JPS5833842A - 減圧デポジシヨン装置 - Google Patents
減圧デポジシヨン装置Info
- Publication number
- JPS5833842A JPS5833842A JP56131540A JP13154081A JPS5833842A JP S5833842 A JPS5833842 A JP S5833842A JP 56131540 A JP56131540 A JP 56131540A JP 13154081 A JP13154081 A JP 13154081A JP S5833842 A JPS5833842 A JP S5833842A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- reaction tube
- gas
- reduced pressure
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は減圧デポジション装置に関するものであって
、特に牛導体装置製造における不純物デポジションでの
特性の高精変制御に適するものである。
、特に牛導体装置製造における不純物デポジションでの
特性の高精変制御に適するものである。
従来、減圧デポジション装置としては、第１図に示すよ
うＫ、拡散炉体中に設置した反応管１の一＠に密封可能
なキャップ２を有し、他端に排気ポンプ３にパイプ４ｔ
−介して接続される排気口５に−持つ減圧デポジション
装ｆ（％開昭４９−１２４９６７号）が知られている。
うＫ、拡散炉体中に設置した反応管１の一＠に密封可能
なキャップ２を有し、他端に排気ポンプ３にパイプ４ｔ
−介して接続される排気口５に−持つ減圧デポジション
装ｆ（％開昭４９−１２４９６７号）が知られている。
なお、反応１ｉｒｌ内には不純源６シよび豪処理物であ
るウエーノ・７が挿入もれる。また、反応管ｌは拡散炉
ヒータＢによって所望温關に加熱ちれる。
るウエーノ・７が挿入もれる。また、反応管ｌは拡散炉
ヒータＢによって所望温關に加熱ちれる。
しかし、このよりな−亀のみに排気０５を肩する従来装
置では、排気中に反応管内の不純物ガスが一方向と表り
、デポジットしようとする不純物分圧及び温度が反応管
ＩＫ沿って分布を持つ。その結果、デポジション特性バ
ラツキを生じ、特性バラツキ及び歩留の低下を生ずる。
置では、排気中に反応管内の不純物ガスが一方向と表り
、デポジットしようとする不純物分圧及び温度が反応管
ＩＫ沿って分布を持つ。その結果、デポジション特性バ
ラツキを生じ、特性バラツキ及び歩留の低下を生ずる。
これを避ける為ＫＦＩ、ウヱーハ７のチャージ枚数の減
少を要し、減るデポジションのメリットを減少３ぜるこ
とになる。又、圧力のコントロールは排気ポンプ４、不
純物ンースからの蒸発系全体からの外気の１７−りによ
っており確実性に欠ける。
少を要し、減るデポジションのメリットを減少３ぜるこ
とになる。又、圧力のコントロールは排気ポンプ４、不
純物ンースからの蒸発系全体からの外気の１７−りによ
っており確実性に欠ける。
したがって、本発明の目的は、デポジション特性のバラ
ツキ金低減し高精度、多量処３Ｎが可能々デポジション
装＆を提供することにある。
ツキ金低減し高精度、多量処３Ｎが可能々デポジション
装＆を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、反応管の前
後から排気を行ない、反応管と排気系の間にリーク系を
設ＶプることＫよって、反応管内の雰囲気の均一化を行
ない、デポジション特性ノバラツキをおさえることを特
徴とする。
後から排気を行ない、反応管と排気系の間にリーク系を
設ＶプることＫよって、反応管内の雰囲気の均一化を行
ない、デポジション特性ノバラツキをおさえることを特
徴とする。
以下、実施例により本発明を説明する。
ｍ２図は大発明の一実施例を示すもので、拡散炉ビー２
８１反応管１．リーク系９．排気ポンプ３より構成され
る。ウエーノ・７および不純物源（ボロンナイトライド
：ＢＮ等）６σ炉口のキャップ２を取りはずして反応管
内に出し入れ嘔れる。
８１反応管１．リーク系９．排気ポンプ３より構成され
る。ウエーノ・７および不純物源（ボロンナイトライド
：ＢＮ等）６σ炉口のキャップ２を取りはずして反応管
内に出し入れ嘔れる。
排気０１０・１ｌｔｆ反応管１の前後部にそれぞれ設け
られ、排気ポンプ３にバイブ４會介して接続嘔れ排気ポ
ンプ３の作動によって反応管１内の排気が行なわれる。
られ、排気ポンプ３にバイブ４會介して接続嘔れ排気ポ
ンプ３の作動によって反応管１内の排気が行なわれる。
各排気口１０．１１から延びるパイプ４は逮中にバルブ
１２．１３ｆｔそれぞれ有するとともに、メインパイプ
１４に繋がって排気ポンプ３に接続もれる。メインパイ
プ１４にはリーク系（含、リークバルブ）が接続さｆＬ
、反応管内圧力を適正に保つ友めガス（Ｏｓ等）がリー
クされる。この装置ではバルブ１２．１３により反応管
前後の排気量の調整全行ない、反応Ｗｌ内のｌｓ気（不
純物分圧、温度分布）の・くランスをとる。リークされ
九ガスは主として排気ポンプによって排気され、反応管
１内には拡散のみによって一部が到達する。従って、リ
ークガスによル管内雰囲気（不純物分圧、温度分布）へ
の影響は無視できる。第３図は不純物ソースとしてボロ
ンナイトライド（Ｂ Ｎ ）ｒ用いた場合のデポジショ
ン特性の一つであるボロンガラス（ＢＩＯｓ ） （Ｄ
ウェーハ間バラツキの傾向を従来の一方向から排気全行
なった場合と、本発明の場合とで比較したものである。
１２．１３ｆｔそれぞれ有するとともに、メインパイプ
１４に繋がって排気ポンプ３に接続もれる。メインパイ
プ１４にはリーク系（含、リークバルブ）が接続さｆＬ
、反応管内圧力を適正に保つ友めガス（Ｏｓ等）がリー
クされる。この装置ではバルブ１２．１３により反応管
前後の排気量の調整全行ない、反応Ｗｌ内のｌｓ気（不
純物分圧、温度分布）の・くランスをとる。リークされ
九ガスは主として排気ポンプによって排気され、反応管
１内には拡散のみによって一部が到達する。従って、リ
ークガスによル管内雰囲気（不純物分圧、温度分布）へ
の影響は無視できる。第３図は不純物ソースとしてボロ
ンナイトライド（Ｂ Ｎ ）ｒ用いた場合のデポジショ
ン特性の一つであるボロンガラス（ＢＩＯｓ ） （Ｄ
ウェーハ間バラツキの傾向を従来の一方向から排気全行
なった場合と、本発明の場合とで比較したものである。
従来技術の場合は一点鎖線で示すように、排気口側で膜
厚が薄くなりウェーへ関の差が大きｂ０木発明仕様では
実線で示アように、中心部で高くなる傾向がるるが膜厚
バラツキは少なく、不均一性は大巾に改善ちれる。この
ため、多量処理も可能となる。
厚が薄くなりウェーへ関の差が大きｂ０木発明仕様では
実線で示アように、中心部で高くなる傾向がるるが膜厚
バラツキは少なく、不均一性は大巾に改善ちれる。この
ため、多量処理も可能となる。
なお、大発明は前記冥施例に限定される亀のではなく、
大発明の技術思想に基いて変形が可能である。
大発明の技術思想に基いて変形が可能である。
以上のように、大発明の装置によれば、リークガスの反
応管内への影響を無視できる程度におさえ、反応管内の
雰囲気の均一化をはかるため、高精度なデポジション特
性を得ることができる６ま友、このＩＭ呆、多量処理本
可能となシ、件産コストの低減を図ることができる。
応管内への影響を無視できる程度におさえ、反応管内の
雰囲気の均一化をはかるため、高精度なデポジション特
性を得ることができる６ま友、このＩＭ呆、多量処理本
可能となシ、件産コストの低減を図ることができる。
ｍ１図は従来の減圧デポジション装置を示す概略図、第
２図は本発明の一実施例による減圧デポジション装置の
析略図、第３図は従来および大発明の装置によるデポジ
ション特ｉｔ示アグラフテるる。 １・・・反応管、３・・・排気ポンプ、６・・・不純物
源、７・・・ウェーハ、８・・・拡散炉ヒータ、９・・
リーク系、１２．１３・・・バルブ。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸、−３゜、ノ
２図は本発明の一実施例による減圧デポジション装置の
析略図、第３図は従来および大発明の装置によるデポジ
ション特ｉｔ示アグラフテるる。 １・・・反応管、３・・・排気ポンプ、６・・・不純物
源、７・・・ウェーハ、８・・・拡散炉ヒータ、９・・
リーク系、１２．１３・・・バルブ。 代理人 弁理士 薄 １）利 幸、−３゜、ノ
Claims (1)
- １、拡散炉中の反応管と、排気系と、リーク系とからな
る減圧デポジション装置に訃いて、前記反応管の前後二
ケ所に排気口を設け、さらに反応管と排気系の間にリー
ク系を設けることを特徴とする減圧デポジション装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131540A JPS5833842A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 減圧デポジシヨン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56131540A JPS5833842A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 減圧デポジシヨン装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833842A true JPS5833842A (ja) | 1983-02-28 |
| JPS645457B2 JPS645457B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=15060460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56131540A Granted JPS5833842A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 減圧デポジシヨン装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833842A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648039U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-17 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49105465A (ja) * | 1973-02-07 | 1974-10-05 | ||
| JPS53105974A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Kokusai Electric Co Ltd | Boarding jig for substrate used for method of reduced pressure gaseous growing |
-
1981
- 1981-08-24 JP JP56131540A patent/JPS5833842A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49105465A (ja) * | 1973-02-07 | 1974-10-05 | ||
| JPS53105974A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Kokusai Electric Co Ltd | Boarding jig for substrate used for method of reduced pressure gaseous growing |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648039U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS645457B2 (ja) | 1989-01-30 |
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