JPS5824367Y2 - カフカシヤダンソウチオモツセラミツクデンシブヒン - Google Patents
カフカシヤダンソウチオモツセラミツクデンシブヒンInfo
- Publication number
- JPS5824367Y2 JPS5824367Y2 JP6537175U JP6537175U JPS5824367Y2 JP S5824367 Y2 JPS5824367 Y2 JP S5824367Y2 JP 6537175 U JP6537175 U JP 6537175U JP 6537175 U JP6537175 U JP 6537175U JP S5824367 Y2 JPS5824367 Y2 JP S5824367Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- overload
- ceramic electronic
- cutoff device
- attached
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fuses (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は過負荷遮断装置をもつセラミック電子部品に関
するもので、その目的とするところはセラミック電子部
品に定格を上回る過負荷が印加されたときこのセラミッ
ク電子部品およびこれを接続した回路の他の電子部品な
どに発煙や発炎事故が発生する以前にこの回路を上記過
負荷遮断装置により開放して上記セラミック電子部品お
よび他の電子部品の安定性を確保し、さらに上記過負荷
遮断装置の作動後は上記セラミック電子部品に関係なく
上記過負荷遮断装置のみを新品と取換え得るようにした
過負荷遮断装置をもつセラミック電子部品を提供するに
ある。
するもので、その目的とするところはセラミック電子部
品に定格を上回る過負荷が印加されたときこのセラミッ
ク電子部品およびこれを接続した回路の他の電子部品な
どに発煙や発炎事故が発生する以前にこの回路を上記過
負荷遮断装置により開放して上記セラミック電子部品お
よび他の電子部品の安定性を確保し、さらに上記過負荷
遮断装置の作動後は上記セラミック電子部品に関係なく
上記過負荷遮断装置のみを新品と取換え得るようにした
過負荷遮断装置をもつセラミック電子部品を提供するに
ある。
以下図面を参照して本考案をその一実施例につき説明す
ると、第１図Ａ、Ｂにおいてａはセラミック電子部品で
、このセラミック電子部品ａは炭化硅素の微粒子に粘土
質のバインダを混合して威型焼威したセラミック基板１
の両側面に銅を溶射して形成した電極２．２′を設け、
その一方の電極２にリード線３を、また他方の電極２′
に弾性金属よりなる端子４をそれぞれ例えば３００℃の
融点をもつ高溶融合金５，５′により取付けたセラミッ
ク素子６を設けこのセラミック素子６のリード線３を絶
縁性支持台７の底板８に、また端子４を支持台７の端子
取付枠９の上端にそれぞれ取付けてなるものである。
ると、第１図Ａ、Ｂにおいてａはセラミック電子部品で
、このセラミック電子部品ａは炭化硅素の微粒子に粘土
質のバインダを混合して威型焼威したセラミック基板１
の両側面に銅を溶射して形成した電極２．２′を設け、
その一方の電極２にリード線３を、また他方の電極２′
に弾性金属よりなる端子４をそれぞれ例えば３００℃の
融点をもつ高溶融合金５，５′により取付けたセラミッ
ク素子６を設けこのセラミック素子６のリード線３を絶
縁性支持台７の底板８に、また端子４を支持台７の端子
取付枠９の上端にそれぞれ取付けてなるものである。
なお１０は支持台７の底板８の一端に形成した蓋板であ
る。
る。
第２図Ａ、Ｂにおいてｂは過負荷遮断装置で、この遮断
装置すは円弧状に彎曲した弾性金属板１１の上端に弾性
金属よりなる端子１２を例えば１００℃の融点をもつ低
溶融合金１３により、また下端にリード線１４を高溶融
合金１５によりそれぞれ取付け、さらにリード線１４を
絶縁性支持台１６の底板１７に、また端子１２を端子取
付枠１８の上端にそれぞれ取付けてなるものである。
装置すは円弧状に彎曲した弾性金属板１１の上端に弾性
金属よりなる端子１２を例えば１００℃の融点をもつ低
溶融合金１３により、また下端にリード線１４を高溶融
合金１５によりそれぞれ取付け、さらにリード線１４を
絶縁性支持台１６の底板１７に、また端子１２を端子取
付枠１８の上端にそれぞれ取付けてなるものである。
なお１９は支持台１６の底板１７の一端に形成した蓋板
である。
である。
第３図Ａ、Ｂにおいて２０は例えば樹脂のような絶縁体
よりなる筐体で、この筐体の上板２１の中央部には両側
に上記端子４，１２を挿入接続する凹部２２．２３を形
成した接続導体２４を取付ける。
よりなる筐体で、この筐体の上板２１の中央部には両側
に上記端子４，１２を挿入接続する凹部２２．２３を形
成した接続導体２４を取付ける。
第４図は本考案の過負荷遮断装置をもつセラミック電子
部品を示すものでこの電子部品は第１図に示すセラミッ
ク電子部品ａと第２図に示す過負荷遮断装置すとを第３
図に示す筐体２０内に挿入し、これらセラミック電子部
品ａおよび過負荷遮断装置すの各端子４，１２を筐体２
０の接続導体２４の両側の凹部２２，２３に嵌合接触せ
しめてなるものである。
部品を示すものでこの電子部品は第１図に示すセラミッ
ク電子部品ａと第２図に示す過負荷遮断装置すとを第３
図に示す筐体２０内に挿入し、これらセラミック電子部
品ａおよび過負荷遮断装置すの各端子４，１２を筐体２
０の接続導体２４の両側の凹部２２，２３に嵌合接触せ
しめてなるものである。
本考案過負荷遮断装置をもつセラミック電子部品はこれ
にその定格を上回る過負荷が印加されると、大きなジュ
ール熱の発生により第５図に示すように過負荷遮断装置
すの弾性金属板１１の上端を端子１２に固定している低
溶融合金１３が溶融してこの弾性金属板１１の上端がそ
の弾性により端子１２から離れてセラミック電子部品ａ
のセラミック素子６および他の電子部品を接続した回路
を遮断して、これらの電子部品を過負荷から保護するこ
とができるものである。
にその定格を上回る過負荷が印加されると、大きなジュ
ール熱の発生により第５図に示すように過負荷遮断装置
すの弾性金属板１１の上端を端子１２に固定している低
溶融合金１３が溶融してこの弾性金属板１１の上端がそ
の弾性により端子１２から離れてセラミック電子部品ａ
のセラミック素子６および他の電子部品を接続した回路
を遮断して、これらの電子部品を過負荷から保護するこ
とができるものである。
また過負荷遮断装置すはセラミック電子部品ａに関係な
く筐体２０内から取り出すことができるので、この過負
荷遮断装置の作動後にはセラミック電子部品ａをそのま
・の状態としておいてこの過負荷遮断装置すのみを筐体
２０から取出して新品と取換えることができるものであ
る。
く筐体２０内から取り出すことができるので、この過負
荷遮断装置の作動後にはセラミック電子部品ａをそのま
・の状態としておいてこの過負荷遮断装置すのみを筐体
２０から取出して新品と取換えることができるものであ
る。
第１図は本考案過負荷遮断装置をもつセラミック電子部
品のセラミック電子部品の正面図および側面図、第２図
はその過負荷遮断装置の正面図および側面図、第３図は
その筐体の正面図および縦断面図、第４図は本考案過負
荷遮断装置をもつセラミック電子部品の一部を断面とし
た正面図、第５図はその作動の説明図である。 １・・・・・・セラミック基板、２．２′・・・・・・
電極、５，５′・・・・・・高溶融合金、３・・・・・
・リード線、４・・・・・・端子、６・・・・・・セラ
ミック素子、７・・・・・・絶縁性支持台、ａ・・・・
・・セラミック電子部品、１１・・・・・・弾性金属板
、１５・・・・・・高溶融合金、１４・・・・・・リー
ド線、１３・・・・・・低溶融合金、１２・・・・・・
端子、１６・・・・・・絶縁性支持台、ｂ・・・・・・
過負荷遮断装置、２４・・・・・・接続導体、２０・・
・・・・絶縁性筐体。
品のセラミック電子部品の正面図および側面図、第２図
はその過負荷遮断装置の正面図および側面図、第３図は
その筐体の正面図および縦断面図、第４図は本考案過負
荷遮断装置をもつセラミック電子部品の一部を断面とし
た正面図、第５図はその作動の説明図である。 １・・・・・・セラミック基板、２．２′・・・・・・
電極、５，５′・・・・・・高溶融合金、３・・・・・
・リード線、４・・・・・・端子、６・・・・・・セラ
ミック素子、７・・・・・・絶縁性支持台、ａ・・・・
・・セラミック電子部品、１１・・・・・・弾性金属板
、１５・・・・・・高溶融合金、１４・・・・・・リー
ド線、１３・・・・・・低溶融合金、１２・・・・・・
端子、１６・・・・・・絶縁性支持台、ｂ・・・・・・
過負荷遮断装置、２４・・・・・・接続導体、２０・・
・・・・絶縁性筐体。
Claims (1)
- セラミック基板の両側面にそれぞれ電極を設け、この両
電極にそれぞれ高溶融合金によりリード線および端子を
取付けたセラミック素子を絶縁性支持台に取付けてなる
セラミック電子部品と、弾性金属板の下端に高溶融合金
によりリード線を、また上端に低溶融合金により端子を
それぞれ取付けさらにこれら絶縁性支持台に取付けてな
る過負荷遮断装置とを内部に接続導体を設けた絶縁性筐
体内に収容して上記両端子を上記接続導体に接触せしめ
、上記過負荷遮断装置は上記セラミック電子部品に関係
なく上記筐体から取出し後ろようにしたことを特徴とす
る過負荷遮断装置をもつセラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6537175U JPS5824367Y2 (ja) | 1975-05-15 | 1975-05-15 | カフカシヤダンソウチオモツセラミツクデンシブヒン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6537175U JPS5824367Y2 (ja) | 1975-05-15 | 1975-05-15 | カフカシヤダンソウチオモツセラミツクデンシブヒン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51144754U JPS51144754U (ja) | 1976-11-20 |
| JPS5824367Y2 true JPS5824367Y2 (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=28530325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6537175U Expired JPS5824367Y2 (ja) | 1975-05-15 | 1975-05-15 | カフカシヤダンソウチオモツセラミツクデンシブヒン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824367Y2 (ja) |
-
1975
- 1975-05-15 JP JP6537175U patent/JPS5824367Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51144754U (ja) | 1976-11-20 |
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