JPS58218201A - マイクロ波受信機 - Google Patents
マイクロ波受信機Info
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- JPS58218201A JPS58218201A JP10003282A JP10003282A JPS58218201A JP S58218201 A JPS58218201 A JP S58218201A JP 10003282 A JP10003282 A JP 10003282A JP 10003282 A JP10003282 A JP 10003282A JP S58218201 A JPS58218201 A JP S58218201A
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- insulator
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/103—Hollow-waveguide/coaxial-line transitions
Landscapes
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波受信機に用いられる増幅器の入力部
の構造、詳しくは導波管伝送モードから同軸伝送モード
への変換を行なう導波管/同軸変換構造に関する。
の構造、詳しくは導波管伝送モードから同軸伝送モード
への変換を行なう導波管/同軸変換構造に関する。
衛星通信に使わnuる受信機等のマイクロ波受信機は衛
星からの電波が微弱なためアンテナ直下に導波管ととも
に低雑音増幅器が用いられる。そしてこの低雑音増幅器
は導波管との接続においても最の入力からみたインピー
ダンスマツナングをとってミスマツナングロスをなくす
ること、■増幅器の入力部に設けたアイソレータの順方
向ロスをなくすること、■増幅素子のNII′ご改善す
ること、■増幅素子どのノイズマツチをとること、等の
各項目につい【の改善が行なわれて来た。本発明は特に
(0の導波管の入口からみたインピーダンスのマツチン
グをとってVSWRf!:l:1.1部程度になるよう
にしてミスマツナングによるロスをなく丁構造に注目し
た。
星からの電波が微弱なためアンテナ直下に導波管ととも
に低雑音増幅器が用いられる。そしてこの低雑音増幅器
は導波管との接続においても最の入力からみたインピー
ダンスマツナングをとってミスマツナングロスをなくす
ること、■増幅器の入力部に設けたアイソレータの順方
向ロスをなくすること、■増幅素子のNII′ご改善す
ること、■増幅素子どのノイズマツチをとること、等の
各項目につい【の改善が行なわれて来た。本発明は特に
(0の導波管の入口からみたインピーダンスのマツチン
グをとってVSWRf!:l:1.1部程度になるよう
にしてミスマツナングによるロスをなく丁構造に注目し
た。
従来、導波管を伝ばんして来た電波を増幅器に導く最も
一般的な構造は第1図に示すようになっている。第1図
において、(1)は導波管、(2)は導波管の終端に設
けられた金属の短絡板、(3)は導波管内と伝ばんして
来た管内伝送モードの電波を同軸伝送モードとしてとり
出す円柱状の10−ブ、(4)はテフロン等の絶縁物か
らなる円筒形の絶縁体、(5)は金属からなるネジ、(
6)は金属の枠であり、この枠(6)の中に低雑音増幅
器を構成するマイクロ波IC(7)6(収納されている
。(8)はマイクロ波IC(7)の入力部に接続された
アイソレータ(図示せず)に接続されたマイクロストリ
ップライン、(9)は70−ブ(3)の端部とマイクロ
ストリップライン(8)との半田付は等による接続部を
示す。
一般的な構造は第1図に示すようになっている。第1図
において、(1)は導波管、(2)は導波管の終端に設
けられた金属の短絡板、(3)は導波管内と伝ばんして
来た管内伝送モードの電波を同軸伝送モードとしてとり
出す円柱状の10−ブ、(4)はテフロン等の絶縁物か
らなる円筒形の絶縁体、(5)は金属からなるネジ、(
6)は金属の枠であり、この枠(6)の中に低雑音増幅
器を構成するマイクロ波IC(7)6(収納されている
。(8)はマイクロ波IC(7)の入力部に接続された
アイソレータ(図示せず)に接続されたマイクロストリ
ップライン、(9)は70−ブ(3)の端部とマイクロ
ストリップライン(8)との半田付は等による接続部を
示す。
ネジ(5)は導波管(11の上方管壁(1a)に10−
ブ(3)の上部の面に対向して設けられたネジ孔に螺合
され、ネジ(5)の上部に設けられた凹部としての溝(
5)をドライバ等によって回転し得るようになっている
。
ブ(3)の上部の面に対向して設けられたネジ孔に螺合
され、ネジ(5)の上部に設けられた凹部としての溝(
5)をドライバ等によって回転し得るようになっている
。
これによって10−ブ(3)の上部の面とネジ(5)の
下1jい&) (15−j +7)や離B6、可変、、
餐、よう9.6つ工5、る。
下1jい&) (15−j +7)や離B6、可変、、
餐、よう9.6つ工5、る。
又、フ゛ローブ(3)は導波管内に突出した本体部(3
a)と本体部(3a)より径の細Q・固:走部(3b)
とよりクリ、固定部(3b)は導波管の下方管壁(1a
)と枠(6)とにそれぞれ設けられた透孔に、円筒形の
絶縁体(4)とともに嵌入且つ固定されている。さらに
又、導波管(1)と枠(6)とは図示しない手段例えば
ネジ等によって固定されている。そして、絶縁体(4)
と絶縁体(4)に囲まれたプローブ(3)の固定部(3
b)とは完全な同軸線路として見6°され、70−ブ(
3)の固定部(3b)の径と絶縁体(4)の誘電率およ
びその厚さとで決まるプローブ(3)の固定部(3b)
の有する特性インピーダンスが、設計上の規格化インピ
ーダンス(一般には50Ω)になるように設定されてい
る。そし・ てこの規格化インピーダンスに対してアイ
ソレータ及びマイクロ波ICのインピーダンスがマツチ
ングするように設定されるとともに導波管+11の入口
(11からみたインピーダンスがマツチングするように
)−ローブ(3)の本体部(3a)の径D1本体部(3
a)の上端面とネジ(5)り1j下端面との距離B1本
体部(3a)と短絡板(2)とりjl・距離りが設定さ
れるが、これ、、′ らの寸法は全て、松1ばんされる周波数に於ける、−一
、、。
a)と本体部(3a)より径の細Q・固:走部(3b)
とよりクリ、固定部(3b)は導波管の下方管壁(1a
)と枠(6)とにそれぞれ設けられた透孔に、円筒形の
絶縁体(4)とともに嵌入且つ固定されている。さらに
又、導波管(1)と枠(6)とは図示しない手段例えば
ネジ等によって固定されている。そして、絶縁体(4)
と絶縁体(4)に囲まれたプローブ(3)の固定部(3
b)とは完全な同軸線路として見6°され、70−ブ(
3)の固定部(3b)の径と絶縁体(4)の誘電率およ
びその厚さとで決まるプローブ(3)の固定部(3b)
の有する特性インピーダンスが、設計上の規格化インピ
ーダンス(一般には50Ω)になるように設定されてい
る。そし・ てこの規格化インピーダンスに対してアイ
ソレータ及びマイクロ波ICのインピーダンスがマツチ
ングするように設定されるとともに導波管+11の入口
(11からみたインピーダンスがマツチングするように
)−ローブ(3)の本体部(3a)の径D1本体部(3
a)の上端面とネジ(5)り1j下端面との距離B1本
体部(3a)と短絡板(2)とりjl・距離りが設定さ
れるが、これ、、′ らの寸法は全て、松1ばんされる周波数に於ける、−一
、、。
導波管(1)の上下両管壁(la) 、(lb)間の距
離と、左右の両管壁間の距離(図示せず)と、短絡板(
2)との存在によって決まる導波管内の定在波に対して
最良のマツチング状態が得られるような値に設定される
。 ゛ このような従来構造においてはマイクロストリップライ
ン(8)、アイソレータ(図示せず)、マイクロ波IC
(7)等が規格化インピーダンスに会っていれば7”ロ
ーブ(3)の本体部(3a)の寸法関係、即ら径B1長
さL1短絡板(2)との距離Aを厳密に管理しておけば
ツーローブ(3)の本体部(3a)の上端部とネジ(5
)の下端部との距離Bは設定値に対してあまり変化する
こ′となく導波管(1)の入口(1)′がらのVSWR
を1:1.15程度にすることが可能であるが、しかし
、マイクロストリップライン(8)及びマイクロ波IC
(71は印刷回路技術によって比較的バラツキ−°く規
格化インピーダンスに合せることができる反面、アイソ
レータは完全な規格化インピーダンスに合せることが困
難であり、例えば、規格化インピーダンスに対してVS
WR(+で1:1.2程度になると導波管(1)の入口
用゛がらみたVSWRは各寸法A、D、Li管理しても
1.2以下にすることはできず、この場合はプローブ(
3)の本体部(3a)の上端面とネジ(5)の下端面と
の距離Bご、ネジ(5)を廻すことによって大巾に変え
て、導波管(11の入力(1)からみたvsw、iもを
1:1.15程度にするように微調整するが、しかし、
ネジ(5)による微調整はネジ(51の下端面が導波管
(1)の上方管壁から大巾に下方に突出たり、又は逆に
管壁内に入ってしまうことがあり、この結果管内で電磁
界の分布が乱icて損失が増加して結果的に低雑音増幅
器が得られなくなるという欠点があった。
離と、左右の両管壁間の距離(図示せず)と、短絡板(
2)との存在によって決まる導波管内の定在波に対して
最良のマツチング状態が得られるような値に設定される
。 ゛ このような従来構造においてはマイクロストリップライ
ン(8)、アイソレータ(図示せず)、マイクロ波IC
(7)等が規格化インピーダンスに会っていれば7”ロ
ーブ(3)の本体部(3a)の寸法関係、即ら径B1長
さL1短絡板(2)との距離Aを厳密に管理しておけば
ツーローブ(3)の本体部(3a)の上端部とネジ(5
)の下端部との距離Bは設定値に対してあまり変化する
こ′となく導波管(1)の入口(1)′がらのVSWR
を1:1.15程度にすることが可能であるが、しかし
、マイクロストリップライン(8)及びマイクロ波IC
(71は印刷回路技術によって比較的バラツキ−°く規
格化インピーダンスに合せることができる反面、アイソ
レータは完全な規格化インピーダンスに合せることが困
難であり、例えば、規格化インピーダンスに対してVS
WR(+で1:1.2程度になると導波管(1)の入口
用゛がらみたVSWRは各寸法A、D、Li管理しても
1.2以下にすることはできず、この場合はプローブ(
3)の本体部(3a)の上端面とネジ(5)の下端面と
の距離Bご、ネジ(5)を廻すことによって大巾に変え
て、導波管(11の入力(1)からみたvsw、iもを
1:1.15程度にするように微調整するが、しかし、
ネジ(5)による微調整はネジ(51の下端面が導波管
(1)の上方管壁から大巾に下方に突出たり、又は逆に
管壁内に入ってしまうことがあり、この結果管内で電磁
界の分布が乱icて損失が増加して結果的に低雑音増幅
器が得られなくなるという欠点があった。
又、第2図に示す他の実施例は管内の電磁界の分布を乱
丁第1図に示すネジ(5)の突出をなく丁構造のもので
あり、第1図と重複する部分についての説明は省略する
。00)はテ、65〜に脣Pヱブ(3)の半径方向への
振れを押えるために上下両管壁(la) 、(lb)間
に保持されている。そして、導波管(1)の入口(1)
゛がらのVSWRは、フ゛ローブ(3)の長さ、径、絶
縁体ulの誘電率、絶縁体(10)の外径、70−ブ(
3)と短絡板(2)との距離等を厳密な値に保つことに
よって所定の値が得られる。しかしこの場合も例えばア
イソレータ(図示せず)のVSWRが1:1.2程度で
あると絶縁体Qlの誘電率、外径、70−ブ(3)の長
さ、経、また7′ローブ(3)と短絡板(2)どの距離
を厳密に合せても導波管(1)の入口(1)から見たV
8 W Rは1:1.2以下にすることはできず、プ
ローブ(3)の長さを変えて導波管+11の入口(1)
から見たv s W H,を1:1.2以下にするが、
調整の際フ゛ローブ(3)の基端における半田付は部(
9)の半田を取り除いて10−ブ(3)を移動させて導
波管(11の入口(1)′から■SW几を見−・がら最
適のポイントに70−ブ(3)を固定させて半田付は直
しをする。
丁第1図に示すネジ(5)の突出をなく丁構造のもので
あり、第1図と重複する部分についての説明は省略する
。00)はテ、65〜に脣Pヱブ(3)の半径方向への
振れを押えるために上下両管壁(la) 、(lb)間
に保持されている。そして、導波管(1)の入口(1)
゛がらのVSWRは、フ゛ローブ(3)の長さ、径、絶
縁体ulの誘電率、絶縁体(10)の外径、70−ブ(
3)と短絡板(2)との距離等を厳密な値に保つことに
よって所定の値が得られる。しかしこの場合も例えばア
イソレータ(図示せず)のVSWRが1:1.2程度で
あると絶縁体Qlの誘電率、外径、70−ブ(3)の長
さ、経、また7′ローブ(3)と短絡板(2)どの距離
を厳密に合せても導波管(1)の入口(1)から見たV
8 W Rは1:1.2以下にすることはできず、プ
ローブ(3)の長さを変えて導波管+11の入口(1)
から見たv s W H,を1:1.2以下にするが、
調整の際フ゛ローブ(3)の基端における半田付は部(
9)の半田を取り除いて10−ブ(3)を移動させて導
波管(11の入口(1)′から■SW几を見−・がら最
適のポイントに70−ブ(3)を固定させて半田付は直
しをする。
しかし、この調整ではプローブ(3)が絶縁体(4)と
ともに導波管(1)と枠(6)に嵌入されているので移
動が容易に行なえず、微調整には向かず、しかも10−
ブ(3)は上方に押し上げることは容易であるが下方に
引き出すのにはフ゛ローブ(3)の端部が短かいのでや
りにくい等の欠点があった。
ともに導波管(1)と枠(6)に嵌入されているので移
動が容易に行なえず、微調整には向かず、しかも10−
ブ(3)は上方に押し上げることは容易であるが下方に
引き出すのにはフ゛ローブ(3)の端部が短かいのでや
りにくい等の欠点があった。
、′
本発明は以上の欠点を解消:したものであり、そ、−1
1111 の目的とするところは導波管め入口からのインビータ゛
ンスを調整するにあたり、70−ブを上下方向に移動さ
せて長さを変えて粗調整ができるようにするとともに、
導波管内の電磁界の分布の乱れを生じることなく微調整
ができる導波管/同軸変換器構造を有するマイクロ波受
信機を提供しようとするものであり、以下第3図に示す
実施例について説明する。
1111 の目的とするところは導波管め入口からのインビータ゛
ンスを調整するにあたり、70−ブを上下方向に移動さ
せて長さを変えて粗調整ができるようにするとともに、
導波管内の電磁界の分布の乱れを生じることなく微調整
ができる導波管/同軸変換器構造を有するマイクロ波受
信機を提供しようとするものであり、以下第3図に示す
実施例について説明する。
第3図においては従来例と同一部品に対しては同一番号
を付してその説明を省略する。
を付してその説明を省略する。
同図で、u旧まテフロン等からなるほぼ円筒形をした絶
縁体、α4は同様にテフロン等がらなり中心に孔(19
を有する円筒形の微調整用の絶縁体、(13)は導波管
(11の上方管壁(1a)の、10−ブ(3)の位置に
対応して設けられた透孔、(14)は絶縁体αυの中央
空間部、(16)は絶縁体αりの上部に設けられた凹部
としての溝である。そして、絶縁体(12+の外周と絶
縁体Uυの内周にはそれぞれネジが設けられ互に螺合し
ており導波管(1)の上衣管壁(1a)の穴鰯を介して
外部からドライバ等に:煽って絶縁体(121の溝u■
せ□ ば絶縁体(121は上下方向に移動して絶縁体0υと、
10−ブ(3)とに対して、空間部I内にて相対位置が
変るようになっている。こうすることによってプローブ
を覆う2つの絶縁体aυ、圓によるフ”ローブ周囲の誘
電率が変ることになる。そして、導波間(,11内に生
じている電波の定在波の状態をコントロールすることが
でき、特に短絡板(2)と10−ブ(3)間の空間部に
おける誘電率・が変ることはこの間の波長短縮率が変る
ことと等価どなり、結果的にプローブ(3)と短絡板(
2)との距離を変えることとなる。
縁体、α4は同様にテフロン等がらなり中心に孔(19
を有する円筒形の微調整用の絶縁体、(13)は導波管
(11の上方管壁(1a)の、10−ブ(3)の位置に
対応して設けられた透孔、(14)は絶縁体αυの中央
空間部、(16)は絶縁体αりの上部に設けられた凹部
としての溝である。そして、絶縁体(12+の外周と絶
縁体Uυの内周にはそれぞれネジが設けられ互に螺合し
ており導波管(1)の上衣管壁(1a)の穴鰯を介して
外部からドライバ等に:煽って絶縁体(121の溝u■
せ□ ば絶縁体(121は上下方向に移動して絶縁体0υと、
10−ブ(3)とに対して、空間部I内にて相対位置が
変るようになっている。こうすることによってプローブ
を覆う2つの絶縁体aυ、圓によるフ”ローブ周囲の誘
電率が変ることになる。そして、導波間(,11内に生
じている電波の定在波の状態をコントロールすることが
でき、特に短絡板(2)と10−ブ(3)間の空間部に
おける誘電率・が変ることはこの間の波長短縮率が変る
ことと等価どなり、結果的にプローブ(3)と短絡板(
2)との距離を変えることとなる。
このような構成にすることによってフ゛ローブ(3)は
接続部(9)の半田付けを除いて内側へ押し込めること
ができると同時に、穴(13)からドライバ等を挿入し
て絶縁体u2の上部を回転して絶縁体α力とともに下方
へ押し出すこともできる。
接続部(9)の半田付けを除いて内側へ押し込めること
ができると同時に、穴(13)からドライバ等を挿入し
て絶縁体u2の上部を回転して絶縁体α力とともに下方
へ押し出すこともできる。
そして例えば、マイクロ波IC(7)に接続されたアイ
ソレータ(図示せず)のvswttが大きくパラライだ
場合、粗調整としてフ”ローブ(3)を移動させて、そ
の後に穴(13)からドライバ等を挿入して絶縁体(1
21を回転移動させ微調整ができる。この調整は例えば
第4図(I3)に示すような絶縁物からなる六角レンチ
(17)を用いて、絶縁体a2を廻し、その後に、穴(
131に第4図(C)に示す神入部の長さTが上方管、
壁の厚さTと同じネジ鰻を挿入してその先端と管壁(1
a)の内表面の高さを同じになるようにしておくことが
できる。そしてネジα8)の先端と管壁(1a)の高さ
が同じであるのでこの部分での電磁界の分布の乱れが発
生することはなく、シたがって損失を6′<することが
できる。
ソレータ(図示せず)のvswttが大きくパラライだ
場合、粗調整としてフ”ローブ(3)を移動させて、そ
の後に穴(13)からドライバ等を挿入して絶縁体(1
21を回転移動させ微調整ができる。この調整は例えば
第4図(I3)に示すような絶縁物からなる六角レンチ
(17)を用いて、絶縁体a2を廻し、その後に、穴(
131に第4図(C)に示す神入部の長さTが上方管、
壁の厚さTと同じネジ鰻を挿入してその先端と管壁(1
a)の内表面の高さを同じになるようにしておくことが
できる。そしてネジα8)の先端と管壁(1a)の高さ
が同じであるのでこの部分での電磁界の分布の乱れが発
生することはなく、シたがって損失を6′<することが
できる。
以上の様に本発明によれば70−ブはマイクロ波受信機
の導波管の中に突出して設けられるとともにその端部が
低雑音増幅器に接続され、10−ブの導波管内に突出し
た部分子:覆い、中心に孔を有するとともに上部に回転
用溝を有し、且つ外周にネジを設けた微調整用絶縁体と
、前記絶縁体のネジに螺合する空間部分の内周に設けら
れたネジを有して上下両管壁間に保持された円筒状の絶
縁 一体と、前記調整用絶縁体の溝に対向して上
方管壁に透孔と設けた構成にしたので導波管の入口から
見たvswttf!:調整する場合にプローブを上下両
方向に移動して粗調整でき、また、上方管壁に設はへ透
孔を通して調整用絶縁体を回転して上下方向に移動して
微調整をすることができ、さらに微調整後において上方
管壁の厚さと同じ長さの挿入長さを有するネジで透孔を
塞ぐことができるのでアイソレータ(図示せず)等のV
SWRのバラツキが]:1.2程度のものがあっても導
波管の入口からみたv s w itを1:1.15程
度に改善して、しかも導波管内における電磁界の乱れに
よる損失を発生させることがなくなりその効果は顕著で
ある。
の導波管の中に突出して設けられるとともにその端部が
低雑音増幅器に接続され、10−ブの導波管内に突出し
た部分子:覆い、中心に孔を有するとともに上部に回転
用溝を有し、且つ外周にネジを設けた微調整用絶縁体と
、前記絶縁体のネジに螺合する空間部分の内周に設けら
れたネジを有して上下両管壁間に保持された円筒状の絶
縁 一体と、前記調整用絶縁体の溝に対向して上
方管壁に透孔と設けた構成にしたので導波管の入口から
見たvswttf!:調整する場合にプローブを上下両
方向に移動して粗調整でき、また、上方管壁に設はへ透
孔を通して調整用絶縁体を回転して上下方向に移動して
微調整をすることができ、さらに微調整後において上方
管壁の厚さと同じ長さの挿入長さを有するネジで透孔を
塞ぐことができるのでアイソレータ(図示せず)等のV
SWRのバラツキが]:1.2程度のものがあっても導
波管の入口からみたv s w itを1:1.15程
度に改善して、しかも導波管内における電磁界の乱れに
よる損失を発生させることがなくなりその効果は顕著で
ある。
第1図は従来のマイクロ波受信機の要部断面図、第2図
は他の従来のマイクロ波受信機の要部断面図、第3図は
本発明によるマイクロ波受信機の要部断面図、第4図m
は第3図に示す微調整用絶縁体の斜視図、第4図(B)
は微調整用絶縁体の回転用レンチ、第4図(C)はネジ
を示す。 (1)導波管 (1了 導波管の入口(la)
4波管の上方管壁・“・、、(1b)導波管の下方管
壁1]I。 (2)短絡板 (3)プローブ(3a)本体部
(3b)固定部(4)絶縁体 (5)
ネジ (5)′ ネジ(5)の溝 (6)枠(7)マイク
ロ波IC(914#続部 (8)マイクロストリップライン C1ot 絶縁体 Uυ 保持用絶縁体aり
微調整用絶縁体 (13)透孔 I 空間部 a9 孔 叫 溝 (17)調整用レンチ(181ネ
ジ 特許出願人 アルプス電気株式会社 茅3図 算4図
は他の従来のマイクロ波受信機の要部断面図、第3図は
本発明によるマイクロ波受信機の要部断面図、第4図m
は第3図に示す微調整用絶縁体の斜視図、第4図(B)
は微調整用絶縁体の回転用レンチ、第4図(C)はネジ
を示す。 (1)導波管 (1了 導波管の入口(la)
4波管の上方管壁・“・、、(1b)導波管の下方管
壁1]I。 (2)短絡板 (3)プローブ(3a)本体部
(3b)固定部(4)絶縁体 (5)
ネジ (5)′ ネジ(5)の溝 (6)枠(7)マイク
ロ波IC(914#続部 (8)マイクロストリップライン C1ot 絶縁体 Uυ 保持用絶縁体aり
微調整用絶縁体 (13)透孔 I 空間部 a9 孔 叫 溝 (17)調整用レンチ(181ネ
ジ 特許出願人 アルプス電気株式会社 茅3図 算4図
Claims (1)
- 増幅器に接続され、且つ導波管内に突出した円柱状の7
0−ブと、前記10−ブの導波管内に突出した1部が挿
入される孔を中心に有するとともに上部に凹部を有し、
且つ、外周にネジを設けた円筒状の微調整用の絶縁体と
、前記絶縁体のネジに螺合するネジを内園に設けるとと
もに導波管の上下両管壁の間に保持された保持用絶縁体
と、前記微調整用絶縁体の凹部に対応して上方管壁に設
けられt:透孔とを設けたことを特徴とするマイクロ液
受°信機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003282A JPS58218201A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | マイクロ波受信機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10003282A JPS58218201A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | マイクロ波受信機 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58218201A true JPS58218201A (ja) | 1983-12-19 |
| JPS6345121B2 JPS6345121B2 (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=14263185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10003282A Granted JPS58218201A (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | マイクロ波受信機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58218201A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293801A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Fujitsu Ltd | 導波管変換器の調整構造 |
| JPS63215101A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-07 | Nec Corp | 同軸導波管変換器 |
| EP0930666A1 (en) * | 1998-01-20 | 1999-07-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter and dielectric duplexer |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP10003282A patent/JPS58218201A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62293801A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Fujitsu Ltd | 導波管変換器の調整構造 |
| JPS63215101A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-07 | Nec Corp | 同軸導波管変換器 |
| EP0930666A1 (en) * | 1998-01-20 | 1999-07-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter and dielectric duplexer |
| US6218914B1 (en) | 1998-01-20 | 2001-04-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter and dielectric duplexer including a movable probe |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6345121B2 (ja) | 1988-09-08 |
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