JPS5829448Y2 - 発光表示装置 - Google Patents

発光表示装置

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JPS5829448Y2
JPS5829448Y2 JP1981022059U JP2205981U JPS5829448Y2 JP S5829448 Y2 JPS5829448 Y2 JP S5829448Y2 JP 1981022059 U JP1981022059 U JP 1981022059U JP 2205981 U JP2205981 U JP 2205981U JP S5829448 Y2 JPS5829448 Y2 JP S5829448Y2
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electrode
electrolyte
reflective
thickness
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JP1981022059U
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ピエール・ギユヨン
ロベール・メイエ
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コミツサリア、タ、レネルギ−、アトミ−ク
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、表面の少くとも一部の反射率を任意に変えて
その部分の明度釦よび色彩あるいはそのいずれかを変化
させるための装置を含む発光表示装置に係る。
本装置は反射率が変化する表面の部分に対応したパター
ンの表示を行なうものである。
また、所与の光学的厚さをもつ二つの部分的に反射する
面の間に固く保持された透明フィルムから成り、干渉フ
ィルターを形成する反射層を生成または除去することに
より、一般的に言う反射率を変化させることができる。
数字表示装置および文字数字表示装置は二つの範ちゅう
に入れることができる、すなわち発光装置(発光ダイオ
ード、放電装置、白熱装置)と液晶のような補助光線を
必要とする装置、電気クロマトグラフィーおよび電解装
置がそれである。
暗闇中では見えない光学上受動的な可視表示装置で、後
者の範ちゅうに属するものは、遥かにエネルギーの消費
が少く、その可視性が高度の照射によって増大されるも
ので、それは高い発光度の環境で観察する場合に利点を
あたえている。
電気クロマトグラフィーおよび電解装置の他の特性は、
表示される情報が変化する時にのみエネルギーを消費す
るという事実にある。
そのような装置は本質的に内部メモリーをもっており、
それらを使用することは切換周波数が低い値で、利用可
能の動力が制限されているあらゆる場合に有利に応用で
きる。
電解装置の範ちゅうに入る従来の表示装置においては、
有色金属筐たは有機金属のフィルム層が、電気分解によ
って観察側から遠い面上に形成される時にガラス板の反
射率の変化が生じる。
それは明らかに反射と透過の双方について作用を行うこ
とができる。
しかし金属フィルム層について得られるコントラストは
、数百オングストロームの厚さの場合のみに十分なので
あって、金属フィルム層を表示すべきパターン上に形成
するためには多酸の電力を伴う。
先行技術の電解表示装置は干渉フィルターの特徴を成す
構造的干渉現象を使用しない。
本考案は補助光源をもち、厚さの小さい金属デポジット
材に対して高いコントラストを示す発光表示装置を目的
とする。
本考案による発光表示装置は本質的に、 光源Sと、 厚さの小さい、光源Sによって照射される半反射物質の
均一層Caと。
層Ca上に形成された屈折率nと厚さeをもつ透明物質
の層cbで、その層cbが、一定で、その平らな表面に
対して直角に創った場合neに等しい光学的厚さをもつ
層と、 層cbの少くとも一部の上に形成された反射層Ccで、
好ましい場合層cbに対して層Ccの他の側にいる観察
者が読取ろうとするパターンを形成する層 とを含んでいる。
本考案の1実施例では、層Caは透明板りによって保護
されている。
層Caはそこで層り上に形成され、層cbは層Ca上に
、層Ccは層Cb上に形成される。
光源Sはランプ、ネオンランプ、レーザーのような人工
光源筐たは日光のような自然光源である。
干渉フィルターは三つの層Ca、CbおよびCcによっ
て構成される。
干渉フィルターを構成するファプリーペローのエタロン
はn+eの光学的厚さ、すなわち二つの半反射層Caと
Cc間の層cbの厚さをもっている。
層CcO形成または抑制はフィルターの反射特性をかな
りの程度1で変える。
層Cbの反射率と厚さは光源Sから発する光が層cb内
で構造的に干渉しく強めあう干渉を起し)、それによっ
て所与の波長に対する観察者の方向における構造的干渉
によって反射の最高度を確実に生ずるように事実上選ば
れている。
この波長は第1層Ca、すなわち例えば金属フィルムに
よって透過されたスペクトラムの部分内で選ばれる。
従って層Ccが存在する時に認められる色は層Ccが存
在していない時に認められる色とは異る。
ICcの存在と関連したこの異る色またはいわゆる干渉
色は、層Caによって直接反射される光の色とは明白に
異る。
この干渉現象は層Caが存在しない場合よりも、また層
cbが観察可能な構造上の干渉現象を生じないような不
定で非均−の厚さの場合よりも、遥かに良いコントラス
トを生じさせる。
干渉現象の存在しない場合は、本装置の反射率の変化は
、唱Ccからの鏡面反射のような非干渉性の反射のみに
よるもので、この場合はすでに解っているように良好な
解像度を確保するためにはこの最後の層Ccの金属の厚
さを大きくする必要が生じる。
このため所与の光学的厚さの層上に層Caおよび金属材
Ccが存在することは、三つの層Ca、CbおよびCc
で構成された干渉フィルターを反射現象が生じるところ
に形成することによって本装置の反射を、全体としてか
なりの程度まで変化できるようにする。
反射中のこの急激な変化は反射された光の色と強度に変
化をもたらし、従って遠隔表示のため、または光線また
は色彩の変化の他の装置用にも利用できる。
本考案の1実施例においては、板りは観察者に最も近い
側に艶消し面をもつ。
艶消し桶は観察角度の如何に係らず、コントラストを保
持しながら一層好ましい観察を行わせる。
これは点状の光源によって照射する場合に観察を容易に
させるもので、艶消し面が干渉フィルターから発する着
色光に影響をあたえることなく前面から反射される光を
分散するからである。
本考案の他の実施例に訃いては、非反射絶縁デポジショ
ンによって得られた非反射フィルムは、研磨板りの前面
に形成される。
層cbは厚さが薄く、従って層Ca上に行当って層cb
を通った後1層Ccから反射される光線の傾斜の大小の
程度の結果としてもたらされた二つの光線間の通路の差
に僅かな変化をもたらす。
その結果、観察の角度または監視角度は表示されるパタ
ーンの色彩にはほとんど影響をあたえない。
フィルム層の厚さを減じ、それによって吸収を対応程度
に減じ、普た監視角度により色彩の変化を減らすため、
第1次の方法が普通採用される。
本考案の任意の実施例においては、層Caは金、プラチ
ナ、パラジウム、ロジウムおよびイリジウムのような金
属から造られるか、または他の場合には金属ホウ化物、
窒化物または炭化物によって形成される。
層Caの厚さはその場合光の波長より明らかに小さくな
ければならないが、それは、標準的光学分野を現在考察
中の場合に適用すると仮定して、光学的波長が消え易い
波の形態をもつ前記金属層を確実に通過できるようにす
るためである。
本考案の更に他の実施例に訃いては、層Caは絶縁性で
特に多重絶縁性半反射フィルムである。
層Ccが存在していない時は、層Caによって反射され
、層cbの存在によって雀かに変化された光源Sから導
かれた光を認めることができる。
層Ccが存在する時は干渉現象が生じ、観察者によって
受取られた光は本質的に干渉によって得られた光である
層Ccの存在を制御しようとする本考案の任意の実施例
にかいては、その装置は、 層Caが導電性の時これとともに第1電極Eaを構成す
る導電層Cbと接触している電解質Eと、電解質と接触
する第2金属電極Ebと、 電極EaとEbとの間に電位差を加えるための制御電圧
源であって、層cbの一部上に形成される反射層Ccが
、電極Eaが負バイアスされる時形成(固化)され、電
極Eaが正バイアスされる時再溶解されるようにする制
御電圧源 とを含んでいる。
本考案のこの実施例においては、層Ccは干渉フィルタ
ーの第2面を構成するため、制御作用の下で電解により
少くとも層cbの一部上に形成される。
電解槽にトいては、電極の一つは透明で(層Cb)フィ
ルターの干渉層の機能を行い、後面の反射層は電解によ
って形成されるか除去され。
前面の半反射層は永久に残る。
層Caは半反射性(半透明)でなければならないし最低
吸収能力をもたねばならない。
既述のように、透過率が確実に70多と20%との間で
変化するように50乃至250Aの範囲内の厚さをもつ
金属フィルムを簡単に使用することができる。
元素の周期表の4a、5a>よび6aから選ばれた金属
のホウ化物、窒化物、炭化物のような金属特性をもつ耐
火物質の層を使用することは、透明層Cbの形成時に利
点をあたえるような成る程度の硬度と安定性をもつ層を
形成させる。
更にこれら耐火物質は数百オングストロームの厚さで使
用できるが、同じ透過率をもつ金属層は明らかにより薄
(、そのため一層繊細である。
以下あたえられた例から明らかになるように、採用され
る方法と材質は薄いフィルムが接着性をもち層cbのそ
の後のデポジットに対し抵抗性をもつようなものである
層cbは使用されるスペクトラム区域内で非吸収性で、
その全面上に均一の電解を行うため十分導電的なものが
選ばれる。
例としては、錫をドープしたインジウムの酸化物または
アンチモンをドープした酸化第2錫が使用されている。
この層の厚さは、二つの層CaとCcの存在下で反射上
有利な干渉最高度を示すように選ばれる。
視覚上の観察の場合は、前記最高度の波長は、前記最高
度が層Ccが存在しない場合反射されたスペクトラムに
ついて感知される強度および色度の双方について、良好
なコントラストを確実に示すように可視スペクトラムの
窓内で選ばれる。
更に注意すべき重要な点は、透明層Cbの導電性は、層
Caの存在によって、それが金属性かまたは金属型のい
づれかで電気回路中に平行に置かれた時に増大されると
いう事実である。
この現象は低導電性をもつ物質で形成された層cbの使
用を可能にしている。
同じ結果を得るためには、層Caを導電性基体上に、少
くともその表面に形成することができる。
層Ccの形成に適した物質は、層Cbと化学的に反応し
ない、電解によって形成され再溶解されるすべての金属
および半反射化合物である。
層Ca、および層Ccと共に干渉フィルターを形成する
適当な層Cbの存在は、非常に薄い層Cc(例えば10
0A以下の厚さをもつ金属フィルム)のみを使用できる
ようにする。
層Ccは透明電極(層Cb)の特性に影響をあたえるこ
とな(、溶液中のこの金属のMn+イオンを含む電解質
からデポジットし再溶解される金属Mによって構成され
る。
層Ccを形成するために使用される金属はM/Mn+対
の酸化−還元電位が下記のものより高いものの方がよい
すなわち(イ)酸化物が金属の形成中に環元されないよ
うにするため普通酸化物から成る電極Eaの還元電位。
(→ 水素の寄生的発生を防ぐために水性電解質が用い
られるならばH+イオンの還元電位。
層Ccとして使用するため特に適した金属の1例は銀で
ある。
電極Ebは層Ccを形成するものと同じ金属の箔オたは
薄フィルムで構成されている。
この型の装置の利点は、電極EaとEbに起る電気化学
的反応に均衡が取れている事実である。
すなわち←フ 層CcO形戒形成化)中電極Eaにおけ
る反応は、 M n++ n e −+ M で、電極gbにおける反応は M−I−M n++ n e であり、層Ccの溶解中の電極Eaにおける反応は M −+ M n++ n e で、電極Ebにおける反応は Mn++ n e −+ M である。
電解槽の平衡電位は零である。
すなわち作用中型’Fli−EaとEb間の電位差は、
専ら電気化学的反応の過電モと、電解質と導電体中の抵
抗の低下によるものである。
電解質が十分中さい深さの場合には、装置は約300ミ
リボルトの電圧で作用を始めることができる。
槽の作用電圧は専ら電流密度に関連する、すなわち形成
の速度に関連がある。
電解質の選択により下記の2つの装置が決まる。
すなわち、(イ)液体電解質、すなわち層Ccを構成す
る金属のイオンを単体または化合物の形態で含む水性渣
たは有機性溶液。
電解質中に溶解された他の物質は、電流密度と電圧の所
定条件の下で、電極Eaが負バイアスされた時に層Cc
が得られ(固化され)、電極Eaが正バイアスされた時
に前記層Ccが再溶解されるようにして添加される。
形成物を改良するため肢体電解質中に例えばプライドナ
ーを添加することもできる。
(ロ)固体電解質、Mn+イオン(および特にAg+イ
オン)により室温で非常に良好な導電性を示す固体電解
質を使用することは、全体的に固体の電気化学的表示装
置を製造できるようにする。
これら電解質は、例えば蒸着やスパッタリングのような
真空蒸着技術によって薄いフィルムに形成され、それに
よってそれらの内部抵抗を減少させ、簡単な製作技術を
利用できるようにする。
液体電解質の場合に既に述べたように、固体装置の長期
の有用な寿命を得たい場合は、層Ccの金属は以下の不
等式を満足させるものがよい。
すなわち A <M /Mn+ 前式中Aは電極Eaを構成する物質の酸fヒ÷還元電位
でありvI/Mn+は金属Mの酸化−還元電位である。
銅、銀、パラジウムおよび一般的にすべての貴金属はこ
の不均等性を満足させる。
液体電解質は、商業的に入手可能な溶液を使用すること
によって、フィルムの形態におけるこれらの金属を形成
できるようにする。
固体電解質の使用を必要とする装置においては、使用さ
れる電解質は、すべて透明電極の特性に影響をあたえる
ことなく、スイッチング速度が十分な電流密度によって
形成と再溶解を得させるものである。
層Ccが銀から成る場合は、使用される固体電解質は、
Ag+イオンによるイオン導電性が所望の電流密度を低
電匡により室温で得るのに十分なすべてのこれら電解質
にすることができる。
例を挙げると、これら物質は以下の通りである。
(イ)別々にまたは混合物として考えた銀ハロゲン化物
AgCl、Ag Br j Ag’l t(ロ)硫酸
銀ハロゲン化物Ag 3 S 1およびAg5SBr。
←→ RbAg4I5およびKAg 4 I 5のよう
な銀ハロゲン化物とアルカリ−・ロゲン化物、 に)式Agl−4−xl?11017 中Xが約0.1
6に等しいものをもつAg+イオンでドープされた酸化
アルミニウム。
本考案の池の実施例によれば、本装置は電解質と層cb
間に形成され、表示区域、すなわち反射層Ccが形成さ
れる区域を限定するようにした絶縁層を含む。
形成された絶縁層を形成する物質は、シリカ、アルミナ
釦よびシリコン窒化物のような無機絶縁物トよび樹脂、
ポリマー等のような有機絶縁物から選ばれる。
本考案の他の実施例によれば、電極Ebは電極abによ
って形成された像の反対に置かれた層cbの部分上に層
Ccを金属形成することにより、表示された像を構成す
るように切断される。
本考案によれば、電極EbtたはEaへの電流供給は相
互に絶縁された電極EatたはEbの異る部分を異る電
位にもたらす役をする。
本考案の他の特徴と利点とは、添付図面を参照した説明
により何ら限定的意味をもたない構造の数例に関する以
下の記載から容易に明かになるであろう。
第1図の一般的な略図では、光源Sは光線2のような光
線を艶消し前面15をもつガラス板り上に向ける。
反射層Ccの存在する場合、2のような光線は層Caの
出口に構造的干渉(強め合う干渉)を生ずるように6,
8,10および12のような通路に沿って数回反射され
る。
反対にl1JCcが存在しない場合は、2のような光線
から導かれる唯一の反射光線は光線14である。
この例では、層CcはMの形状をもつ。
ガラス板りの崩15は研磨されるか艶消しになっている
第2図は、小室16内に含まれた液体電解質E用の設備
をした本考案の1実施例を示す。
乾電池18(または他の適当な電圧源)によって作り出
された電位差は、層cbによって構成された電極Eaと
金属材Ebとの間に加えられる。
Ccのような金属材を置くことが望昔しくない層cbの
、すべての部分に絶縁層が形成される。
この型の絶縁層は20に示しである。
22に示した電圧逆転スイッチは電極EaとEbのそれ
ぞれの極を変える役目をする。
電極Ebは、例えば銀から成る。電極Eaが負バイアス
される時、銀のフィルム層Ccが層cb上に形成される
層Ccの位置は導電層Cb$−よび必要に応じ層Caの
エツチングによって限定される。
溝23のような溝がこのためこれら層内に設けられる。
前記溝の幅は、それらの溝が層内に永久的非同質性に導
き入れるので、できる限り見え難くするように狭くしな
ければならない。
第3図には、相互に絶縁され、参照数字24゜26.2
8−ffiたは30によって示された電極Eaの所定部
分のみに電極を構成できるようにする20′のような電
流供給リード線が示されている。
図面に示されていない装置と関連したこれら異る電極要
素の組合わせは、前記のような区域に電解質を形成し、
それによって所望のアラビヤ数字を示すことができるよ
うにしている。
第4図には、二つのガラス板りとL′との間に含普れた
液体電解質Eおよび後部板L′に形成された絶縁体34
によって電解質Eから分離された電極Ebをもつ本考案
の実施例が示されている。
層Ccの形成は、絶縁物質で覆われていない電極Ebの
部分に対向して置かれた層cbの部分上の電極Ebから
行われる。
第5図は、内部から見た電極Ebへの電流の供給を示し
、前記電極は層cb上に層材Ccを形成するために溶解
が望ましくない電極の部分上で絶縁体34によって一部
覆われている。
第6図には、固体電解質Eおよび電解質Eから絶縁体3
4によって分離された電極Ebのための設備をもつ本考
案の実施例が示されている。
層CcO形成は、電極Ebと反対に置かれた層cbのこ
れら部分上の電極Ebから行われる。
板りは非反射絶縁材35で覆われている。
第1図は、層cb上に層材Ccを形成するため溶解する
ことが望ましくない電極のこれら部分上で絶縁体34に
よって一部覆われた電極Ebへの電流供給を示す。
本考案を説明するため、以下その中の二つが液体電解質
で作用し、他の二つが固体電解質で作用する装置の四つ
の完全な例を記載する。
第1例 前面にエツチングを施した液体−電解質装置の例。
層Caを艶消しガラス板り上に形成するために金フィル
ムが蒸着普たはスパッターリングによって形成される。
その装置は第2図に示した通りである。
金フィルムの透過率は波長約510OAで55%である
次いで金層Ca上にl100Aの厚さをもつ層cbを形
成するために反応性スパッターリングにより、錫でドー
プした酸化インジウムの層が加えられる。
酸化インジウムの屈折率は約2であるから、作用は第1
次干渉で行われる。
連続した背景に表示区域を限定し、これらを相互に電気
絶縁するため、エツチング後(化学的なエツチングある
いはイオンを用いたエツチング)、絶縁材が、電解質と
の接触から電流供給リード線を保護する。
絶縁物質は、選択的化学エツチング、芽たはイオンエツ
チング、4たは他の公知装置により、表示が生ずるこれ
ら場所から除かれる。
有機または無機の絶縁物質をこの目的のために使用でき
る。
こうして完成された前面は、所望の厚さをもつ電解槽の
前部壁を形成し、その後部面は電極Ebを形成するよう
に例えば銀の層で覆われる。
槽は液体電解質を充たされ、これから銀材を得ることが
できる。
例えば取下の浴が使用される。溶媒:メチルアルコール 塩 :硝酸銀 10′?/7 チオシアン酸ナトリウム 400ft71電解質の深
さと電極Eaの導電性によるが、使用電圧は、平方セン
ナ当り50ミリアムペアの電流の通過を許す程度である
少くとも1秒の10分の1流されるこの電流は銀を5O
Aデポジツトする。
この厚さは十分なコントラストを得るための最低の厚さ
であると思われる。
所要の電気の最低量は平方センチ当り5X10−3クー
ロンである。
この場合薄い金フィルムからの反射に対応する薄い黄金
色の背景に対して暗青色表示区域が得られる。
第2例 前面にエツチングを施した固体−電解質装置の例。
第1例に述べた通り前面が準備されると、完成組立体は
真空蒸着によって固体電解質、すなわち臭化銀の層で覆
われる。
臭化銀は微細結晶状である。
その厚さは電極EaとEb間のいかなる短絡をも防ぐだ
け十分(薮ミクロン)でなければならない。
次いで電極Ebは蒸着され、これによって十分な厚さの
銀フィルムが生ずる。
表示に必要な銀の5OAの厚さの形成は、第1例におけ
ると同量の電気量を必要とする。
第3例 後面にエツチングを施した液体−電解質装置の例。
この装置は第4図と5図に示しである。
前面はエツチングしない層CaとCbによって専ら構成
されている。
後面は例えば蒸着によって形成された銀リード線をもち
、渣た所望の表示の幾何に対応するように限定された形
状寸法をもっている。
次いで有機または無機絶縁物質の層が電解質と接触しな
い□ようにした電流供給区域を覆つリード線に加えられ
、絶縁層の形状寸法は何らかの公知装置で得られる。
銀のリード線は他の隣接リード線と明らかに関連させら
れる。
この例では、電解槽は表示されたパターンの限定が、液
体中を通る銀イオンの分散によって不当に影響されない
ようにするため薄(しなければならない。
所望の限定によって厚さ10〜20μをもつ槽が使用さ
れる。
第4例 後面にエツチングを施した固体−電解質装置の例。
第6図と7図に示したこの装置は固体電解質Eを利用す
る。
層CaとCbの形成後、前面は第2例に記載したような
、例えば臭化銀のような固体電解質の層で覆われている
次いで有機昔たは無機絶縁層が34で固体電解質に加え
られる。
絶縁層の性質、形成の状態および形状寸法の限定の方法
は固体電解質を劣化させないように選ばれる。
最後に銀の層が第7図に示したように表示さるべきパタ
ーンに対応した幾何に従って加えられる。
前記の記載した本考案が、数字や文字に限定されること
な(、本考案による装置のすべての他の応用例にも及ぶ
ことは容易に明らかであって、その装置は電着を使用す
ることにより、干渉フィルターの特性を利用することに
よって1局部的または全面的に物質の反射性に変化をあ
たえることが可能である。
更に本考案は、透明な支持板りが層の積重ね組立体の後
ろに置かれるため1層Caが前記組立体の外側に現われ
るような構造の形態を含む。
最後に、成る構造は後方から認めることができるもので
、その場合表示の出現が前部から見たものとは逆になる
もの1である。
また電解質E、電極Cb釦よびすべで絶縁コーティング
は確実に透明であればよく、電解質は普通透明である。
電極については電解作用を行うのに十分な透明グリッド
の形態でこれを作成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の原理を図示する略図。 第2図は液体電解槽を含む装置の構造略図。 第3図はアラビヤ数字を表示するための電極Eaへの電
流供給の一つの型を示す略図。 第4,5図は液体電解槽とその電流供給の図。 第6図は電極gbが表示さるべきパターン上にのみ作用
する本考案の実施の一形態を示す図。 第7図は前部の電極Ebへの電流供給の詳細図。 図面中、符号Sは光源、2は光線、6,8゜10.12
は通路、14は光線、15はガラス板面、16は小室、
18は乾電池、20は絶縁層、23は溝、Caは層、c
bは層、Ccは反射層、Ea、Ebは電極、Lはガラス
板をそれぞれ示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 光源Sと、半反射性物質の均一層Caと、屈折率nおよ
    び厚さeをもち前記半反射性物質層上に形成されていて
    面に垂直に測った光学的厚さがnXe一定である透明か
    つ導電性の物質の均一層Cbと、観察者が読むためのパ
    ターンを形成すべく前記透明かつ導電性物質層の一部の
    上に形成されしかも前記2層CajsよびCbと共に干
    渉フィルターを威す反射層Iceと、前記導電性物質層
    cbに接触する電解質Eおよび前記導電性物質層cbに
    接触する第1の電ffEaと、前記電解質に接触する第
    2の金属電極Ebと、前記導電性物質層Cbの少なくと
    も一部に形成された前記反射層Ccが前記第1の電極が
    成る方向にバイアスされたときに固化してパターンを形
    成し、前記第1の電極が逆方向にバイアスされたときに
    前記反射層が成る制御のもとに再溶解されることを確実
    とするため前記第1および第2の電極Ea、Eb間に電
    位差を与える制御電圧源とを有する1発光表示装置。
JP1981022059U 1981-02-18 1981-02-18 発光表示装置 Expired JPS5829448Y2 (ja)

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JP1981022059U JPS5829448Y2 (ja) 1981-02-18 1981-02-18 発光表示装置

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JPS56142020U JPS56142020U (ja) 1981-10-27
JPS5829448Y2 true JPS5829448Y2 (ja) 1983-06-28

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JP1981022059U Expired JPS5829448Y2 (ja) 1981-02-18 1981-02-18 発光表示装置

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