JPS5821815A - プラスチツクフイルムコンデンサの製造方法 - Google Patents
プラスチツクフイルムコンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS5821815A JPS5821815A JP12020381A JP12020381A JPS5821815A JP S5821815 A JPS5821815 A JP S5821815A JP 12020381 A JP12020381 A JP 12020381A JP 12020381 A JP12020381 A JP 12020381A JP S5821815 A JPS5821815 A JP S5821815A
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- JP
- Japan
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- plastic film
- foil
- capacitor
- dielectric
- film
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- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は静電容量偏差の少い小容量プラスチックフィル
ムコンデンサの製造方法にｌ３Ａ−Ｊ−る。
ムコンデンサの製造方法にｌ３Ａ−Ｊ−る。
プラスチックフィルムコンデンサは厚さ６〜ＪＯμｍの
アルミニウム（ｋｌ）箔或は錫（Ｓｎ）箔を電極箔とし
、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等誘電
正接の少い高分子誘電、材料からなるフィルムを誘電体
とし巻込機を用いて交互に２枚づつ捲回することζこよ
り作られている。こ＼で耐圧が１００Ｖ以下と比較的小
さく静電容ホ：′値も数十ＰＦ以下と小さな用途に対し
てはコンデンサを形成するｍ： ４’ｌｊ＜箔の面イ′
ｉＩｉが僅かで足りるため、巻込秋の技回回＆か位かで
済みそのため捲回回斂の調節により静電界−沿偏差の少
いコンデンサを初ることがＦＬ＜ぞれにより小容用品容
μ・許容差は太きくなり易い。
アルミニウム（ｋｌ）箔或は錫（Ｓｎ）箔を電極箔とし
、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等誘電
正接の少い高分子誘電、材料からなるフィルムを誘電体
とし巻込機を用いて交互に２枚づつ捲回することζこよ
り作られている。こ＼で耐圧が１００Ｖ以下と比較的小
さく静電容ホ：′値も数十ＰＦ以下と小さな用途に対し
てはコンデンサを形成するｍ： ４’ｌｊ＜箔の面イ′
ｉＩｉが僅かで足りるため、巻込秋の技回回＆か位かで
済みそのため捲回回斂の調節により静電界−沿偏差の少
いコンデンサを初ることがＦＬ＜ぞれにより小容用品容
μ・許容差は太きくなり易い。
なおか５６問題を解決する方法として厚さの厚いフィル
ムすな４つら而・１圧の高いフィルムラ用いるも一つの
方法ではあるがこイｌ、は材料使用おの見地より望まし
い方法で（４ない。
ムすな４つら而・１圧の高いフィルムラ用いるも一つの
方法ではあるがこイｌ、は材料使用おの見地より望まし
い方法で（４ない。
本発明は従来と同わ）コな］イメ回方法Ｊ５よび後処理
方法を用いて静電容量許容差の少い小容量コンデンサを
製造することを目的としそのためにＡｔ電電極 箔として予め低化率でエツチングしこイｔに数百Ｖで化
成して酸化皮膜をつけたものを用いることを本旨と１−
るもので以後１ス面により本発明を説明する。
方法を用いて静電容量許容差の少い小容量コンデンサを
製造することを目的としそのためにＡｔ電電極 箔として予め低化率でエツチングしこイｔに数百Ｖで化
成して酸化皮膜をつけたものを用いることを本旨と１−
るもので以後１ス面により本発明を説明する。
第１図はプラスチックフィルムコンデンサの捲回構造で
巻込様を用い誘電体として制御らくプラステラ多フィル
ム１と電極として働らく金属、箔２と７Ｊ）又ＥＬ屹ｆ
尤県１８イむ（コンアンプ系ゴー力１ル取さｎ℃いる。
巻込様を用い誘電体として制御らくプラステラ多フィル
ム１と電極として働らく金属、箔２と７Ｊ）又ＥＬ屹ｆ
尤県１８イむ（コンアンプ系ゴー力１ル取さｎ℃いる。
ｉｉ’ｇ ２１ソ１はコンデンサの原理１ゾ１で湧Ｔ「
体３を挾んで平行板’ｍ！ Ａ（ａ ４が存在する焦合
、静′ｒビ容ＱＣは電イ・２而イＡと誘？ＩＬ体の誘電
率に比例し１透１を仁体の厚さに反比例する１ｙ係があ
る。
体３を挾んで平行板’ｍ！ Ａ（ａ ４が存在する焦合
、静′ｒビ容ＱＣは電イ・２而イＡと誘？ＩＬ体の誘電
率に比例し１透１を仁体の厚さに反比例する１ｙ係があ
る。
すなわち
ｃ−、□７エ （ＰＦ’） ・・・・・・・・
・・・・・・・（１）こ＼で ε：誘電体の比ｉＫ誘電 率 Ｈ’４極の面積 （ｄ ｄ：誘電体のｐＩさ （ｃｒｎ） なお＃￥１図のような捲込コンデンサの静電容量Ｃは ２εＳ Ｏ−（ＰＦ） ・・・・・・・・・・・曲（２）３
．６πＧ で与えられる。
・・・・・・・（１）こ＼で ε：誘電体の比ｉＫ誘電 率 Ｈ’４極の面積 （ｄ ｄ：誘電体のｐＩさ （ｃｒｎ） なお＃￥１図のような捲込コンデンサの静電容量Ｃは ２εＳ Ｏ−（ＰＦ） ・・・・・・・・・・・曲（２）３
．６πＧ で与えられる。
こ＼でコンデンサの面１圧は誘電体の絶縁耐力とぞの厚
さによって決るものである。
さによって決るものである。
さて本発明はｔｉ！′１図のｔｔ＄成をとる静電容量が
数十ＰＦの小形コンデンサに関するもので、従来動ｆ１
可、圧として１００Ｖ以下の要求に対しては誘電 一 方・“４・１↓・−容一トｉ：・としてノ゛ケ＋Ｐ Ｆ
（、か要求さイ１．ない場合は（２）式よりイ、１．
ｌ、かの’Ｆｌｆ、ｉｔ、面粘で足りることになり巻込
にｌｊに市オ、」？箔を一；・１１人り、イ・ｒ″・か
の回転で必−要な静電、容−１１値に達するため′ｌ’
ｔｉ：極箔の切断が必要で従って静？ヒ容Ｆ２許容−４
−の小さなコンデンサを歩留りよく作ることは１１１α
、・で、ツ、った。
数十ＰＦの小形コンデンサに関するもので、従来動ｆ１
可、圧として１００Ｖ以下の要求に対しては誘電 一 方・“４・１↓・−容一トｉ：・としてノ゛ケ＋Ｐ Ｆ
（、か要求さイ１．ない場合は（２）式よりイ、１．
ｌ、かの’Ｆｌｆ、ｉｔ、面粘で足りることになり巻込
にｌｊに市オ、」？箔を一；・１１人り、イ・ｒ″・か
の回転で必−要な静電、容−１１値に達するため′ｌ’
ｔｉ：極箔の切断が必要で従って静？ヒ容Ｆ２許容−４
−の小さなコンデンサを歩留りよく作ることは１１１α
、・で、ツ、った。
こ＼でプラスチックフィルムコンデンサは招回後に使用
材り・ｆζこより融着などの熱処理或は含浸などの工＋
゛１”があり、これによる静’＋４ｊ ’ｅに４１変化
を伴うためコンデンサの・捲回に１９１ツシてはと１１
．を見越して目ｅ：値に精度よく岑電答Ｅｔ値を合せて
おくことが必要であり、この１こめには少くとも成る一
定長の以上の電材θ′ｉの捲回が会期条件となる。
材り・ｆζこより融着などの熱処理或は含浸などの工＋
゛１”があり、これによる静’＋４ｊ ’ｅに４１変化
を伴うためコンデンサの・捲回に１９１ツシてはと１１
．を見越して目ｅ：値に精度よく岑電答Ｅｔ値を合せて
おくことが必要であり、この１こめには少くとも成る一
定長の以上の電材θ′ｉの捲回が会期条件となる。
本発明はＡ！箔をエツチングして実効面積を減らＴと共
にエツチング箔を１比か１酸化してこの表面に５ｖノ化
物からなる誘′ｒＦｎ、皮Ｊ４Ｑを設けこイＬを用いて
捲回することによってプラスチックフィルム中の欠陥辿
＼を仙；、；・レーするものである。
にエツチング箔を１比か１酸化してこの表面に５ｖノ化
物からなる誘′ｒＦｎ、皮Ｊ４Ｑを設けこイＬを用いて
捲回することによってプラスチックフィルム中の欠陥辿
＼を仙；、；・レーするものである。
第３１ｙ１はｄ・１１区の栴造をとるＡｔ電極箔に本発
明を実施したもの＼拡大図でプラスチックフィルム１を
挾んで存在する電極箔２は適当なエツチング孔５を設け
ることにより平滑面積を１／２〜１／４に減少してあり
またこの上には予め３００〜５００ｖの電１：ＪＴ酸化
処」」により０．４〜０．８μｍの厚さの酸化皮膜６か
設けられている。
明を実施したもの＼拡大図でプラスチックフィルム１を
挾んで存在する電極箔２は適当なエツチング孔５を設け
ることにより平滑面積を１／２〜１／４に減少してあり
またこの上には予め３００〜５００ｖの電１：ＪＴ酸化
処」」により０．４〜０．８μｍの厚さの酸化皮膜６か
設けられている。
こＸでエツチング処理は実効電極面積を減らすためのも
ので塩酸、硝酸およびクローム酸よりなる混液中にＡｔ
箔を陽極として全波読流或はパルス波形で１０〜２０秒
間エツチング処理することにより平滑面が１／２〜１／
４程度残った浅いエツチング面を得ることができる。
ので塩酸、硝酸およびクローム酸よりなる混液中にＡｔ
箔を陽極として全波読流或はパルス波形で１０〜２０秒
間エツチング処理することにより平滑面が１／２〜１／
４程度残った浅いエツチング面を得ることができる。
なおこの際の必要条件はエツチングが均一に行わｎてい
ることでＹ−滑面が局在していないことが必要である。
ることでＹ−滑面が局在していないことが必要である。
次に電解酸化はか＼るエツチング箔を陽極として硼酸塩
水溶液中で直流電圧を印加して行うもので、電極箔上に
酸化皮膜を設ける理由はコンデンサ短絡の保設である。
水溶液中で直流電圧を印加して行うもので、電極箔上に
酸化皮膜を設ける理由はコンデンサ短絡の保設である。
すなわち厚さ１０μｍ和度のプラスチックフイ４−
ルムは極めて薄いためにピンホールが点在し、この大き
さが一宇値をｐすと、この穴を通してコンデンサの短絡
が生ずる。
さが一宇値をｐすと、この穴を通してコンデンサの短絡
が生ずる。
そｎで電棒上に誘電薄膜が存在すると、これが保護膜と
して作用する結朶、雷析の短絡が妨げられる。
して作用する結朶、雷析の短絡が妨げられる。
この発明にか＼るプラスチックフィルムコンデンサはＡ
ｔ百ψ化皮脱とプラスチックフィルムからなる複合語１
行体コンデンサであるが、Ａｔ酸化皮膜はプラスチック
フィルムに較べると一桁以上薄くまた訪電酊性も優れて
いるのでコンデンサの誘電特性に及はす影響は無視して
差支えない。たゾし誘電体の実効的な厚さは増加するの
で酸柁羨疲をもたない電柄箔を用いる場合に較べ電極長
が増加下るのは止むをｑ％ない。
ｔ百ψ化皮脱とプラスチックフィルムからなる複合語１
行体コンデンサであるが、Ａｔ酸化皮膜はプラスチック
フィルムに較べると一桁以上薄くまた訪電酊性も優れて
いるのでコンデンサの誘電特性に及はす影響は無視して
差支えない。たゾし誘電体の実効的な厚さは増加するの
で酸柁羨疲をもたない電柄箔を用いる場合に較べ電極長
が増加下るのは止むをｑ％ない。
本発明は静電苔牙値が数十ＰＦのような小容量プラスチ
ックフィルムコンデンサについて静電容量許容差の小さ
なコンデンサを作り方を提供するもので有効電極面積の
減少および電極への酸化皮膜の形成を併用することによ
り製造歩留りを向上でき才た許容差の減少が容易となっ
た。
ックフィルムコンデンサについて静電容量許容差の小さ
なコンデンサを作り方を提供するもので有効電極面積の
減少および電極への酸化皮膜の形成を併用することによ
り製造歩留りを向上でき才た許容差の減少が容易となっ
た。
ｙｌ’ｒ １ ｔ’２＋はプラスチックフィルムコンデ
ンサの構成図、第２図は原理図、弔３図は本発明にか＼
るコンデンサの七゛ノ１抜口 図ζこおいて ｌはプラスチックフィルム、２はｔｆｉ箔（アルミニウ
ム）、３は誘電体、４は電極板、５はエツチング孔、６
は酸化皮膜。 −７−。 箒１図 第２１Ｘ１ 竿３ｒＸＪ し
ンサの構成図、第２図は原理図、弔３図は本発明にか＼
るコンデンサの七゛ノ１抜口 図ζこおいて ｌはプラスチックフィルム、２はｔｆｉ箔（アルミニウ
ム）、３は誘電体、４は電極板、５はエツチング孔、６
は酸化皮膜。 −７−。 箒１図 第２１Ｘ１ 竿３ｒＸＪ し
Claims (1)
- アルミニウム箔を電極箔とし、これとプラスチックフィ
ルムとを交互に捲回してなるプラスチックフィルムコン
デンサにおいて、予め電解酸化処理により酸化皮膜をつ
けた低倍率エツチング箔を′猷棲箔として用いることを
特徴とするプラスチックフィルムコンデンサの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12020381A JPS5821815A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | プラスチツクフイルムコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12020381A JPS5821815A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | プラスチツクフイルムコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821815A true JPS5821815A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14780450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12020381A Pending JPS5821815A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | プラスチツクフイルムコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821815A (ja) |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP12020381A patent/JPS5821815A/ja active Pending
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