JPS5824971B2 - オンキヨウデンキキヨウシンシ - Google Patents
オンキヨウデンキキヨウシンシInfo
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- JPS5824971B2 JPS5824971B2 JP49087670A JP8767074A JPS5824971B2 JP S5824971 B2 JPS5824971 B2 JP S5824971B2 JP 49087670 A JP49087670 A JP 49087670A JP 8767074 A JP8767074 A JP 8767074A JP S5824971 B2 JPS5824971 B2 JP S5824971B2
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- acoustoelectric
- wave
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、いわゆる音響マイクロ波回路の設計に関す
るものであり、表面波の定在波を利用して、非常に高い
周波数における高Q共振子を提供するものである。
るものであり、表面波の定在波を利用して、非常に高い
周波数における高Q共振子を提供するものである。
音響マイクロ波という名称は、回路構造の寸法が回路で
扱われる周波数を電磁界として見たときの波長より充分
に小さい寸法であるところの一般の電気回路と対比して
、回路構造の寸法が電磁界の波長と同程度の寸法である
ところのマイクロ波回路との類似性にちなんで選定され
たものである。
扱われる周波数を電磁界として見たときの波長より充分
に小さい寸法であるところの一般の電気回路と対比して
、回路構造の寸法が電磁界の波長と同程度の寸法である
ところのマイクロ波回路との類似性にちなんで選定され
たものである。
音響マイクロ波界では、数ミリメートルないし数マイク
ロメートルの波長を持つ音響波とそれに伴う同周期の電
界が存在する。
ロメートルの波長を持つ音響波とそれに伴う同周期の電
界が存在する。
しかし、通常のマイクロ波の場合と違って電磁的相互作
用は無視できる程度に小さい。
用は無視できる程度に小さい。
この5年間に、音響マイクロ波回路の設計に関し、数多
くの研究や発明の記事が発行されている。
くの研究や発明の記事が発行されている。
それら発表された発明は、音響電気波の速度が対応周波
数における電磁波の速度の10−3と遅い事実を利用し
た遅延路の設計に関するものであるか、さもなくば音響
電気波を励起するために使う特殊構造電極の結合効率の
特殊な周波数応答を利用したフィルタの設計に関するも
のである。
数における電磁波の速度の10−3と遅い事実を利用し
た遅延路の設計に関するものであるか、さもなくば音響
電気波を励起するために使う特殊構造電極の結合効率の
特殊な周波数応答を利用したフィルタの設計に関するも
のである。
それら研究発表や発明の著者は、特に共振状態における
音響電気定在波の興味あるふるまいを回路構造との関係
で考慮していないようである。
音響電気定在波の興味あるふるまいを回路構造との関係
で考慮していないようである。
この出願の発明者は、レーザ光学で使う概念を補強して
、音響電気波の興味ある共振現象を理解しようとするも
のである。
、音響電気波の興味ある共振現象を理解しようとするも
のである。
特に、いわゆるファプリ・ペローの共振空胴の音響的類
推が、この発明の構想の発展に重要な役割を果している
。
推が、この発明の構想の発展に重要な役割を果している
。
上記の音響電気波と電磁波との速度比から言うと、構造
寸法が電磁界の波長より遥かに大きいファプリ・ペロー
の空胴に類似した構造を採用するのが最も自然である。
寸法が電磁界の波長より遥かに大きいファプリ・ペロー
の空胴に類似した構造を採用するのが最も自然である。
この発明は、別の意味では、水晶共振子および水晶フィ
ルタの100メガヘルツより上の高周波域への拡張に関
するとも言えるものである。
ルタの100メガヘルツより上の高周波域への拡張に関
するとも言えるものである。
水晶共振子は、高Q共振子として、したがって電気フィ
ルタの素子として広く使われている。
ルタの素子として広く使われている。
しかし、100メガヘルツを超える周波数域では、水晶
共振子の厚さは30マイクロメータより薄くなり、製造
技術上致命的限界に突き当る。
共振子の厚さは30マイクロメータより薄くなり、製造
技術上致命的限界に突き当る。
この発明は、さらに、音響表面波の電気回路設計への応
用に関する。
用に関する。
この表面波なる術語は、遠くレイリー卿に由来する。
彼は、地表弾性波の2つの姿態を発見したが、そのうち
の表面波と命名された姿態は、体積波と命名された他の
姿態の地表弾性波よりも僅かに遅い速度で地表面に沿っ
て。
の表面波と命名された姿態は、体積波と命名された他の
姿態の地表弾性波よりも僅かに遅い速度で地表面に沿っ
て。
伝播する。
この速度の減少は、弾性波の進行方向に平行な自由面に
沿って境界条件を入れることにより説明がつく。
沿って境界条件を入れることにより説明がつく。
音響電気的結晶の表面に沿う音響表面波の特性は、理論
的にも実験的にも広く調査され、音響マイクロ波回路材
料の重要なりラス・を形成しつつある。
的にも実験的にも広く調査され、音響マイクロ波回路材
料の重要なりラス・を形成しつつある。
音響電気表面波の場合、噛合い電極は、写真製板術的に
結晶の表面に刻まれ、音響波の励起のために使用される
。
結晶の表面に刻まれ、音響波の励起のために使用される
。
噛合い電極は、等間隔に並んだ導体フィンガを交互に反
対の端子に接続したもので形成されており、電極のピッ
チ(すなわち導体フィンガ間隔の2倍)は、音響電気表
面波の波長にほぼ等しく選ばれる。
対の端子に接続したもので形成されており、電極のピッ
チ(すなわち導体フィンガ間隔の2倍)は、音響電気表
面波の波長にほぼ等しく選ばれる。
写真製板による製造技術の発展の結果、数マイクロメー
トルのピッチで電極を形成することは何ら困難でなく、
シたがってギガヘルツの音響電気表面波を発生すること
は困難でない。
トルのピッチで電極を形成することは何ら困難でなく、
シたがってギガヘルツの音響電気表面波を発生すること
は困難でない。
この発明は、ファプリ・ペロー共振空胴のアナロジ−を
音響マイクロ波回路設計に取り入れることにより、音響
マイクロ波回路設計技術の一環として高Q共振子を実現
する手段を提供することにある。
音響マイクロ波回路設計に取り入れることにより、音響
マイクロ波回路設計技術の一環として高Q共振子を実現
する手段を提供することにある。
ファプリ・ペロー空胴共振器の概念は、波の伝播の軸に
垂直に配置された1対の高反射率の反射面間における多
量ビーム干渉現象に特徴がある。
垂直に配置された1対の高反射率の反射面間における多
量ビーム干渉現象に特徴がある。
これら2つの反射面間の距離りが2分の1波長(λ/2
)のN倍であるとすれば、両反射面間を1往復した波は
元の波と同じ位相である。
)のN倍であるとすれば、両反射面間を1往復した波は
元の波と同じ位相である。
片道通過当りのエネルギ損の率をδとおけば、はぼ1/
δ個の波が重畳されて合成波となる。
δ個の波が重畳されて合成波となる。
LがNλ/2からδλ/2だけずれると、波は1/δ回
の通過後元の波と完全に逆相となり、合成波として加算
するのに効果的でなくなる。
の通過後元の波と完全に逆相となり、合成波として加算
するのに効果的でなくなる。
多重ビーム干渉をもつと細かく考慮すると、合成波のエ
ネルギは、波長がそのδ/2Nπ倍だけ変化することに
より、位相がぴったり合った場合の半分に減る。
ネルギは、波長がそのδ/2Nπ倍だけ変化することに
より、位相がぴったり合った場合の半分に減る。
この現象は、Q=Nπ/δなる高Qの電気同調回路の共
振と類似している。
振と類似している。
ファプリ・ペロー空胴共振器の概念は、エルミート・カ
ラス関数で表わした電界分布の姿態が安定であることに
も特徴がある。
ラス関数で表わした電界分布の姿態が安定であることに
も特徴がある。
フーリエの変換の説によると、波の進行軸に垂直な位相
面に沿ってEXp(−(πkXa)2)なる電界分布を
している平面波は、元の位相面に対してkx・λ(ラジ
アン)だけ傾きEXp(−(rkxa)2)なる相対強
度を有する均質平面波の重合せとして表わされる。
面に沿ってEXp(−(πkXa)2)なる電界分布を
している平面波は、元の位相面に対してkx・λ(ラジ
アン)だけ傾きEXp(−(rkxa)2)なる相対強
度を有する均質平面波の重合せとして表わされる。
これらの均質平面波は、新位相面に沿っての波の進行軸
からの隔りをX′として、Lなる距離だけ伝播した結果
として、再結合されて電界分布が: なる半面波となる。
からの隔りをX′として、Lなる距離だけ伝播した結果
として、再結合されて電界分布が: なる半面波となる。
ここで、(1)式においja二すと置くと、Lだけ隔た
った位相面同志の電界分布が互に一致することが判る。
った位相面同志の電界分布が互に一致することが判る。
波の進行軸に垂直な面により =Lで2二〇へ向けて反
射される平面波の2=Lにおける電界分布がExp(−
(x/a)2)であるとすれば、2−0における元の平
面波の元の電界分布を再形成することとなる。
射される平面波の2=Lにおける電界分布がExp(−
(x/a)2)であるとすれば、2−0における元の平
面波の元の電界分布を再形成することとなる。
この電界分布は、これすなわち、エルミート・ガウス姿
態の族のうちの最低次のものである。
態の族のうちの最低次のものである。
これらの特性は、波の物理的性質の如何を問わず保たれ
るので、反射構造の寸法と波長との間の関係が式(1)
を満足する限り、音響電気表面波の場合、ファプリ・ペ
ロー空胴共振器の2次元的類似係の存在を仮定すること
ができる。
るので、反射構造の寸法と波長との間の関係が式(1)
を満足する限り、音響電気表面波の場合、ファプリ・ペ
ロー空胴共振器の2次元的類似係の存在を仮定すること
ができる。
電界分布eχ五)2は、波の伝播軸上の値のe−2倍以
上のエネルギ密度の電界が−a < x < aなる範
囲内に閉じ込められていることを表わしており、したが
って電界エネルギを空胴内に閉じ込めるためにX方向に
は反射体が必要でない。
上のエネルギ密度の電界が−a < x < aなる範
囲内に閉じ込められていることを表わしており、したが
って電界エネルギを空胴内に閉じ込めるためにX方向に
は反射体が必要でない。
このことの意味は、(−a。a)なる範囲より外がどん
な構造をしていても、空胴内の電界に伺ら実際的妨害と
ならないということである。
な構造をしていても、空胴内の電界に伺ら実際的妨害と
ならないということである。
この発明は、上記の知得に基づいて、気体と平面境界を
形成する表面をもつ音響電気的結晶と、該結晶上に設け
られ前記平面境界に沿って音響表面波を生じさせる一対
の電極と、該電極により生じ前記平面境界に沿って伝播
する音響表面波の進行方向に於て前記電極の実質的に中
心を通る軸上に互いにコンフォーカルな曲率中心をもつ
一対の円弧状反射境界とを備え、かつ前記一対の円弧状
反射境界間の伝播位相を実質的に前記表面波の半周期の
整数倍として構成したことを特徴とし、これにより音響
表面波を電極の中心に集めて強い強度の電界分布を生じ
させ、水晶共振子が利用できないような100メガヘル
ツ以上の周波数領域での高Q共振が可能な音響電気共振
子を提供しようとするものである。
形成する表面をもつ音響電気的結晶と、該結晶上に設け
られ前記平面境界に沿って音響表面波を生じさせる一対
の電極と、該電極により生じ前記平面境界に沿って伝播
する音響表面波の進行方向に於て前記電極の実質的に中
心を通る軸上に互いにコンフォーカルな曲率中心をもつ
一対の円弧状反射境界とを備え、かつ前記一対の円弧状
反射境界間の伝播位相を実質的に前記表面波の半周期の
整数倍として構成したことを特徴とし、これにより音響
表面波を電極の中心に集めて強い強度の電界分布を生じ
させ、水晶共振子が利用できないような100メガヘル
ツ以上の周波数領域での高Q共振が可能な音響電気共振
子を提供しようとするものである。
以下、この発明を、添付図面に基づいて、より詳細に説
明する。
明する。
第1A図は、音響電気表面波を発生せるために公知の構
造の1例を示す。
造の1例を示す。
第1B図は、第1A図に鎖線で示した一2面上の構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
第1C図は、応力S1ひずみTおよび電界Eの深さ依存
性を示すものである。
性を示すものである。
第1A図において、0100は圧電定数の犬なる3m対
称結晶のY板である。
称結晶のY板である。
この種結晶の典形的な例としては、リジュームナイオベ
ートがあり。
ートがあり。
その場合2方向進行の表面波の伝播速度vaが3.47
朋/μs(ミリメートル毎マイクロ秒)であることはよ
く知られている。
朋/μs(ミリメートル毎マイクロ秒)であることはよ
く知られている。
0111と0112は、X方向に延びた電極フィンガが
等間隔に並んで交互にそれぞれ端子0131と0132
に接続され、噛合電極を形成しているものである。
等間隔に並んで交互にそれぞれ端子0131と0132
に接続され、噛合電極を形成しているものである。
端子0131と0132に周波数fの交流電圧■が印加
されると、第1B図に矢印で示すような周期的電界Ey
が生じる。
されると、第1B図に矢印で示すような周期的電界Ey
が生じる。
この電界Eyの空間的周期は、噛合電極のピッチpに等
しい。
しい。
この空間的周期電界は、結晶表面から1/2πpの深さ
の間に集中する。
の間に集中する。
圧電定数は、歪および応力の行列の6成分SiおよびT
iと、電界および変位のベクトルの3成分E・およびD
jとの間の比例定数であり、次のように表わされる: Si:di、jEj、DJ:di、jTi ・・・・
・・(2)リジュームナイオベートの圧電定数は行列の
形で示すと下記のようになる(単位はクーロン毎ニュー
トン): 式(3)から判るように、この種結晶の場合、d4,2
とd、1が著しく大きい。
iと、電界および変位のベクトルの3成分E・およびD
jとの間の比例定数であり、次のように表わされる: Si:di、jEj、DJ:di、jTi ・・・・
・・(2)リジュームナイオベートの圧電定数は行列の
形で示すと下記のようになる(単位はクーロン毎ニュー
トン): 式(3)から判るように、この種結晶の場合、d4,2
とd、1が著しく大きい。
ここでは、これらの量を視覚的にわかり易くするため、
S4およびE2の代わりにS およびE とする。
S4およびE2の代わりにS およびE とする。
第1B図で点線0140で示す平行6面体は、S の結
晶特性の長方形部分がどのように変形するかを誇張して
描いたものである。
晶特性の長方形部分がどのように変形するかを誇張して
描いたものである。
ここで、2方向に進行する音響表面せん新液の波長λ”
v a / fがpに殆んど等しいとすると、表面波
は第1B図で点線0150により誇張して図解するよう
に伝播し、その際電界E、とE2を伴っている。
v a / fがpに殆んど等しいとすると、表面波
は第1B図で点線0150により誇張して図解するよう
に伝播し、その際電界E、とE2を伴っている。
第1C図の0160は、応力T 歪S および電界
E、、E2についyz yz て、結晶表面からの距離の関数として表わす曲線である
。
E、、E2についyz yz て、結晶表面からの距離の関数として表わす曲線である
。
この曲線0160は、−X方向に2π/λの率で指数関
数的に減じる。
数的に減じる。
第2Aおよび2B図は、平面図および側面図で、音響電
気的結晶と1対の電極と1対の反射境界からなるこの発
明の基本的構成を示す。
気的結晶と1対の電極と1対の反射境界からなるこの発
明の基本的構成を示す。
第2A図中、0200は音響電気的結晶であり、021
1と0212はそれぞれ第1と第2の電極で、結晶02
00の表面上に写真製板術により設けられている。
1と0212はそれぞれ第1と第2の電極で、結晶02
00の表面上に写真製板術により設けられている。
0211と0212は、噛合電極を形成しており、各導
体フィンガはX方向に延び等間隔に配されている。
体フィンガはX方向に延び等間隔に配されている。
電極0211および0212は、それぞれ端子0231
および0232に接続されている。
および0232に接続されている。
ここで、周波数fの交流電圧Vが端子0231と023
2に印加され、表面波の波長λ=■a/fが電極のピッ
チpに殆んど等しいとすると、すでに説明したように表
面せん新液が発生する。
2に印加され、表面波の波長λ=■a/fが電極のピッ
チpに殆んど等しいとすると、すでに説明したように表
面せん新液が発生する。
0221と0222は、X方向に延びる第1と第2の反
射境界であり、そこで表面波は次の境界条件で反射する
。
射境界であり、そこで表面波は次の境界条件で反射する
。
すなわち:δ=b1S、(第1の境界で)
δy=b2S (第2の境界で) ・・・・・・・・
・(4)z 第2B図において、0250は、b1=b2−0でかつ
両境界間の距離りが半波長λ/2の整数倍である場合に
両境界0221と0222で反射された表面波による結
晶の表面変形の様子を誇張して示すものである。
・(4)z 第2B図において、0250は、b1=b2−0でかつ
両境界間の距離りが半波長λ/2の整数倍である場合に
両境界0221と0222で反射された表面波による結
晶の表面変形の様子を誇張して示すものである。
上記構造の共振特性は、QがQ=Nπ/δ
(5)中心周波数fが f = NVa / 2 L
(6)である。
(5)中心周波数fが f = NVa / 2 L
(6)である。
第3Aおよび3B図は、平面図および側面図で、反射境
界は音響電気的結晶の表面上に刻まれた溝により実現さ
れている。
界は音響電気的結晶の表面上に刻まれた溝により実現さ
れている。
第3A図中、0300は音響電気的結晶であり、031
1と0312はそれぞれ第1と第2の電極で、結晶03
00の表面上に写真製板術により設けられている。
1と0312はそれぞれ第1と第2の電極で、結晶03
00の表面上に写真製板術により設けられている。
0311と0312は、噛合電極を形成しており、各導
体フィンガはX方向に延び等間隔に配されている。
体フィンガはX方向に延び等間隔に配されている。
電極0311と0312は、それぞれ端子0331と0
332に接続されている。
332に接続されている。
ここで、周波数fの交流電圧Vが端子0331と033
2に印加され、表面波の波長λ= v a / fが電
極のピッチpに殆んど等しいとすると、すでに説明した
ように表面せん新液が発生する。
2に印加され、表面波の波長λ= v a / fが電
極のピッチpに殆んど等しいとすると、すでに説明した
ように表面せん新液が発生する。
032a1と032a2は、それぞれX方向に延びる第
1と第2の溝であり、結晶0300の表面上に、写真製
板およびイオンスパッタ技術かまたは単に微小研磨剤か
により、刻むことができる。
1と第2の溝であり、結晶0300の表面上に、写真製
板およびイオンスパッタ技術かまたは単に微小研磨剤か
により、刻むことができる。
表面波は、第1および第2の溝において次の境界条件で
反射する。
反射する。
すなわち:
これは、式(4)の特殊な場合である。
第3B図において0350は、b1=b2=閃でかつ両
溝間の距離りが半波長λ/2の整数倍である場合に両第
1および第2の溝で反射された表面波による結晶の表面
変形の様子を誇張して示すものである。
溝間の距離りが半波長λ/2の整数倍である場合に両第
1および第2の溝で反射された表面波による結晶の表面
変形の様子を誇張して示すものである。
この構造の共振特性は、第2図について説明したのと同
様である。
様である。
第4Aおよび4B図は、平面図および側面図で、反射境
界は音響電気的結晶の研磨縁により実現されている。
界は音響電気的結晶の研磨縁により実現されている。
第4A図中、0400は音響電気的結晶、0411と0
412は第1と第2の電極0431と0432は各電極
の端子であり、λ=va/f=pな関係で動作させる。
412は第1と第2の電極0431と0432は各電極
の端子であり、λ=va/f=pな関係で動作させる。
042bl。042b2は、結晶のX方向縁が表面波の
波長に比べて充分に細かい精度に注意深く研磨仕上げさ
れたものである。
波長に比べて充分に細かい精度に注意深く研磨仕上げさ
れたものである。
表面波は、これら両縁で(4a)式に示す境界条件によ
り反射される。
り反射される。
第4B図中、0450は、結晶表面の変形具合を誇張し
て示すものである。
て示すものである。
他の例として、光学における4分の1波長多重層反射器
に類似した構造を採用したものを示すが、まずこの種の
反射器について説明する。
に類似した構造を採用したものを示すが、まずこの種の
反射器について説明する。
この反射器は、2種類の相異る誘電体の層を交互に重ね
合わせて構成される。
合わせて構成される。
一方の誘電体は屈折率n1が太きく(シたがって光速が
遅く、波長が長くなる)、他方の誘電体は屈折率n5が
小さい(したがって光速度が速く、波長が長くなる)。
遅く、波長が長くなる)、他方の誘電体は屈折率n5が
小さい(したがって光速度が速く、波長が長くなる)。
各層とも、厚さはその中における波長の1/4長さに等
しくしである。
しくしである。
2種類誘電体の対数(ついすう)をnとし、基板層の屈
折率をnbとすると、合板反射率Rは: となる。
折率をnbとすると、合板反射率Rは: となる。
結晶表面上に重い金属の細片を表面波の進行方向に垂直
に取り付けると、当該重金属細片は表面波を僅かながら
反射する。
に取り付けると、当該重金属細片は表面波を僅かながら
反射する。
この金属片の存在により境界条件が変わるので、表面波
の速度も変化する。
の速度も変化する。
いわゆる負荷効果である。例えば、リジュームナイオベ
ートのy板上に50 n m (ナノメートル)厚の金
の層をつけると、2方向進行の表面せん析液は速度が、
11%低下する。
ートのy板上に50 n m (ナノメートル)厚の金
の層をつけると、2方向進行の表面せん析液は速度が、
11%低下する。
この負荷領域の端部において表面波の反射が生じるが、
これは丁度負荷領域端部の前後での表面波速度の比に等
しい比で屈折率が変化する面で光が反射することに相当
する。
これは丁度負荷領域端部の前後での表面波速度の比に等
しい比で屈折率が変化する面で光が反射することに相当
する。
第5図は、結晶表面の各負荷領域から反射して来る波の
位相関係を示し、各反射波が重なり合うと相当大きな合
成反射波となる。
位相関係を示し、各反射波が重なり合うと相当大きな合
成反射波となる。
0500は、音響電気的結晶である。
052cOは、負荷領域の並びであり、そこで速度が変
化する。
化する。
0551゜0553.0555および0557は、それ
ぞれ第1、第2、第3および第4の領域へ入射する表面
波の相対的位相を示し、0552,0554゜0556
および0558は、それぞれ第1、第2、第3および第
4の領域から反射して来る波の相対的位相を示す。
ぞれ第1、第2、第3および第4の領域へ入射する表面
波の相対的位相を示し、0552,0554゜0556
および0558は、それぞれ第1、第2、第3および第
4の領域から反射して来る波の相対的位相を示す。
図では位相変化を誇張して示しであるが、実際の入射波
対反射波の位相変化は、負荷が軽い場合は小さいもので
ある。
対反射波の位相変化は、負荷が軽い場合は小さいもので
ある。
負荷が充分に小さいとすれば、透過波の振幅は入射波の
と殆んど等しく、各負荷領域の前端からの反射波は等振
幅で同位相となる。
と殆んど等しく、各負荷領域の前端からの反射波は等振
幅で同位相となる。
これらが重ね合わさり加算されると、相当大きな合成反
射波となる。
射波となる。
各負荷領域の後端でも反射は起こるが、無用な複雑化を
避けるため、第5図では図示してない。
避けるため、第5図では図示してない。
負荷領域の幅を、進行波の位相で現わして、π/2とす
ると、負荷領域後端からの反射波は、負荷領域前端から
の反射波と振幅が等しく位相が同じになる。
ると、負荷領域後端からの反射波は、負荷領域前端から
の反射波と振幅が等しく位相が同じになる。
このπ/2負荷の場合、1組の負荷数領域からの音響表
面波の反射については、式(7)において屈折率の比(
ns/n l )を速度比(V、/Vl)で置きかえn
bを1とする修正をして次のようになる。
面波の反射については、式(7)において屈折率の比(
ns/n l )を速度比(V、/Vl)で置きかえn
bを1とする修正をして次のようになる。
(7a)式により、波長が2 に等しい場合における負
荷領域の並び数nについての反射率が得られる。
荷領域の並び数nについての反射率が得られる。
波長が変わると、(7a)式は反射波相互の位相不一致
を考慮した修正を必要とする。
を考慮した修正を必要とする。
nが大きくなると、複合Vが対応位相角を持つことを考
慮した場合の小さな位相不一致にかかわりなく、(vS
/■1)2nは0に近づく。
慮した場合の小さな位相不一致にかかわりなく、(vS
/■1)2nは0に近づく。
したがって、大きいnに対しては、Rはlに近づく。
しかし、nがかなり大きくても、位相不一致がある値に
なるとRは急速に0に落ち込む。
なるとRは急速に0に落ち込む。
第6図に、負荷領域並びの反射率Rを、いくつかの並び
数nについて、表面波の波長λに対する関数曲線として
示す。
数nについて、表面波の波長λに対する関数曲線として
示す。
0661.0662,0663,0664,0665゜
0666および0667は、それぞれn−1゜n=2
、 n”4 、 n==6 + n=8.n=10およ
びn−12について、λ対Rを示す曲線である。
0666および0667は、それぞれn−1゜n=2
、 n”4 、 n==6 + n=8.n=10およ
びn−12について、λ対Rを示す曲線である。
第7A図および7n図は、平面図および側面図で、反射
境界は音響電気的結晶の表面上に設けた負荷領域並びに
より実現されている。
境界は音響電気的結晶の表面上に設けた負荷領域並びに
より実現されている。
第7A図中、0700は音響電気的結晶、り711と0
712は第1と第2の電極、0731と0732は各電
極の端子であり、第3A、3B図の場合と同様に構成さ
れていて、同様にλ=V a / f二pなる関係で動
作させる。
712は第1と第2の電極、0731と0732は各電
極の端子であり、第3A、3B図の場合と同様に構成さ
れていて、同様にλ=V a / f二pなる関係で動
作させる。
072c1と072c2は、この実施例独特の部分であ
り、X方向に延びる第1と第2の反射並びとして構成さ
れ、ここで第6図で示した反射率で表面波が反射する。
り、X方向に延びる第1と第2の反射並びとして構成さ
れ、ここで第6図で示した反射率で表面波が反射する。
この例の場合、負荷領域並びの反射率Rが、表面波の波
長のある範囲内で実用上1とみなせるものが存在する。
長のある範囲内で実用上1とみなせるものが存在する。
この場合、pの分布値と大きいnの値を選ぶこと −に
より、表面波波長のある範囲にわたって、1より僅かに
小さいR=1−δなる範囲内にRを設定することができ
る。
より、表面波波長のある範囲にわたって、1より僅かに
小さいR=1−δなる範囲内にRを設定することができ
る。
また、この例の場合、負荷方法は各種のものが使用され
る。
る。
例えば、結晶のと殆んど等しい密度とコンプライアンス
を持つ材料の薄い細片をつけると、表面波に対する境界
条件を変化させ、その結果表面波の速度を体積波のそれ
に近づくよう変化させる。
を持つ材料の薄い細片をつけると、表面波に対する境界
条件を変化させ、その結果表面波の速度を体積波のそれ
に近づくよう変化させる。
他の例としては、負荷として高ステイフネスすなわち低
コンプライアンスの材料の薄細片をつけるものがある。
コンプライアンスの材料の薄細片をつけるものがある。
いずれにせよ、負荷の方法により表面波に対する境界条
件かまたは表面波の進行する複合薄層の有効音響インピ
ーダンスが変化する。
件かまたは表面波の進行する複合薄層の有効音響インピ
ーダンスが変化する。
第8図は、この発明の第1の実施例を示し、ここでは反
射境界を円弧状としたことが特徴である。
射境界を円弧状としたことが特徴である。
第8図中、0800は音響電気的結晶、0811と08
12は第1と第2の電極、0831と0832は各電極
の端子であり、上記各側の場合と同様に構成されていて
、同様にλ” v a / f =pなる関係で動作さ
せる。
12は第1と第2の電極、0831と0832は各電極
の端子であり、上記各側の場合と同様に構成されていて
、同様にλ” v a / f =pなる関係で動作さ
せる。
082c1と082c2は、この実施例独特の部分であ
り、それぞれ曲率半径R1とR2の負荷領域並びである
、曲率中心は、いずれも表面波が伝播する2軸上にある
。
り、それぞれ曲率半径R1とR2の負荷領域並びである
、曲率中心は、いずれも表面波が伝播する2軸上にある
。
ボイドおよびコーゲルニックによる一般フアプリ・ペロ
ー空胴理論(1962、ベル・システム・テクニカル・
ジャーナル第41巻第1347頁)からの推論により、
曲率半径と第1反射領域の2軸上座標との関係は、 で表わされる。
ー空胴理論(1962、ベル・システム・テクニカル・
ジャーナル第41巻第1347頁)からの推論により、
曲率半径と第1反射領域の2軸上座標との関係は、 で表わされる。
ここに、boはコンフォーカルの場合のRである。
反射並びにおける最低次エルミート・ガウス姿態のe−
2点の半径は、 第8図に図解されたものは、両反射並びについて2z二
す。
2点の半径は、 第8図に図解されたものは、両反射並びについて2z二
す。
=Rで、2二〇においてd。−2rである上記説明した
ように、平面境界に沿って伝播する音響表面波の電界は
、前記電極の実質的に中心を通る軸を中心として(9)
式の半径rの内に集中する。
ように、平面境界に沿って伝播する音響表面波の電界は
、前記電極の実質的に中心を通る軸を中心として(9)
式の半径rの内に集中する。
従って、強い集中した電界分布をもたせることにより、
効率良く共振を起こし高いQを得ることができる。
効率良く共振を起こし高いQを得ることができる。
第9図は、この発明の第2の実施例を示し、ここでは負
荷領域内の反射並びの数を適当に選定し表面波が部分的
に透過するようにしである。
荷領域内の反射並びの数を適当に選定し表面波が部分的
に透過するようにしである。
第9A図がその構造を示し、第9B図は4端子網として
の伝送係数の曲線を示す。
の伝送係数の曲線を示す。
第9A図中、0900は音響電気的結晶、0911と0
912は結晶0900上に設けられた第1と第2の電極
で噛合構造をなし入力電極となっており、0913と0
914は結晶0900上に設けられた第3と第4の電極
で噛合構造をなし出力電極となっている40931と0
932は入力端子で、それぞれ電極0911と0912
に接続されており、0933と0934は出力端子で、
それぞれ電極0913と0914に接続されている。
912は結晶0900上に設けられた第1と第2の電極
で噛合構造をなし入力電極となっており、0913と0
914は結晶0900上に設けられた第3と第4の電極
で噛合構造をなし出力電極となっている40931と0
932は入力端子で、それぞれ電極0911と0912
に接続されており、0933と0934は出力端子で、
それぞれ電極0913と0914に接続されている。
交流電圧Vが端子0931と0932の間に加えられる
と、表面波が生じる。
と、表面波が生じる。
092c1と092c2は反射並びで反射率は表面波の
波長の範囲内で僅かに1より小さく、R=1−δである
。
波長の範囲内で僅かに1より小さく、R=1−δである
。
2つの反射並び092c1および092c2で形成され
る空胴が式(6)で表わされる共振条件にほど遠いと、
音響エネルギのうちδ2の部分が両反射並びを透過する
。
る空胴が式(6)で表わされる共振条件にほど遠いと、
音響エネルギのうちδ2の部分が両反射並びを透過する
。
空胴が丁度共振条件にあると、音響エネルギのうちのよ
り多くの部分が出力電極に到達し、端子0933−09
34間にかなりの出力電圧V′を発生する。
り多くの部分が出力電極に到達し、端子0933−09
34間にかなりの出力電圧V′を発生する。
第9B図で、0961と0962は、2種のδ値につい
ての、電圧伝送係数IAI” v’の表面波周波数に対
する関数曲数である。
ての、電圧伝送係数IAI” v’の表面波周波数に対
する関数曲数である。
伝送係数は、式(6)から判るよううに、V a /
2 Dの周期で鋭い共振を呈する。
2 Dの周期で鋭い共振を呈する。
第10図は、この発明の第3の実施例を示し、2つの共
振子を前述の部分透過性反射並びで結合してなり結合共
振子特性を呈するものである。
振子を前述の部分透過性反射並びで結合してなり結合共
振子特性を呈するものである。
第10A図がその構造を示し、第10B図は電極対間の
インピーダンスの周波数応答曲線を示す。
インピーダンスの周波数応答曲線を示す。
結合フィルタの性質は、電気フィルタとしても機械系フ
ィルタとしてもよく知られていることである。
ィルタとしてもよく知られていることである。
電気回路において、共振周波数が同じの2つの共振回路
を相互インダクタンスまたは結合コンデンサで結合した
ものは結合係数に応じて3種類の異なる周波応答を呈す
る。
を相互インダクタンスまたは結合コンデンサで結合した
ものは結合係数に応じて3種類の異なる周波応答を呈す
る。
すなわち、臨界結合、過結合、疎結合である。
前述したように、この発明の共振子は高Q特性を呈する
ものであるから、結合共振器の特性を得るのに、該共振
子2つをコンデンサで結合した電気回路としてもよいこ
とは。
ものであるから、結合共振器の特性を得るのに、該共振
子2つをコンデンサで結合した電気回路としてもよいこ
とは。
容易に推察できよう。しかしながら、この実施例は、負
荷領域の反射並びの半透過性をうまく利用して、別の便
法を提案するものである。
荷領域の反射並びの半透過性をうまく利用して、別の便
法を提案するものである。
第1OA図中、1000は音響電気的結晶、1011と
1012は第1と第2の電極であって結晶1000表面
上に噛合電極を形成しており、1031と1032は各
電極に接続された第1と第2の端子である。
1012は第1と第2の電極であって結晶1000表面
上に噛合電極を形成しており、1031と1032は各
電極に接続された第1と第2の端子である。
端子1031−1032間に交流電圧を加えると、表面
波が発生する。
波が発生する。
音響エネルギの一部分は半透反射並びすなわち結合並び
102cOを通り抜ける。
102cOを通り抜ける。
102c1と102c2は両端の反射並びである。
第1の反射並び102c1と結合並び102cOで形成
される第1の共振子R1と、第2の反射並び102c2
と結合並び102cOで形成される第2の共振子R2と
は、共振周波数が等しくて、結合並び102cOにより
結合されている。
される第1の共振子R1と、第2の反射並び102c2
と結合並び102cOで形成される第2の共振子R2と
は、共振周波数が等しくて、結合並び102cOにより
結合されている。
第10B図中、1061,1062゜1063はそれぞ
れ過結合、臨界結合、疎結合の場合の端子1031−1
032間インピーダンスの周波数応答を示す。
れ過結合、臨界結合、疎結合の場合の端子1031−1
032間インピーダンスの周波数応答を示す。
第11図は、第3の実施例の変形例を示し、3つの共振
子を半透反射並びで結合したものである。
子を半透反射並びで結合したものである。
第11A図がその構造を示し、第11B図が電極対間の
インピーダンスの周波数応答を示す。
インピーダンスの周波数応答を示す。
第11A図中、1100は音響電気的結晶、1111と
1112は第1と第2の電極であって結晶1100表面
上に噛合電極を形成しており、1131と1132は各
電極に接続された第1と第2の端子である。
1112は第1と第2の電極であって結晶1100表面
上に噛合電極を形成しており、1131と1132は各
電極に接続された第1と第2の端子である。
端子1131−1132間に交流電圧を加えると、表面
波が発生する。
波が発生する。
音響エネルギの一部分は半透反射並びすなわち結合並び
112cOを通り抜ける。
112cOを通り抜ける。
112c1.112c2゜112c3は反射並びである
。
。
第1の反射並び112c1と結合並び112cOで形成
される第1の共振子R1と、第2の反射並び112c2
と結合並び112cOで形成される第2の共振子R2と
、第3の反射並び112c3と結合並び112cOで形
成される第3の共振子R3とは、共振周波数がそれぞれ
中・高・低と若干ずらせてあり、結合並び112cOに
より結合されている。
される第1の共振子R1と、第2の反射並び112c2
と結合並び112cOで形成される第2の共振子R2と
、第3の反射並び112c3と結合並び112cOで形
成される第3の共振子R3とは、共振周波数がそれぞれ
中・高・低と若干ずらせてあり、結合並び112cOに
より結合されている。
第11B図中、1160は端子1131−1132間イ
ンピーダンスの周波数応答を示す。
ンピーダンスの周波数応答を示す。
第12図は、この発明の第1の応用として、2端子網を
組み立てた例を示す。
組み立てた例を示す。
この例では、共振子を一般格子型2端子網の並列素子と
して使用している。
して使用している。
音響電気的結晶1201、噛合電極1211および12
12、反射並び122c1および122c2は、第1の
共振インピーダンスXr1を呈する高Q共振回路を構成
し、音響電気的結晶1202、噛合電極1213および
1214、反射並び122c3および122c4は、第
2の共振インピーダンスXr2を呈する高Q共振回路を
構成する。
12、反射並び122c1および122c2は、第1の
共振インピーダンスXr1を呈する高Q共振回路を構成
し、音響電気的結晶1202、噛合電極1213および
1214、反射並び122c3および122c4は、第
2の共振インピーダンスXr2を呈する高Q共振回路を
構成する。
共振インピーダンスXrl、Xr2を第1、第2の並列
素子として、コンデンサ1271および1272の容量
C1およびC2を第1、第2の直列素子として、端子1
231.1232から見た2端子網を構成している。
素子として、コンデンサ1271および1272の容量
C1およびC2を第1、第2の直列素子として、端子1
231.1232から見た2端子網を構成している。
第13図は、この発明の第2の応用として、4端子網を
組み立てたものの、第1の例を示す。
組み立てたものの、第1の例を示す。
この例では、共振子をT型4端子網の並列素子として使
用している。
用している。
音響電気的結晶1300、噛合電極1311および13
12、反射並び132c 1および132c2は、共振
インピーダンスXrを呈する高Q共振回路を構成する。
12、反射並び132c 1および132c2は、共振
インピーダンスXrを呈する高Q共振回路を構成する。
共振インピーダンスXrを並列素子とし、コンデンサ1
371および1372の容量C1およびC2を入力側お
よび出力側直列素子として、入力側端子対1331−1
332と出力側端子対1333−1334の間にT型4
端子網を構成している。
371および1372の容量C1およびC2を入力側お
よび出力側直列素子として、入力側端子対1331−1
332と出力側端子対1333−1334の間にT型4
端子網を構成している。
第14図は、この発明の第2の応用の第2例を示す。
この例では、1対の半透反射並びと入力側、出力側電極
を備えた共振子(第9図参照)を使用して、一般回路の
トランス結合に類似したものを形成している。
を備えた共振子(第9図参照)を使用して、一般回路の
トランス結合に類似したものを形成している。
1400は音響電気的結晶、1411と1412は結晶
1400上に設けられた第1と第2の電極で噛合構造を
なし入力電極となっており、1413と1414は結晶
1400上に設けられた第3と第4の電極で噛合構造を
なし出力電極となっている。
1400上に設けられた第1と第2の電極で噛合構造を
なし入力電極となっており、1413と1414は結晶
1400上に設けられた第3と第4の電極で噛合構造を
なし出力電極となっている。
142c1と142c2は、反射率が僅かに1より小さ
い反射並びである。
い反射並びである。
このようにして、入力端子側から見た共振インピーダン
スがXrlで、出力端子側から見た共振インピーダンス
がXr2で、結合インピーダンスがMrのトランスが形
成される。
スがXrlで、出力端子側から見た共振インピーダンス
がXr2で、結合インピーダンスがMrのトランスが形
成される。
入力電極は、入力端子対1431と1432に接続され
ており、出力電極は、出力端子対1433と1434に
接続されている。
ており、出力電極は、出力端子対1433と1434に
接続されている。
容量C1のコンデンサ1471と容量C2のコンデンサ
1472が、それぞれ人力電極と出力電極に並列に接続
されている。
1472が、それぞれ人力電極と出力電極に並列に接続
されている。
人出端子対と出力端子対の間の4端子網の定数Aの逆数
は、第9B図で示したような共振特性を呈する。
は、第9B図で示したような共振特性を呈する。
以上説明したように、この発明によれば、モノリシック
構造を利用して、各種の周波数応答の回路を組み立てる
ことができ、きわめて有用である。
構造を利用して、各種の周波数応答の回路を組み立てる
ことができ、きわめて有用である。
第1A、IB図は公知の音響電気表面波発生構造を示す
図、第2A、2B図はこの発明の基本構成を示す図、第
3A、3B図及び第4A、4B図は本発明の前提となる
基本構成をそれぞれ示す平面図及び側面図、第5図は他
の基本構成を示す説明図、第6図はその反射特性を示す
関数グラフ、第7A、7B図は本発明の前提となるその
他の基本構成を示す平面図及び側面図、第8図はこの発
明の第1の実施例を示す図、第9A、9B図はこの発明
の第2の実施例を示す図、第1OA、10B図はこの発
明の第3の実施例を示す図、第11A。 11B図はその変形例を示す図、第12.13゜14図
はそれぞれこの発明の共振子を応用した回路側を示す回
路図である。 0200・・・・・・音響電気的結晶、0211,02
12・・・・・・噛合電極、0221.0222・・・
・・・反射境界。
図、第2A、2B図はこの発明の基本構成を示す図、第
3A、3B図及び第4A、4B図は本発明の前提となる
基本構成をそれぞれ示す平面図及び側面図、第5図は他
の基本構成を示す説明図、第6図はその反射特性を示す
関数グラフ、第7A、7B図は本発明の前提となるその
他の基本構成を示す平面図及び側面図、第8図はこの発
明の第1の実施例を示す図、第9A、9B図はこの発明
の第2の実施例を示す図、第1OA、10B図はこの発
明の第3の実施例を示す図、第11A。 11B図はその変形例を示す図、第12.13゜14図
はそれぞれこの発明の共振子を応用した回路側を示す回
路図である。 0200・・・・・・音響電気的結晶、0211,02
12・・・・・・噛合電極、0221.0222・・・
・・・反射境界。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 気体と平面境界を形成する表面をもつ音響電気的結
晶と、該結晶上に設けられ前記平面境界に沿って音響表
面波を生じさせる一対の電極と、該電極により生じ前記
平面境界に沿って伝幡する音響表面波の進行方向に於て
前記電極の実質的に中心を通る軸上に互いにコンフォー
カルな曲率中心をもつ一対の円弧状反射境界とを備え、
かつ前記一対の円弧状反射境界間の伝播位相を実質的に
前記表面波の半周期の整数倍として構成したことを特徴
とする音響電気共振子。 2 気体と平面境界を形成する表面をもつ音響電気的結
晶と、該結晶上に設けられ前記平面境界に沿って音響表
面波を生じさせる一対の電極と、該電極により生じ前記
平面境界に沿って伝幡する音響表面波の進行方向に於て
前記電極の実質的に中心を通る軸上に互いにコンフォー
カルな曲率中心をもって配説され前記表面波の一部を反
射し残部を通過させる部分透過帯からなる一対の円弧状
反射境界とを備え、かつ前記一対の円弧状反射境界間の
伝播位相を実質的に前記表面波の半周期の整数倍として
構成したことを特徴とする音響電気共振子。 3 気体と平面境界を形成する表面をもつ音響電気的結
晶と、該結晶上に設けられ前記平面境界に沿って音響表
面波を生じさせる一対の電極と、該電極により生じ前記
平面境界に沿って伝幡する音響表面波の進行方向に於て
前記電極の実質的に中心を通る軸上に互いにコンフォー
カルな曲率中心をもつ一対の円弧状反射境界とを備え、
かつ前記一対の円弧状反射境界の伝播位相を実質的に前
記表面波の半周期の整数倍として構成し、さらに前記一
対の円弧状反射境界の間に前記音響表面波の一部を反射
し残部を通過させる部分透過性反射帯を備えてなること
を特徴とする音響電気共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49087670A JPS5824971B2 (ja) | 1974-07-31 | 1974-07-31 | オンキヨウデンキキヨウシンシ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49087670A JPS5824971B2 (ja) | 1974-07-31 | 1974-07-31 | オンキヨウデンキキヨウシンシ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54086672A Division JPS5950130B2 (ja) | 1979-07-09 | 1979-07-09 | 音響表面波電気フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5115987A JPS5115987A (ja) | 1976-02-07 |
| JPS5824971B2 true JPS5824971B2 (ja) | 1983-05-24 |
Family
ID=13921367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49087670A Expired JPS5824971B2 (ja) | 1974-07-31 | 1974-07-31 | オンキヨウデンキキヨウシンシ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824971B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4166258A (en) * | 1974-08-29 | 1979-08-28 | International Business Machines Corporation | Thin-film integrated circuit with tank circuit characteristics and applications to thin-film filters and oscillators |
| JPS54143633A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-09 | Asahi Optical Co Ltd | Interchangeable contact lens mirror barrel |
| JPS5711521A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-21 | Toshiba Corp | Elastic surface wave resonator |
| JPS59200519A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-13 | Toshiba Corp | 弾性表面波共振器 |
| JPS60123711A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 回転角検出方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3716809A (en) * | 1971-08-11 | 1973-02-13 | Us Air Force | Acoustic surface wave resonator |
| US3760204A (en) * | 1972-03-01 | 1973-09-18 | Motorola Inc | Acoustic surface wave resonator |
| US3886504A (en) * | 1974-05-20 | 1975-05-27 | Texas Instruments Inc | Acoustic surface wave resonator devices |
-
1974
- 1974-07-31 JP JP49087670A patent/JPS5824971B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5115987A (ja) | 1976-02-07 |
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