JPS582844A - フオトマスクの検査方法 - Google Patents

フオトマスクの検査方法

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JPS582844A
JPS582844A JP56101110A JP10111081A JPS582844A JP S582844 A JPS582844 A JP S582844A JP 56101110 A JP56101110 A JP 56101110A JP 10111081 A JP10111081 A JP 10111081A JP S582844 A JPS582844 A JP S582844A
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JP
Japan
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photomask
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working
storage device
optical system
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JP56101110A
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English (en)
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JPS6212914B2 (ja
Inventor
Shogo Matsui
正五 松井
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、フォトマスクの検査方法に関する。
詳しく社、フォトマスクの検査1揚の省略化に関する。
フォトマスクは、消耗しやすくかつおびえだしい数量を
使用するものであるから1反転したバタオトマス/la
造し、このワーキングフォトマスクをフォトリングラフ
イー法に使用するヒとが一般である。共通マスタフォト
マスク線十分注意して欠陥が存在しないように製造され
るが、ノ(ターンが極めて微細であるため、完全に無欠
陥になすことは容易ではiい。し九がって、詳細に検査
し丸上で事実上無害であると確認され九ときは特に修正
を施さない場合が多い。し九がつ°て、マスタフォトマ
スクはかなりな数量の無害な欠陥を含有していることが
一般である。
ところで、この共通マスクフォトマスクを反転焼き付け
てワーキングフォトマスクを製造するKあ九9.多少の
欠陥が発生することは己むを得たいところであるから、
従来技術においては、原則として製造されたワーキング
フォトマスクの全量に対し、しかも、その全面に且つて
検査しており。
これに要する工数は着像し難いものであった。しかも、
この全量検査においては、マスクフォトマスクに轟初か
ら含まれていた事寒上無害な欠陥もそのすべてが当然検
出され、これらを選別除去の上現実に有害な欠陥にのみ
修正を施こしてい九が、この事実上不必要な作業のため
に要する工数は甚大であるという大きな欠点があった。
本発明の目的は、共通マスタフォトマスクを使用して製
造され九ワーキングフォトマスクの検査方法において、
その検査工程の簡略化されたフォトマスクの検査方法を
提供することKある。
その要旨は、(イ)フォトマスク表面の微小領域の物理
的状態、例えば特定の物質の存在・不存在、特定の電磁
波・微粒子の透過・不透過あるいは反射・吸収、又は電
位等を判別しうる光学系と、フォトマスク表面を細分し
て設けられ九黴小領域の各々に対し、上記の光学系が逐
次動作しうるように、上記の光学系をスキャンさせる走
査型ステージ系と、上記の光学系の出力情報等の情報等
の情報が貯蔵される記憶装置と、この記憶装置に情報を
書き込み読み出しする装置と、演算装置と検査工程を逐
次的に実行する指令を発する制御装置とを有する。フォ
トマスク用検査装置を使用するとととし、(ロ)まず、
最初に共通マスタフォトマスクの全面を検査してすべて
の欠陥を発見し、有害で      1パある欠陥に対
しては修正を施し、無害であることが確認された欠陥は
着像することとし、その無害欠陥の存在する微小領域又
は微小領域群の位置を記憶−置に貯蔵し、(f1次に、
任意のワーキングフォトマスクの全面を検査してすべて
の欠陥を発見してその存在する微小領域又は微小領域群
の位置を一旦記憶装置に貯蔵し、に)このワーキングk
Ffモ1;4フォトマスクに関する情報と先に貯蔵され
九マスタフォトマスクに関する情報とを比較し相互に重
複する部分1ワーキングフオトマスクに関する情報から
削除し、(4)残留し九情報をもって、!!&該製造ロ
ットにおいで上記の実際に検査され九ワーキングフォト
マスクより前に製造され九すべてのワーキングフォトマ
スクの有する欠陥の存在する黴小領域又杜黴小領域群の
位置を表わす情報と着像すことに#)′る。
そして、上記の実WAK検査され九ワーキングフォトマ
スクより前に製造され九ワーキングフォトマスクの夫々
に対し、上記の”記憶装置に貯蔵されている情報によっ
て表わされる位置に存在する欠陥を逐次修正する。すな
わち、電磁波を透過すべき領域が不透過性であるときは
その微小領域にし一ザ照射等をなして不透過性物質を飛
散させて修正し、その逆に電磁波に対し不透過性である
べき領域が透過性を有するときはその微小領域にインク
ジェットを噴射する尋の手法をもって不透過性となして
修正する。
その結果、極めて僅かの数量のワーキングフォトマスク
を実際に検査するのみで、非常に多数のワーキングフォ
トマスクの有する実害のある欠陥のみを、しかも極めて
高い精度をもりて検出することができる。該当する製造
ロットの数量にもよる。が、一つの製造ロットの最後に
製造されたワーキングフォトマスクを九だ1枚検出すれ
ば十分である。したがって、多くの場合は、各製造ロフ
トにおいて%丸だ1枚のみの検査で十分でやり、共通マ
スタフォトマスクを使用して製造されたワーキングフォ
トマスクの検出方法の検査工程を大幅に簡略化すること
ができる。
本発明の依鵜する自然法則は、(イ)7thマスクの有
する欠陥のうち事実上無害である欠陥が相当の率で存在
すること、(ロ)ワーキングフオトマスクの欠陥は、マ
スタフォトマスクの消耗・損傷により次111に増加す
る傾向があり、夫々の製造ロットにおいては、蛾後に製
造され九ワーキ/グフォト1スクに存在しない欠陥がそ
れ以前に#造され九ワーキングフォトマスクに存在する
確率は極めて少ないという事実である。
以下、ai1面を参照しつつ、本発明の一実施例につい
て説明し1本発明の構成と特有の効果とを更に明らかに
する。
■参照 図は本発明に係るフォトマスクの検査方法に使用されゐ
検査装置のブロックダイヤグラムを示す。
図において、1は光学系であり、2は走査皺ステージ系
であ炒、3は検査されるフォトマスクである。番は記憶
装置であり、5は演算装置であり、6は制御装置である
。走査蓋ステージ系2tスキャ/させながらフォトマス
ク30表面に仮想上区分して設けられ九黴小領域毎に光
学系lをもって検査し、この結果を記憶装置4に記憶さ
せる仁とがてきる◎制御装置6は、演算装置6を使用し
て、はじめ、所定のプログラムにし九がって検査工程の
進行をつかさどる。
まず、共通マスタフォトマスクの全面を検査し、すべて
の欠陥を発見し、有害か無害かを判断し有害である亀の
Kは上記に一例を示した手法(レーザ照射又はインクジ
ェット)をもって修正をほどこす。この工程は目視をも
ってなすことも、記憶装置番にモデルを記憶しておきこ
れとの比較により自動的になすことも可能である。事実
上無害と判断された欠陥の存在する領域の位置を記憶装
置4に記憶させる。
次に、任意のワーキングフォトマスクの倉内全検査し、
有無害の別なくすべての欠陥を発見してその領域の位置
を記憶装置4に記憶させる。この工程も、目視をもって
なすことも、記憶装置4に記憶されたモデルと自動的に
比較させてなすことも可能である。
第3に、ワーキングフォトマスクの欠陥Kllする情報
からマスタフォトマスクの含有する無害欠陥に関する情
報を減算して与えられ九情報をもって、この製造ロフト
において、実際に検出されたワーキングフォトマスクよ
り前に製造されたすべてのワーキングフォトマスクの有
する有害欠陥、すなわち、修正欠陥の存在する領域を示
す情報と着像す。
この情報にもとづき、該当する製造ロットにおいて、実
11に検査され九ワーキングフォトマスクl餉KIll
llされ九各々のワーキングフォトマスクについて、そ
の有する有害欠陥の存在する領域を光学系1の視野に逐
次呼び出し、修正を実行するO 以上、説明せるとおり本発明によれば、共通マスタフォ
トマスクを使用して製造され九ワーキングフォトマスク
の検査方法において、その検査工程が大幅に簡略化され
たフォトマスクの検査方法を提供することができる。
陶、上記のとお抄、モデルを記憶装置に記憶させておき
本発明に係る検査工程を完全に自動的に進行させること
は極めて容易であり、更K、各ワーキングフォトマスク
の修正工程も完全に自動的に進行させることとして、本
発明を利用してなすフォトマスクの完全自動検査・修正
装置を提供することも可能である。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例に係るフォトマスクの検査方法の
実施に直接使用されるフォトマスク用検査装置のブロッ
クダイヤグラムである。 1・・・・・・光学系、   2・・・・・・走査型ス
テージ系。 3・・・・・・検出されるフォトマスク、番・・・・・
・記憶装置、5・・・・・・演算装置、 6・・・・・
・制御装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フォトマスク11画の微小領域の物理的状態を判別する
    光学系と、該光学系が、前記フォトマスク表面を区分し
    て設けられ九微小領域の各々に対して逐次動作しうるよ
    うに前記フォトマスクと前記光学系との相対的位置関係
    を逐次変化させる走査■スデ〜ジ系と、前記光学系の出
    力情報等の情報が貯蔵される記憶装置と、該記憶装置に
    情報を書き込み読み出しする装置と、演算装置と、検査
    の逐次−的実行を指令する制御装置とを有する、フォト
    マスク用検査装置を使用してなすフォトマスクの検査方
    法において、(1)共通マスタフォトマスクを検査して
    その上に存在するが無害であることが確認されている欠
    陥の存在する前記微小領域又は微小領域群の位置を前記
    記憶装置に貯蔵し、(ロ)少なくとも1箇の、好ましく
    は各製造ロフトにおいて最後に製造され九ワーキングフ
    ォトマスクを検査して欠陥の存在する前記微小領域又は
    微小領域群の位置を発見し、該位置を前記記憶装置に貯
    蔵し、f)該情報と前記(1)の工程において貯蔵され
    九情報とを比較して、相違する情報を選択し、に)該選
    択され九情報をもって、当該製造nッ トにおいて前記
    (0)の工程において検査されたワーキングフォトマス
    クより前に製造されたすべてのワーキングフォトマスク
    の有する欠陥の存在する微小領域又は微小領域群の位置
    を代表する情報を看做すことを特徴とするフォトマスク
    の検査方法。
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JPS6212914B2 JPS6212914B2 (ja) 1987-03-23

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6060011A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 Sumitomo Rubber Ind Ltd 低騒音タイヤ
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