JPS583337A - 温度補償方式 - Google Patents
温度補償方式Info
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- JPS583337A JPS583337A JP56101058A JP10105881A JPS583337A JP S583337 A JPS583337 A JP S583337A JP 56101058 A JP56101058 A JP 56101058A JP 10105881 A JP10105881 A JP 10105881A JP S583337 A JPS583337 A JP S583337A
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- Japan
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- amplifier
- multiplication factor
- gain
- circuit
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/693—Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
- H04B10/6931—Automatic gain control of the preamplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木兄明紘、フルAGCl用い九九/電気変換を行う受信
副路にhVhて、周囲温度の変化に拘らず8/Nを當に
最良O状態に保つこ乏ができる温14111償方式に関
するものである。
副路にhVhて、周囲温度の変化に拘らず8/Nを當に
最良O状態に保つこ乏ができる温14111償方式に関
するものである。
光通信システムの中継器等にお−ては、アバランシェ・
7オト・ダイオード(AFJ))t−受光素子として用
−て、受信光を光/電気変換しさらに増幅して、電気信
号からなる受信信号を発生する、受信回路が用いられる
。周知のごと(APDKFI信号の増倍作用があp′、
そのためこのような受信回路においては、APRK対す
る光A(JCjと増幅系に対する電気AGGとを併用す
る、フルAGCが用iられることが多−0 第1@はAPDを用−た受信回路の構成例を示すプ四V
り図である。同図にお−て、1はAID、2tll1幅
11、sハヒ−り検a$ll路s 4a光AGC1m路
、5は電気AGO@路で゛ある。
7オト・ダイオード(AFJ))t−受光素子として用
−て、受信光を光/電気変換しさらに増幅して、電気信
号からなる受信信号を発生する、受信回路が用いられる
。周知のごと(APDKFI信号の増倍作用があp′、
そのためこのような受信回路においては、APRK対す
る光A(JCjと増幅系に対する電気AGGとを併用す
る、フルAGCが用iられることが多−0 第1@はAPDを用−た受信回路の構成例を示すプ四V
り図である。同図にお−て、1はAID、2tll1幅
11、sハヒ−り検a$ll路s 4a光AGC1m路
、5は電気AGO@路で゛ある。
第1#AICお−て、APD1紘光信号入力を受けてこ
れを光/電気変換して変換された電気信号を斃崖し、発
生し大電気信号は増幅器1におiで増幅されて出力を発
生する。増幅@20a&力はピーク検出回路5にお−て
そのビーII[t4Ilk量される。
れを光/電気変換して変換された電気信号を斃崖し、発
生し大電気信号は増幅器1におiで増幅されて出力を発
生する。増幅@20a&力はピーク検出回路5にお−て
そのビーII[t4Ilk量される。
ピーク検出回路5の出力にようて光AGC−踏4を介し
てAID I C)バイアス電圧を変化さ讐ることによ
うてAPD10増僑率Mf制御し、同時にピーク検出囲
路JsO出力によって電気AGO關路5を介して増幅器
2の利得を制御することによりてフルAGCが行われて
、増幅II2の出力における信号振幅は、光入力レベル
の変化に拘らず一定に保光れる。こ0llI増幅器2に
おける利得紘、通常の先入力レベルにおいては最大〇−
一定値制御され、光入力レベルの変動に対しては、主と
して光jLGC回路4を介してAID 10増倍率Mを
変化させゐことKようて、ムGC作用が行われる。光入
力レベルが上昇してAID j O増倍率変化によるA
GCの限界を超えたときは、電気AGC回路4vt介し
て増幅器2の利得を変化させて、出力信号振幅を一定に
保つ。
てAID I C)バイアス電圧を変化さ讐ることによ
うてAPD10増僑率Mf制御し、同時にピーク検出囲
路JsO出力によって電気AGO關路5を介して増幅器
2の利得を制御することによりてフルAGCが行われて
、増幅II2の出力における信号振幅は、光入力レベル
の変化に拘らず一定に保光れる。こ0llI増幅器2に
おける利得紘、通常の先入力レベルにおいては最大〇−
一定値制御され、光入力レベルの変動に対しては、主と
して光jLGC回路4を介してAID 10増倍率Mを
変化させゐことKようて、ムGC作用が行われる。光入
力レベルが上昇してAID j O増倍率変化によるA
GCの限界を超えたときは、電気AGC回路4vt介し
て増幅器2の利得を変化させて、出力信号振幅を一定に
保つ。
第H1a、落1図の受信回路における光入力レベルとム
?Dの増倍率MfIPよび増幅器の利得Gとの関係の−
゛例を示している。同図にみられるごとく、光入力レベ
ルが小さめと電線利得Gはゼロに近い一定値で6シ、光
入力レベルが上昇するに伴って増倍率Mが低下する。光
入力レベルが大11iときは、増倍率M紘一定値1とな
ル、光入力レベルがさらに上昇するに伜、て利得Gが負
の値をとって低下すゐ。乙のようなAGCが行われる結
果、#11図の受信回路においては、光入力レベルの変
化に拘らず、増幅囲路2における出力信号振幅は一定に
保たれる。
?Dの増倍率MfIPよび増幅器の利得Gとの関係の−
゛例を示している。同図にみられるごとく、光入力レベ
ルが小さめと電線利得Gはゼロに近い一定値で6シ、光
入力レベルが上昇するに伴って増倍率Mが低下する。光
入力レベルが大11iときは、増倍率M紘一定値1とな
ル、光入力レベルがさらに上昇するに伜、て利得Gが負
の値をとって低下すゐ。乙のようなAGCが行われる結
果、#11図の受信回路においては、光入力レベルの変
化に拘らず、増幅囲路2における出力信号振幅は一定に
保たれる。
一方、APDFI雑音(暗電流)を琵生し、その値は増
倍率Mによって変化することが知られている。
倍率Mによって変化することが知られている。
すなわちAPDは個有の崎最大となる増倍率(最適増倍
率Mope )を有する。例えば長波長(波長1.5声
程度)のゲルマニウムムPDKおけるM・ν8拡10〜
20である。従って第1wJK示されたごと龜受信回路
においては、APDlの増倍率MのAGC動作における
中心値は、一般に、標準となる動作状態において最適増
倍率M・t#に等しくなるようにとられる。
率Mope )を有する。例えば長波長(波長1.5声
程度)のゲルマニウムムPDKおけるM・ν8拡10〜
20である。従って第1wJK示されたごと龜受信回路
においては、APDlの増倍率MのAGC動作における
中心値は、一般に、標準となる動作状態において最適増
倍率M・t#に等しくなるようにとられる。
しかしながらAPDの最適増倍率M・ptas温1によ
りても変化する。例えば前述の長練長ゲルマニクムAF
J)において紘、常温で最適増倍率に@ptを設定した
場合、温度が上昇するに停って最適増倍率M・pt I
d低下し、温度が低下すれば逆に上昇する。従来は受信
回路におけるAIDの増倍率Mの中心値線、周lll1
1度の変化に拘らず一定にとられてIn魁そのため周囲
温度が標準状態から変化し大場會、 AIDの増倍率M
の中心値が、最適増倍率M・itと異なる状態になる欠
点があり光。
りても変化する。例えば前述の長練長ゲルマニクムAF
J)において紘、常温で最適増倍率に@ptを設定した
場合、温度が上昇するに停って最適増倍率M・pt I
d低下し、温度が低下すれば逆に上昇する。従来は受信
回路におけるAIDの増倍率Mの中心値線、周lll1
1度の変化に拘らず一定にとられてIn魁そのため周囲
温度が標準状態から変化し大場會、 AIDの増倍率M
の中心値が、最適増倍率M・itと異なる状態になる欠
点があり光。
本発明はこのような従来技術の欠点を除去しようとす基
ものであって、そのl釣線、周園温JIIが変化しても
受光素子としてのAIDの増倍率Mの中心値を、當にそ
の温度における最適増倍率KepgK保つことがでII
5従うて受信回路を常にその温度におけるル貨最良の状
態Km持することができる方式を提供することにある。
ものであって、そのl釣線、周園温JIIが変化しても
受光素子としてのAIDの増倍率Mの中心値を、當にそ
の温度における最適増倍率KepgK保つことがでII
5従うて受信回路を常にその温度におけるル貨最良の状
態Km持することができる方式を提供することにある。
本発明の温度補償方式紘、周囲温度の変11bKよって
ムpnの最適増倍率Mgtが変化し比場合、増幅器の利
:′得を変化させることによって、出力信号振幅【一定
に保つとともにAIDの増倍率の中心値が常にその温直
における最適増倍率M@pgkなるように制御するもの
である。
ムpnの最適増倍率Mgtが変化し比場合、増幅器の利
:′得を変化させることによって、出力信号振幅【一定
に保つとともにAIDの増倍率の中心値が常にその温直
における最適増倍率M@pgkなるように制御するもの
である。
以下、実施例にりいて本発明を詳細KW&Hする。
第5lII紘、本発明の温度補償方式の一実施例【示し
、菖1図に示され九受信崗路におiて、増幅器2に含ま
れる一部の増幅用トランジスタの利得を変化させて温度
補償を行う場合を示して−る。
、菖1図に示され九受信崗路におiて、増幅器2に含ま
れる一部の増幅用トランジスタの利得を変化させて温度
補償を行う場合を示して−る。
IIs図KThlnテ、11はトランジ、*#、12.
11ijサーンスタ、14.15は抵抗である。サーミ
スタ12.13d受光素子として使用されるメ?Dの特
性に応じて、iずれか一方のみを使用してもよめ0例え
ば前述の長゛波畏ゲルマニウムAIDの場合は、サーミ
スタ12を使用せずその部分を短絡し、サーミスタ13
のみを使用する。
11ijサーンスタ、14.15は抵抗である。サーミ
スタ12.13d受光素子として使用されるメ?Dの特
性に応じて、iずれか一方のみを使用してもよめ0例え
ば前述の長゛波畏ゲルマニウムAIDの場合は、サーミ
スタ12を使用せずその部分を短絡し、サーミスタ13
のみを使用する。
#Ii図K”sP%/−&て、信号はトランジスタ11
のペースに入力され、コレクタから出力される。周囲温
度が変化するとt−iスーj2,15の内部抵抗が変化
し、従ってHs図の回路における入力と出力との間の利
得が変化して、コレクタにかける出力レベルが変化する
。周囲温度の変化に対する無5lllの回路における利
得変化が、周囲温度の変化に基づ(APRの最適増倍率
に@ptの変化を補償するように、第1@lの回路にお
けるサーiスタ12.15の**およびその他の部品定
数を選んでおくことによつて、周一温度の変化によって
APRの最適増倍率y・p#の値が変化しても、APD
Kおける増倍事の中心値が常にその温1における最適増
倍率y・ν霧であシ、かつ増幅器の出力信号振幅が一定
に保光れるように1第1111の受信回路KThけるム
GC励作を行わせることができる。
のペースに入力され、コレクタから出力される。周囲温
度が変化するとt−iスーj2,15の内部抵抗が変化
し、従ってHs図の回路における入力と出力との間の利
得が変化して、コレクタにかける出力レベルが変化する
。周囲温度の変化に対する無5lllの回路における利
得変化が、周囲温度の変化に基づ(APRの最適増倍率
に@ptの変化を補償するように、第1@lの回路にお
けるサーiスタ12.15の**およびその他の部品定
数を選んでおくことによつて、周一温度の変化によって
APRの最適増倍率y・p#の値が変化しても、APD
Kおける増倍事の中心値が常にその温1における最適増
倍率y・ν霧であシ、かつ増幅器の出力信号振幅が一定
に保光れるように1第1111の受信回路KThけるム
GC励作を行わせることができる。
第4図は本発明の温度補償方式の他の実施例を示し、第
1図において、電気AG(: @路5から入力される制
御電圧−に対して温度補償t−施して、増幅器2におけ
る利得制御を行う場合を示してiる。
1図において、電気AG(: @路5から入力される制
御電圧−に対して温度補償t−施して、増幅器2におけ
る利得制御を行う場合を示してiる。
第411において、旧は制御電圧入力端子、22゜23
、24.25はサーミスタを九拡ダイオード、26Ii
ト2ンジスタ、27はパリオロッサ、28.29. S
o。
、24.25はサーミスタを九拡ダイオード、26Ii
ト2ンジスタ、27はパリオロッサ、28.29. S
o。
51.52紘抵抗、 55紘信号入力端子、54は信
号出力端子である。サーミスタ22.25.24.25
紘受光素子として使用されるAIDの特性に応じて、−
ずれか1個所または2個所を使用する0例えば前述の長
波長ゲルマニウムダイオードの場合紘、サー(スタ22
のみt用−て他の部分は短絡するか、まえはサーンスタ
24のみt使用して他の部分を短絡する。また社す−ン
スタ22.24 t−組合わせて用いることもできる。
号出力端子である。サーミスタ22.25.24.25
紘受光素子として使用されるAIDの特性に応じて、−
ずれか1個所または2個所を使用する0例えば前述の長
波長ゲルマニウムダイオードの場合紘、サー(スタ22
のみt用−て他の部分は短絡するか、まえはサーンスタ
24のみt使用して他の部分を短絡する。また社す−ン
スタ22.24 t−組合わせて用いることもできる。
&t+P第4図におiて、サー櫂スタの代)に感温性の
ダイオードを使用してもよ一0第411において、端子
21から入力し大制御電圧6は、抵抗28.サーミスタ
22.抵抗29.サーンスタ2Sからなる分圧器で分圧
器れる1分圧され大電圧はトランジスタ260ペースに
加えられ、これによってトランジスタ26の内部抵抗が
変化し、従うて電源Y#−から抵抗52.パリオロツt
27.サーミスタ25.抵抗51.トランジスタ26.
抵抗50゜サーミスタ24を経て接地KfILれる電流
値が変化する。バリオロッサ27はそれに流れる電流に
よって迩抗値が大幅に変化する。従って端子SSから入
力して端子34に出力する信号に対して与えられる損失
が変化して、jlImにつ−で説−し良ようなAGC動
作が行われる。この際、サーミスタ22.25゜24、
25拡周囲温度によりてその抵抗値が変化し、従ってl
14wAの回路における利得(損失)は温度によって変
化する。周囲温度の変化に対する嬉4図の回路における
利得変化が、周一温度の変化に基づ(AIDの最適増倍
率Ma%の変化を補償するように%1lX4Hの回路に
おけるナー(x I 22$ 25−24、25の特性
およびその他の部品定数を選んでおくことによって、第
11Ilの受信回路にお−で、所要の温度補償方式して
AGC動作を行わせることができる。
ダイオードを使用してもよ一0第411において、端子
21から入力し大制御電圧6は、抵抗28.サーミスタ
22.抵抗29.サーンスタ2Sからなる分圧器で分圧
器れる1分圧され大電圧はトランジスタ260ペースに
加えられ、これによってトランジスタ26の内部抵抗が
変化し、従うて電源Y#−から抵抗52.パリオロツt
27.サーミスタ25.抵抗51.トランジスタ26.
抵抗50゜サーミスタ24を経て接地KfILれる電流
値が変化する。バリオロッサ27はそれに流れる電流に
よって迩抗値が大幅に変化する。従って端子SSから入
力して端子34に出力する信号に対して与えられる損失
が変化して、jlImにつ−で説−し良ようなAGC動
作が行われる。この際、サーミスタ22.25゜24、
25拡周囲温度によりてその抵抗値が変化し、従ってl
14wAの回路における利得(損失)は温度によって変
化する。周囲温度の変化に対する嬉4図の回路における
利得変化が、周一温度の変化に基づ(AIDの最適増倍
率Ma%の変化を補償するように%1lX4Hの回路に
おけるナー(x I 22$ 25−24、25の特性
およびその他の部品定数を選んでおくことによって、第
11Ilの受信回路にお−で、所要の温度補償方式して
AGC動作を行わせることができる。
以上説明し比ように本発明の温度補償方式、JIcよれ
ば、周囲温度が変化しても、受光素子であるAIDの増
倍率Mの中心値を富にその温1f!Kかける最適増倍率
M・ptに保りてiac@作を行わせることができる。
ば、周囲温度が変化しても、受光素子であるAIDの増
倍率Mの中心値を富にその温1f!Kかける最適増倍率
M・ptに保りてiac@作を行わせることができる。
従って本発明の方式によれば、受信−路を常にその温直
における勢最良の状態で動作させることができるので、
同線品質向上の九めに極めて効果的である。
における勢最良の状態で動作させることができるので、
同線品質向上の九めに極めて効果的である。
[111は光受信囲路の構成例を示すブロック図、1E
211は光入力レベルと増倍率Mおよび利得Gとの関係
の一例を示す図、第sgおよび$1411はそれぞれ本
発明の温度補償方式の一実施例の構成を示す回路層であ
る、。 1・・・アバランシェ・フォト・ダイオード(API)
)%2・・・増幅器、5・・・ピーク検出回路、4・・
・光AGO@路、5・・・電気AGOa路、11・・・
トランジスタ%12゜15・・・1−1スタ、 14
; 15−抵抗、21・・・制御入力端子、22.25
.24.25川サーミスタまたはダイオード% 26°
・・トランジスタ、27・・・バリオ口yt。 2B、 29.3G、 31.52・・・抵抗、55・
・・信号出力端子、54・・・信号出力端子 特許出願人富士通株式会社 代垣人弁理士玉蟲久五部 (外5名)
211は光入力レベルと増倍率Mおよび利得Gとの関係
の一例を示す図、第sgおよび$1411はそれぞれ本
発明の温度補償方式の一実施例の構成を示す回路層であ
る、。 1・・・アバランシェ・フォト・ダイオード(API)
)%2・・・増幅器、5・・・ピーク検出回路、4・・
・光AGO@路、5・・・電気AGOa路、11・・・
トランジスタ%12゜15・・・1−1スタ、 14
; 15−抵抗、21・・・制御入力端子、22.25
.24.25川サーミスタまたはダイオード% 26°
・・トランジスタ、27・・・バリオ口yt。 2B、 29.3G、 31.52・・・抵抗、55・
・・信号出力端子、54・・・信号出力端子 特許出願人富士通株式会社 代垣人弁理士玉蟲久五部 (外5名)
Claims (1)
- 受光素子としてアバランシェ・フォト・ダイオードを用
埴受光素子の増倍率を制御する光AGcと増幅器の利得
を制御する電気AGcとを併用して出力信号振幅を一定
にする光受信回路にお−て、増@器の利得を周−温[に
応じて変化させる手段を設け、受光素子における増倍率
の中心値を周■温KO変動に拘らず鋏受光素子のその温
度における最適増倍率に保つようにしたこと1**とす
る温度補償方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101058A JPS583337A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 温度補償方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101058A JPS583337A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 温度補償方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583337A true JPS583337A (ja) | 1983-01-10 |
| JPS6362140B2 JPS6362140B2 (ja) | 1988-12-01 |
Family
ID=14290508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56101058A Granted JPS583337A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 温度補償方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583337A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0370223A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-26 | Fujitsu Ltd | 受光回路の最低受光レベル安定化方法 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP56101058A patent/JPS583337A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0370223A (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-26 | Fujitsu Ltd | 受光回路の最低受光レベル安定化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6362140B2 (ja) | 1988-12-01 |
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