JPS5833649B2 - イオン発生装置 - Google Patents

イオン発生装置

Info

Publication number
JPS5833649B2
JPS5833649B2 JP50083882A JP8388275A JPS5833649B2 JP S5833649 B2 JPS5833649 B2 JP S5833649B2 JP 50083882 A JP50083882 A JP 50083882A JP 8388275 A JP8388275 A JP 8388275A JP S5833649 B2 JPS5833649 B2 JP S5833649B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
anode
ion
needle
tip
ionized
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP50083882A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS527791A (en
Inventor
昌徳 古室
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP50083882A priority Critical patent/JPS5833649B2/ja
Publication of JPS527791A publication Critical patent/JPS527791A/ja
Publication of JPS5833649B2 publication Critical patent/JPS5833649B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はイオンビームを発生するための装置に関する。
例えば質量分析とか半導体のイオン注入とかには、イオ
ン発生装置が用いられる。
これら倒れの用途においても、イオンビームは細く絞ら
れ然も高密度であることが望ましい。
そして、このようなイオンビームの発生源としては、 (イ)イオンソースサイズ(イオン源の大きさ)が小さ
い。
(ロ)イオンのエネルギ幅が小さい。(ハ)大電流が得
られる。
に)長寿命である。(ホ)金属を含めた種々の物質をイ
オン化することができる。
(へ)質量スペクトルがきれいである(不要な質量スペ
クトルを含まない)。
等の性質をそなえる必要がある。
そこで、従来のいくつかのイオン発生装置について検討
してみる。
検討対象としては、(1)電界電離型、(2)電界蒸発
型、(3隈面電離型、(4)気中放電型を掲げる。
(1)電界電離型 これは、曲率半径数100C人〕の針状陽極の尖端に生
ずる2〜4×103〔■/crrL〕の強電界により、
陽極に入射する中性ガス分子を電界電離するものである
そして、イオンソースサイズが小さいこと、イオンのエ
ネルギ幅が小さいこと、長寿命であること、および質量
スペクトルがきれいであることを長所とする。
しかし、この型のものは、イオン化できる物質が特定の
気体に限られ、イオン電流もio”−t°〔A〕と極め
て少いという難点がある。
(2)電界蒸発型 電界電離型と同様に、曲率半径数100〔λ〕の針状陽
極の尖端に生ずる1×103〜1×104〔■/Crr
L〕の強電界により、陽極材料そのものを電界蒸発させ
るものである。
そして、イオンソースが小さいこと、イオンのエネルギ
幅が小さいこと、種々の物質をイオン化できること、お
よび質量スペクトルがきれいであることを長所とする。
しかし、イオン電流が極めて少く、またイオン化される
物質が次々と剥ぎとられるために陽極尖端がたちどころ
に鈍化してしまい極めて寿命が短いという欠点がある。
(3)表面電離型 これは、高温にされた仕事関数の大きい金属表面に、ア
ルカリ金属のように電離エネルギの低い元素の蒸気を吹
き付けることによってイオン化するものである。
そして、イオンのエネルギ幅が小さいこと、および質量
スペクトルがきれいであることを長所とする。
しかし、使用できる物質が極めて限定さへまたソースサ
イズも極めて大きい難点がある。
(4)気中放電型 最も一般的とされている気中放電によりイオン化するも
のである。
大電流を取出すのには、上記4例のうちでも最も適して
いる。
しかし、ソースサイズが大きく、イオンのエネルギ幅も
大きく、さらに質量スペクトルがきれいでない欠点があ
る。
これらの検討結果から、従来のイオン発生装置は、倒れ
も要求される全ての事項を充足することができないこと
が分る。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、イオンソー
スサイズが小さく、イオンのエネルギ幅が小さく、大電
流が得られ、長寿命であり、種々の物質をイオン化でき
、しかも質量スペクトルのきれいなイオン発生装置の提
供を目的とする。
この目的を達成するため、本発明は、イオン化すべき物
質により形成され曲率半径が充分に小さい尖端を持つ針
状陽極を設け、真空中にてこの陽極を前記イオン化すべ
き物質の融点以上に加熱すると共に、陰極との間に高電
界をかけることにより、電気流体力学的に前記陽極の尖
端から表面原子を電離離脱させるイオン発生装置として
構成されたものである。
以下添付図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第1図は本発明に係る装置の構成を示したもので、1は
タングステン等により構成された針状陽極であり、タン
グステン等からなるヒータ2に取付けられている。
このヒータ2は、ヒータ電源3により通電され針状陽極
1を加熱する。
一方、針状陽極1に対向するように陰極5を設け、高圧
電源4によって針状陽極1との間に高電界を印加する。
針状陽極1は、そのソースサイズが100〔入〕未満と
なるように構成する。
これには、電解研磨により、先端を数100〜数100
0C人〕に研磨した針状陽極に高電圧を印加しつつ加熱
すればよい。
この場合、針状電極尖端においては、各結晶面の仕事関
数、表面エネルギ、局部電界等が異なる。
このためある特定の結晶面が生長隆起し、針状陽極の尖
端に100〔入〕未満程度の小さな曲率半径を持つ突出
部(図示せず)が形成される。
この突出部が成長する条件は、下式による。
FF=■15r〉(8πr/r)’/” =−=・(
1)ただし F:針状電極尖端にかかる静電気力〔■/
cIrL〕 V:陽極と陰極との相対電位差(V) r:針状陽極の曲率半径〔動〕 r:針状陽極表面原子の表面張力 Cdyne /CrfL ) いまタングステンを例にとると、 F>8.I X 10’r−’/” CV/Cm) −
”(2)であるから、r=1000C人〕とすると、■
=1.28(KV)以上の電圧を印加すればよいことに
なる。
そして、針状陽極の半径により定まる値以上の陽極温度
T1電界■を与えれば、陽極尖端の突出部は時間と共に
曲率半径rを減じていく。
これに伴い、F≠V15 rの関係によりFは増大し、
突出部の表面原子は極めて大きな分極エネルギを獲得し
イオン化脱離されることになる。
この結果、突出部の曲率半径は一定値で平衡状態となる
すなわち突出部においては、熱エネルギと静電気力によ
る突出部への原子供給とイオン化脱離による原子の減少
とが完全に平衡し、極めて安定なイオン電流が連続的に
得られる。
第2図は本発明に係る装置におけるイオン電流の時間的
変化特性を示したものである。
この場合、イオン種として、タングステンすなわち(3
10)Wを用い、それによる針状電極の尖端の曲率半径
を2000C人〕、真空度を5 X 10−8(Tor
r)とする。
そして、針状電極に熱エネルギと静電気力とを同時に加
えて、陽極電位を5(KV)、温度を1800C’K)
にする。
この結果、熱エネルギおよび静電気力を印加してから約
10分間で略略安定状態となる。
このとき、突出部の原子供給とイオン化脱離とが平衡し
ている。
この装置で、イオン電流を制御するには、陽極温度また
は印加電圧を変えればよく、電流可変範囲は10−11
〜数μ〔A〕が得ら札充分に大電流である。
第3図は本発明に係る装置におけるイオンの方向依存性
を示したものである。
この装置では、2方向について強い方向性を持ち、特に
そのうち−方、図におけるAにより強い方向性を持って
おり、Bはさは強くない。
この人ピークの発散角は10−” (5ter )であ
る。
これは、原理的にも陽極の突出部だけからイオンが放出
されるためであり、イオン源の太きさも100〔入〕未
満程度と小さい。
また、イオンのエネルギ幅は1(eV)以下であり、充
分要求に応え得る。
第4図は本発明に係る装置におけるイオンの質量スペク
トルを示したものである。
図から明らかなように、W+イオン以外にはNa+、K
+がタングステン陽極中の不純物として観測される程度
で、祝めできれいな質量スペクトルを持つ。
さらに前述の諸要求のうちで残されたものとして、寿命
およびイオン化物質の種類の問題がある。
このうち、寿命については、原子の供給を行わない場合
、取出すイオン電流の値にもよるが、適当な電界と温度
とが与えられれば数10時間以上を得ることは容易であ
る。
また、イオン化できる物質は、ベリリウムBe、硼素B
1 アルミニウムAt、 シリコンSi1チタンTi1
バナジウムv1クロムCr、鉄Fe、 コバルトCo、
ニッケルN i 。
銅Cu、 亜鉛Zn、 ゲルマニウムGe1ジルコニウ
ムZr、ネプツニウムNb、モリブデンMo。
ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd。
銀Ag、錫Sn1 レニウムRe、オスミウムOs。
イリジウムIr、白金Pt、金Au等があり、極めて多
種である。
上記実施例では、針状電極を単一種金属により構成し、
針状陽極の構成原子をそのままイオン化する場合を示し
たが、これは針状陽極に該陽極と同種または異種の元素
を蒸着、表面拡散、含浸等によって供給するようにして
もよい。
また、ヒータはレーザ光、電子衡撃て置き換えてもよい
し、その材料をタングステン以外にタンタルTa、 炭
素C等で構成してもよい。
さらに、陽極、陰極間に高電界を印加するための電源は
、陽極と接地との間に挿入しているが、陽極と陰極との
間に挿入してもよい。
本発明は上述のように、イオン化すべき物質により形成
され曲率半径が充分に小い尖端を持つ針状陽極を設ける
と共に、この陽極に前記物質が融点以上に昇温する熱エ
ネルギを与えるヒータおよび高電界を与える陰極を配し
、針状陽極の表面原子を電気流体力学的に移動させて尖
端からイオン化脱離させるため、イオン発生装置が具備
すべき要求を全て充足した装置を提供することができる
したがって、質量分析用としても、イオン打込み用とし
ても極めて優れた性能の装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る装置の電気的構成を示す説明図、
第2図は同装置におけるイオン化電流の時間的変化特性
を示した図、第3図は同装置におけ・るイオンの方向依
存性を示す図、第4図は同装置における質量スペクトル
の説明図である。 1・・・針状電極、2・・・ヒータ、3,4・・・電源
、5・・・陰極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 曲率半径が数1000C人〕より小さくイオン化す
    べき物質によって形成された尖端を有する針状陽極と、
    この陽極を前記物質が融点以上まで昇温するように加熱
    して前記尖端の表面原子を電離させるための熱エネルギ
    を与えるヒータと、前記陽極との間に前記表面原子を電
    離させるための電界を与える陰極とを真空雰囲気中に設
    けてなるイオン発生装置。
JP50083882A 1975-07-08 1975-07-08 イオン発生装置 Expired JPS5833649B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50083882A JPS5833649B2 (ja) 1975-07-08 1975-07-08 イオン発生装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50083882A JPS5833649B2 (ja) 1975-07-08 1975-07-08 イオン発生装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1286482A Division JPH02210740A (ja) 1989-11-02 1989-11-02 イオン発生装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS527791A JPS527791A (en) 1977-01-21
JPS5833649B2 true JPS5833649B2 (ja) 1983-07-21

Family

ID=13815016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50083882A Expired JPS5833649B2 (ja) 1975-07-08 1975-07-08 イオン発生装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5833649B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57191950A (en) * 1981-05-22 1982-11-25 Hitachi Ltd Charged-particle source
JPS57205953A (en) * 1981-06-12 1982-12-17 Jeol Ltd Ion source
JPS59181734U (ja) * 1983-05-24 1984-12-04 ニユ−ロング株式会社 製袋機
JPS59160941A (ja) * 1984-02-17 1984-09-11 Hitachi Ltd イオン源

Also Published As

Publication number Publication date
JPS527791A (en) 1977-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5833649B2 (ja) イオン発生装置
Green Conduction and breakdown in hexane
US5466941A (en) Negative ion sputtering beam source
JPS6251134A (ja) 電界電離型ガスイオン源
GB802936A (en) Heat stabilized field emission electron sources
JPS5989763A (ja) 薄膜蒸着装置
KR20200105890A (ko) 전자 소스의 제조 방법
US3864575A (en) Contact ionization ion source
JPH0544131B2 (ja)
Dworetsky et al. Electron bombardment ion source for low energy beams
Goldman Electric arcs in argon
US2733343A (en) Ionization source
JPH01265429A (ja) イオン発生装置およびイオン発生方法
JP2549398B2 (ja) 二酸化硅素薄膜の成膜方法
Blumberg et al. Electrospraying of thin targets
Sacks et al. Parametric investigation of exploding thin-film excitation
Robertson Field ionization mass spectrometry
JP2000106127A (ja) 大気圧イオン源
JP2544405B2 (ja) 透明サファイア薄膜の成膜方法
GB1065745A (en) Improvements in and relating to the deposition of substances on insulating bases by evaporation by means of an electron beam
US1794283A (en) Rectifying apparatus
JPH08171879A (ja) ショットキーエミッション電子源の動作温度設定方法
JPH01100255A (ja) 反射防止膜の成膜方法
JPH0542609Y2 (ja)
GB715268A (en) Methods of treating semi-conductive bodies with electric discharges and devices utilizing such bodies