JPS5830201A - ファラデ−旋波子形可逆移相器 - Google Patents
ファラデ−旋波子形可逆移相器Info
- Publication number
- JPS5830201A JPS5830201A JP12858981A JP12858981A JPS5830201A JP S5830201 A JPS5830201 A JP S5830201A JP 12858981 A JP12858981 A JP 12858981A JP 12858981 A JP12858981 A JP 12858981A JP S5830201 A JPS5830201 A JP S5830201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shifter
- magnet
- reversible phase
- waveguide
- circularly polarized
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/19—Phase-shifters using a ferromagnetic device
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はフェイズドアレイレーダに使用するファラデ
ー旋波子形可逆移相器の改良に関す息賜のである。
ー旋波子形可逆移相器の改良に関す息賜のである。
まず、従来のファラデー旋波子形可逆移相器の構造と動
作を説明し9次いでこの発明の詳細な説明をおこなう。
作を説明し9次いでこの発明の詳細な説明をおこなう。
第1図はファラデー旋波子形可逆移相器の構造断面図を
示すものである。
示すものである。
@1図においてフェリ磁性体(11とほぼ等しい比誘電
率を持つ誘電体(2)の広い一面に所定の抵抗値で、か
つ、適当な形状の抵抗膜+31ヲ蒸着し。
率を持つ誘電体(2)の広い一面に所定の抵抗値で、か
つ、適当な形状の抵抗膜+31ヲ蒸着し。
そしてこの抵抗膜(31t−挾むように2枚の誘電体を
張り合せる。
張り合せる。
この誘電体とフェリ磁性体!11tl−接着した後。
両端の二面を除く他の全面を無電解メッキ法。
蒸着法などの手法により、メッキあるいは蒸着導波領4
)似下説明の便宜上メッキ導波管と呼ぶ)を形成する。
)似下説明の便宜上メッキ導波管と呼ぶ)を形成する。
そして、このメッキ導波管(4)上に永久磁石(51と
コイル(6)およびフェリ磁性体ヨーク(71を図示の
ように配置する。
コイル(6)およびフェリ磁性体ヨーク(71を図示の
ように配置する。
さらに全体をシールドパイプ(81および導波管(9)
全導電性接着剤および構造接着剤等を用いて電気的およ
び機械的に接着中る。そして整合誘電体Qlを両端に接
着することによって移相器は組立てられる。
全導電性接着剤および構造接着剤等を用いて電気的およ
び機械的に接着中る。そして整合誘電体Qlを両端に接
着することによって移相器は組立てられる。
次に、$1図に示す移相器の動作原理について説明する
と以下のようになる。
と以下のようになる。
@1図英文字記号は同断面図の各部の動作機能を説明す
る為のものであり、Ml、M、はインピーダンス整合部
e Gl @ G2は円偏波発生器、L□。
る為のものであり、Ml、M、はインピーダンス整合部
e Gl @ G2は円偏波発生器、L□。
恥はリニアポラライザー、Fはファラデー旋波子である
。
。
同図にシいて、左側からの直線偏波入力波gtn、右側
への出力波1goatとし無損失を仮定すると jcoui−*−j (θ’ ” ” )、E In
、−−= fitの関係が成立する。ここでθ
Vはラクチング。
への出力波1goatとし無損失を仮定すると jcoui−*−j (θ’ ” ” )、E In
、−−= fitの関係が成立する。ここでθ
Vはラクチング。
ファラデー旋波子部の電気長で、OFはその他の部分で
の固定電気長である。従って0vヲ適当に変えることに
よって適尚な移相量を得ようとするのがとの移相器の動
作原理であるOフェリ磁性体中の残留磁化の強さと方向
はコイルに流すパルス電流の強さと方向を制御すること
によって変化し、その結果としてθv’r変化出来る。
の固定電気長である。従って0vヲ適当に変えることに
よって適尚な移相量を得ようとするのがとの移相器の動
作原理であるOフェリ磁性体中の残留磁化の強さと方向
はコイルに流すパルス電流の強さと方向を制御すること
によって変化し、その結果としてθv’r変化出来る。
IJ2図は円偏波発生部G、 、 G2部を説明する為
の図である。第2図においていま(鼻)に示すようにメ
ッキ導波管(4)に磁石(5)が装着され破線で示すよ
うに磁化されているものとし、そこに紙面から紙背に進
む電波(直線偏波go)d”入射したとすると、これは
同図(b)および(C)に示すIO<Ex。
の図である。第2図においていま(鼻)に示すようにメ
ッキ導波管(4)に磁石(5)が装着され破線で示すよ
うに磁化されているものとし、そこに紙面から紙背に進
む電波(直線偏波go)d”入射したとすると、これは
同図(b)および(C)に示すIO<Ex。
Eyモードに分解することができる。
Exモードに対しては磁力線pは負円偏波的に(μ−)
に作用し位相は遅れ、 17モードに対しては磁力線
qは正円偏波的(μ+)に作用し位相は進む。上記μ+
9μmは正、負円偏波それぞれに対する透磁率を示して
おりその大きさは磁石(5)の表面磁界の強さ、フs
’J磁性体(1)の磁化の程度0周波数の関数で与えら
れる。従って第1図に示す磁石(51の電波の伝播方向
に対する長さdと磁石(51の表面磁界の強さを適切に
選択することによりEXとIFの位相を9♂に保つこと
力(できる。
に作用し位相は遅れ、 17モードに対しては磁力線
qは正円偏波的(μ+)に作用し位相は進む。上記μ+
9μmは正、負円偏波それぞれに対する透磁率を示して
おりその大きさは磁石(5)の表面磁界の強さ、フs
’J磁性体(1)の磁化の程度0周波数の関数で与えら
れる。従って第1図に示す磁石(51の電波の伝播方向
に対する長さdと磁石(51の表面磁界の強さを適切に
選択することによりEXとIFの位相を9♂に保つこと
力(できる。
その結果、直線偏波を円偏波に変換することが可能とな
る。
る。
第2図(&)に示す構成では1円偏波発生器部G1を通
過した直線偏波は左旋円偏波に変換される。
過した直線偏波は左旋円偏波に変換される。
ところが、このような構成を有する円偏波発生器部G1
およびG、?有するファラデー旋波子形可逆移相器は次
に示す欠点管有している。
およびG、?有するファラデー旋波子形可逆移相器は次
に示す欠点管有している。
1、ファラデー旋波子形可逆移相器の挿入損失を最良に
するには円偏波開化器部G1. G2の磁石(51の表
面磁界強度を常に最適に選定する必要があるが、磁石(
510表面磁界およびその分布のバラツキ、磁石の位置
ずれ。
するには円偏波開化器部G1. G2の磁石(51の表
面磁界強度を常に最適に選定する必要があるが、磁石(
510表面磁界およびその分布のバラツキ、磁石の位置
ずれ。
磁石(51とメッキ導波管(4)の間隙のバラツキ等が
あり、調整箇所なしに最適な円偏波発生器部G1および
021に構成することが困難であり、物により磁石(5
1をとりかえる等の調整作業が必要となる。
あり、調整箇所なしに最適な円偏波発生器部G1および
021に構成することが困難であり、物により磁石(5
1をとりかえる等の調整作業が必要となる。
λ ファラデー旋波子形可逆移相器の透過位相のバラツ
キが大きい。
キが大きい。
このような従来の欠点は本移相器の実用化を考えた場合
重要な問題であり、この問題の解決なくして実用化はな
い。
重要な問題であり、この問題の解決なくして実用化はな
い。
この発明はこのような重要な問題を根本的に解決しよう
とするものであり、以下この発明の一実施例を図により
詳述する。
とするものであり、以下この発明の一実施例を図により
詳述する。
第3図はこの発明によるファラデー旋波子形可逆移相器
の構造断面図を示している。
の構造断面図を示している。
第3図において(1)はフェリ磁性体、(2)は誘電体
131は抵抗膜、(4)はメッキ導波管、(5)は磁石
。
131は抵抗膜、(4)はメッキ導波管、(5)は磁石
。
(6)はコイル、(71はフェリ磁性体ヨーク、(81
はシールドパイプ、(9)は入出力導波管、ααは整合
誘を体、 Qllはこの発明による鉄等の磁性体を材質
とする円偏波発生器G工およびG2の軸比調整ネジであ
る。上記軸比調整ネジ(113の軸比とは楕円偏波の長
軸と短軸の比であり、軸比が1に近い程移相器としては
特性がよくなる。
はシールドパイプ、(9)は入出力導波管、ααは整合
誘を体、 Qllはこの発明による鉄等の磁性体を材質
とする円偏波発生器G工およびG2の軸比調整ネジであ
る。上記軸比調整ネジ(113の軸比とは楕円偏波の長
軸と短軸の比であり、軸比が1に近い程移相器としては
特性がよくなる。
以上のような構造にしておけば軸比調整ネジ(111f
f−出し入れすることによ抄第4図(、)に示す(磁石
(51→フ工リ磁性体(11→磁石(51→軸比調整ネ
ジ→シ一ルドバイブ→軸比調整ネジ→磁石(51という
経路で構成される磁路の磁気抵抗を可変す為ことができ
)フェリ磁性体断面内の磁力線p。
f−出し入れすることによ抄第4図(、)に示す(磁石
(51→フ工リ磁性体(11→磁石(51→軸比調整ネ
ジ→シ一ルドバイブ→軸比調整ネジ→磁石(51という
経路で構成される磁路の磁気抵抗を可変す為ことができ
)フェリ磁性体断面内の磁力線p。
qの本数即ちフェリ磁性体(1)の断面内の磁化状態を
変化することができる。したがってファラデー旋波子形
移相器の調整は前記パルス電流の強さを順次変化させて
ゆき、単に挿入損失の前記それによる変動幅が最小にな
るように軸比調整ネジfil)を適当に挿入することに
よ抄達成される。その結果磁石(5)の表面磁界のバラ
ツキ、4つの磁石(51の位置ずれ、磁石(5)とメッ
キ導波管(4)の間隙のバラツキ等によるフェリ磁性体
(11の断面内の磁化状態のバラツキの影響をすべて軸
比調整ネジαDにより吸収することができる。
変化することができる。したがってファラデー旋波子形
移相器の調整は前記パルス電流の強さを順次変化させて
ゆき、単に挿入損失の前記それによる変動幅が最小にな
るように軸比調整ネジfil)を適当に挿入することに
よ抄達成される。その結果磁石(5)の表面磁界のバラ
ツキ、4つの磁石(51の位置ずれ、磁石(5)とメッ
キ導波管(4)の間隙のバラツキ等によるフェリ磁性体
(11の断面内の磁化状態のバラツキの影響をすべて軸
比調整ネジαDにより吸収することができる。
ところが、磁石(51による磁力線は、上記の如くフェ
リ磁性体il+の断面内に分布するだけでなく、その他
に第4図(b)および(e) < (b)および(、)
は第4図(、)の(ト3)断面、 (C−C’) f
rr面を示している)K示す如く磁石(51→フ工リ磁
性体(11→ヨーク(7)→シールドパイプ(81→磁
石(51という経路でフェリ磁性体の軸方向に分布する
。但し第3図(b)に示す磁力線8と第4図(c)に示
す磁力[8とは方向が反対となる。従って4つの磁石(
5)の表面磁界が理想的に等しい場合は磁力線R□およ
びR2は大きさが等しく方向が反対であるので互いに打
ち消し合い軸方向の磁束はのこらなイカ、前記4コの磁
石にバラツキがある場合は消し残りの磁束がフェリ磁性
体の軸方向に残ることすな秒、この磁束のむきと大きさ
が透過位相のバラツク原因と考えられる。
リ磁性体il+の断面内に分布するだけでなく、その他
に第4図(b)および(e) < (b)および(、)
は第4図(、)の(ト3)断面、 (C−C’) f
rr面を示している)K示す如く磁石(51→フ工リ磁
性体(11→ヨーク(7)→シールドパイプ(81→磁
石(51という経路でフェリ磁性体の軸方向に分布する
。但し第3図(b)に示す磁力線8と第4図(c)に示
す磁力[8とは方向が反対となる。従って4つの磁石(
5)の表面磁界が理想的に等しい場合は磁力線R□およ
びR2は大きさが等しく方向が反対であるので互いに打
ち消し合い軸方向の磁束はのこらなイカ、前記4コの磁
石にバラツキがある場合は消し残りの磁束がフェリ磁性
体の軸方向に残ることすな秒、この磁束のむきと大きさ
が透過位相のバラツク原因と考えられる。
そこでこの発明による移相器では軸比調整ネジαBによ
り上記軸方向磁束も同時に制御することができ1円偏波
発生器G工、G2部を良好な状態に保ちながら透過位相
をある限定された範囲内で自由に調整することができる
。第5図はその実験的事実を示しており4本の軸比調整
ネジαDの挿入量のバランスを故意にくずし、移相器と
しての透過位相を変化させた時の挿入損失の変化状況を
示している。
り上記軸方向磁束も同時に制御することができ1円偏波
発生器G工、G2部を良好な状態に保ちながら透過位相
をある限定された範囲内で自由に調整することができる
。第5図はその実験的事実を示しており4本の軸比調整
ネジαDの挿入量のバランスを故意にくずし、移相器と
しての透過位相を変化させた時の挿入損失の変化状況を
示している。
以上の如く、この発明による移相器は軸比調整ネジ圓の
効果により透過位相と挿入損失の最適調整を同時に満足
させることができるとともに大幅な調整時間の短縮を実
現することができ。
効果により透過位相と挿入損失の最適調整を同時に満足
させることができるとともに大幅な調整時間の短縮を実
現することができ。
なお、この発明の説明では円偏波発生部の軸比を改善す
る為、前記磁気抵抗を変化させる方法として鉄ビス等を
用いた場合につめて説明したが、これに限らず上記磁気
抵抗を変化させるその他の機構を装着し九場合も含まれ
る。
る為、前記磁気抵抗を変化させる方法として鉄ビス等を
用いた場合につめて説明したが、これに限らず上記磁気
抵抗を変化させるその他の機構を装着し九場合も含まれ
る。
第1図は従来のファラデー旋波子形可逆移相器の構造断
面図、!!2−は非可逆円偏波発生器部の動作を説明す
る為の図、第3図はこの発明によるファラデー旋波子形
可逆移相器の構造所為の図、第5図はこの発明によるフ
ァラデー旋波子形可逆移相器の効果を説明する為の図で
ある。 図中111はフェリ磁性体、 (21−1f誘電体、(
31は抵抗膜、(4)はメッキ導波f、 15+は永久
―石、(6)はコイル、 (71ハフ、り磁性体ヨーク
、(81はシールドパイプ、(9)は入出力導波管、叫
は整合誘電体。 による円偏波発生器の軸比調整ネジ である。 号を付して示しである。 代理人 葛 野 信 − ((L) μ μ tb> (e)〃
〃 第5図 ψrt ψγ0 ψγ2
面図、!!2−は非可逆円偏波発生器部の動作を説明す
る為の図、第3図はこの発明によるファラデー旋波子形
可逆移相器の構造所為の図、第5図はこの発明によるフ
ァラデー旋波子形可逆移相器の効果を説明する為の図で
ある。 図中111はフェリ磁性体、 (21−1f誘電体、(
31は抵抗膜、(4)はメッキ導波f、 15+は永久
―石、(6)はコイル、 (71ハフ、り磁性体ヨーク
、(81はシールドパイプ、(9)は入出力導波管、叫
は整合誘電体。 による円偏波発生器の軸比調整ネジ である。 号を付して示しである。 代理人 葛 野 信 − ((L) μ μ tb> (e)〃
〃 第5図 ψrt ψγ0 ψγ2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 フェリ磁性体、誘電体、抵抗膜、永久磁石。 コイル、フェリ磁性体ヨーク、メッキ導波管。 シールドパイプ、整合誘電体および入出力導波管とから
なるファラデー旋波子形可逆移相器において上記フェリ
磁性体、メッキ導波管、磁石およびシールドパイプから
構成される円偏波発生器部の上記磁石に対応するシール
ドパイプの所定の位置に磁性体で形成された軸比調整機
構を設けたことを特徴とするファラデー旋波子形可逆移
相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12858981A JPS5830201A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | ファラデ−旋波子形可逆移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12858981A JPS5830201A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | ファラデ−旋波子形可逆移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830201A true JPS5830201A (ja) | 1983-02-22 |
| JPS6220724B2 JPS6220724B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=14988486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12858981A Granted JPS5830201A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | ファラデ−旋波子形可逆移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830201A (ja) |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP12858981A patent/JPS5830201A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6220724B2 (ja) | 1987-05-08 |
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