JPS5829870B2 - 漏洩試験装置 - Google Patents

漏洩試験装置

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JPS5829870B2
JPS5829870B2 JP52108428A JP10842877A JPS5829870B2 JP S5829870 B2 JPS5829870 B2 JP S5829870B2 JP 52108428 A JP52108428 A JP 52108428A JP 10842877 A JP10842877 A JP 10842877A JP S5829870 B2 JPS5829870 B2 JP S5829870B2
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JP
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filament
output
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amplifier
leak test
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JP52108428A
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JPS5441793A (en
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武雄 土屋
豊文 富田
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガス漏洩試験装置に関し、ヘリウムリークデテ
クタを用いて被検査体から漏れて来る微量のガスを検出
、定量して表示器(メータという)に表示できるように
したものである。
この種の漏洩試験装置としては例えば第1図に示す如く
、被試験体1に真空配管2を介して質量分析形漏洩試験
機を用いたヘリウムリークデテクタ3が接続されている
ここで被試験体1ば、リークテスト方法として真空法を
用いる場合は被検査体そのものを用い、これに対してペ
ルジャー法を用いる場合はヘリウムガスを充填した被検
査体を試験用真空容器に収納したものを用いる。
ヘリウムリークデテクタ3はメータ4を有し、被試験体
1からヘリウムガスが漏出するとそのリーク量は第2図
に示す如く、Oレベルからリーク量に応じた値H1だけ
増加する。
このようにメータ4は漏れがないときOを示し、被検査
体の漏れが大きい程メータ4の振れが大きくなるように
なされ、従って通常はメータ4が振れない場合には被検
査体の漏れは無いか又は検出できない程小さい漏れしか
ないと判断している。
ヘリウムデテクタ3は第3図に示す如く、リークガスの
検出素子として質量分析管11を有する分析回路12を
用いている。
分析管11は電源13によって加熱される熱電子放出用
フィラメント14と、これに対向するアノード15とを
具え、フィラメント14から放出される熱電子を偏向電
極(図示せず)によって電子ビームに生成させ、この電
子ビームによってプローブガスのイオン化を行うことに
よって質量分析を行うようになされている。
しかるに従来の質量分析管11に1いては、熱電子流、
従ってアノード電流を一定に制御するためにアノード電
流の流れるループ内にアノード電流検出用の抵抗16を
設け、その両端電圧の変動分を増幅器17によって検出
増幅し、その出力によってフィラメント14及び電源1
3間に介挿されたフィラメント電流制御回路18(例え
ばトランジスタを可変抵抗素子として有するものを適用
し得る)を制御し、かくしてフィラメント温度を制御す
ることによりアノード電流な一定値に保つようになされ
ている。
なお19は加速用高圧電源である。
ところでかかる構成の分析回路12において、質量分析
管11のフィラメント15が断線したり、又は質量分析
管11を流れる電子流が小さくなった場合には、質量分
析管11は分析動作をなし得なくなるか、又は漏洩試験
装置全体として検出感度が著しく低下することになるか
ら、これらの事故をいち早く検出して処置することが望
ましい。
本発明はかかる要望事項を確実に実現しようとするもの
である。
以下第3図との対応部分には同一符号を附して示す図面
について本発明の一例を詳述する。
第4図は本発明の第1の実施例を示すもので、この場合
フィラメント電流制御回路18に与えられる制御信号D
Tがコンパレータ21に比較検出入力として与えられる
なおこのコンパレータ21には警報レベル設定用の基準
電圧信号SEが基準電源22及び可変抵抗23でなる基
準電圧発生回路24から与えられる。
第4図の構成において、質量分析管11のフィラメント
15が消耗しその抵抗値が増加して来ると増幅器17の
出力電圧DTが減少して行き、これに応じてフィラメン
ト電流制御回路18がその等価抵抗を減少制御される。
従ってフィラメント14へ流れ込む電流は増大し、かく
して質量分析管11のアノード電流はかかるサーボ動作
によりほぼ一定値に制御される。
ところが、この状態において、フィラメント14の消耗
が極端に大となり、上述のループのサーボ動作許容限界
として上限(又は下限)を越えると、以後増幅器17の
出力DTII′i可制御範囲の上限値(又は下限値)に
固定される。
従ッてこのトキコンパレータ21の比較出力ARMは一
定値を維持することになり、かく一定値となったことに
より異常の発生(すなわちフィラメントの消耗によって
アノード電流を一定値に制御できなくなったこと)を判
知し得る。
一方フィラメント14が断線したときは、みかけ上その
抵抗は無限大になるから可制御範囲の限界値を越えるこ
とになる。
従ってコンパレータ21の出力は異常検出レベルになる
ので、確実にフィラメント14の断線を検出できる。
このように第4図の構成に依れば、フィラメント14の
消耗ないし断線を確実に検出し得る。
なおコンパレータ21の出力側に警報回路を設け、コン
パレータ21の出力が一定値となったとき警報を発する
ようにしても良い。
第5図は本発明の第2の実施例を示す。
第4図の場合は比較手段としてコンパレータ21を用い
たがこれに代え、ゼナーダイオード31及びフォトカプ
ラ32でなる直列回路を設け、増幅器17の出力DTを
この直列回路に与えると共に、フォトカプラ32の出力
を異常検出出力ARMとして送出する。
第5図において増幅器17としてIC構成の演算増幅器
を用い、ゼナーダイオード31として動作電圧6■のも
のを用いた場合、フィラメント14が正常に動作してい
るとき増幅器17の出力DTは4〜5■であり、このと
きゼナーダイオード31には電流は流れず、従ってフォ
トカプラ32から異常検出出力ARMは得られない。
これに対してフィラメント14の消耗が進んでアノード
電流の一定埴制御ができなくなると、増幅器17の出力
は10■1で上昇し、このときゼナーダイオード31が
導通動作することによりフォトカプラ32から異常検出
出力ARMが得られる。
このように第5図の構成に依れば、フィラメント14の
消耗により生じた抵抗増大変化に基づくアノード電流の
変化を知ることによりフィラメント14の断線2はその
予知を簡易な構成をもって確実になし得る。
第6図は本発明の第3の実施例でフィラメント電流制御
回路18による一定値制御をしない場合の例を示す。
この場合フィラメント14に対する加熱電源41を電源
とし、フィラメント14を一辺とするブリッジ回路42
を構成する。
すなわち電源41にフィラメント14及び抵抗43の直
列回路と、抵抗44及び45の直列回路とを並列に接続
し、フィラメント14及び抵抗43の接続中点と、抵抗
44及び45の接続中点とを差動増幅器構成の検出回路
46に接続する。
第6図の構成において、検出回路46の出力ARMはフ
ィラメント14の抵抗値の変化に応じて変化し、従って
その変化が予定範囲を越えたとき異常の発生を判知し得
る。
なお第6図の場合は、ブリッジ回路42の電源として分
析管11のフィラメント14に対する電源41を共用し
たが、この電源41とは別個に専用の電源を用意しても
良い。
第7図は本発明の第4の実施例で第6図の他の例を示す
この場合は第4図においてフィラメント14及び電源1
3間のフィラメント電流制御回路18と、コンパレータ
21とを省略して増幅器17の出力DTを直接異常検出
出力として取り出すようになされている。
第7図の構成に依れば、フィラメント14が消耗してア
ノード電流が増加したとき増幅器17の出力が増大する
ことにより、第6図の場合と同様にこの異常を判知し得
、かくするにつき、構成の簡易化を一段と促進し得る。
第8図は本発明の第5の実施例を示すもので、第4図に
おいて、アノード電流検出用抵抗16を省略してこれに
代え、フィラメント14に対する電源回路13にフィラ
メント電流検出用抵抗51を設け、その両端電圧をコン
パレータ52を介して異常検出出力ARMとして送出す
る。
第8図の構成においてフィラメント14の消耗によりそ
の抵抗が激増すれば、コンパレータ52から異常検出出
力ARMを検出し得、かくしてフィラメント14の断線
の予知と、断線の検出とを確実になし得る。
な1第8図において、抵抗51及びコンパレータ52に
代えて第9図に示す如く異常検出用リレー53を設ける
ようにしても良い。
この場合フィラメント14の断線の検出を極めて簡易な
構成をもって実現できる。
なお断線の予知をするにはリレー53としてその感動電
流を必要に応じて所定のものに選定すれば良い。
第4図及び第5図の実施例の場合フィラメント電流制御
回路18としてトランジスタの等価抵抗を利用するよう
にしたものを用いたが、これに代え5CR1)ライアツ
ク等の半導体素子による位相制御方式を用いたものや、
過飽和リアクトルによる電流制御方式を用いたものなど
、種々のものを適用し得る。
また上述においては熱電子放出手段としてフィラメント
から直接熱電子放出をさせるようにした直熱型のものを
用いたが、これに代えフィラメントによってカソードを
加熱する傍熱型のものを用いても良い。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明を適用し得る漏洩試験装置の
概要を示すブロック図及び信号波形図、第3図はその従
来の分析回路を示す接続図、第4図は本発明に依る漏洩
試験装置の一例を示す接続図、第5図ないし第9図は本
発明の他の例を示す接続図である。 1・・・・−・被試験体、2・・・・・・真空配管、3
・・・・・・ヘリウムリークデテクタ、4・・・・・・
メータ、11・・・・・・質量分析管、12・・・・・
・分析回路、13.41・・・・・・電源、14−−−
−−フィラメント、15・・・・・・アノード、16・
・・・・・アノード電流検出用抵抗、17・・・・・・
増幅器、18・・・・・・フィラメント電流制御回路、
21゜52・・・・・・コンパレータ、24・・・・・
・基準電圧発生回路、31・・・・・・ゼナーダイオー
ド、32・・・・・・フォトカブラ、42・・・・・・
ブリッジ回路、46・・・・・・検出回路、51・・・
・・・フィラメント電流検出用抵抗、53・・・・・・
異常検出用リレー。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 熱電子放出用フィラメントとこれに対向するアノー
    ドとの間に電子ビームを生成し、この電子ビームによっ
    てプローブガスのイオン化を行う質量分析管を具えたガ
    ス漏洩試験装置において、上記質量分析管のフィラメン
    トの消耗の進行に応じてその抵抗が変化することを利用
    して当該抵抗変化を表わす出力を得る異常検出回路を具
    えたことを特徴とするガス漏洩試験装置。 2 第1項特許請求の範囲において、上記異常検出回路
    はアノード電流検出用抵抗と、その両端電圧に相当する
    出力を発生する増幅器とを具え、上記増幅器の出力に基
    づいて異常検出出力を得るようにしてなるガス漏洩試験
    装置。 3 第2、特許請求の範囲において、上記増幅器の出力
    を基準値と比較して予定の限界値を越えたとき異常検出
    出力を発生する比較手段を具えてなるガス漏洩試験装置
    。 4 第1項特許請求の範囲において、上記異常検出回路
    は上記フィラメントをτ辺に含んでなるブリッジ回路で
    構成されているガス漏洩試験装置。 5 第1項特許請求の範囲において、上記異常検出回路
    はフィラメント電流検出用抵抗と、その両端電圧に相当
    する出力を発生する増幅器とを具え、上記増幅器の出力
    に基づいて異常検出出力を得るようにしてなるガス漏洩
    試験装置。 6 第5項特許請求の範囲において、上記増幅器の出力
    を基準値と比較して予定の限界値を越えたとき異常検出
    出力を発生する比較手段を具えてなるガス漏洩試験装置
    。 7 第1項特許請求の範囲において、上記異常検出回路
    は上記フィラメントに直列に接続された異常検出用リレ
    ーでなるガス漏洩試験装置。
JP52108428A 1977-09-09 1977-09-09 漏洩試験装置 Expired JPS5829870B2 (ja)

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JPS5441793A JPS5441793A (en) 1979-04-03
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JPS59143062U (ja) * 1983-03-12 1984-09-25 ソニー株式会社 集合プリント配線基板

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