | |
| JP2806242B2 (ja) | 電子線露光の位置合わせマークおよび電子線露光の位置合わせマークの検出方法 | |
| JP3001587B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP2628378B2 (ja) | トラツキング方法 | |
| JPS6227613A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS6272125A (ja) | 半導体焼付装置 | |
| JPH0770577B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09106945A (ja) | 粒子線のアライメント方法及びそれを用いた照射方法並びに装置 | |
| JPS59195830A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6342407A (ja) | パタ−ン線幅測定方法 | |
| JP2797195B2 (ja) | 半導体ウエハ・アライメント方法 | |
| JP2754857B2 (ja) | 電子部品の外観検査方法 | |
| JPS58168905A (ja) | 光学式変位測定方式 | |
| JP2618492B2 (ja) | 厚膜回路直接描画方法 | |
| JPS58204502A (ja) | 小型抵抗器の製造法 | |
| JP2903584B2 (ja) | レジストレーション測定用マークの検出処理方法 | |
| JPH0350201B2 (ja) |