JPS5833728B2 - 双安定抵抗器を用いたシフト・レジスタ - Google Patents

双安定抵抗器を用いたシフト・レジスタ

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JPS5833728B2
JPS5833728B2 JP48062081A JP6208173A JPS5833728B2 JP S5833728 B2 JPS5833728 B2 JP S5833728B2 JP 48062081 A JP48062081 A JP 48062081A JP 6208173 A JP6208173 A JP 6208173A JP S5833728 B2 JPS5833728 B2 JP S5833728B2
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プレシユコ ピーター
ジエイ クリツク ポール
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般的に云って閾値を越える電流の方向に依存
する2つの非探検性安定状態を有する固体スイッチ装置
を用いたシフト・レジスタに関する。
1対のトンネル・ダイオードの如き論理回路はこの技術
分野で公知である。
しかしながら、この様な装置は適当にバイアスされない
限り探検性である。
同様にこの様な装置の対のトンネル・ダイオード直列配
列体はインダクタの如きリアクタンス素子が組合されな
い限り反転機能を遂行する事は出来ない。
集積回路で製造する事が非実際的なインダクタの如きリ
アクタンス素子の使用はこの様な論理配列体の使用を制
限している。
本発明の回路はりアクタンス素子を必要とせず集積回路
で使用する事が出来る。
さらにトンネル・ダイオードはそのI−V特性の1つの
象限にスイッチング閾値を有するが本発明で使用される
双安定装置はI−V特性の2つの象限でスイッチング閾
値を有する。
従ってトンネル・ダイオード及び本発明の双安定抵抗器
間しては関係が存在する様に見えるが、この様な関係は
表面的なものである。
本発明の目的は4個の安定、非探検性状態を有する1対
の双安定抵抗器を組込んだシフトレジスタを与える事に
ある。
本発明の目的は高速、安価、高実装密度回路配列体に利
用され得るシフトレジスタを与える事にある。
本発明の他の目的は4つの利用出来る安定な非探検性抵
抗状態のうち3つを利用するシフト・レジスタを与える
事にある。
第1図を参照するに、本発明の実施において使用される
双安定抵抗器の電圧−電流特性が示されている。
スイッチング分野で公知の双安定抵抗器は代表的には第
1図と類似のスイッチング特性を有する。
双安定抵抗器は第1図の低抵抗状態RLにあれば閾値電
流IT1に到達した時第1図の高抵抗状態RHにスイッ
チする。
もし双安定抵抗器がすでに高抵抗状態にあれば、ITI
と同一方向の電流は双安定抵抗器に影響を与えず、高抵
抗状態に留まる。
低抵抗状態から高抵抗状態へのスイッチングは第1図の
象限■で生ずる。
電流がITIと反対方向に印加される時、双安定抵抗器
は第1図の閾値電圧−VTを越える時高抵抗状態から低
抵抗状態ヘスイッチする。
閾値−VTに関連する電流は第1図においてIT2で示
されている。
高抵抗状態から低抵抗状態へのスイッチングは第1図の
象限■で生ずる。
上述の事より、双安定抵抗器を低抵抗状態から高抵抗状
態にスイッチする方向に通過する電流は順方向として特
徴付けられる事は明らかであろう。
同様に双安定抵抗器を高抵抗状態から低抵抗状態にスイ
ッチする第1の方向と反対の方向の電流は逆方向電流と
して特徴付けられる。
第1図と関連して、双安定抵抗器はトンネル・ダイオー
ドの如き他の2端子装置の単一象限閾値と異なり2象限
で閾値状態を有する事に注意されたい。
さらに達成される状態は非探検性であり、これ等の状態
を保持するにはバイアスは必要とされない事に注意され
たい。
第2図を参照するに、節点N1で直列に接続された1対
の双安定抵抗器HJDI、HJD2が示されている。
Vlと記された電源は抵抗器HJD1に接続され、他方
v2と記された電源は抵抗器HJD2に接続されている
I IN及びI OUTと記された電流路は節点N
1に電流を印加し、電流を取出す。
双安定抵抗器HJDI。HJD2はこれらの抵抗器が既
に高抵抗状態になげれば第2A図の矢印の方向の電流が
抵抗器の両方を高抵抗状態にスイッチする如く物理的に
配向されている。
従ってこの矢印の方向は順方向電流と特徴付けられるも
のを示す。
第2A図の矢印の方向と反対方向の電流は抵抗器HJD
2及びHJDlを高抵抗状態から低抵抗状態ヘスイツチ
する。
矢印の方向と反対方向は逆方向電流として特徴付けられ
得る。
順方向及び逆方向の両方において、スイッチングは一度
閾値を越えると生ずる。
上述の事より、順方向電流はvlをv2よりも正にする
事により印加され得る事は明らかであろう。
従ってvlは正の電圧であり、他方■2は大地電位であ
り得る。
これ等の状態の下において、もし両装置に対するITl
を越えると、両駅安定抵抗器HJDI及びHJD2は第
1図の象限■中のRHで示された高抵抗状態ヘスイッチ
され保持される。
■2に正の電圧及び■1に低電圧を印加する事により、
電流は逆方向に抵抗器HJD2及びHJDIを流れる。
これ等の状況においても、もし閾値−VTを越えると、
両抵抗器は高抵抗状態からスイッチされ、低抵抗状態へ
保持される。
この状態は第1図の象限■のRLで示されている。
電源V1及びVlが同一電位にあり電流が電源(図示さ
れず)から導体I INを経て節点N1へ印加される
と、電流は抵抗器HJD2へ順方向に、抵抗器HJD1
へは逆方向に印加される。
この様な状態の下で、HJD2の電流が第1図のITl
に等しい閾値を越えると、HJD2は高抵抗状態へスイ
ッチされる。
このとき節点N1の電位は、HJDIにかかる電圧及び
そこに流れる電流が各々閾値電圧−VT及び関連閾値電
流IT2を越え、HJDlが高抵抗状態から低抵抗状態
ヘスイツチする点まで上昇する。
もし装置が既に前に示された状態にあれば、スイッチン
グは生ぜず、装置は単にそれ等の状態に保持される。
上述の状態で、抵抗器HJD1に対しては低抵抗状態を
抵抗器HJD2に対しては高抵抗状態を達成する事が可
能である。
電源V1及びvlに同一電圧を印加し、導体■OUTを
経て節点N1から電流を電流だまり(図示されず)に除
去する事により、装置HJD1及びHJD2の電流方向
は導体I INを経て節点N1へ印加された状態から
逆転される。
電流が節点N1から導体I OUTを経て節点N1か
ら流れ出される状態の下に、電流はHJDIを順方向に
流れ、HJD2を逆方向に流れ、これ等の装置は夫々高
抵抗及び低抵抗状態を占める様になる。
従って上述の事より、第1図に示されたものと類似の特
性を有する双安定抵抗器の直列配列体を使用して4つの
異なる状態が得られる事は明らかであろう。
これ等の状態は夫々装置HJD1−HJD2に対する(
a)高抵抗−高抵抗状態 (b)低抵抗−低抵抗状態
(e)低抵抗−高抵抗状態 (d)高抵抗−低抵抗状態
である。
次に第2B図を参照するに、双安定抵抗器の方向が逆転
されている点を除いて第2A図に示された配列体の類似
である節点N1で直列に接続された1対の双安定抵抗器
HJDI 、HJD2が示されている。
この様な状態において、■2がvlよりも正である場合
には、電流は第2B図の矢印で示された順方向に流れ、
両抵抗器を高抵抗状態ヘスイツチし、Vlがvlよりも
より正である時には、電流は逆方向に流れ、両抵抗器を
低抵抗状態にスイッチする。
同様にI INを経て節点N1へ流れる電流はVl及
びvlが同一電位にある時HJD1を高抵抗状態へHJ
D2を低抵抗状態ヘスイツチする。
最後に■1及びV2が同一電位にある時I OUTを
経て節点N1から流れ出る電流はHJD2をして高抵抗
状態をしめしめ、HJD2をして低抵抗状態を占めしめ
る。
第2B図は双安定抵抗器の方向を逆にする事によって同
一の電圧状態又は電流状態が第2A図に関連して論ぜら
れたものと反対の効果を生ずる事を示しているにすぎな
い。
第3図に示されたシフト・レジスタ配列体は2つの段よ
り威り、1段の素子は破線のボックス10で示されてい
る。
この配列体の目的は情報が1段から次の段へ転送される
時節点N1上の夫々高及び低電圧の存在によって表わさ
れる2進1もしくは2進O状態のいずれかを示すために
節点N1を条件付ける事である。
第3図の破線のボックス10を参照するに、INと記さ
れた端子は節点N1から端子INへ電流が流れる事を防
止するために、配列された電流制限抵抗器R1及びダイ
オードD1を経て節点N1へ接続されている。
節点N1は双安定抵抗器H3並びに節点N1に並列に接
続された双安定抵抗器H1,H2間に位置している。
双安定抵抗器H1、Hlはパルス電源φ1に並列に接続
され、他方H3はφIRと記された他のパルス電源に接
続されている。
Hl 、Hl及びN3は通常の回路の2つの安定状態と
異なり4つの安定状態を有する点を除いて他のシフト・
レジスタ段と同一の機能を遂行するシフト・レジスタ段
を形成する様に配列されている。
双安定抵抗器H1,H2と並列に接続されたダイオード
D2はパルス電源VRに接続され抵抗器H1、Hl及び
N3によって形成された次の段を初期状態にセットする
ために単方向電流路を形成する。
Hl、Hlは単一装置に対するITIよりも大きな電流
閾値を有する単一の双安定抵抗器によって置換され得る
かもしくはHlは除去されて、R1と略同−抵抗を有す
る抵抗器がダイオードD2と並列に置かれ得る。
並列対H1,H2はファン・アウトの能力を与えるため
に使用され得る。
並列配列体は同様にすべて同一特性を有する双安定抵抗
器の使用を可能とする。
この様にして、特定の製造技術が除去され得る。
第3図において、破線のボックス10の外側に示された
後段のシフト・レジスタ段11は第4図のパルス・パタ
ーンと関連して第3図の回路の動作が以下に論ぜられる
時、その出力及び付勢の時刻をより容易に固定するため
に種々のパルス電源が異なる参照文字が与えられる点を
除いてボックス10内に示された配列体と同一である。
従ってパルス電源VRはダイオードD2に接続され、パ
ルス源φ2は双安定抵抗器H1,H2へ接続され、パル
ス源φ2Rは双安定抵抗器H3へ接続されている。
同様に、抵抗器H1,H2及びN3間の節点は節点N2
と示されている。
最後に第3図のシフト・レジスタ段11の出力端子はO
UTと記されている。
動作に際し、第3図の配列体は第4図のパルス・パター
ンによって付勢される。
双安定抵抗器H1,H2,H3の状態のいかんにかかわ
らず、これ等の装置は第4図に示された期間t 1−t
2間にリセットされる。
段10の双安定抵抗器H1、Hl及びN3に対する任意
のリセット状態はHl、Hlが高抵抗状態(以下RH状
態と呼ぶ)にあり、N3が低抵抗状態(以下RL状態と
呼ぶ)にある。
第2A図を参照するに、第2A図に関する前の論議から
vl及びvlを略同−電位におき節点N1から電流を取
出す事により、電流はHJDIを節点N1に向って流れ
、同様にHJD2を節点N1へ向って流れる。
HJDl中の電流が閾値ITIを越えると、HJDlは
RH状態へスイッチせしめ、他方閾値IT2を越える電
流はHJD2をRL状態へスイッチせしめる。
最後に述べられた条件はリセット期間t1t2中(リセ
ット1)パルス電源φ1及びφIRを同−電位十Vヘセ
ットする事によって第3図において達成される。
第4図からパルス源φ1は参照文字20によって示され
た電位十Vの状態でリセット間隔tl−t2に入る事を
注意されたい。
パルス電源φIRはO電位の状態でリセット間隔tl−
t2に入り、直ちに参照文字21で示された+V電位に
パルスされる。
φ1及びφIRが電位十■にあるとき、パルス源VRは
電位十■からリセット間隔t1−t2中、22で示され
た大地電位にパルスされる。
これ等の状態の下に、電流は並列に電源φ1及びφIR
から節点N1及びダイオードD2を経てVRに流れる。
ダイオードD1は電流が端子INへ流れるのを阻止する
上述の方向に電流を流す事によりHl、HlはRH状態
を占め、他方H3はRL状態を占める様になり、双安定
抵抗器H1、Hl及びN3から形成されたシフト・レジ
スタ段はリセット状態となる。
これと同時に、段11の節点N2はVRによって大地電
位に保持されたD2によって大地にクランプされる。
従って段11のHl、Hl及びN3は影響されない。
第4図において転送1と示されている間隔t2−t3の
開始時に、電位十Vの正のパルス23がボックス10間
のシフト・レジスタ段の端子INへ印加される。
これと同時に、第4図に夫々24゜25で示されたパル
ス電位は大地電位に降下される。
t 1−t 2の部分で大地電位22に降下した接子V
に復帰したVRの電位は電位十Vに保持される。
パルス源φ1及びφIRによる大地電位24゜25の印
加と関連して節点N1におけるシフト・レジスタ段10
への電位十Vの正のパルス23の印加は節点N1へ電流
を印加せしめる。
これは電位V1 、V2が同一電位にある時INが節点
N1へ流れる様にされた第2A図に関連して論議された
状態と類似である。
従って電流はN1からHJD2を経てvlへHJDlを
経てVlへ流れる。
HJD2を流れる電流が閾値を越える時、もしHJD2
が高抵抗状態にあれば、これはこの状態に留まり、もし
低抵抗状態にあれば、高抵抗状態へスイッチされる。
同様に1度HJD2が高抵抗状態を占めれば、節点N1
における電圧は関連する閾値電流と共に閾値電圧に到達
する迄上昇し始め、この点においてHJDlは低抵抗状
態になげれば低抵抗状態にスイッチされる。
従って第3図において電流は端子INにおける正の電位
23の結果として節点N1からパルス源φ1RへN3を
経て流され、N3はRH状態を占める様になる。
N3がRH状態にある結果として節点N1における電圧
が上昇すると、φ1が大地電位24にあり、間隔t 2
−t 3中この状態に保持されるので、電流はパルス源
φ1に流れ、閾値vTに到達する時、Hl 、HlはR
L状態にスイッチし、大地電位がN1に現われる様にな
る。
リセット1間隔tl−t2中の付勢の結果としてHl、
HlはRH状態にあり、N3はRL状態にある事を想起
されたい。
第4図におけるINへの正のパルスの印加はボックス1
0内のシフト・レジスタ段へ2進値1を書込む。
書込み間隔中端子IN上に大地電位を保持する事により
、Hl。
Hl及びN3は電流が流れないのでリセット状態へ残さ
れ、2進値Oが書込まれる。
1.0の約束は任意であり、本発明の精神を離れる事な
く反転され得る。
Hl、HlがRL状態にあり、N3がRH状態にあると
仮定すれば、2進値lが破線のボックス10中のシフト
・レジスタ段中に存在する。
正の電位23が端子INから除去された後、パルス源φ
1及びφ1Rはt2−t3の残りの間及び第4図でリセ
ット2と示されている間隔t3−t4中太地電位に保持
される。
リセット20間隔はシフト・レジスタ段11に対するリ
セット間隔である。
VRは間隔t2−t3中正の電位にある。
接地されている他のパルス源φ1.φIRJびINへの
電流はダイオードDI 、D2の存在により防止されて
いる。
従ってボックス10内のシフト・レジスタ段は端子IN
における電位(+Vもしくは接地)によって決定された
状態に保持される。
段11に対するリセッ間隔量隔t3−t4中、VRは2
6によって参照される大地電位へ降下する。
これと同時に、パルス源φ2は+Vに保持されており、
パルス源φ2Rは第4図において27と示された+Vヘ
パルスされる。
これ等の状態の下において、電流は双安定抵抗器H1,
H2及びN3を経てパルス源φ2.φ2Rから節点N2
へ流れる。
Hl、N2を流れる電流は装置の閾値を越える時、双安
定抵抗器H1、N2をしてRH状態へスイッチせしめる
(電流方向を特徴付ける他の方法は電流の順方向を抵抗
器をRH状状態ヘスラッチる閾値を越える電流として定
義する事にある。
逆に、電流の逆方向は抵抗器をRL状状態ヘスラッチる
閾値を越える電流として定義され得る。
)N3を通してN2へ流れる電流は逆方向にあり、閾値
電圧を越える時H3をRL状態へスイッチせしめる。
この様にして、段11が第4図において転送2として示
された間隔t4−t5中ボックス10内の段から情報を
転送する準備としてリセットされる。
間隔t 4− t 5中、パルス源VRは電位子■へ復
帰される。
パルス源φ1及びφ2は夫々第4図において28,29
で示された電位レベル+V及び大地へパルスされる。
これと同時に、パルス源φ2Rは第4図において30で
示された大地電位にパルスされ、他方φ1Rは第4図に
おいて25で示された大地電位にパルスされる。
パルス源φ1及びVRを除いてすべてのパルス源が大地
電位にある状態で、電流はパルス源φ1から(RL状態
にある)双安定抵抗器H1、N2を通し、段11の抵抗
器R1及びダイオードD1を通して節点N2に流れる。
次いで電流は抵抗器H3を通して接地状態にあるパルス
源φ2Rへ順方向に流れる。
双安定抵抗器H3は順方向にある電流が閾値を越える時
RH状態にスイッチし、節点N2はパルス源φ1の電位
子Vに向って上昇する。
この点において、Hl、N2を逆方向に流れる電流は閾
値を越える時H1、N2をRL状態にスイッチする。
上記の説明から、最初端子INに印加された正のパルス
は段10のHl tH2及びN3装置をリセット状態か
らスイッチし、情報の転送が生じた時に、パルス源φ1
からの正の電位が節点N2へ印加され段11の双安定抵
抗器のスイッチングを生せしめる電流を流さしめる事が
明らかであろう。
もし端子INに印加される電位が大地電位にあれば、ボ
ックス10間の双安定抵抗器はスイッチせず、パルス源
φ1からの正の電位が転送期間中に印加される時、大地
電位が節点N1及びN2に現われ、段11の双安定抵抗
器をしてそのリセット状態に保持せしめる。
従って第4図に示された同一パルス・パターンを使用し
て端子INにある入力に依存して2つの可能な状態が得
られる。
端子OUTにおいて出力を得るためには、パルス源φ2
Rを大地電位においてパルス源φ2は+Vヘパルスされ
る。
もし段11のHl、N2がRH状態にあり、N3がRL
状態にあれば、大地電位が端子OUTに現われる。
段11の双安定抵抗器の状態は勿論端子INの入力によ
って決定される。
これ迄は、双安定抵抗器H1、N2の並列配列体につい
てはほとんど述べられなかった。
これ等の抵抗器は設計上の便法としてこの様に配列され
ている。
HJDIがRL状態にあり、HJD2がRH状態にある
第2A図の状態を考える。
■1が成る正の電位にパルスされ、■2が大地に保持さ
れている時、I OUT及び大地電位間に接続されて
いる成る負荷に向ってHJDlを流れる電流はHJDl
をしてその閾値を越える時RH状態にスイッチせしめる
この様な状態において、節点N1に現われた電位はHJ
Dl及びHJD2に対する抵抗値が実質上同一であるの
でv1/2にある。
限界V1及びv1/2間で動作する回路の設計を避ける
ため、並列に2つの双安定抵抗器を置く便法が使用され
る。
同一機能は線型抵抗器をHJDIと並列に置く事によっ
て達成される。
従って第3図において、並列にある抵抗器H1。
N2は十分な電流出力能力を与える。
2進値1を貯蔵する段に2進値Oを貯蔵する2つの段が
続く時は問題が存在する。
この場合1を次の段へ転送すると、第3の段がRH−R
H状態になる。
しかしながらRH−RH状態はシフト・レジスタの動作
に関する限りRH−RL状態と同等である。
この点から、2進値O状態は次の2つの状態を有し得る
事は明らかであろう。
(a) [1、H2がRH状態にあり、H3がRL状
態にある。
(b)Hl、H2がRH状態にあり、H3がRH状態に
ある。
しかしながら、この(b)状態においては、Hl、H2
及びH3のRH状態は電流をIT1以下に制限し、従っ
て1を次の段に転送し得ない。
2進値1状態は唯1つの状態即ち、Hl、H2がRL状
態にあり、H3がRH状態にある状態を有する事は明ら
かであろう。
第3図の回路を設計する他の方法はより大きな閾値電流
を有するHl、H2の並列組合せのための単一の双安定
抵抗器を与える事である。
上述の事より、第2へ、2B図に示された双安定論理回
路の4つの可能な非探検性安定状態のうち3つが取られ
従来双安定抵抗器分野で不可能と考えられていたシフト
・レジスタ配列体を与えるという利点が与えられる事が
明らかであろう。
単一2進状態の表示に対し2つの安定状態を使用する事
の結果として、高速で経済的で、高密度で集積化されさ
れ得る回路を与え得る事が可能である。
上記の如く任意の公知の双安定抵抗器が本発明の実施に
おいて利用され得る。
例えば次の特性を有するカリウム窒化ケイ素異質接合装
置が第3図のシフト・レジスタにおいて使用され得る。
IT=1mA VT=−0,5ボルト RH=2X106オーム RL=100オーム さらに抵抗器R1は1000オームに等しく、ダイオー
ドD1は任意の標準のダイオードであり得る。
さらに第3図の実施例は2相を使用するものとして示さ
れたが、3相もしくはそれ以上の相も使用され得る事は
明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
第1図は2つの安定抵抗状態を有する双安定抵抗器の電
流−電圧特性の図である。 第2A図は節点において直列に接続された第1図の特性
を有する1対の双安定抵抗器の概略図である。 第2B図は両駅安定抵抗器が逆転された点を除いて第2
A図に示されたものと同一の回路の図である。 第3図は各々第2A図に示された論理回路の修正型を組
込れた第1段、第2段を有するシフト・レジスタ回路の
図である。 第4図は第3図の回路の同一記号端子に印加されるパル
ス・パターンを示した図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1端子及び第2端子を有し、前記第1端子から前
    記第2端子へ第1の閾値を越える電流が流れると高抵抗
    状態を呈し、前記第2端子から前記第1端子へ第2の閾
    値を越える電流が流れると低抵抗状態を呈する双安定抵
    抗器を用いたシフト・レジスタにして、 各シフト・レジスタ段が、入力端子と;出力端子と;前
    記出力端子に前記第2端子が接続されている第1双安定
    抵抗器と;前記出力端子に前記第1端子が接続されてい
    る第2双安定抵抗器と:前記第1双安定抵抗器の前記第
    1端子に接続されている第1パルス電源と;前記第2双
    安定抵抗器の前記第2端子に接続されている第2パルス
    電源と;前記出力端子に接続され、前記入力端子上のデ
    ータを取込む前のリセット時に前記第1パルス電源及び
    前記第2パルス電源と励動して前記第1双安定抵抗器を
    前記高抵抗状態へ切替え且つ前記第2双安定抵抗器を前
    記低抵抗状態へ切替えるリセット手段と;前記入力端子
    と前記出力端子との間に接続され、前記出力端子から前
    記入力端子への電流の逆流を防止する逆流防止手段とか
    ら成り;前記リセット時においては、前記第1パルス電
    源、前記第2パルス電源及び前記リセット手段が、前記
    第1双安定抵抗器の前記第1端子から前記第2端子へ前
    記第1の閾値を越える電流を流し且つ前記第2双安定抵
    抗器の前記第2端子から前記第1端子へ前記第2の閾値
    を越える電流を流すように働き;前記入力端子上のデー
    タを取込む第1転送時においては、前記第1パルス電源
    及び前記第2パルス電源が、前記データの値に応じて、
    前記第1双安定抵抗器及び前記第2双安定抵抗器をリセ
    ット状態に保つか、又は前記第1双安定抵抗器の前記第
    2端子から前記第1端子へ前記第2の閾値を越える電流
    を流し且つ前記第2双安定抵抗器の前記第1端子から前
    記第2端子へ前記第1の閾値を越える電流を流すように
    働き;前記データを前記出力端子から出力させる第2転
    送時においては、前記第1パルス電源が前記第1双安定
    抵抗器を介して前記データに応じた出力を与えるように
    なっていることを特徴とするシフト・レジスタ。
JP48062081A 1972-06-26 1973-06-04 双安定抵抗器を用いたシフト・レジスタ Expired JPS5833728B2 (ja)

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JPS4958735A JPS4958735A (ja) 1974-06-07
JPS5833728B2 true JPS5833728B2 (ja) 1983-07-21

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JP48062081A Expired JPS5833728B2 (ja) 1972-06-26 1973-06-04 双安定抵抗器を用いたシフト・レジスタ

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JP (1) JPS5833728B2 (ja)
DE (1) DE2329009A1 (ja)
FR (1) FR2191366B1 (ja)
GB (1) GB1359816A (ja)

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Publication number Publication date
GB1359816A (en) 1974-07-10
FR2191366B1 (ja) 1977-05-06
US3813558A (en) 1974-05-28
FR2191366A1 (ja) 1974-02-01
JPS4958735A (ja) 1974-06-07
DE2329009A1 (de) 1974-01-17

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