JPS5823699B2 - サツゾウカン - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、撮像管に関し、その光電変換特性を改良した
ものである。

従来例の構成とその問題点 従来、酸化鉛、シリコン、ＣｄＳｅ、Ｓｅ等を主成分と
する非注入性光導室形撮像管ターゲットにおいては、所
定の大きさの信号電流を得ることと、焼付けを避けるた
めに、信号電流が印加電圧に対して飽和する領域で動作
させている。

しかし、この領域では、光電変換特性のγは１に近く、
ブラウン管のγが２．２であるので総合的にγを１にす
るにはカメラの方で電気的にγを０．４５に補正する必
要があるので、補正回路が必要となったり、残像が増加
したりするという欠点があった。

発明の目的 本発明は、このような、従来の欠点を除去し、バイアス
ライトを照射して撮像管ターゲットを所望の条件で使用
することにより、光電変換特性を改善するものである。

発明の構成 すなわち、本発明の撮像管は、ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ。

ＣｄＳ、ＣｄＳｅ及びそれらの固溶体からなる群の中か
ら選ばれる一材料を第１層とし、前記第１層上に（Ｚ
ｎｌ−ｘ Ｃｄ ｘ Ｔ ｅ） ｔ−ｙ （Ｉ ｎ ２
Ｔ ｅ ３ ）ｙ、を主成分とし、平均の組成比が０
＜ｘ＜１＜、Ｏ＜ｙ＜０．３である材料を第２層とする
撮像管ターゲットを有するとともに、前記撮像管ターゲ
ットに光を照射する光源を有してなり、信号電流が印加
電圧に対して飽和を示す前の領域で動作させるものであ
る。

実施例の説明 以下本発明の実施例を図面に従って説明する。

第１図において、ガラス基板１の上に、Ｚｎ５ｅを第１
層とし、（Ｚｎｏ、Ｃｄｏ、３Ｔｅ）。

、９５（Ｉ ｎ ２ Ｔ ｅ ３）。

、０５を第２層とした光導玉形撮像管ターゲット３を形
成し、撮像管４とする。

このターゲツト面に一様にバイアスライトを定常的に撮
像管の外部から小さい光源２によって照射する。

なお、バイアスライトは、撮像管の外部からではなく、
内部から照射するようにしてもよい。

第２図は、非注入性光導型彫撮像管の、印加電圧と信号
電流との関係を示すものである。

従来は、飽和領域ＡＢで動作させるが、本実施例では、
バイアスライトを用いることにより、焼付けの発生しな
い飽和領域以前のＯＡ領領域うち５■〜１８Ｖの領域で
動作させることができるものである。

なお、Ｂ点はソフトブレークダウンが始まる電工で、本
実施例では、２５Ｖ程度であり、Ａ点は、バイアスライ
トなしの時焼付けの生じない電圧で、本実施例では、１
８Ｖ程度である。

しかし、定常信号電流が５０ ｎＡのバイアスライトを
照射する方法では焼付けの生じない電工は５■に下がる
。

従って、飽和領域以前のＯＡ領領域うち５■〜１８Ｖの
領域で使用しても、焼付けが生じない。

第３図は、光電変換特性を示したもので、ＡＢ領領域は
、γ＝１で、ＯＡ領領域はγ＝Ｏ，４５である。

従ってＯＡ領領域は、信号電流がやや減少するが、カメ
ラの方で電気的にγ−補正する必要がないという利点が
ある。

第４図は、バイアスライト強度と残像との関係を示した
もので、バイアスライト強度がある値以上になると残像
が軽減されることがわかる。

第５図は、バイアスライトの光子数を一定にして波長を
変化させた時の残像との関係である。

これから、この光導型彫撮像管ターゲットの分光感度域
４００〜８００μｍにわたって残像が軽減されているこ
とがわかる。

なお、バイアスライトの残像軽減の効果は、第２図のＯ
Ａ領領域けでなく。

ＡＢ領領域も存在する。

このバイアスライトは、光導電膜中のキャリヤの深いト
ラップを埋める役目をしているものと思われる。

光導電性の残像は、光が切れた時に、この深いトラップ
からキャリヤがゆっくり出てくるために生じる。

ある程度以上のバイアスライトを定常的に照射している
と、定常的にトラップが大部分、埋められて平衡状態に
達しでいるため、その上に重畳される光過渡応答に対し
ては、空のトラップがほとんどないのと同然になり、過
渡応答が速くなる。

従って、バイアスライトは、自由キャリヤを生成し、ト
ラップを埋める光導電膜に吸収される波長の光でなけれ
ばならない。

焼付けは、光導電膜中の深いトラップに埋まっているキ
ャリヤ、空間電荷数に応じて、印加電圧より電界が部分
的に変化するので生じると考えられる。

すなわち、光が強く照射されていた部分には、トラップ
に埋まっているキャリヤ、空間電荷数が多いため、膜中
の電界が弱く、光が弱く照射されていた部分には、この
空間電荷数が少ないため、膜中の電界が強くなる。

従って、画部分に同じ強い光が照射されると、電界の強
弱により、信号電流の大きさに差が生じ、いわゆる、黒
白が逆転するネガ焼付けが生じる。

バイアスライトは、全面に均一にトラップにキャリヤを
埋めているので、部分的に電界の強さに差が生じるとい
うことが少ないので、焼付けは発生しにくい。

特に印加電圧が低い第２図のＯＡ領領域は、キャリヤの
ドリフト速度が遅いため、トラップに埋まる確率が高い
ので、焼付けは発生しやすい。

発明の効果 以上述べたように、本発明はＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ。

ＣｄＳ及びそれらの固溶体からなる群の中から選ばれる
一材料と（Ｚ ｎ、 −ｘ Ｃｃｔｘ’ｒ ｅ ）１−
ｙ（Ｉ ｎ ２ Ｔ ｅ ３ ） ｙを主成分とし、
平均の組成比が０ ＜ ｘ ＜ １、Ｏ＜ｙ＜ｏ、３で
ある材料との異種接合からなる撮像管ターゲットにおい
てノ９アスライト照射用の光源を用いるので、γを０．
４５にでき、したがって従来のようにγ補正を不要にで
きるため、補正回路を備えない簡素なカメラを使用でき
、また残像も少ない撮像管を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の撮像管の構成を示す図、第２図は信号
電流と印加電圧との関係を示す図、第３図は光電変換特
性を示す図、第４図はバイアスライト強度と残像との関
係を示す図、第５図はバイアスライト波長と残像との関
係を示す図である。 ３・・・・・・撮像管ターゲット、４・・・・・・撮像
管。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｉ ＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ及びそれら
   の固溶体からなる群の中から選ばれる一材料を第１層と
   し、前記第１層上に（Ｚｎ１−ｘＣｄｘＴｅ）１−７（
   Ｉｎ２Ｔｅ３ ） を主成分とし、平均の組成比が０
   ＜ｘ＜１ 、Ｏ＜ｙ＜０．３である材料を第２層とする
   撮像管ターゲットを有するとともに、前記撮像管ターゲ
   ットに光を照射する光源を有してなり、信号電流が印加
   電圧に対して飽和を示す前の領域で動作させることを特
   徴とする撮像管。