JPS582279A - 炭化ケイ素の機械的性質の改質法 - Google Patents
炭化ケイ素の機械的性質の改質法Info
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
-
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
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- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｒｉ戻化ケイ素の機械的性質の改質法に係る。
炭化ケイ素は硬質結晶質材料であり、この材料は高速空
気軸受または減摩性シール（１ｕｂｒｉｃａｔｉｏｎｓ
ｅａｌｓ ）のようなもののための軸受材料としての使
用が増してきている。かかる目的のために使用する際の
欠点の１つＦｉ、該＃料が非常に＃ｉく、割れを伴なう
脆性＊５Ｋｘｎ破壊するということである。
気軸受または減摩性シール（１ｕｂｒｉｃａｔｉｏｎｓ
ｅａｌｓ ）のようなもののための軸受材料としての使
用が増してきている。かかる目的のために使用する際の
欠点の１つＦｉ、該＃料が非常に＃ｉく、割れを伴なう
脆性＊５Ｋｘｎ破壊するということである。
本発明によれば、炭化ケイ素で造られた軸受表面の機械
的性質の改質法であって、該軸受表面に窒素のイオンを
植え込む（Ｉｍｐｌａｎｔ ）操作を含んでいることか
らなる改質法が提供される。
的性質の改質法であって、該軸受表面に窒素のイオンを
植え込む（Ｉｍｐｌａｎｔ ）操作を含んでいることか
らなる改質法が提供される。
炭化ケイ素表面に少なくと４ｈ１０”／−の窒素イオン
を植え込むことが好ましい。
を植え込むことが好ましい。
本発明＃ｉまた、炭化ケイ素加工品の表面の機械的性質
の改質法であって、窒素イオン管、塑性の増大した層を
表面に生成せしめるＬうなエネルギーお１び線量（ｄｏ
ｓｅ）で該表ｍＫ植え込む操作を含んでいることからな
る改質法を提供する。
の改質法であって、窒素イオン管、塑性の増大した層を
表面に生成せしめるＬうなエネルギーお１び線量（ｄｏ
ｓｅ）で該表ｍＫ植え込む操作を含んでいることからな
る改質法を提供する。
イオンのエネルギーの選択性は臨界的ではないが、エネ
ルギー準位は、加工品のｐ画への侵入を達成しかつ表面
材料の不必要なスパッタ−（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）を
避けるのに充分でなければ愈らない。エネルギーの上ｗ
ｋ＃′ｉ、費用もしくは有効性のような実際上の考ｊ［
Ｋ！Ｄ、ｔｆ：、は、植え込みの間の加工品内の過度の
温度上昇を避けゐための必要性によシ規定される。典型
的な実際の下＠はコＱ ＫｅＶであり、また、典聾的な
実際の上ｖｋはｊ ００ ＫｅＶであるが、ｊに・ｖｆ
で下つ九イオンビームエネルギーの場合でも効果が観察
されつるかもしれない、さらに、３００に・Ｖはどの高
いエネルギーが使用される場合、加工品ｒｉ笑質的に加
熱される。しかしながら、これは耐火炭化ケイ素の加工
品の場合許写できうるかもしれない。
ルギー準位は、加工品のｐ画への侵入を達成しかつ表面
材料の不必要なスパッタ−（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）を
避けるのに充分でなければ愈らない。エネルギーの上ｗ
ｋ＃′ｉ、費用もしくは有効性のような実際上の考ｊ［
Ｋ！Ｄ、ｔｆ：、は、植え込みの間の加工品内の過度の
温度上昇を避けゐための必要性によシ規定される。典型
的な実際の下＠はコＱ ＫｅＶであり、また、典聾的な
実際の上ｖｋはｊ ００ ＫｅＶであるが、ｊに・ｖｆ
で下つ九イオンビームエネルギーの場合でも効果が観察
されつるかもしれない、さらに、３００に・Ｖはどの高
いエネルギーが使用される場合、加工品ｒｉ笑質的に加
熱される。しかしながら、これは耐火炭化ケイ素の加工
品の場合許写できうるかもしれない。
−量は通常少なくとも参Ｘ１０ ／−の窒素イオン（
Ｎ、”）を超え、好ましくは１Ｘ１０”７ｍｌの窒素イ
オンを超えるであろう。
Ｎ、”）を超え、好ましくは１Ｘ１０”７ｍｌの窒素イ
オンを超えるであろう。
本発明は前記方法にＬって製造され大炭化ケイ素加工品
にも係るものである。
にも係るものである。
本発明を具体的に示している製造法および得られ九慶品
０４１定の例を以下実施例に１って記載する。
０４１定の例を以下実施例に１って記載する。
反応に上ｐ結合し九炭化ケイ素の試験片および単結晶級
化ケイ素の試験片を、４ＩＸ１０ ）ルＯ減圧下、デ
Ｏに・Ｖのエネルギーの窒素イオン（暴露した。イオン
ビームは、ダ、７真ム／−の電流密度を持ってお９、分
析できなかったビームを生じる商業的にλ手可能なイオ
ン植え込与機から誘導さの相対的割合はイオンの植え込
會れた生成加工品の観察され友性質に影響を与えるとは
思われない。
化ケイ素の試験片を、４ＩＸ１０ ）ルＯ減圧下、デ
Ｏに・Ｖのエネルギーの窒素イオン（暴露した。イオン
ビームは、ダ、７真ム／−の電流密度を持ってお９、分
析できなかったビームを生じる商業的にλ手可能なイオ
ン植え込与機から誘導さの相対的割合はイオンの植え込
會れた生成加工品の観察され友性質に影響を与えるとは
思われない。
植え込みの間試料によって達成された温度は典型的ＫＦ
ｉコｔ０℃であった。
ｉコｔ０℃であった。
試料へＯ！Ｉ量は、試料のＶ−五に対する暴露の期間を
制御するととによってＩＩＩＩＩされた。一定範囲の線
量を受けた各種試料についての試験結果を以下記載する
。
制御するととによってＩＩＩＩＩされた。一定範囲の線
量を受けた各種試料についての試験結果を以下記載する
。
、′・ヘ
イオンを植え込會ず反応によシ焼結した炭化ケイ素とコ
×１０１１／−および４ＩＸ ／ ０１７／ａｄ（Ｄ鯉
素イオンの線量を適用しイオンを植え込んだ試験片との
両方について、１１−／に＃の範囲の荷重でビッカース
押込試験（ＶＩｃｋｓｒｓ ｌｎｄ＠ｎｔａｔ、ｌｏｎ
ｔ＠ｓｔ）を行なった。イオンを植え込首なかった試
験片と窒素イオンダＸ ／ ０ ”／−でイオンを植え
込んだ試験片との両方とも同じ硬度および押込破損挙動
を示した。かくして、これらの試験片については、２０
ＩＩ以下の荷重ではどんな押込（圧痕）４肉眼でＦｉ尭
えなかつ九が、荷重とと本に硬度の著しい変動があった
。すなわち、下表に示すように、荷重の増加とと４硬度
は減少した。
×１０１１／−および４ＩＸ ／ ０１７／ａｄ（Ｄ鯉
素イオンの線量を適用しイオンを植え込んだ試験片との
両方について、１１−／に＃の範囲の荷重でビッカース
押込試験（ＶＩｃｋｓｒｓ ｌｎｄ＠ｎｔａｔ、ｌｏｎ
ｔ＠ｓｔ）を行なった。イオンを植え込首なかった試
験片と窒素イオンダＸ ／ ０ ”／−でイオンを植え
込んだ試験片との両方とも同じ硬度および押込破損挙動
を示した。かくして、これらの試験片については、２０
ＩＩ以下の荷重ではどんな押込（圧痕）４肉眼でＦｉ尭
えなかつ九が、荷重とと本に硬度の著しい変動があった
。すなわち、下表に示すように、荷重の増加とと４硬度
は減少した。
また、コｏｏｉ以上の荷重において、中央面（表面に対
して垂１１および積載Ｗ（表Ｗｊ１に対して平行な面）
の両方で着しい破損が生じた。
して垂１１および積載Ｗ（表Ｗｊ１に対して平行な面）
の両方で着しい破損が生じた。
窒素イオンダＸ１０ ／−を適用してイオンを植え込
んだ試験片Ｏ場合、硬度および押込破損挙動が改質され
た。かくして、硬度は、全ての荷重において低かつ比が
、実験的に利用可能な荷重範８にわたって荷重の変動と
と４にそれはど変動じなかった（Ｊｊ−＃で約−〇００
ｋｌ／−１／ｋｌで約ココ００ゆ／−であった）、シか
し亀がら、これらの結果の分析によｐ１非當に低荷重で
なされた圧痕に１ｐ近表面層の意ＩＩ６石軟化が経験さ
れ、そこでは圧痕によ〕生じる脂性帯域の挙動がイオン
、を植え込んだ層によって支配されていることが予想さ
れる。イオンを植え込んだ試験片の場合中央面破損が観
察された妙れども、横截■破模は非常に減少した。注１
すべきことは、両タイプの破損は摩滅破片の生成の点で
避けがたいとｉうことである。
んだ試験片Ｏ場合、硬度および押込破損挙動が改質され
た。かくして、硬度は、全ての荷重において低かつ比が
、実験的に利用可能な荷重範８にわたって荷重の変動と
と４にそれはど変動じなかった（Ｊｊ−＃で約−〇００
ｋｌ／−１／ｋｌで約ココ００ゆ／−であった）、シか
し亀がら、これらの結果の分析によｐ１非當に低荷重で
なされた圧痕に１ｐ近表面層の意ＩＩ６石軟化が経験さ
れ、そこでは圧痕によ〕生じる脂性帯域の挙動がイオン
、を植え込んだ層によって支配されていることが予想さ
れる。イオンを植え込んだ試験片の場合中央面破損が観
察された妙れども、横截■破模は非常に減少した。注１
すべきことは、両タイプの破損は摩滅破片の生成の点で
避けがたいとｉうことである。
単結晶〔特定されてい１にいα−ｄｌ雫タイプ、恐ら＜
ｒｔｉ、Ｈ，＜０００１）７１Ｍ３１１化＋４１Ａなり
Ｕに窒素イオン０−ｊｘ１０ ／−の範囲の線量を用い
てイオンを植え込んだ試料にりいて同様な一連の試験を
行なった。得られた挙動は、反応に↓り焼結した炭化ケ
イｌ！について上記したものと同じであることが判った
。試験片は、音素イオン約ダ×１０ ／−を超えた線量
を用いてイオンを植え込んだ場合、意義のある表面軟化
を示した。
ｒｔｉ、Ｈ，＜０００１）７１Ｍ３１１化＋４１Ａなり
Ｕに窒素イオン０−ｊｘ１０ ／−の範囲の線量を用い
てイオンを植え込んだ試料にりいて同様な一連の試験を
行なった。得られた挙動は、反応に↓り焼結した炭化ケ
イｌ！について上記したものと同じであることが判った
。試験片は、音素イオン約ダ×１０ ／−を超えた線量
を用いてイオンを植え込んだ場合、意義のある表面軟化
を示した。
注目すべきことは、圧痕の形状が使用した線量範囲にわ
たって変化したということであった。ゼ關お工び低い線
量（約３〜４Ｉｘ ／ ０ ”ｒｖｍ＋／ａ１未満）に
よる試験片の圧痕けこの材料に通常伴なっタタイプノ４
ノテあツタ、押退は量（ｄｌｓｐｌａｃｓｎｍｎｔｉ）
は半径方向に向けられたがどんな表面堆積（ｐｉｌｅ−
ａｐｌも観察されなかった。横破損ブレークアウ） （
ｂｒｅａｋｏｕｔ） ｒｉ普通であり、ノルマルスキー
（Ｎｏｒｍａｒｓｋｌ ｌ干渉顕微鏡検査に工り約１０
０１以上の荷重の全ての場合に大きな内層面構クラック
が判明した。これに対比して、多量にイオンを植え込ん
だ試験片（ダ〜ｚ ｘ ／ ＯＮｍ ’−以上の線量）
にいかなるブレークアウトも示さなかった。また、非常
に小さな内層面構破損およびある堆積が圧痕の胸囲で眼
に見える↓うになった。
たって変化したということであった。ゼ關お工び低い線
量（約３〜４Ｉｘ ／ ０ ”ｒｖｍ＋／ａ１未満）に
よる試験片の圧痕けこの材料に通常伴なっタタイプノ４
ノテあツタ、押退は量（ｄｌｓｐｌａｃｓｎｍｎｔｉ）
は半径方向に向けられたがどんな表面堆積（ｐｉｌｅ−
ａｐｌも観察されなかった。横破損ブレークアウ） （
ｂｒｅａｋｏｕｔ） ｒｉ普通であり、ノルマルスキー
（Ｎｏｒｍａｒｓｋｌ ｌ干渉顕微鏡検査に工り約１０
０１以上の荷重の全ての場合に大きな内層面構クラック
が判明した。これに対比して、多量にイオンを植え込ん
だ試験片（ダ〜ｚ ｘ ／ ＯＮｍ ’−以上の線量）
にいかなるブレークアウトも示さなかった。また、非常
に小さな内層面構破損およびある堆積が圧痕の胸囲で眼
に見える↓うになった。
炭化ケイ歯肉の圧痕の下の横方向かつ半径方向のクラッ
ク構造の形１ｍをさらに光分Ｋ［ｉｌｌべるために、圧
痕のついた試験片を平面の半径方向のクラックに沿って
切シ開いた。圧痕は、半径方向のクラックが好ましい臂
開面〔すなわち、ＳＩＣのｉｌｌＥｏ）：ｌＫ沿って形
成するように整列していた０次いで、切り開いた試験片
の各半分を、光学お工び走査電子ｌｉ微鏡（ＳＥＭ）検
査のためのＳＥＭｘタブ（５ｔｕｂ）上に取付けた。
ク構造の形１ｍをさらに光分Ｋ［ｉｌｌべるために、圧
痕のついた試験片を平面の半径方向のクラックに沿って
切シ開いた。圧痕は、半径方向のクラックが好ましい臂
開面〔すなわち、ＳＩＣのｉｌｌＥｏ）：ｌＫ沿って形
成するように整列していた０次いで、切り開いた試験片
の各半分を、光学お工び走査電子ｌｉ微鏡（ＳＥＭ）検
査のためのＳＥＭｘタブ（５ｔｕｂ）上に取付けた。
イオンを植え込まなかった試験片に、圧痕境界を超えて
充分砥びておりかつ試験片表面の方へと上に延びている
横方向クラックを示し、一方、多量にイオンを植え込ん
だ試験片（Ａ Ｘ ／ ０ ”’１”／ｊ）の場合、圧
痕を超えてかなシ砥びていない横方向の短いクラックの
いくつかの階は眼に見えるものであり、下方クラックは
試験片中へと下方に延びていた。圧子（ｌｎｄ＠ｎｔｅ
ｒ）チップエり下のイオンを植え込んだ試験片とイオン
を植え込首なかった試験片との両方におけるひどく変形
した帝緘は眼に見えたが、これらは多量にイオンを植え
込んだ試験片の場合（０浅くかつＬ５鋭く醜足されたよ
うに見えた。イオンを植え込んだ試験片の場合、圧痕の
端部の周囲に塑性堆積物が眼に見えたが、イオンを植え
込まなかった試験片上にはなかった。
充分砥びておりかつ試験片表面の方へと上に延びている
横方向クラックを示し、一方、多量にイオンを植え込ん
だ試験片（Ａ Ｘ ／ ０ ”’１”／ｊ）の場合、圧
痕を超えてかなシ砥びていない横方向の短いクラックの
いくつかの階は眼に見えるものであり、下方クラックは
試験片中へと下方に延びていた。圧子（ｌｎｄ＠ｎｔｅ
ｒ）チップエり下のイオンを植え込んだ試験片とイオン
を植え込首なかった試験片との両方におけるひどく変形
した帝緘は眼に見えたが、これらは多量にイオンを植え
込んだ試験片の場合（０浅くかつＬ５鋭く醜足されたよ
うに見えた。イオンを植え込んだ試験片の場合、圧痕の
端部の周囲に塑性堆積物が眼に見えたが、イオンを植え
込まなかった試験片上にはなかった。
単結晶炭化ケイ素のイオンを植え込んだ試験片およびイ
オンを植え込まなかった試験片について、単一パスの一
点ダイヤモンドコーン摩滅試験の形の摩滅試験を行なっ
た。試験は１ｏ−ｓｏｙの荷重で行なわれ、イオンを植
え込んだ試験片に６×ＩＯ１″Ｎｓ＋／−の線量で植え
込まれていた。全ての荷重において、イオンを植え込ま
なかつえ試験片上の軌道に、わずかに眼に見える中央の
塑性の溝とと４に、多量の横方向破損を示した。イオン
の植え込まれた試験片は趣も高い荷重以外の全てにおい
て巣−の塑性の溝を示し、高い荷重においてさえ破損は
非常に減少した。溝の輪郭の立体顕微鏡写真を＊察する
と、イオンの植え込まれた試験片内の溝の端部にお妙る
塑性堆積がわかる。
オンを植え込まなかった試験片について、単一パスの一
点ダイヤモンドコーン摩滅試験の形の摩滅試験を行なっ
た。試験は１ｏ−ｓｏｙの荷重で行なわれ、イオンを植
え込んだ試験片に６×ＩＯ１″Ｎｓ＋／−の線量で植え
込まれていた。全ての荷重において、イオンを植え込ま
なかつえ試験片上の軌道に、わずかに眼に見える中央の
塑性の溝とと４に、多量の横方向破損を示した。イオン
の植え込まれた試験片は趣も高い荷重以外の全てにおい
て巣−の塑性の溝を示し、高い荷重においてさえ破損は
非常に減少した。溝の輪郭の立体顕微鏡写真を＊察する
と、イオンの植え込まれた試験片内の溝の端部にお妙る
塑性堆積がわかる。
透過配電子検鏡法により、上記のイオンの植え込まれた
かつ引っ掻かれた試験片が炭化ケイ素からｌ（立方）相
への相賢ｗＡを示すことが示された。
かつ引っ掻かれた試験片が炭化ケイ素からｌ（立方）相
への相賢ｗＡを示すことが示された。
この相変態がイオンの植え込与単独でまたは変形Ｃ引掻
き）単独でまたは植え込み次いで変形（引掻き）の組み
合わさった作用ＫＬつて生じるのかどうかはつきゃして
いなかった。しかしながら、恐らくは發者の作用によっ
て生じる本のと思われる。なぜならば、音素不純物はβ
相を安定化することが示されていたがイオン植え込み法
自体ｒｉｔ態のために光分なエネルギーを尋人する見込
みがないように思えるからである。イー、オンの植え込
まれなかった炭化ケイ素における一点摩誠軌遭について
の仕事は材料基体におけるいかなる相変態をも示さなか
ったが、破片が相への変Ｉｌｌを経たというある証拠が
見出された。
き）単独でまたは植え込み次いで変形（引掻き）の組み
合わさった作用ＫＬつて生じるのかどうかはつきゃして
いなかった。しかしながら、恐らくは發者の作用によっ
て生じる本のと思われる。なぜならば、音素不純物はβ
相を安定化することが示されていたがイオン植え込み法
自体ｒｉｔ態のために光分なエネルギーを尋人する見込
みがないように思えるからである。イー、オンの植え込
まれなかった炭化ケイ素における一点摩誠軌遭について
の仕事は材料基体におけるいかなる相変態をも示さなか
ったが、破片が相への変Ｉｌｌを経たというある証拠が
見出された。
炭化ケイ素、炭化コバルト、炭化タングステン／フッ化
コバルト、フッ化リチウムお工び多数のガラスを含む他
の物質へ窒素イオン′ｋＭえ込む効果を調べた。ケイ素
の場合、意義ある表面軟化効果が観察され、コバルトの
場合、Ｌす少ない効果が観察されたが、他の材料の場合
いかなる意義の８る効果も観察されなかった。これらの
結果を以下の表Ｋまとめる。こ＼では、イオンの植え込
まれなかった試験片とイオンの植え込まれ九試験片Ｃ窒
素イオン約ダｘ／（７”／ａｊ）とについて、メイアー
イ７ ｆ ７クス（Ｍｅｙｅｒ Ｉｎｄｅｘ ） （ｍ
）および７０声ｍ硬度におけるビッカース硬度を比較し
た。
コバルト、フッ化リチウムお工び多数のガラスを含む他
の物質へ窒素イオン′ｋＭえ込む効果を調べた。ケイ素
の場合、意義ある表面軟化効果が観察され、コバルトの
場合、Ｌす少ない効果が観察されたが、他の材料の場合
いかなる意義の８る効果も観察されなかった。これらの
結果を以下の表Ｋまとめる。こ＼では、イオンの植え込
まれなかった試験片とイオンの植え込まれ九試験片Ｃ窒
素イオン約ダｘ／（７”／ａｊ）とについて、メイアー
イ７ ｆ ７クス（Ｍｅｙｅｒ Ｉｎｄｅｘ ） （ｍ
）および７０声ｍ硬度におけるビッカース硬度を比較し
た。
上記メイアーインデックス（而は、Ｌ＝ｒ−ａｄ” で
定義され、こ＼でＬｒｉ荷重であり、ａｒｉ定数であり
、ｄは圧痕対角線の長さである圧痕寸法の測定値である
。
定義され、こ＼でＬｒｉ荷重であり、ａｒｉ定数であり
、ｄは圧痕対角線の長さである圧痕寸法の測定値である
。
かくして、炭化ケイ素の場合の効果がきわめて明確に示
され、この効果は、バイエルス（Ｐｅ１ｅｒｌ’ｓ）応
力の低下、表面応力の変化、相変化、８素の電子効果お
よび／またに無定形化によるかもしれない。六方相から
立方相への相変態お工び／ｌｆＣは１子効果が制御して
いるように思われるが、身回応力もまた役割を果たして
いるだろう。
され、この効果は、バイエルス（Ｐｅ１ｅｒｌ’ｓ）応
力の低下、表面応力の変化、相変化、８素の電子効果お
よび／またに無定形化によるかもしれない。六方相から
立方相への相変態お工び／ｌｆＣは１子効果が制御して
いるように思われるが、身回応力もまた役割を果たして
いるだろう。
ケイ素試料の場合、ダイヤモンドダリット摩滅試１Ｍに
かけた後のイオベ湘え込まれた試験片は、無定形物質全
体にある溝工す下ではいかなる変形をも少しも示さなか
った。イオンの植え込みに１って導かれた表向圧縮応力
に、横方向破損を抑圧する際のケイ系における制御因子
であることがａＪ馳である。植え込まれた窒素の電子効
果は塑性変化を制御することが可能である。
かけた後のイオベ湘え込まれた試験片は、無定形物質全
体にある溝工す下ではいかなる変形をも少しも示さなか
った。イオンの植え込みに１って導かれた表向圧縮応力
に、横方向破損を抑圧する際のケイ系における制御因子
であることがａＪ馳である。植え込まれた窒素の電子効
果は塑性変化を制御することが可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ａ ｍ化ケイ素の表面の機械的性質の改質法であっ
て、窒素のイオンを表面へ植え込む操作を含んでいるこ
とからなる改質法。 （２） イオン線量おＬびエネルギーが、塑性の増大し
た材料の鳩を形成せしめるようなものである、特許請求
の範囲第（ハ項記載の方法。 （Ｊ 炭化ケイ素が反応に工り結合した多結晶質の炭化
ケイ素の形である、特許請求の範囲第（ハまたは（コ頂
に記載の方法。 園） 特許請求の範囲第ｆハル１．フ１項のいずれか７
項記載の方法に１って改質された機械的性質の表面を為
する炭化ケイ素加工品。 （１）反応に工り結合した多結晶質の炭化ケイ素から遣
られた、％ＦＦｎ求の範囲第（ダ）項記載の炭化ケイ素
加工品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB19281 | 1981-06-23 | ||
| GB8119281 | 1981-06-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582279A true JPS582279A (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=10522736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10751582A Pending JPS582279A (ja) | 1981-06-23 | 1982-06-22 | 炭化ケイ素の機械的性質の改質法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582279A (ja) |
| DE (1) | DE3223227A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109019A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPS60239378A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-28 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツクスの強化方法 |
| JPS6172697A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-14 | 株式会社豊田中央研究所 | ジルコニアの強化方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51100978A (en) * | 1975-03-04 | 1976-09-06 | Suwa Seikosha Kk | Kisekino seizohoho |
-
1982
- 1982-06-22 DE DE19823223227 patent/DE3223227A1/de not_active Withdrawn
- 1982-06-22 JP JP10751582A patent/JPS582279A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51100978A (en) * | 1975-03-04 | 1976-09-06 | Suwa Seikosha Kk | Kisekino seizohoho |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109019A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPS60239378A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-28 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツクスの強化方法 |
| JPS6172697A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-14 | 株式会社豊田中央研究所 | ジルコニアの強化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3223227A1 (de) | 1983-01-20 |
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