JPS5822845A - 太陽熱吸収体 - Google Patents
太陽熱吸収体Info
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- JPS5822845A JPS5822845A JP56120859A JP12085981A JPS5822845A JP S5822845 A JPS5822845 A JP S5822845A JP 56120859 A JP56120859 A JP 56120859A JP 12085981 A JP12085981 A JP 12085981A JP S5822845 A JPS5822845 A JP S5822845A
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- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 104
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 54
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 30
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 claims description 24
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 41
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 abstract description 4
- 238000005554 pickling Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 9
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M sodium chlorite Chemical compound [Na+].[O-]Cl=O UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960002218 sodium chlorite Drugs 0.000 description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- KYARBIJYVGJZLB-UHFFFAOYSA-N 7-amino-4-hydroxy-2-naphthalenesulfonic acid Chemical compound OC1=CC(S(O)(=O)=O)=CC2=CC(N)=CC=C21 KYARBIJYVGJZLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000002999 depolarising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/25—Coatings made of metallic material
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、太陽熱温水器などに使用される太陽熱吸収
体に関するものである。
体に関するものである。
太陽熱吸収体としては、金属てつくられた基材の表面に
、太陽光の可視域での吸収率が高く、しかも赤外領域で
の放射率が低いような選択吸収膜を形成したものが知ら
れている。このような１選択吸収膜として、黒色クロム
系奢よび酸化銅系の各選択吸収膜忽よびステンレス鋼の
表面に酸化処理を施して得られる選択吸収膜があるが、
これら従来の選択吸収膜のうち黒色クロム系の選択吸収
膜は経済性に間融があり、酸化銅系の選択吸収膜は耐熱
性右よび耐蝕性に難点があり、さらにステンレス系の選
択吸収膜は、熱伝導性や加工性の面で問題があるなど、
いずれも実用上の大きな欠点をもっていた。
、太陽光の可視域での吸収率が高く、しかも赤外領域で
の放射率が低いような選択吸収膜を形成したものが知ら
れている。このような１選択吸収膜として、黒色クロム
系奢よび酸化銅系の各選択吸収膜忽よびステンレス鋼の
表面に酸化処理を施して得られる選択吸収膜があるが、
これら従来の選択吸収膜のうち黒色クロム系の選択吸収
膜は経済性に間融があり、酸化銅系の選択吸収膜は耐熱
性右よび耐蝕性に難点があり、さらにステンレス系の選
択吸収膜は、熱伝導性や加工性の面で問題があるなど、
いずれも実用上の大きな欠点をもっていた。
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、耐久性くす
ぐれ、黒色クロム系に較べて製造コストの安い選択吸収
膜をそなえた太陽熱吸収体を提供することを目的として
いる。これについて以下に説明する。
ぐれ、黒色クロム系に較べて製造コストの安い選択吸収
膜をそなえた太陽熱吸収体を提供することを目的として
いる。これについて以下に説明する。
この発明Ｋかかる太陽熱吸収体は、基材上に、結晶形が
粒状のニッケル膜からなる下地金属層が形成され、この
下地金属層の上に酸化銅の選択吸収膜が形成されてなる
ことを特徴としている。このような粒状の結晶粒子て構
成されるニッケル膜は太陽光に対する選択吸収特性をそ
なえているが、これは、このニッケル膜の表面で可視域
および近赤外域の太陽光が多重反射を起こし、吸収され
やすくなるためであると考えられる。粒状を呈する結晶
粒子の形状は第１図から第３図までに示すようなもので
あり、個々の結晶粒子が比較的丸みを帯びた形状をそな
えている。ニッケルの結晶粒子にはこのような粒状の結
晶のほか、細長い繊維状の結晶や、鋭い端部をそなえた
葉片状の結晶があるが、これら繊維状ないし葉片状の結
晶をそなえたニッケル膜を下地金属層として使用した場
合は、粒状の結晶をそなえたものに較べて熱放射率（−
）が０．０２〜Ｑ、０３程度高くなるので好ましくない
。選択吸収膜として働くニッケル膜は、微視的には１枚
の連続した膜ではなく、上記結晶粒子が膜状に群生した
ものである。もつとも単純な形をとった場合の様子を模
式的にあられせば、第４図のよう区なる。結晶粒子２′
の平均粒径は１１〜１ミクロン（ｊｍ）の範Ｉｎあるの
が好ましく、結晶粒子の平均間隔（第４図のＩであられ
すように、隣接する結晶粒子を互いに隔てている平均距
離のこと）は０．１〜０．４ミクロンの範囲にあるのが
好ましい。
粒状のニッケル膜からなる下地金属層が形成され、この
下地金属層の上に酸化銅の選択吸収膜が形成されてなる
ことを特徴としている。このような粒状の結晶粒子て構
成されるニッケル膜は太陽光に対する選択吸収特性をそ
なえているが、これは、このニッケル膜の表面で可視域
および近赤外域の太陽光が多重反射を起こし、吸収され
やすくなるためであると考えられる。粒状を呈する結晶
粒子の形状は第１図から第３図までに示すようなもので
あり、個々の結晶粒子が比較的丸みを帯びた形状をそな
えている。ニッケルの結晶粒子にはこのような粒状の結
晶のほか、細長い繊維状の結晶や、鋭い端部をそなえた
葉片状の結晶があるが、これら繊維状ないし葉片状の結
晶をそなえたニッケル膜を下地金属層として使用した場
合は、粒状の結晶をそなえたものに較べて熱放射率（−
）が０．０２〜Ｑ、０３程度高くなるので好ましくない
。選択吸収膜として働くニッケル膜は、微視的には１枚
の連続した膜ではなく、上記結晶粒子が膜状に群生した
ものである。もつとも単純な形をとった場合の様子を模
式的にあられせば、第４図のよう区なる。結晶粒子２′
の平均粒径は１１〜１ミクロン（ｊｍ）の範Ｉｎあるの
が好ましく、結晶粒子の平均間隔（第４図のＩであられ
すように、隣接する結晶粒子を互いに隔てている平均距
離のこと）は０．１〜０．４ミクロンの範囲にあるのが
好ましい。
このようなニッケル膜は、可視光＄よび近赤外光に対し
ては膜面で多重反射を起こさせるが、波長１５ミクロン
以上の赤外光に対しては平面として働くものと思われ、
赤外光をよく反射し、したがって放射率が小さい、第３
図は結晶粒子の平均間隔が１４ミクロンより大きい例を
あられすが、このような結晶をそなえたニッケル膜を下
地金属層として使用した場合は、近赤外域ての吸収率が
少し低下するため、選択吸収特性が少し悪くなる傾向が
ある。な＃、上記ニッケル膜は、表面酸化による微量の
酸化物など少量の不純物を含んでいてもよい。
ては膜面で多重反射を起こさせるが、波長１５ミクロン
以上の赤外光に対しては平面として働くものと思われ、
赤外光をよく反射し、したがって放射率が小さい、第３
図は結晶粒子の平均間隔が１４ミクロンより大きい例を
あられすが、このような結晶をそなえたニッケル膜を下
地金属層として使用した場合は、近赤外域ての吸収率が
少し低下するため、選択吸収特性が少し悪くなる傾向が
ある。な＃、上記ニッケル膜は、表面酸化による微量の
酸化物など少量の不純物を含んでいてもよい。
つぎに、このようなニッケル膜は、例えば電解メッキ法
、無電解メッキ法、真空蒸着法、スパッタリング法など
種々の方法で形成することができる。この場合、ニッケ
ル膜の形成はきわめて容易であり、形成されたニッケル
膜は耐久性にすぐれている。
、無電解メッキ法、真空蒸着法、スパッタリング法など
種々の方法で形成することができる。この場合、ニッケ
ル膜の形成はきわめて容易であり、形成されたニッケル
膜は耐久性にすぐれている。
基材としては鉄板、鋼板、銅板など種々の金属材料を用
いることかで舎る。鉄板または銅板からなる基材の表面
にニッケルメッキ処理を行なう場合は、一般に脱脂（必
要な場合は電解脱脂）、酸洗などの前処理を施して右く
必要がある。基材としてステンレス鋼板を用い、これに
上記ニッケルメッキを施す場合は、例えば次のような含
入すな前処理が必要であるのが普通である。すなわち、
通常の薬品による脱脂詔よび電解脱脂を行なったのち、
５〜３０％硫酸を用いて離極電解による活性化処理を施
し、ついで次の条件によりニッケルのストライクメッキ
を施すのである。
いることかで舎る。鉄板または銅板からなる基材の表面
にニッケルメッキ処理を行なう場合は、一般に脱脂（必
要な場合は電解脱脂）、酸洗などの前処理を施して右く
必要がある。基材としてステンレス鋼板を用い、これに
上記ニッケルメッキを施す場合は、例えば次のような含
入すな前処理が必要であるのが普通である。すなわち、
通常の薬品による脱脂詔よび電解脱脂を行なったのち、
５〜３０％硫酸を用いて離極電解による活性化処理を施
し、ついで次の条件によりニッケルのストライクメッキ
を施すのである。
（処理液組成） 塩化ニッケル ５０〜３００ｆ／Ｖ塩
酸 ５０〜２００ｆ／１（処理条件）
液 温；室温 電流密度： ５〜１６ Ａ／ ｄｍｊ 処理峙間：０．５〜５分間 このように、必要な前Ｊｌｌ！Ｌｌｌを施した基材１に
ニッケルメッキを施せば、基材表面に灰色ないし薄黄灰
色を帯びたニッケルメッキ層が形成される。その際、ニ
ッケルメッキ層の厚みが０．１〜３ミクロン（−）とな
るように、前記の範囲内てメッキ処理条件を選ぶようＫ
するのが好ましい、な彰、ニッケルメッキ膜は、前述の
ように結晶の群生したものからなるため、実際には複雑
な凹凸、微細構造をもっている。したがって、上に述べ
た膜厚は、これらの凹凸をならし、空隙もないという状
態に換算しての数値であられされている。一般には、メ
ッキ厚の測定法（準じて測定される。
酸 ５０〜２００ｆ／１（処理条件）
液 温；室温 電流密度： ５〜１６ Ａ／ ｄｍｊ 処理峙間：０．５〜５分間 このように、必要な前Ｊｌｌ！Ｌｌｌを施した基材１に
ニッケルメッキを施せば、基材表面に灰色ないし薄黄灰
色を帯びたニッケルメッキ層が形成される。その際、ニ
ッケルメッキ層の厚みが０．１〜３ミクロン（−）とな
るように、前記の範囲内てメッキ処理条件を選ぶようＫ
するのが好ましい、な彰、ニッケルメッキ膜は、前述の
ように結晶の群生したものからなるため、実際には複雑
な凹凸、微細構造をもっている。したがって、上に述べ
た膜厚は、これらの凹凸をならし、空隙もないという状
態に換算しての数値であられされている。一般には、メ
ッキ厚の測定法（準じて測定される。
このようにして形成されるニッケル膜の上に酸化鋼の選
択吸収膜を形成するととｋより、選択吸収特性にすぐれ
た実用性の高い太陽熱吸収体を得ることかてきる。すな
わち、酸化銅系の選択吸収膜をそなえた太陽熱吸収体は
、一般に選択吸収特性にすぐれているものの、耐熱性や
耐蝕性に乏しく、喪期間の使用により次第に劣化すると
いう欠点があったが、上記ニッケル膜からなる下地金属
層の上に仁の酸化銅からなる選択吸収膜を形成すれば、
下地金属層が熱的・化学的に安定であるため耐久性が一
段と向上するのである。このような酸化鋼からなる選択
吸収膜は、例えばニッケル膜の上にメッキ法などで銅の
薄膜層を形成したのち、これに化成処理による酸化部層
を施す方法などによって形成される。この場合、上記ニ
ッケル膜はその上に形成される酸化銅の選択吸収膜に対
する密着性がきわめて良好て、仁の酸化銅層をしっかり
と保持する作用をも有する。これは、上記ニッケル膜が
微視的に見てきわめて微細な凹凸面をそなえているため
、この凹凸部と酸化銅の結晶とが複雑に絡み合って互い
の結合が強固になるものと考えられる。このような下地
金属層としてのニッケル膜の膜厚は、ａ、１〜Ｓミクロ
ンとするのが好ましい、０．１ｔクロンより薄くすると
、上に形成される酸化銅層の密着性が低下する傾向がみ
られ、３ｔクロンよりも厚くすると熱放射率が増大して
選択吸収特性が低下する傾向があるからである。
択吸収膜を形成するととｋより、選択吸収特性にすぐれ
た実用性の高い太陽熱吸収体を得ることかてきる。すな
わち、酸化銅系の選択吸収膜をそなえた太陽熱吸収体は
、一般に選択吸収特性にすぐれているものの、耐熱性や
耐蝕性に乏しく、喪期間の使用により次第に劣化すると
いう欠点があったが、上記ニッケル膜からなる下地金属
層の上に仁の酸化銅からなる選択吸収膜を形成すれば、
下地金属層が熱的・化学的に安定であるため耐久性が一
段と向上するのである。このような酸化鋼からなる選択
吸収膜は、例えばニッケル膜の上にメッキ法などで銅の
薄膜層を形成したのち、これに化成処理による酸化部層
を施す方法などによって形成される。この場合、上記ニ
ッケル膜はその上に形成される酸化銅の選択吸収膜に対
する密着性がきわめて良好て、仁の酸化銅層をしっかり
と保持する作用をも有する。これは、上記ニッケル膜が
微視的に見てきわめて微細な凹凸面をそなえているため
、この凹凸部と酸化銅の結晶とが複雑に絡み合って互い
の結合が強固になるものと考えられる。このような下地
金属層としてのニッケル膜の膜厚は、ａ、１〜Ｓミクロ
ンとするのが好ましい、０．１ｔクロンより薄くすると
、上に形成される酸化銅層の密着性が低下する傾向がみ
られ、３ｔクロンよりも厚くすると熱放射率が増大して
選択吸収特性が低下する傾向があるからである。
また、選択吸収膜としての酸化銅の組成は、そのほぼ全
部が酸化第２銅（Ｃ１１０）であることが望ましい。ま
た、結晶形が葉片状ないし繊維状になっていることが望
ましい、上記酸化銅からなる選択吸収膜の厚みはａ、０
５〜Ｑ、Ｓミクロンとするのが好ましく、０．０６〜０
．２ミクロンとするのがさらに好ましい、この膜厚−ｂ
ｉａ、ｏｓミクロンより薄い場合は、可視域ての吸収率
が低くなり、逆にＯ，Ｓミクロンより厚い場合は熱放射
が大きくなるので、いずれの場合もあまり好ましくない
からである。また、結晶形が葉片状ないし繊維状である
場合の結晶は、そのもつとも長い方向の平均長さすなわ
ち長径方向の平均長さが０．６〜２．．０ミクロンとな
ることが好ましい。この長さが収６ミクロンを下まわる
と選択吸収特性が低下する傾向がみられるからである。
部が酸化第２銅（Ｃ１１０）であることが望ましい。ま
た、結晶形が葉片状ないし繊維状になっていることが望
ましい、上記酸化銅からなる選択吸収膜の厚みはａ、０
５〜Ｑ、Ｓミクロンとするのが好ましく、０．０６〜０
．２ミクロンとするのがさらに好ましい、この膜厚−ｂ
ｉａ、ｏｓミクロンより薄い場合は、可視域ての吸収率
が低くなり、逆にＯ，Ｓミクロンより厚い場合は熱放射
が大きくなるので、いずれの場合もあまり好ましくない
からである。また、結晶形が葉片状ないし繊維状である
場合の結晶は、そのもつとも長い方向の平均長さすなわ
ち長径方向の平均長さが０．６〜２．．０ミクロンとな
ることが好ましい。この長さが収６ミクロンを下まわる
と選択吸収特性が低下する傾向がみられるからである。
第５図は、ＣのようＫして得られる太陽熱吸収体の構造
の模式図であり、鉄板、ステンレス鋼板。
の模式図であり、鉄板、ステンレス鋼板。
銅板などてつくられる基材ｌの表面にニッケル膜からな
る下地金属層２が形成され、その上に酸化銅からなる選
択吸収膜３が形成されている。下地金属層２となるニッ
ケル膜は、前述したように表面に微細な凹凸をそなえて
奢り、それ自身が１種の選択吸収膜として働くものであ
るから、酸化銅の選択吸収膜と重ね合わせた場合にきわ
めて良好な選択吸収特性が得られるのである。第６図は
この様子をあられすグラフであり、Ａは前記粒状の結晶
を有するニッケル膜を下地金属層として用い、その上に
酸化第２銅（Ｃｗｔ）からなる選択吸収膜を形成したも
のの特性をあられし、Ｌは下地金属層として平滑なニッ
ケル膜を設け、その上に同様なＧθからなる選択吸収膜
を形成したものの特性をあられす、同図かられかる通り
、粒状のニッケル膜を下地金属層として用いたものは、
特に近赤外領域（波長（Ｌ７〜２．５ｊｌｌｌ）＄Ｃ怠
ける吸収率が高くなっている。これは、表層の酸化第２
銅層だけでは吸収されない光を下地層が多重反射により
吸収するためであると考えられる。従来、酸化銅系の選
択吸収膜は黒色クロム系の選択吸収膜に較べて、価格画
では優位にあるが、選択吸収特性において゛は劣ってい
た。しかしながら、上記のように、酸化銅系の選択吸収
膜を粒状のニッケル膜の上に形成することにより、黒色
クロム系の選択吸収膜と同等以上の性能を有する選択吸
収膜を比較的安価に得ることが可能となるのである。こ
の場合、下地層も選択吸収膜として働くので、必要な場
合はＣｗｔ膜の膜厚を、選択吸収膜が酸化銅層のみから
なる場合のＣｗｔ膜の厚みよりも薄くすることも可能で
ある。
る下地金属層２が形成され、その上に酸化銅からなる選
択吸収膜３が形成されている。下地金属層２となるニッ
ケル膜は、前述したように表面に微細な凹凸をそなえて
奢り、それ自身が１種の選択吸収膜として働くものであ
るから、酸化銅の選択吸収膜と重ね合わせた場合にきわ
めて良好な選択吸収特性が得られるのである。第６図は
この様子をあられすグラフであり、Ａは前記粒状の結晶
を有するニッケル膜を下地金属層として用い、その上に
酸化第２銅（Ｃｗｔ）からなる選択吸収膜を形成したも
のの特性をあられし、Ｌは下地金属層として平滑なニッ
ケル膜を設け、その上に同様なＧθからなる選択吸収膜
を形成したものの特性をあられす、同図かられかる通り
、粒状のニッケル膜を下地金属層として用いたものは、
特に近赤外領域（波長（Ｌ７〜２．５ｊｌｌｌ）＄Ｃ怠
ける吸収率が高くなっている。これは、表層の酸化第２
銅層だけでは吸収されない光を下地層が多重反射により
吸収するためであると考えられる。従来、酸化銅系の選
択吸収膜は黒色クロム系の選択吸収膜に較べて、価格画
では優位にあるが、選択吸収特性において゛は劣ってい
た。しかしながら、上記のように、酸化銅系の選択吸収
膜を粒状のニッケル膜の上に形成することにより、黒色
クロム系の選択吸収膜と同等以上の性能を有する選択吸
収膜を比較的安価に得ることが可能となるのである。こ
の場合、下地層も選択吸収膜として働くので、必要な場
合はＣｗｔ膜の膜厚を、選択吸収膜が酸化銅層のみから
なる場合のＣｗｔ膜の厚みよりも薄くすることも可能で
ある。
つぎに、この発明の実施倒壊よび比較例について説明す
る。
る。
〔実施例１〕
厚み０．５ＩＩｕａの銅板を基材として用い、これにア
ルカリ脱脂および２％−ＨＣｌ ｌこよる酸洗を施した
後、塩化ニッケル４００１／Ｉ 、ホウ酸４５ ｆ／１
からなるメッキ液を用い、液温５５℃、電流密度２Ａ／
ｄｍｌ 、 メッキ時間３分間の条件でニッケルメツキ
を行なった。なお、メッキ処理中はメッキ液の攪拌を充
分に行なった。得られたニッケル膜の膜厚は約１μであ
った。乙れを電子顕微鏡（７，６００倍）で観察したと
ころ第１図に示すような粒状の結晶が生成していること
が確認された。
ルカリ脱脂および２％−ＨＣｌ ｌこよる酸洗を施した
後、塩化ニッケル４００１／Ｉ 、ホウ酸４５ ｆ／１
からなるメッキ液を用い、液温５５℃、電流密度２Ａ／
ｄｍｌ 、 メッキ時間３分間の条件でニッケルメツキ
を行なった。なお、メッキ処理中はメッキ液の攪拌を充
分に行なった。得られたニッケル膜の膜厚は約１μであ
った。乙れを電子顕微鏡（７，６００倍）で観察したと
ころ第１図に示すような粒状の結晶が生成していること
が確認された。
このニッケルメッキ終了後、さらに硫酸銅系のメッキ液
を用いて銅をＯ，ｌ＃ｌＩの厚みにメッキした。つぎに
、この銅メッキ層を酸化するため、亜塩素酸ソーダ４５
１／ｌ 、苛性ソーダ１０１／Ｉからなる化成処理液を
用い、液温９０℃で５分間の酸化処理を施して、繊維状
の黒色結晶からなる酸化第２銅の選択吸収膜を形成した
。得られた酸化第２銅の厚みは約０．０８霞、結晶の長
径方向平均長さはＬ５．＃ｌ！ａであった。
を用いて銅をＯ，ｌ＃ｌＩの厚みにメッキした。つぎに
、この銅メッキ層を酸化するため、亜塩素酸ソーダ４５
１／ｌ 、苛性ソーダ１０１／Ｉからなる化成処理液を
用い、液温９０℃で５分間の酸化処理を施して、繊維状
の黒色結晶からなる酸化第２銅の選択吸収膜を形成した
。得られた酸化第２銅の厚みは約０．０８霞、結晶の長
径方向平均長さはＬ５．＃ｌ！ａであった。
このようＫして得られた太陽熱吸収体の特性は、吸収率
に）がＯ，ＳＳ、放射率＜ｓ＞が叡１１であった。
に）がＯ，ＳＳ、放射率＜ｓ＞が叡１１であった。
〔実施例２〕
厚み１１１のステンレス鋼板（ＳＵＳ３１８） ヲ基材
として用い、これにアルカリ脱脂および電解脱脂を施し
たのち、２％硫酸を用い、室温において電流密度Ｉ Ｑ
Ａ、／ｂａ！で１分間の陰極電解による活性化部層を
行なった。つぎに、塩化ニッケル２５０ｆ／ｌ 、塩酸
５０ 崎／ｌかうなるメッキ液を用い、電ＩＥＷＩ変Ｉ
Ｑ Ａ／ ｄ１ｍ！ 、液１ｉ２０〜２５℃、／”／
４時間２分の条件で１次のニッケルメッキを行ない基材
の表面に１次のニッケル膜を形成した。このメッキ層の
上に引き続き、塩化ニッケル３５０ｆ／ｌ。
として用い、これにアルカリ脱脂および電解脱脂を施し
たのち、２％硫酸を用い、室温において電流密度Ｉ Ｑ
Ａ、／ｂａ！で１分間の陰極電解による活性化部層を
行なった。つぎに、塩化ニッケル２５０ｆ／ｌ 、塩酸
５０ 崎／ｌかうなるメッキ液を用い、電ＩＥＷＩ変Ｉ
Ｑ Ａ／ ｄ１ｍ！ 、液１ｉ２０〜２５℃、／”／
４時間２分の条件で１次のニッケルメッキを行ない基材
の表面に１次のニッケル膜を形成した。このメッキ層の
上に引き続き、塩化ニッケル３５０ｆ／ｌ。
ホウ酸６０１／ｌからなるメッキ液を用いて、電流密度
Ｉ Ａ／ ｄｘｘｈｔ 、液温８５℃、メッキ時間８分
の条件で２次のニッケルメッキを施した。上記１次のニ
ッケルメッキは、ステンレス鋼に対する密着性を向上さ
せるためのものであり、２次のニッケルメッキは前記粒
状の結晶からなるニッケル膜を形成するためのものであ
る。得られた粒状ニッケル膜の膜厚は１．５／園で表面
の微細構造は第２図に示すようなものである。
Ｉ Ａ／ ｄｘｘｈｔ 、液温８５℃、メッキ時間８分
の条件で２次のニッケルメッキを施した。上記１次のニ
ッケルメッキは、ステンレス鋼に対する密着性を向上さ
せるためのものであり、２次のニッケルメッキは前記粒
状の結晶からなるニッケル膜を形成するためのものであ
る。得られた粒状ニッケル膜の膜厚は１．５／園で表面
の微細構造は第２図に示すようなものである。
つぎに、このニッケル膜の上に硫酸銅メッキ液を用いて
銅メッキ（銅層の厚み４０８ｍ）を施した。
銅メッキ（銅層の厚み４０８ｍ）を施した。
これに前記実施例１で使用した化成処理液を用いて酸化
処理を施し、厚み（ＬＯ７１Ｂ？結晶の長径方向平均長
さ１．４−の酸化第２銅被膜を形成した。
処理を施し、厚み（ＬＯ７１Ｂ？結晶の長径方向平均長
さ１．４−の酸化第２銅被膜を形成した。
このようにして得られた太陽熱吸収体の吸収率（ｃ４は
Ｑ、９６．放射率（−）は０．１２であった。
Ｑ、９６．放射率（−）は０．１２であった。
〔実施例３〕
厚み０．３ ｍｍのステンレス鋼板（ＳＵＳ ３０４）
を基材として用い、これにアルカリ脱脂、電解脱脂、＄
よび５％硫酸を用いた陰極電解による活性化を順に施し
、つぎに下記の条件でステンレス鋼用のニッケルストラ
イクメッキを施した。
を基材として用い、これにアルカリ脱脂、電解脱脂、＄
よび５％硫酸を用いた陰極電解による活性化を順に施し
、つぎに下記の条件でステンレス鋼用のニッケルストラ
イクメッキを施した。
（ストライクメッキ波組成）
塩化ニッケル ２ Ｇ ０ ｆ／１塩酸 １
Ｇ ０ ｆ／１ （処理条件） 温度： ＺＳ”Ｃ 電流密度： ５Ａ／ｄｍ！ 時 間： ３分間 この表面に、塩化ニッケル３５０ｆ＃ 、ホウ酸４０
ｆ／ｌからなるニッケルメッキ液を用い、液温５５℃、
電流密度Ｉ Ａ／ｄｉａ！ 、処理時間１．５分間の条
件でニッケルメッキを施し、厚み約０．３−のニッケル
メッキ層を形成した。
Ｇ ０ ｆ／１ （処理条件） 温度： ＺＳ”Ｃ 電流密度： ５Ａ／ｄｍ！ 時 間： ３分間 この表面に、塩化ニッケル３５０ｆ＃ 、ホウ酸４０
ｆ／ｌからなるニッケルメッキ液を用い、液温５５℃、
電流密度Ｉ Ａ／ｄｉａ！ 、処理時間１．５分間の条
件でニッケルメッキを施し、厚み約０．３−のニッケル
メッキ層を形成した。
このニッケルメッキ層の上に、青托銅メッキ液を用い、
電流密度２Ａ／ｄｍ意、メッキ時間１分間。
電流密度２Ａ／ｄｍ意、メッキ時間１分間。
メッキ温度２５℃の条件で銅メッキを施し、厚み（Ｌ４
ａｌｌの銅メッキ層を形成した。
ａｌｌの銅メッキ層を形成した。
得られた銅メッキ層に苛性ソーダ９０１／１．亜塩素酸
ソーダ９０１７ｇを含む化成処理液を用し１、化成＃＆
覇温度９０℃、処理時間１５分間の条件て酸化Ｊ６ｉｌ
を施し、銅メッキ層を酸化銅層に変えた。
ソーダ９０１７ｇを含む化成処理液を用し１、化成＃＆
覇温度９０℃、処理時間１５分間の条件て酸化Ｊ６ｉｌ
を施し、銅メッキ層を酸化銅層に変えた。
膜厚は＆３−１結晶の長径方向平均長さは０．８μであ
つ九得られた太陽熱吸収体の吸収率（→は０．９５．放
射率（ε）は仮１Ｇであった。
つ九得られた太陽熱吸収体の吸収率（→は０．９５．放
射率（ε）は仮１Ｇであった。
以上の実施例Ｋｔｄいて、光学的特性値の試験方法は次
の通りである。
の通りである。
ここでａ；吸収率（太陽全エネルギーに対する）αλ；
波長λての吸収率 Ｉλ；太陽光の波長λの放射強度 ここでＣ；放射率（黒体放射全エネルギーに対する） Ｓλ７＝８．。；１５０℃の黒体からの波長λの放射強
度 ελ；波長λの放射率（黒体に対する）な琳、赤外分光
光度針で赤外域の反射率ｒλを測定し、Ｃλ＝１−Ｐλ
とした。
波長λての吸収率 Ｉλ；太陽光の波長λの放射強度 ここでＣ；放射率（黒体放射全エネルギーに対する） Ｓλ７＝８．。；１５０℃の黒体からの波長λの放射強
度 ελ；波長λの放射率（黒体に対する）な琳、赤外分光
光度針で赤外域の反射率ｒλを測定し、Ｃλ＝１−Ｐλ
とした。
１１図、第２図および第３図はニッケル膜の結晶形をあ
られす電子顕微鏡写真（Ｘ７，６０Ｇ ） 、第４図は
ニッケル膜の結晶を断面であられした模式図、第５図は
太陽熱吸収体の１例の構造をあられす模式図、および第
６図は光学的特性をあられすグラフである。 １・・・基材 ２・・・下地金属層 ２′・・・ニッケ
ル結晶 ３・・・選択吸収膜 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
られす電子顕微鏡写真（Ｘ７，６０Ｇ ） 、第４図は
ニッケル膜の結晶を断面であられした模式図、第５図は
太陽熱吸収体の１例の構造をあられす模式図、および第
６図は光学的特性をあられすグラフである。 １・・・基材 ２・・・下地金属層 ２′・・・ニッケ
ル結晶 ３・・・選択吸収膜 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０）基材上に、結晶形が粒状のニッケル膜からなる下地
金属層が形成゛され、Ｃの下地金属層の上に酸化銅の選
択吸収膜が形成されてなる太陽熱吸収体。 （２）下地金属層のニッケル結晶の平均粒径が０．１〜
１ミクロンであり、平均間隔が０．１〜０．４ミクロン
である特許請求の範囲第１項記載の太陽熱吸収体。 ０） ニッケル膜の厚みが０．１〜３ミクロンである特
許請求の範囲第１項または第２項記載の太陽熱吸収体。 （４）選択吸収膜が、結晶形が葉片状ないし繊維状の酸
化第２銅からなる特許請求の範囲第１項から第３項まで
のいずれかに記載の太陽熱吸収体。 優） 選択吸収膜の厚みがＯ，ＯＳ〜０．５ミクロンで
あり、かつ結晶の長径方向平均長さが０．６〜２．０ミ
クロンである特許請求の範囲第４項記載の太陽熱吸収体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56120859A JPS5822845A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 太陽熱吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56120859A JPS5822845A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 太陽熱吸収体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5822845A true JPS5822845A (ja) | 1983-02-10 |
| JPS621512B2 JPS621512B2 (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=14796711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56120859A Granted JPS5822845A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 太陽熱吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5822845A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013095991A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | 高放射率金属箔 |
| CN109900627A (zh) * | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 北京有色金属研究总院 | 一种集热器用太阳能吸收膜的耐酸雾性能评价方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428004U (ja) * | 1990-06-28 | 1992-03-05 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224252A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Asahi Glass Co Ltd | Fluorocarbon resin articles contaning inorganic filler |
| JPS5398533A (en) * | 1977-02-09 | 1978-08-29 | Dornier System Gmbh | Selective solar absorption surface layer |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56120859A patent/JPS5822845A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224252A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Asahi Glass Co Ltd | Fluorocarbon resin articles contaning inorganic filler |
| JPS5398533A (en) * | 1977-02-09 | 1978-08-29 | Dornier System Gmbh | Selective solar absorption surface layer |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013095991A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | 高放射率金属箔 |
| CN109900627A (zh) * | 2017-12-08 | 2019-06-18 | 北京有色金属研究总院 | 一种集热器用太阳能吸收膜的耐酸雾性能评价方法 |
| CN109900627B (zh) * | 2017-12-08 | 2021-06-15 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种集热器用太阳能吸收膜的耐酸雾性能评价方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS621512B2 (ja) | 1987-01-13 |
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