JPS58218123A - 研摩用マ−クを有するウエハの製造方法 - Google Patents
研摩用マ−クを有するウエハの製造方法Info
- Publication number
- JPS58218123A JPS58218123A JP57100138A JP10013882A JPS58218123A JP S58218123 A JPS58218123 A JP S58218123A JP 57100138 A JP57100138 A JP 57100138A JP 10013882 A JP10013882 A JP 10013882A JP S58218123 A JPS58218123 A JP S58218123A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- polishing
- single crystal
- mask
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/60—Wet etching
- H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
- H10P50/642—Chemical etching
- H10P50/644—Anisotropic liquid etching
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、誘電体分離基板の単結晶ウェー・の研摩にお
いて、所定の研摩量を簡単にして正確に検知する方法を
得るための研摩用マークを有するウェハの製造方法に関
するものである。
いて、所定の研摩量を簡単にして正確に検知する方法を
得るための研摩用マークを有するウェハの製造方法に関
するものである。
従来、半導体シリコン（８１）等の結晶ウニ・・を研摩
する場合、研摩量の終点判断は、研摩！！ｆｌのウニへ
の厚さをマイクロメータなどによって各ウェハの被数点
を計測しておき、研摩途中で数回にわたって計測するこ
とによって研摩量を知ることによシ、研摩終点を判断し
ているため、非常に煩雑であった。研摩工程では、この
ような計測に多くの時間を要しているため、能率が悪く
、また研摩量を事前に研摩時間との関係を実験によって
繰）返して、ある程度把握した後、研摩時間コントロー
ルで研摩量を大体決めていた例もあったが、再現性に乏
しかった。とくに、□誘電体分離基板なくの複合基板の
場合は、基板全体の厚さのみの測定では精度の確保が困
難で、簡単にして精確な研摩終点判別方法が望まれてい
九〇 〔発明の目的〕 本発明は、これらの欠点を解決するため、事前に各単結
晶ウェハに研摩用マークを持たせた研摩用マークを有す
るウェハの製造方法を提供することを目的とするもので
、以下図面について詳細に説明する。
する場合、研摩量の終点判断は、研摩！！ｆｌのウニへ
の厚さをマイクロメータなどによって各ウェハの被数点
を計測しておき、研摩途中で数回にわたって計測するこ
とによって研摩量を知ることによシ、研摩終点を判断し
ているため、非常に煩雑であった。研摩工程では、この
ような計測に多くの時間を要しているため、能率が悪く
、また研摩量を事前に研摩時間との関係を実験によって
繰）返して、ある程度把握した後、研摩時間コントロー
ルで研摩量を大体決めていた例もあったが、再現性に乏
しかった。とくに、□誘電体分離基板なくの複合基板の
場合は、基板全体の厚さのみの測定では精度の確保が困
難で、簡単にして精確な研摩終点判別方法が望まれてい
九〇 〔発明の目的〕 本発明は、これらの欠点を解決するため、事前に各単結
晶ウェハに研摩用マークを持たせた研摩用マークを有す
るウェハの製造方法を提供することを目的とするもので
、以下図面について詳細に説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明の実施例である。
まず、単結晶８１ウニ八１の研摩を施そうとする面と反
対側の面に所定のマスク２を被覆させ、ＫＯＨ（水酸化
カリウム）、Ｎａ０Ｈ（水酸化ナトリウム）などの水溶
液にイソプロピルアルコール以下の分子量をもつアルコ
ニル、例えばイソアミルアルコール、イソアミルアルコ
ール、イソアミルアルコール、などを添加した溶液で異
方性−ツチ・グを施すと、−鉱結晶Ｓｉ島に分離するた
めのくぼみ３が鏡面でｊ＆成されると同時Ｋ、高す数μ
ｍ〜数１０μｍのマイクロピラミッド状の微小突起物よ
シなる研摩用マーク４をくほみ３の底部に多数発生させ
ることができる。研摩用マーク４の高さはエツチング量
に依存する傾向にあるものの一定のエツチング条件下で
エツチングを行うと均一かつ所望の高さにコントロール
できる。
対側の面に所定のマスク２を被覆させ、ＫＯＨ（水酸化
カリウム）、Ｎａ０Ｈ（水酸化ナトリウム）などの水溶
液にイソプロピルアルコール以下の分子量をもつアルコ
ニル、例えばイソアミルアルコール、イソアミルアルコ
ール、イソアミルアルコール、などを添加した溶液で異
方性−ツチ・グを施すと、−鉱結晶Ｓｉ島に分離するた
めのくぼみ３が鏡面でｊ＆成されると同時Ｋ、高す数μ
ｍ〜数１０μｍのマイクロピラミッド状の微小突起物よ
シなる研摩用マーク４をくほみ３の底部に多数発生させ
ることができる。研摩用マーク４の高さはエツチング量
に依存する傾向にあるものの一定のエツチング条件下で
エツチングを行うと均一かつ所望の高さにコントロール
できる。
次に、マスク２を除去して熱酸化によって酸化膜（誘電
体膜）５を形成した後、多結晶Ｓ１もしくは異種材料６
を堆積させる。次に、研摩工程に入る。先に形成しであ
る所定の高さのマイクロピラミッド状の微小突起物よシ
なる研摩用ｉ−り４が研摩段階で消滅するところが研摩
終点となる。研摩用マーク４が消滅した研摩量Ａでもっ
て、単結晶Ｓｔ島１′に分離されることは明らかである
。この研摩用マーク４は、各々の単結晶Ｓｔ島１′の間
に存在し、研摩する基板の全面にわたって存在し、容易
に目視で確認できる。
体膜）５を形成した後、多結晶Ｓ１もしくは異種材料６
を堆積させる。次に、研摩工程に入る。先に形成しであ
る所定の高さのマイクロピラミッド状の微小突起物よシ
なる研摩用ｉ−り４が研摩段階で消滅するところが研摩
終点となる。研摩用マーク４が消滅した研摩量Ａでもっ
て、単結晶Ｓｔ島１′に分離されることは明らかである
。この研摩用マーク４は、各々の単結晶Ｓｔ島１′の間
に存在し、研摩する基板の全面にわたって存在し、容易
に目視で確認できる。
以上は、マイ斗゛ロピラミッド状の微小突起物よシなる
研摩用マーク４をマスクレスで形成する例であるが、よ
ｉ高精度かつ確実に形成し、高精度に研摩したい場合が
ある。
研摩用マーク４をマスクレスで形成する例であるが、よ
ｉ高精度かつ確実に形成し、高精度に研摩したい場合が
ある。
第２図（ａ）〜（ｅ）は、異方性エツチング時において
、マスクを利用してマイクロどラミラド状の微小突起物
の生成の核を形成し、その後、この核形成用のマスクを
除去して異方性エツチングを続けることによシマイクロ
ピラミッド状の微小突起物よシなる研摩用マークを残し
て米子用のＳｔ単結晶島を作る説明図である。第２図葎
）において、ｌは研摩用マーク形成用のマスクである・
素子パターン用マスク２と研摩用マーク形成用マスク２
′を単結晶ＳｔウウェＩＫ形成する。
、マスクを利用してマイクロどラミラド状の微小突起物
の生成の核を形成し、その後、この核形成用のマスクを
除去して異方性エツチングを続けることによシマイクロ
ピラミッド状の微小突起物よシなる研摩用マークを残し
て米子用のＳｔ単結晶島を作る説明図である。第２図葎
）において、ｌは研摩用マーク形成用のマスクである・
素子パターン用マスク２と研摩用マーク形成用マスク２
′を単結晶ＳｔウウェＩＫ形成する。
その後第２図（ｂ） Ｋ示すように、４方性エツチング
を行って所定の高さにマイクロピラミッド状の微小突起
物の生成の核４′を形成する。その後、第２図（ａ）
Ｋ示すように、研摩用マーク形成用マスク２′を除去し
てさらに異方性エツチングを所定の島深さになるように
進め単結晶Ｓｔ島に分離するためのくぼみを形成すると
共Ｋ〈ぼみの底部にマイクロピラミッド状の微小突起物
よ）なる研摩用マーク４を形成する。その後は第１図（
ｂ）と同一である。第２図（ｂ）の段階で形成したマイ
クロピラミッド状の微小突起物の生成の核４′はマスク
２′を除いて異方性エツチングを行っても持続される。
を行って所定の高さにマイクロピラミッド状の微小突起
物の生成の核４′を形成する。その後、第２図（ａ）
Ｋ示すように、研摩用マーク形成用マスク２′を除去し
てさらに異方性エツチングを所定の島深さになるように
進め単結晶Ｓｔ島に分離するためのくぼみを形成すると
共Ｋ〈ぼみの底部にマイクロピラミッド状の微小突起物
よ）なる研摩用マーク４を形成する。その後は第１図（
ｂ）と同一である。第２図（ｂ）の段階で形成したマイ
クロピラミッド状の微小突起物の生成の核４′はマスク
２′を除いて異方性エツチングを行っても持続される。
この方法は、異方性エツチング条件によってマイクロピ
ラミッド状の微小突起物よシなる研摩用マークを形成す
るものでないから、イソプロピルアルコール以下の分子
量をもつアルコールをＫＯＨ水溶液に添加して異方性エ
ツチングを行ってもよいことは言うまでもない。
ラミッド状の微小突起物よシなる研摩用マークを形成す
るものでないから、イソプロピルアルコール以下の分子
量をもつアルコールをＫＯＨ水溶液に添加して異方性エ
ツチングを行ってもよいことは言うまでもない。
以上説明したように、誘電体分離基板の製造プロセスに
おいて、特定の研摩用マークのスペースを設けることな
く、異方性エツチング時に素子用の単結晶Ｓｔ島の間に
容易に研摩用マークとしてのマイクロピラミッド状の微
小突起物が形成できる利点がある。その上、基板全面に
わたって研摩用マークが存在するので、単結晶Ｓｔ島の
島深さ分布を知ることができ、形状修正加工の要否とそ
の種類をも容易に判断できることは言うまでもない。
おいて、特定の研摩用マークのスペースを設けることな
く、異方性エツチング時に素子用の単結晶Ｓｔ島の間に
容易に研摩用マークとしてのマイクロピラミッド状の微
小突起物が形成できる利点がある。その上、基板全面に
わたって研摩用マークが存在するので、単結晶Ｓｔ島の
島深さ分布を知ることができ、形状修正加工の要否とそ
の種類をも容易に判断できることは言うまでもない。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の断面図
、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の他の実施例を示す断
面図である。 １・・・単結晶Ｓｌウェハ、２・・・マスク、３・・・
くぼみ、４・・・ピラミッド状の微小突起物の研摩用マ
ーク、５・・・酸化膜、６・・・多結晶Ｓ１または異種
材料の堆積層、１′・・・単結晶Ｓｔ島。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦５Ｉｐ１図 （ａ）
、第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の他の実施例を示す断
面図である。 １・・・単結晶Ｓｌウェハ、２・・・マスク、３・・・
くぼみ、４・・・ピラミッド状の微小突起物の研摩用マ
ーク、５・・・酸化膜、６・・・多結晶Ｓ１または異種
材料の堆積層、１′・・・単結晶Ｓｔ島。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦５Ｉｐ１図 （ａ）
Claims (2)
- （１）単結晶ウニ・・の研摩を施そうとする面と反対側
の面に所定のマスクを被覆し等異方性エツチングを施し
、単結晶島に分離するためのくぼみを形成すると共にこ
のくぼみの底部にピラミッド状の微小突起物よシなる研
摩用マークを形成することを特徴とする研摩用マークを
有するウエノ）の製造方法。 - （２）異方性エツチングにおいて、マスクを使用してピ
ラミッド状の微小突起物の生成の核を形成して後、この
核形成用マスクを除去して異方性エツチングを続けるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の研摩用マー
クを有するウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100138A JPS58218123A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 研摩用マ−クを有するウエハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100138A JPS58218123A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 研摩用マ−クを有するウエハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58218123A true JPS58218123A (ja) | 1983-12-19 |
Family
ID=14265954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57100138A Pending JPS58218123A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 研摩用マ−クを有するウエハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58218123A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6178137A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| FR2632776A1 (fr) * | 1988-06-10 | 1989-12-15 | Thomson Hybrides Microondes | Diode hyperfrequences de type pin et son procede de fabrication |
| WO2002096612A1 (en) | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Substrate and method of separating components from a substrate |
| CN102634851A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-08-15 | 北京吉阳技术股份有限公司 | 一种用于太阳电池制造的制绒方法 |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP57100138A patent/JPS58218123A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6178137A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| FR2632776A1 (fr) * | 1988-06-10 | 1989-12-15 | Thomson Hybrides Microondes | Diode hyperfrequences de type pin et son procede de fabrication |
| WO2002096612A1 (en) | 2001-05-29 | 2002-12-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Substrate and method of separating components from a substrate |
| CN102634851A (zh) * | 2012-03-26 | 2012-08-15 | 北京吉阳技术股份有限公司 | 一种用于太阳电池制造的制绒方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5960255A (en) | Calibration standard for 2-D and 3-D profilometry in the sub-nanometer range and method of producing it | |
| TW308711B (ja) | ||
| US3844858A (en) | Process for controlling the thickness of a thin layer of semiconductor material and semiconductor substrate | |
| CN102279289B (zh) | 一种基于(110)单晶硅的微悬臂梁探针制作方法 | |
| TW200300465A (en) | Method for producing silicon wafer, silicon wafer, and SOI wafer | |
| CN108328567B (zh) | 一种获得高密度不等高晶体微针阵列的方法 | |
| JPH09115787A (ja) | Ｓｏｉ基板および該ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| WO2013185605A1 (zh) | 一种对位标记及其制作方法 | |
| JPS58218123A (ja) | 研摩用マ−クを有するウエハの製造方法 | |
| US3969749A (en) | Substrate for dielectric isolated integrated circuit with V-etched depth grooves for lapping guide | |
| KR20010029456A (ko) | 본딩된 반도체 기판에 대한 평탄화 공정 | |
| WO2003046994A1 (fr) | Procede de fabrication d'une tranche collee | |
| CN106597583A (zh) | 一种形成光学分光透镜的结构和方法 | |
| JPH0794569A (ja) | 較正標準及び較正標準の生成方法 | |
| JPH01302837A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| TWI378084B (en) | Method for flattening glass substrate | |
| KR101181519B1 (ko) | 프로브 팁 및 그 제조방법 | |
| CN111137846B (zh) | 微米级台阶高度标准样块的制备方法 | |
| CN114784180B (zh) | 一种磁铁阵列加工方法 | |
| JPS63228010A (ja) | 半導体基板中の溝深さ測定方法 | |
| CN111573616A (zh) | 复合型高深宽比沟槽标准样板及制备方法 | |
| JP2013051291A (ja) | シリコンウェーハ加工量の評価方法および評価用シリコンウェーハ | |
| JPH06221945A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| TW526578B (en) | Fabrication processes for wafer bonding layer thickness precision control and its non-destructive measurement method | |
| SU921385A1 (ru) | Способ изготовлени образцовой меры толщины полупроводниковых слоев |