JPS582835A - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
- Publication number
- JPS582835A JPS582835A JP10051781A JP10051781A JPS582835A JP S582835 A JPS582835 A JP S582835A JP 10051781 A JP10051781 A JP 10051781A JP 10051781 A JP10051781 A JP 10051781A JP S582835 A JPS582835 A JP S582835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- substrate
- resist
- solvent
- organic solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発−は現像方法、特に微細・櫂ターンを形成する際に
実施する現像方法に関する。
実施する現像方法に関する。
ＬＩＩＩＯ高度集積化にともない黴１＠Ａターン形成も
高度Ｏ技術が必要となって来た。従来、徽ＪｌｌＡメー
ンｔｙ＃威す４１１１に実施する現像方法は第１ＷＡに
示１れゐような浸漬法（Ｕｐ方式）又社第２図に示され
為ようｅスフレ−法が番る。すなわち５１１１図におい
て、ホトレゾストを塗布した後／々ターンに合わせて露
光せしめられた基板（以後禎処理基板と称する）１が容
Ｗｈ２内の現像液の有機溶剤液３中に浸漬せしめられて
いる。この浸漬による現像方法では使用回数が多くなる
につれ現像液の濁れが増しレゾスＦの残渣、薄皮残９、
有機物の付着等の問題が多い、ｔた第２図において、被
処理基板ＩＫスゲレーヤー４を用いて現像液３が噴射せ
しめられている。この方式では第１図の１ｉｓｐ方式よ
りは轟然のことながらレジスト残渣、薄皮残多岬の少な
い夷好なレジスト／昔ターンを得ゐことが出来、を九現
倫時間も一１ｐ方式に比べ短縮することができる。しか
しながら現像液の使用量が第１！ｇｌＩＩＤ方法と比べ
、２〜！Ｓ倍となりコスト増につながる。
高度Ｏ技術が必要となって来た。従来、徽ＪｌｌＡメー
ンｔｙ＃威す４１１１に実施する現像方法は第１ＷＡに
示１れゐような浸漬法（Ｕｐ方式）又社第２図に示され
為ようｅスフレ−法が番る。すなわち５１１１図におい
て、ホトレゾストを塗布した後／々ターンに合わせて露
光せしめられた基板（以後禎処理基板と称する）１が容
Ｗｈ２内の現像液の有機溶剤液３中に浸漬せしめられて
いる。この浸漬による現像方法では使用回数が多くなる
につれ現像液の濁れが増しレゾスＦの残渣、薄皮残９、
有機物の付着等の問題が多い、ｔた第２図において、被
処理基板ＩＫスゲレーヤー４を用いて現像液３が噴射せ
しめられている。この方式では第１図の１ｉｓｐ方式よ
りは轟然のことながらレジスト残渣、薄皮残多岬の少な
い夷好なレジスト／昔ターンを得ゐことが出来、を九現
倫時間も一１ｐ方式に比べ短縮することができる。しか
しながら現像液の使用量が第１！ｇｌＩＩＤ方法と比べ
、２〜！Ｓ倍となりコスト増につながる。
本発明の目的は処理時間の短いしかも現像液の使用量が
少ない現像方法を提供することである。
少ない現像方法を提供することである。
本発明の他の＠的は非常にシャーグなレゾスト形状が得
られ且つファインΔターンの形成が可能なｉＩ儂方法を
提供することである。
られ且つファインΔターンの形成が可能なｉＩ儂方法を
提供することである。
不発ＷＯＳ的は微細Δターンを形成するために基横上に
塗布され九レジストを露光した後に有機溶剤を用いて現
像を行なう現像方法において前配露光工１１０１１に被
処理基板を有機溶剤のガス雰囲気中に載置し、次に前記
有機溶剤を用いてスプレ一方式によ＊＊＊を行なう現像
方法によって達成される。
塗布され九レジストを露光した後に有機溶剤を用いて現
像を行なう現像方法において前配露光工１１０１１に被
処理基板を有機溶剤のガス雰囲気中に載置し、次に前記
有機溶剤を用いてスプレ一方式によ＊＊＊を行なう現像
方法によって達成される。
本発明は纏り方式を取り入れずに、１部にスプレ一方式
を取）入れえものである。すなわちスプレ一方式Ｏ曽処
瑠として被処理基Ｉｔ管現像液である有機溶剤ＯｔＸ雰
−気中に置いて皺有機溶剤を普ｍｍ＊＊上に塗布畜れえ
レゾスト内に適度に浸透（Ｐ−ピング）させ次に従来Ｏ
Ｊ７”レ一方式を行なうものである・ 本ＩＩ＠によれば被処理基板ｔ１ｉ書液のガス雰囲気内
Ｋｌ装置してしｙスト内に有機溶剤を適度に浸透させる
ことによって（露光部が活性化せしめられ）次に行なう
スプレーによる現像を短時間に完了しうるＯ″ｃｈる。
を取）入れえものである。すなわちスプレ一方式Ｏ曽処
瑠として被処理基Ｉｔ管現像液である有機溶剤ＯｔＸ雰
−気中に置いて皺有機溶剤を普ｍｍ＊＊上に塗布畜れえ
レゾスト内に適度に浸透（Ｐ−ピング）させ次に従来Ｏ
Ｊ７”レ一方式を行なうものである・ 本ＩＩ＠によれば被処理基板ｔ１ｉ書液のガス雰囲気内
Ｋｌ装置してしｙスト内に有機溶剤を適度に浸透させる
ことによって（露光部が活性化せしめられ）次に行なう
スプレーによる現像を短時間に完了しうるＯ″ｃｈる。
を九現像処理時間を短時間にすることが出来る丸め、現
像液の使用量を減少させることが出来る。更に又、本発
明によれば有機溶剤のガス雰囲気中に被処理基板を載置
することによ夕上述の如く露光部が活性化せしめられて
次Ｏスｌレーエ鴨でレゾスト剥離が精度よく行なわれシ
ャーｆ１にレジスト形状を得てファインノ譬ターンの形
成が可能となる。
像液の使用量を減少させることが出来る。更に又、本発
明によれば有機溶剤のガス雰囲気中に被処理基板を載置
することによ夕上述の如く露光部が活性化せしめられて
次Ｏスｌレーエ鴨でレゾスト剥離が精度よく行なわれシ
ャーｆ１にレジスト形状を得てファインノ譬ターンの形
成が可能となる。
以下本発明の一実施例である第３ＷＪに基づいて説明す
る。
る。
第＊＊には現像液である有機溶媒０ネｆ＠７オトレゾス
Ｆ用のキシレン型現倫液を入れ良書閉容器１１に被処理
基４ｉ２１が拡大せしめられて被処理基板載置台１１に
載置されている。このｌＩ書開閉容器９内峡キシレン盟
有機溶剤３１Ｃ）ｆス雰囲気１Ｇが作られる。被Ｊ６理
基板は、２，３■の厚さを有する！ラス基＃ｔ５上に１
ｏｏｏｌｏ厚さ０クロム６を付着させ、その上にネガＷ
７オトレジスト１を１００Ｑ 〜１００００１塗布し、
露光部８を有するものである。前述の密閉容器９はＳＯ
Ｗ〜１００１四方の容器が好ましく又約２６℃で５〜１
０時間現像液３１を入れ九容ａｔ加熱すると密閉容器内
での現像液の有機濤剤ｔス化速度増大する０本発明に係
會レジストとしてはネ、ｆＩ！ｌ！フォトレゾストＯ他
に、ＩＩ藤レゾスト（電子線レジスト）例えばネ、ｙｓ
ｇｔｏにＭＡ 、 ｊ載置のＰ膳ａ勢も用いられ、★え
現像液としてはそれぞれＭＩＫ （メチルエチルケト２
）ｌびＭＩＩＫ（メチルイソブチルケトン）等を使用し
てもよい、第ｓＩ！ｌＩＫ示したように被処理基Ｉ［を
現像液Ｏ有機鋼のガス１！囲気１０に約６０分間さらし
先後、嬉意園に示し友スｌレ一工程を行なう、被処理基
板１はｚｏｏ〜Ｉｓ ＯＯｒｐｒｍで回転せしめられＳ
ｏ〜ｌＯＯ〜／、ｌ、０現像液３′ が従来ＯＭｌ／ｓ
Ｏ＃１ｅ秒間付自つけられ現像が完了する。そ０＠果し
ｙス）０残渣薄膜等がなく、しか４ ｏ、 ｓ ｓΔタ
ーンを解侭可能にすることかで１１え。
Ｆ用のキシレン型現倫液を入れ良書閉容器１１に被処理
基４ｉ２１が拡大せしめられて被処理基板載置台１１に
載置されている。このｌＩ書開閉容器９内峡キシレン盟
有機溶剤３１Ｃ）ｆス雰囲気１Ｇが作られる。被Ｊ６理
基板は、２，３■の厚さを有する！ラス基＃ｔ５上に１
ｏｏｏｌｏ厚さ０クロム６を付着させ、その上にネガＷ
７オトレジスト１を１００Ｑ 〜１００００１塗布し、
露光部８を有するものである。前述の密閉容器９はＳＯ
Ｗ〜１００１四方の容器が好ましく又約２６℃で５〜１
０時間現像液３１を入れ九容ａｔ加熱すると密閉容器内
での現像液の有機濤剤ｔス化速度増大する０本発明に係
會レジストとしてはネ、ｆＩ！ｌ！フォトレゾストＯ他
に、ＩＩ藤レゾスト（電子線レジスト）例えばネ、ｙｓ
ｇｔｏにＭＡ 、 ｊ載置のＰ膳ａ勢も用いられ、★え
現像液としてはそれぞれＭＩＫ （メチルエチルケト２
）ｌびＭＩＩＫ（メチルイソブチルケトン）等を使用し
てもよい、第ｓＩ！ｌＩＫ示したように被処理基Ｉ［を
現像液Ｏ有機鋼のガス１！囲気１０に約６０分間さらし
先後、嬉意園に示し友スｌレ一工程を行なう、被処理基
板１はｚｏｏ〜Ｉｓ ＯＯｒｐｒｍで回転せしめられＳ
ｏ〜ｌＯＯ〜／、ｌ、０現像液３′ が従来ＯＭｌ／ｓ
Ｏ＃１ｅ秒間付自つけられ現像が完了する。そ０＠果し
ｙス）０残渣薄膜等がなく、しか４ ｏ、 ｓ ｓΔタ
ーンを解侭可能にすることかで１１え。
４ ｒｌＡＷＩＯ簡単な説明
ＩＩＩ■及び嬉！閣は従来のそれぞれｄｌν方式、スプ
レ一方式を示す概略図であ夛、第＊＊は不発＠に係る有
機−剤Ｏｔガス雰囲気中拡大され九被処履基ｌｅｔ装置
せしめ九概略断面園である。
レ一方式を示す概略図であ夛、第＊＊は不発＠に係る有
機−剤Ｏｔガス雰囲気中拡大され九被処履基ｌｅｔ装置
せしめ九概略断面園である。
ｌ−被処理基板、３．３’−・現像液、３＃−、キシレ
ンｍ現健液、４・−スプレ一方式、５・・・ｗｙス基板
、Ｓ−Ｚロム、γ−１−ｆ型７オトレゾスト、８・−露
光部、９−・・密閉容器、１〇−有機溶剤ガス雰囲気。
ンｍ現健液、４・−スプレ一方式、５・・・ｗｙス基板
、Ｓ−Ｚロム、γ−１−ｆ型７オトレゾスト、８・−露
光部、９−・・密閉容器、１〇−有機溶剤ガス雰囲気。
特許出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 青 木 朗
弁理士西舘和之
弁理士内田幸男
弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 微細Δターンを形成するえめに基板上に塗布されえレゾ
ストを電子ビーム、紫外光、遠紫外光等により露光しえ
後に有機溶剤を用いて現像を行なう現像方法Ｋかいて； 前記露光工ｓｍｏＩＩＫ被Ｊ６ｍ１基板を有機溶剤のガ
ス雰■気中に＠置し、次に前記有機溶剤を用いてスダＡ
ｍ方武により現像を行なうことを特徴とする現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10051781A JPS582835A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10051781A JPS582835A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS582835A true JPS582835A (ja) | 1983-01-08 |
Family
ID=14276139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10051781A Pending JPS582835A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS582835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5505504A (en) * | 1992-02-28 | 1996-04-09 | Bentac Co., Ltd. | Apparatus for tying one or more articles |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10051781A patent/JPS582835A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5505504A (en) * | 1992-02-28 | 1996-04-09 | Bentac Co., Ltd. | Apparatus for tying one or more articles |
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