JPS5831584A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JPS5831584A JPS5831584A JP56130422A JP13042281A JPS5831584A JP S5831584 A JPS5831584 A JP S5831584A JP 56130422 A JP56130422 A JP 56130422A JP 13042281 A JP13042281 A JP 13042281A JP S5831584 A JPS5831584 A JP S5831584A
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- JP
- Japan
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- sintered
- type
- film
- paste
- appropriate amount
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｌよ太陽電池の製造方法に関するものである＠Ｃ
ｄＴｏ・よ禁制帯巾１−４ｅＶの半導体で１．べ膚電池
用元吸収材料として最適の馴制帯巾分有し、適当な窓材
料ガえばＣａＳと組合０せてＣ４に３ ／ ０ｄＴｅ太
陽電池として実用化されている。またｌｏＯ、よ袂制帯
巾８．ａ、ｅＶ（ｉり半導体で、ＯｄＳよりもｉ ｌｔ
ｉ＋＋帝１１３ ｆｉ！ ’入きく、ａａｓ ｊ ｂ
モ太ｎ’Ｊｔ特ニ＠波長％ ？ ！ ＜ ＋Ｈ４ｒため
、友陽瑳池用窓材料として有搦である。ピこで従来Ｚｎ
ＯとＣ！ｄ’ｌ’θとの組合亡Ｖこよるべ賜電池ｖｃ関
心が寄せられ吋元されて＾るが・いずれも単結晶半導体
ｔｌ−用いたもので実用性に乏しい。本開明、よ、石１
ｌａｓｔ源の１目、４がｆ想されエネルギー転快θｙ）
要件に迫られている現状に−み、この２１１０と０ｄＴ
ｅ との組合せの太陽電池の灸遣方法Ｖこ数置を加へて
、充分な変換効率を有し、しかも安価で菫産性にｌむ太
陽電池の製造方法を提案しようとするものである。
ｄＴｏ・よ禁制帯巾１−４ｅＶの半導体で１．べ膚電池
用元吸収材料として最適の馴制帯巾分有し、適当な窓材
料ガえばＣａＳと組合０せてＣ４に３ ／ ０ｄＴｅ太
陽電池として実用化されている。またｌｏＯ、よ袂制帯
巾８．ａ、ｅＶ（ｉり半導体で、ＯｄＳよりもｉ ｌｔ
ｉ＋＋帝１１３ ｆｉ！ ’入きく、ａａｓ ｊ ｂ
モ太ｎ’Ｊｔ特ニ＠波長％ ？ ！ ＜ ＋Ｈ４ｒため
、友陽瑳池用窓材料として有搦である。ピこで従来Ｚｎ
ＯとＣ！ｄ’ｌ’θとの組合亡Ｖこよるべ賜電池ｖｃ関
心が寄せられ吋元されて＾るが・いずれも単結晶半導体
ｔｌ−用いたもので実用性に乏しい。本開明、よ、石１
ｌａｓｔ源の１目、４がｆ想されエネルギー転快θｙ）
要件に迫られている現状に−み、この２１１０と０ｄＴ
ｅ との組合せの太陽電池の灸遣方法Ｖこ数置を加へて
、充分な変換効率を有し、しかも安価で菫産性にｌむ太
陽電池の製造方法を提案しようとするものである。
以下本宅す１に係る太陽電池の製造方法を実施例に基い
て説明する◎先ずＺｎ０Ｏ高４■度粉末に１〜１０モル
係の少緻のａｄａ６ｆｆｉまたはＺｎ Ｏ（ｌ Ｈを〃
口え、これに更に有機粘哨削として例えばプロピレング
リコールを適歓加え、よく混練してペーストｆ調製する
０このベース）？ガラス基板−Ｅに薄く塗布−ｒる◎こ
の際スクリーン印刷機を用いるのも一つの方法である・
この塗布膜中の粘結剤を乾燥器で蒸＠させた後％ Ｎ、
雰囲気中で焼成し、Ｍ型ＺｎＯ焼結膜を形成する。
て説明する◎先ずＺｎ０Ｏ高４■度粉末に１〜１０モル
係の少緻のａｄａ６ｆｆｉまたはＺｎ Ｏ（ｌ Ｈを〃
口え、これに更に有機粘哨削として例えばプロピレング
リコールを適歓加え、よく混練してペーストｆ調製する
０このベース）？ガラス基板−Ｅに薄く塗布−ｒる◎こ
の際スクリーン印刷機を用いるのも一つの方法である・
この塗布膜中の粘結剤を乾燥器で蒸＠させた後％ Ｎ、
雰囲気中で焼成し、Ｍ型ＺｎＯ焼結膜を形成する。
焼（又温暖はｅａｃｈ、を混入したときは６００℃〜７
００℃の範囲内とし％ｚｎｃｌｘｋａ人したと色は４０
０℃〜８６０℃の範囲内とする・従来低抵抗のＺｏｏ換
Ｑ ７０００以下の低温暖で焼結させることは困難であ
ったが、前記砒訓物を前記１加えることによりこの焼結
が可能となる。
００℃の範囲内とし％ｚｎｃｌｘｋａ人したと色は４０
０℃〜８６０℃の範囲内とする・従来低抵抗のＺｏｏ換
Ｑ ７０００以下の低温暖で焼結させることは困難であ
ったが、前記砒訓物を前記１加えることによりこの焼結
が可能となる。
次いで０（ｉＴθの高純度粉末に０．５〜１０モルチの
少菫の８ｂ、Ｔｅ、を加え、これに更に有機粘結剤とし
て例えばプロピレングリコールを適緻カロえ、よく混練
してペーストｔｄＮし、このペーストｒ−スクリーン印
刷などの方法で前記Ｎ型ＺｎＯ焼帖膜−ヒに塗布する０
粘結剤を蒸発させた後、Ｎ２雰囲気中６００ Ｃ〜７０
０℃でｔＡｍし、Ｎ型ＺｎＯｄ ｄ ｒｔｉ上にＰ型０
ｄＴａ ｙ８結ａｔ形成−ｒるＯ こうしてカフス基板上に１畳形成さ７したＮ型２−焼結
膜とＰ型０ａＴｅ焼結膜とに夫々オーミンク接触の電極
、−１えばＡｆｆ 、 Ｔｏを付＆σｒ−Ｃでキ上った
太陽電池を第１図にボｆ’ ｏ ｔｌ） ７まカフス基
板、（２）はＮ ｍ Ｚ−’Ａ１１． ｄ Ｍ！、（３
） ｖよ” 型ＣｄＴｅｋ鮎寝、（４）Ｖよ０ａＴｅ
ｉｌｌオーミック電悼１（５）はＺｎ０１ｔｍオーミン
ク電傷である。
少菫の８ｂ、Ｔｅ、を加え、これに更に有機粘結剤とし
て例えばプロピレングリコールを適緻カロえ、よく混練
してペーストｔｄＮし、このペーストｒ−スクリーン印
刷などの方法で前記Ｎ型ＺｎＯ焼帖膜−ヒに塗布する０
粘結剤を蒸発させた後、Ｎ２雰囲気中６００ Ｃ〜７０
０℃でｔＡｍし、Ｎ型ＺｎＯｄ ｄ ｒｔｉ上にＰ型０
ｄＴａ ｙ８結ａｔ形成−ｒるＯ こうしてカフス基板上に１畳形成さ７したＮ型２−焼結
膜とＰ型０ａＴｅ焼結膜とに夫々オーミンク接触の電極
、−１えばＡｆｆ 、 Ｔｏを付＆σｒ−Ｃでキ上った
太陽電池を第１図にボｆ’ ｏ ｔｌ） ７まカフス基
板、（２）はＮ ｍ Ｚ−’Ａ１１． ｄ Ｍ！、（３
） ｖよ” 型ＣｄＴｅｋ鮎寝、（４）Ｖよ０ａＴｅ
ｉｌｌオーミック電悼１（５）はＺｎ０１ｔｍオーミン
ク電傷である。
前記実施例り方法によつＣ侍らｎ ７こ太１１゛鉦池の
装造条汗と、カフス基板間かりＡＭ １．５ 、７５国
−の太陽ｙｔ、を入射させｉことさの変換効率とを第ｌ
衣Ｖこ示す０１ｍｔｉｅ’Ｐ参ＪνＵと必るＯｖよ、瓦
状のためＶこ少くとも一方の焼結膜が離削の添ｕローま
／ｃｉよ焼成漏波におｉて実施ｙＩｌに挙げｆｃ未）下
Ｖこ一致しない太陽電池の例ｒ示したものである。
装造条汗と、カフス基板間かりＡＭ １．５ 、７５国
−の太陽ｙｔ、を入射させｉことさの変換効率とを第ｌ
衣Ｖこ示す０１ｍｔｉｅ’Ｐ参ＪνＵと必るＯｖよ、瓦
状のためＶこ少くとも一方の焼結膜が離削の添ｕローま
／ｃｉよ焼成漏波におｉて実施ｙＩｌに挙げｆｃ未）下
Ｖこ一致しない太陽電池の例ｒ示したものである。
第１表
第１表からも明らかなよつｌ／ｃｇ考例の太−電池では
いずれ４ｂＭの焼結性が不良であるか、あるいは変換効
率か８俤にも達しないのに対し、本発明方法にＩよって
製造された太陽電池、よ充分実用性のある６俤以上の高
い変換効率を有ｒる・本発明に係る太陽電池の製造方法
にょｎ−ば、充分実用性のある高い変換効率を有するも
のが雨らルるｏしかもＮ１ＺｎＯの焼結膜とＰ ７ｆｆ
ｌ ｃｄＴａ 焼結膜とｆｉ（７００℃以下の低温で焼
結でき、従ってまたガクス承板上に１費焼結でき、消費
電力も少く、製造が容易てあり、安価で量産に適する。
いずれ４ｂＭの焼結性が不良であるか、あるいは変換効
率か８俤にも達しないのに対し、本発明方法にＩよって
製造された太陽電池、よ充分実用性のある６俤以上の高
い変換効率を有ｒる・本発明に係る太陽電池の製造方法
にょｎ−ば、充分実用性のある高い変換効率を有するも
のが雨らルるｏしかもＮ１ＺｎＯの焼結膜とＰ ７ｆｆ
ｌ ｃｄＴａ 焼結膜とｆｉ（７００℃以下の低温で焼
結でき、従ってまたガクス承板上に１費焼結でき、消費
電力も少く、製造が容易てあり、安価で量産に適する。
第１図は本珀明方法によって製造された太陽電池の断面
図である。 （１） ・・・カフス基板、＋２） −Ｎ ｉ！１２ｎ
Ｏ焼結膜、（３） −Ｐ型Ｃ（ＬＴ８焼結編、（４）・
・・Ｃｄ Ｔ ｅ側オーミック電憔、（５）・・・Ｚｎ
Ｏ＠オーミック電極 代理人 森本義弘
図である。 （１） ・・・カフス基板、＋２） −Ｎ ｉ！１２ｎ
Ｏ焼結膜、（３） −Ｐ型Ｃ（ＬＴ８焼結編、（４）・
・・Ｃｄ Ｔ ｅ側オーミック電憔、（５）・・・Ｚｎ
Ｏ＠オーミック電極 代理人 森本義弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ＺｎＯ扮末Ｋ ｌＮ１０ モル９６ｃ／） ｃ
ａａｌ、オｘヒ適檜の制礪粘結剤を加えて混合したペー
ストｔガフス基板七に塗布しＮ、中５００℃〜７００℃
で焼成してＮ型ＺｎＯ焼結ａｋ形成し、次いでこのＺｎ
Ｏ焼結膜上にａａ’ｒｅ粉末曽こ０．５〜ｌＯモル係の
ｓｂ、’ｒｅ、お【び適量の有機粘結剤を加えて混合し
たペーストを塗布しＮ、中５００℃〜７００Ｃで焼成し
てＰ型Ｃ（ＩＴθ焼結腺を形成いこルら焼結膜に夫々オ
ーミック電極を取付けることを％轍とする太陽電池の製
造方法。 ｇ ＺｎＯ粉末にｌＮ１０モル％ ｔ／） Ｚｎ ｃ
＃＊および適量の４ｆ機粘結剤を加えて混合したペース
トをガクス基板上に塗布しＮ！中４ＯＬＩＣ〜６５０Ｃ
で焼成してＮ型ＺｎＯ焼結線ケ形成し、次いでこのＺｎ
Ｏ焼結膜上にｃａｒｅ ｙ末に０．５−１０モル係のＳ
ｂ、 Ｔｏ、および適量の有機粘結剤を加えて混合した
ペーストをは布しＮ、中６００℃〜ＴＯＯＣで焼成して
Ｐ型ｃａｒｅ膜自・形敗し、これら焼結膜に夫々オーミ
ック電極ｔ極を−ｕ Ｍ ｉｆることを待機とする太陽
電池の輌は方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130422A JPS5831584A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130422A JPS5831584A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831584A true JPS5831584A (ja) | 1983-02-24 |
| JPS6257269B2 JPS6257269B2 (ja) | 1987-11-30 |
Family
ID=15033863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56130422A Granted JPS5831584A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279181A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． | 薄膜光起電力デバイス |
| JP2009512181A (ja) * | 2005-10-06 | 2009-03-19 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 光起電活性の半導体材料を含む光電池 |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP56130422A patent/JPS5831584A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279181A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． | 薄膜光起電力デバイス |
| JPH06209116A (ja) * | 1985-06-04 | 1994-07-26 | Siemens Solar Ind Lp | 薄膜光起電力デバイスの製造方法 |
| JP2009512181A (ja) * | 2005-10-06 | 2009-03-19 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 光起電活性の半導体材料を含む光電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6257269B2 (ja) | 1987-11-30 |
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