JPS5833309A - すべり波共振器 - Google Patents
すべり波共振器Info
- Publication number
- JPS5833309A JPS5833309A JP13173981A JP13173981A JPS5833309A JP S5833309 A JPS5833309 A JP S5833309A JP 13173981 A JP13173981 A JP 13173981A JP 13173981 A JP13173981 A JP 13173981A JP S5833309 A JPS5833309 A JP S5833309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- wave
- resonator
- interdigital
- shear wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02551—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般にS S BW (5urface 8に
1mm1nlmm1n参Waマe)等と呼ばれている圧
電基#Lの表面直下を伝搬する波動(斯る種類の波動O
I!称を本発明の明細書に於いてはすべ夛波と称する)
tインタディジタル・トランスジ為−サtmによって励
起せしめ、そO振動エネルギを前記電極直下に閉じ込め
るタイプの共振器Ellする。
1mm1nlmm1n参Waマe)等と呼ばれている圧
電基#Lの表面直下を伝搬する波動(斯る種類の波動O
I!称を本発明の明細書に於いてはすべ夛波と称する)
tインタディジタル・トランスジ為−サtmによって励
起せしめ、そO振動エネルギを前記電極直下に閉じ込め
るタイプの共振器Ellする。
従来、安定した高周波を得るには殆んどの場合水晶薄板
の厚みすべ9振動を利用していたが、その最高周波数は
水晶基板の厚さに依存する為基本波で40MHz程度が
限界でありて更に高い周波数を得るKは通常基本波周波
のオーバートーン振動管利用していた。しかしながらオ
ーバートーン次数社9次S度までが使用しうる限界であ
り、該次数が高くなると所冒容量比rが該次数O自乗に
比例して悪化し且つインピーダンスも上昇するので回路
とOマツチングが困難となる等の問題を生ずるものであ
−)え。
の厚みすべ9振動を利用していたが、その最高周波数は
水晶基板の厚さに依存する為基本波で40MHz程度が
限界でありて更に高い周波数を得るKは通常基本波周波
のオーバートーン振動管利用していた。しかしながらオ
ーバートーン次数社9次S度までが使用しうる限界であ
り、該次数が高くなると所冒容量比rが該次数O自乗に
比例して悪化し且つインピーダンスも上昇するので回路
とOマツチングが困難となる等の問題を生ずるものであ
−)え。
上述の如き間lI[を解決する一手段として最近、イン
タディジタル・トランスジ、−を電極によって弾性!l
I!面波を発生させ、これ1m用する周波にて励振しう
るものである。
タディジタル・トランスジ、−を電極によって弾性!l
I!面波を発生させ、これ1m用する周波にて励振しう
るものである。
しかしながら弾性表面波共r71器は励振された波動が
圧電基板表面を伝搬する為、基I[表面の汚染或はエー
ジングによる素面状mlO変化の影響を強くうけると―
う欠陥があるのみならず周波数−温JI!特性に′)い
ても需畳者【充分満足させるものではなく、更に優れえ
特性が費求されている。
圧電基板表面を伝搬する為、基I[表面の汚染或はエー
ジングによる素面状mlO変化の影響を強くうけると―
う欠陥があるのみならず周波数−温JI!特性に′)い
ても需畳者【充分満足させるものではなく、更に優れえ
特性が費求されている。
つ欠陥或は問題点tm去する為になされたものであって
、弾性表面波共振器と同等の高い周波数を基本波にて励
振でき、iつその波動が圧電適した表両汚染に強くエー
ジング特性、温度特性に優れ、且つスプリアスの極めて
少ない共振験結果とに基づいて詳11に説明する。
、弾性表面波共振器と同等の高い周波数を基本波にて励
振でき、iつその波動が圧電適した表両汚染に強くエー
ジング特性、温度特性に優れ、且つスプリアスの極めて
少ない共振験結果とに基づいて詳11に説明する。
圧電基板表面直下を伝搬するすべや波の存在及び多対の
インタディジタル・トランスジ島−サ電極によってこの
波を励起しうることは従前より知られていたが、これt
共振器に応用すゐ試みについては殆んど研究がなされて
いなかクディジタに@トランスジ暴−サ電極を設は良す
ペシ波共m器は発振条件′を満足することが困難であり
た上、発振してもそのQが極めて低くとうてい実用に耐
えるものではなかったからである。
インタディジタル・トランスジ島−サ電極によってこの
波を励起しうることは従前より知られていたが、これt
共振器に応用すゐ試みについては殆んど研究がなされて
いなかクディジタに@トランスジ暴−サ電極を設は良す
ペシ波共m器は発振条件′を満足することが困難であり
た上、発振してもそのQが極めて低くとうてい実用に耐
えるものではなかったからである。
一方、本発明の発明者等は既に出願した弾性表面波共振
器に関する一連の特許出願、特願昭56−56710
等に於いて水晶基板表面に極めて膜厚の大なる(表面
波身長の1.5−以上)インタディジタル・トランスジ
、−サ電極會設けることによって少数の電極指対数によ
って充分大力るQを有しかつ副共振の少ない小im!o
共振加効果による表面波振動エネルギOw4じ込め効果
の強調及び電極指断面積の増大による等価抵抗の減少に
よるtのであろうと推論し大。
器に関する一連の特許出願、特願昭56−56710
等に於いて水晶基板表面に極めて膜厚の大なる(表面
波身長の1.5−以上)インタディジタル・トランスジ
、−サ電極會設けることによって少数の電極指対数によ
って充分大力るQを有しかつ副共振の少ない小im!o
共振加効果による表面波振動エネルギOw4じ込め効果
の強調及び電極指断面積の増大による等価抵抗の減少に
よるtのであろうと推論し大。
この推論をすべ9波KfIk用して、すべ多波を励起す
るインクディジタル・トランスジ纂−サ釆は考え&いが
、質量付加効果及び等価抵抗減少の効果を期待し得るで
あろう。
るインクディジタル・トランスジ纂−サ釆は考え&いが
、質量付加効果及び等価抵抗減少の効果を期待し得るで
あろう。
本発明は以上の如き推定に基づいてなされたものであ〕
、電極膜厚會一定以上厚くした場合に実用性のある充分
に高いQt得ることが確認された。
、電極膜厚會一定以上厚くした場合に実用性のある充分
に高いQt得ることが確認された。
以下本発−の基礎とな−)友夷験結果について詳細に説
明する。
明する。
第1Iaは本実験に使用したすべ)波共振器の構成を示
す図であ、る。
す図であ、る。
先ず圧電基板lとして線温![特性を考慮して水晶の回
転Yカット、切断角lx軸に関して反時計廻pに一43
°Sv2°の範囲のものt使用し喪。この切断角を有す
る水晶基波を用いるならばすべ)波伝搬速度は同じ回転
Yカット水晶基板の弾性表ma伝搬連直に比してわずか
数−高速であるにすぎないが温度−周波数特性は三ri 次曲線となり極めて温[特性の良好なものキ参る。
転Yカット、切断角lx軸に関して反時計廻pに一43
°Sv2°の範囲のものt使用し喪。この切断角を有す
る水晶基波を用いるならばすべ)波伝搬速度は同じ回転
Yカット水晶基板の弾性表ma伝搬連直に比してわずか
数−高速であるにすぎないが温度−周波数特性は三ri 次曲線となり極めて温[特性の良好なものキ参る。
因みに前記切断角管35@〜42°の範囲に遇ぺば温f
%性扛劣化するがすペク披伝搬速J[に前記弾性表面波
伝搬速度の約1.6倚となる。
%性扛劣化するがすペク披伝搬速J[に前記弾性表面波
伝搬速度の約1.6倚となる。
さて上記の如き水晶基板1上KAjt−用いてZ軸方向
にバスパー電極2,3を設け、両者から交互に多数のイ
ンクディジタル電極指4,4・・・・・・及び5 、5
、 明−を交叉する如く弧長する。
にバスパー電極2,3を設け、両者から交互に多数のイ
ンクディジタル電極指4,4・・・・・・及び5 、5
、 明−を交叉する如く弧長する。
これは周知の如く蒸着したAj K対しiスフを介して
フォト・エツチングにょ多形成するものである。又前記
インタディジタル・トランスジ為−サ電極指4又扛5の
各々とこれに隣接する無電極部との合計幅はすべり披々
長λの半分となるようにし、両者の幅比は製造の容易さ
から1:IK構成するのが一般的である。
フォト・エツチングにょ多形成するものである。又前記
インタディジタル・トランスジ為−サ電極指4又扛5の
各々とこれに隣接する無電極部との合計幅はすべり披々
長λの半分となるようにし、両者の幅比は製造の容易さ
から1:IK構成するのが一般的である。
更に前記インタディジタル電極指4,4.・・・・・・
及び5,5・・・・・・のオーバーラツプ幅を交叉長W
と称し、この値を変化するととによって共振器の緒特性
を制御することができる。
及び5,5・・・・・・のオーバーラツプ幅を交叉長W
と称し、この値を変化するととによって共振器の緒特性
を制御することができる。
以上の如き形状のインタディジタル・トランスジューサ
電極は少なくとも弾性表面波共振器を構成する上では表
面波反射用すだれ状金属或は溝又は孔を備えた共振器に
比して構成単純で、すベシ波共振器に於いて4同様の効
果があると考えられる。
電極は少なくとも弾性表面波共振器を構成する上では表
面波反射用すだれ状金属或は溝又は孔を備えた共振器に
比して構成単純で、すベシ波共振器に於いて4同様の効
果があると考えられる。
以上の如きインタディジタル・トランスジューサ電極を
設けた共振器を用いて行りた実験結果について説明する
に、先ず電極対数N f 800対、前記交叉長Wをす
べ夕波々長λで規準化しtlJ (alの等価回路を仮
定してアドミタンス・チャートを用いて検討した結果第
2図(b)〜(clを得た。
設けた共振器を用いて行りた実験結果について説明する
に、先ず電極対数N f 800対、前記交叉長Wをす
べ夕波々長λで規準化しtlJ (alの等価回路を仮
定してアドミタンス・チャートを用いて検討した結果第
2図(b)〜(clを得た。
本チャートから明らかな如く電極膜厚h/λがはソ2襲
以下の場合、本すべ9波共振器の特性はチャート上誘導
性領域が存在せずハートレー又はコルピッツ型水晶発#
i!@路に挿入しても発振し得ないことが判明した。
以下の場合、本すべ9波共振器の特性はチャート上誘導
性領域が存在せずハートレー又はコルピッツ型水晶発#
i!@路に挿入しても発振し得ないことが判明した。
さてそこで各種電極農厚會有するすべり波共振器につい
てそのQと副共振レベルを調べた結果を第3EK示す。
てそのQと副共振レベルを調べた結果を第3EK示す。
本図に於いて電極膜厚h/λが増大するに従いQ及び副
共振レベルも増大し、h/λが幕チ近傍に於いてQit
飽和し、副共振レベルは急増する如く見える。
共振レベルも増大し、h/λが幕チ近傍に於いてQit
飽和し、副共振レベルは急増する如く見える。
一方、電極膜厚h/λを固定した上で電極対数N1変化
させた場合、Q、m1ll共振レベル及びrがいかに変
化するかを調べた結果を第4図に示す。
させた場合、Q、m1ll共振レベル及びrがいかに変
化するかを調べた結果を第4図に示す。
本図から明らかな如く電極対数Nが多い程Q従って共振
器としての望ましい構成としては、要求される仕様にも
よるが一般的には水晶基板を使用する限り電極対数Nが
8oo±200 。
器としての望ましい構成としては、要求される仕様にも
よるが一般的には水晶基板を使用する限り電極対数Nが
8oo±200 。
電極膜厚h/λは0.025要至0.03@度であるこ
とが判る。
とが判る。
メ
畢に副共振レベルは電極対数Nに対しては電極膜厚h/
λの減少に従ってわずかに平行移動的に減少し一方r1
1電極膜厚h/λの減少に従ってわずかに平行移動的に
増大する傾向が見られたが図面の繁雑管避ける為省略し
た。
λの減少に従ってわずかに平行移動的に減少し一方r1
1電極膜厚h/λの減少に従ってわずかに平行移動的に
増大する傾向が見られたが図面の繁雑管避ける為省略し
た。
同、更に前記交叉長W/λについて調べた結果を第5図
に示す。本図から明らかな如く交叉長W/λにも最適値
がある如く見え、その範囲刀 社概ね8#至150間に存し、交叉長W/λを変化させ
るととによって得られるQ又はrの変化は電極膜厚h/
λ或は電極対数Nを変化することによる共振器特性の変
化に比べればわずかでありその重IHIは二次的である
といえる。
に示す。本図から明らかな如く交叉長W/λにも最適値
がある如く見え、その範囲刀 社概ね8#至150間に存し、交叉長W/λを変化させ
るととによって得られるQ又はrの変化は電極膜厚h/
λ或は電極対数Nを変化することによる共振器特性の変
化に比べればわずかでありその重IHIは二次的である
といえる。
以上説明した実験の結果は共振器を空気中で共振させた
ものであるが弾性表面波共振器にあっては真空中に於い
て共振す、る共振器のQは空気中のそれに比べて15及
至30チ改善されることが知られている。この知見をす
べり波共振器に援用した結果弾性表面波共振器の場合程
の効果はなかったが約51i程度のQの向上がみられた
。
ものであるが弾性表面波共振器にあっては真空中に於い
て共振す、る共振器のQは空気中のそれに比べて15及
至30チ改善されることが知られている。この知見をす
べり波共振器に援用した結果弾性表面波共振器の場合程
の効果はなかったが約51i程度のQの向上がみられた
。
以上の実験結果からすベク波共振器に於いても共振器の
特性を左右する最も重要な構成要素はその電極膜厚h/
λであり、他の要素、例えば電極対数Nは電極膜厚h/
λとは殆んど無調係Kr求は副共振のレベルから一定の
値に#I着せざるを得す、又前記交叉長W/λも共振器
特性に影◆會与えるその最適値が存在する七tがその効
果は二次的なものであることが明らかとなった。
特性を左右する最も重要な構成要素はその電極膜厚h/
λであり、他の要素、例えば電極対数Nは電極膜厚h/
λとは殆んど無調係Kr求は副共振のレベルから一定の
値に#I着せざるを得す、又前記交叉長W/λも共振器
特性に影◆會与えるその最適値が存在する七tがその効
果は二次的なものであることが明らかとなった。
以上本発明の共11ii@に−する実験の結果について
説明し九が、電極材料として人!以外O例えd Au
−A g * Cr 5Z、ij N i等について言
及していなかったのでこれらについて簡単K1m明する
。
説明し九が、電極材料として人!以外O例えd Au
−A g * Cr 5Z、ij N i等について言
及していなかったのでこれらについて簡単K1m明する
。
前述の電極の負貴効果が振動エネルギ閉じ込め効果を強
調するものであるとすれはAJよp轄るかにtm度の大
きな金属材料によりて電極を構成し、そO膜厚をAIの
密度との割合いに比例して薄くしても同様の効果があり
そうに思われたがAu、Or及びNiKついて実験し九
結果は全く予想に反すbものであってQは上昇せずスプ
リアスも多くなるという結果を得た。
調するものであるとすれはAJよp轄るかにtm度の大
きな金属材料によりて電極を構成し、そO膜厚をAIの
密度との割合いに比例して薄くしても同様の効果があり
そうに思われたがAu、Or及びNiKついて実験し九
結果は全く予想に反すbものであってQは上昇せずスプ
リアスも多くなるという結果を得た。
この理由は目下のところ不明であるが、弾性表面波共振
器の場合にも同様の結果がより顕著に現出していること
からして、水晶基板直下音伝搬するすべり波も水晶基板
と電極との境界近傍に於いて両者の青畳インピーダンス
の差に起因する摂動の影響管受けると同時に前記両イン
ピーダンスO差が大きすぎることがすべり波の伝搬及び
振動エネルギの閉じ込め効果t−悪化させる方向に働い
てやるものと考えざるを得ない。
器の場合にも同様の結果がより顕著に現出していること
からして、水晶基板直下音伝搬するすべり波も水晶基板
と電極との境界近傍に於いて両者の青畳インピーダンス
の差に起因する摂動の影響管受けると同時に前記両イン
ピーダンスO差が大きすぎることがすべり波の伝搬及び
振動エネルギの閉じ込め効果t−悪化させる方向に働い
てやるものと考えざるを得ない。
従って現状に於いては基板の水晶と音響インピーダンス
が近似する人lを電極材料として用いるのが114嵐い
。
が近似する人lを電極材料として用いるのが114嵐い
。
本発明は以上説明した如く構成するので極めて温度特性
嵐好にしてスプリアスが殆んどなく表面汚染及びエージ
ングに対し鈍感でありしかもIGHz@IIまでの高周
波を基本波にて発振する共振Sを安価に得ることが可能
と々る為、近年益に使用周波数帯が高くなっている電子
機器の要求に容易に応することができ、しかもこれら機
器の小型化、高安定化に著しい効果を発揮するものであ
る。
嵐好にしてスプリアスが殆んどなく表面汚染及びエージ
ングに対し鈍感でありしかもIGHz@IIまでの高周
波を基本波にて発振する共振Sを安価に得ることが可能
と々る為、近年益に使用周波数帯が高くなっている電子
機器の要求に容易に応することができ、しかもこれら機
器の小型化、高安定化に著しい効果を発揮するものであ
る。
第1図は本発明のすぺ9波共撫器の電極構成を示す図、
第2図(a)は第1図のすペシ波共撫器の岬価回路、同
一(b) i至(e)は夫々電極膜厚をすべり波々長0
0.91,1.41G、2.111及び−1t4の場合
のアト5タンスeチヤートの図、@armはすぺ9波共
振器の電極指対数を固定した場合、電極膜厚の変化に対
するQ及び―J共振レベルの変動O11験結果を示す図
、第4回状各電極膜厚に対し電極指対赦管変化し良場合
のQ、r及び副共振レベルの変動の実験結果を示す図、
纂5図は電極指交叉長春変化に対するQ及びrの変動を
示す実験結果の図である。 1・・・・・・水晶基板、 4.5・・・・・・インタ
ディジタル・トランスジ、−サ電極 特許出願人 東洋過信機株式会社 手続補正書 昭和tり年 / 月、2F、日 特許庁 長官 殿 1、事件の表示 昭和夕/年 社Jf 願第1J/73り 号2、
茫&Bの名称 1−1・・ソ5L長rh、各3、補正
をする者 事件との関係゛祈訂出願人 5、補正により増加する発明の数 ri’L6、
補正の対象 I−崩
第2図(a)は第1図のすペシ波共撫器の岬価回路、同
一(b) i至(e)は夫々電極膜厚をすべり波々長0
0.91,1.41G、2.111及び−1t4の場合
のアト5タンスeチヤートの図、@armはすぺ9波共
振器の電極指対数を固定した場合、電極膜厚の変化に対
するQ及び―J共振レベルの変動O11験結果を示す図
、第4回状各電極膜厚に対し電極指対赦管変化し良場合
のQ、r及び副共振レベルの変動の実験結果を示す図、
纂5図は電極指交叉長春変化に対するQ及びrの変動を
示す実験結果の図である。 1・・・・・・水晶基板、 4.5・・・・・・インタ
ディジタル・トランスジ、−サ電極 特許出願人 東洋過信機株式会社 手続補正書 昭和tり年 / 月、2F、日 特許庁 長官 殿 1、事件の表示 昭和夕/年 社Jf 願第1J/73り 号2、
茫&Bの名称 1−1・・ソ5L長rh、各3、補正
をする者 事件との関係゛祈訂出願人 5、補正により増加する発明の数 ri’L6、
補正の対象 I−崩
Claims (3)
- (1) すべや波會伝撤せしめる水晶基板の主lN面
上に多対のインタディジタル−トランスジ島−サ電極t
1!にけて皺電極に印加され大電気エネルギをすべり波
に変換するすべ〉波共振Sに於いて、前記水晶基板ta
転Yカット、カット・アン乃 1ルー43”4kM−5’2°、すべ)波伝像方向會z
′軸方向とすると共に、前記水晶基板上に設ける多対イ
ンタディジタル・トランスジ瓢−サ電極tAJKて構成
しかつそO膜厚を伝搬するすべり波々長のLoI11以
上とすることによってすべり波の振動エネルギの前記電
極直下へO閉じ込め効率を向上したこと10黴とするす
べ9披共振器。 - (2)前記インタディジタル舎トランスジa−す電極の
電極対数を800±209とすることにより共振器の容
量比と副共振レベルを低レベルに保ちつつ高いQt得る
ことを4111kとする特許請求の範囲1記載のすペシ
波共振器。 - (3) 前記インタディジタル・トランスジ、−を電
極の電極指交叉−1kt前記電極によって励起されβ るすべり波身長の8:に−至15倍とするととくよシ共
振器の容量比を低レベルに保ちつつ高いQを得ること管
4I徴とすゐ特許請求の範囲1又は2記載のすぺ9波共
振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13173981A JPS5833309A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | すべり波共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13173981A JPS5833309A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | すべり波共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833309A true JPS5833309A (ja) | 1983-02-26 |
| JPH0134411B2 JPH0134411B2 (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=15065054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13173981A Granted JPS5833309A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | すべり波共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833309A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340509A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | バルク波装置 |
| WO2005099089A1 (ja) | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | 弾性表面波デバイス |
| WO2007004661A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Epson Toyocom Corporation | 弾性表面波デバイス |
| EP1679794A3 (en) * | 2005-01-06 | 2007-07-04 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device |
| EP1675260A3 (en) * | 2004-12-03 | 2007-08-15 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device |
| US7843112B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-11-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device |
| US8305162B2 (en) | 2009-02-27 | 2012-11-06 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave oscillator |
| US8471434B2 (en) | 2010-08-26 | 2013-06-25 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus |
| US8476984B2 (en) | 2010-12-07 | 2013-07-02 | Seiko Epson Corporation | Vibration device, oscillator, and electronic apparatus |
| US8598766B2 (en) | 2010-12-03 | 2013-12-03 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus |
| US8692439B2 (en) | 2010-08-26 | 2014-04-08 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic device |
| US8928432B2 (en) | 2010-08-26 | 2015-01-06 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus |
| US8933612B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-01-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument |
| US9048806B2 (en) | 2010-09-09 | 2015-06-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, electronic apparatus, and sensor apparatus |
| US9088263B2 (en) | 2010-06-17 | 2015-07-21 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007049288A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 複数段接続縦結合多重モード弾性表面波フィルタ |
| JP4582150B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2010-11-17 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイスとこれを用いたモジュール装置又は発振回路 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435657A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-15 | Hitachi Ltd | Surface slip wave resonator filter |
| JPS55105426A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-13 | Fujitsu Ltd | Elastic surface wave device |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP13173981A patent/JPS5833309A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435657A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-15 | Hitachi Ltd | Surface slip wave resonator filter |
| JPS55105426A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-13 | Fujitsu Ltd | Elastic surface wave device |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340509A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | バルク波装置 |
| EP1732216A4 (en) * | 2004-04-01 | 2008-07-30 | Epson Toyocom Corp | SURFACE WAVE COMPONENT |
| WO2005099089A1 (ja) | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | 弾性表面波デバイス |
| US7589451B2 (en) | 2004-04-01 | 2009-09-15 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device |
| EP1926210A3 (en) * | 2004-12-03 | 2013-04-17 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device |
| EP1675260A3 (en) * | 2004-12-03 | 2007-08-15 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device |
| US7382217B2 (en) | 2004-12-03 | 2008-06-03 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device |
| US7463119B2 (en) | 2005-01-06 | 2008-12-09 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device |
| EP1679794A3 (en) * | 2005-01-06 | 2007-07-04 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device |
| WO2007004661A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Epson Toyocom Corporation | 弾性表面波デバイス |
| US7843112B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-11-30 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device |
| US8018122B2 (en) | 2005-09-30 | 2011-09-13 | Epson Toyocom Corporation | Surface acoustic wave device, module device, oscillation circuit, and method for manufacturing surface acoustic wave device |
| US8502625B2 (en) | 2009-02-27 | 2013-08-06 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave oscillator |
| US9762207B2 (en) | 2009-02-27 | 2017-09-12 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument |
| US8305162B2 (en) | 2009-02-27 | 2012-11-06 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave oscillator |
| US8933612B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-01-13 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument |
| US8952596B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-02-10 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic instrument |
| US9537464B2 (en) | 2010-06-17 | 2017-01-03 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus |
| US9088263B2 (en) | 2010-06-17 | 2015-07-21 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus |
| US8471434B2 (en) | 2010-08-26 | 2013-06-25 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave oscillator, and electronic apparatus |
| US8692439B2 (en) | 2010-08-26 | 2014-04-08 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and electronic device |
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| Publication number | Publication date |
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