JPS5833875A - 高速ダイオ−ド - Google Patents
高速ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS5833875A JPS5833875A JP56132140A JP13214081A JPS5833875A JP S5833875 A JPS5833875 A JP S5833875A JP 56132140 A JP56132140 A JP 56132140A JP 13214081 A JP13214081 A JP 13214081A JP S5833875 A JPS5833875 A JP S5833875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diode
- region
- electrode
- reverse recovery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/50—PIN diodes
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
最近急速な電力用半導体工業の進歩に伴い、ターンオフ
タイム１０μ−以下のサイリスタが出現しつつある＠電
圧形インバータに適用するＩＨｃは、サイリス′りに逆
並列化ダイオードを接続して使用することが一般的であ
る◎ターンオフタイムの小さいサイリスタ化逆並列接続
して使用されるダイオードは、サイリスタのターンオフ
タイム能力に対応した高適度電流しゃ断能力を有する素
子（逆回復電荷の小さい素子）が要求される略逆−・復
電−荷Ｑｒ＝Ｔ ｒｘ ｉ ｒｐ／２ ’で表現される
ので、高速ダイオードに要求される特性は次の二点であ
る。なセＴｒは逆回復時間、ｉ、は逆回復時のピーク電
流である・゛（１） 逆回復時間の小さいこと◎即ち
転流時にサイリスタ偶に再印加されるピーク電圧はダイ
オードの逆回復電荷の影響を受け、ダイオードの逆回復
電荷が大きいほど上昇するので、より高い定格電圧のサ
イリスタが必要となり、サイリスタ応用技術上、逆回復
電荷の大きいダオオードは好鵞しくない０ （り逆回復時のｄｉ／ｄｔが、ゆるやｂｓ （８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ ）であること。即ちダイオードの
逆回復時のｄｉ／ｄｔが、急峻な特性（８ｎａｐ＝ｏｆ
ｆ ）では転流時にサイリスタに再印加される電圧は高
いｄマ／ｄｔを持った電圧が印加され、サイリスタのｄ
ｖ／ｄｔ＃性をおびやかすことになり、サイリスタ応用
技櫂面から８ｆｌ峠−ｏｆｆ轡性を有するダイオードは
好ましくない。
タイム１０μ−以下のサイリスタが出現しつつある＠電
圧形インバータに適用するＩＨｃは、サイリス′りに逆
並列化ダイオードを接続して使用することが一般的であ
る◎ターンオフタイムの小さいサイリスタ化逆並列接続
して使用されるダイオードは、サイリスタのターンオフ
タイム能力に対応した高適度電流しゃ断能力を有する素
子（逆回復電荷の小さい素子）が要求される略逆−・復
電−荷Ｑｒ＝Ｔ ｒｘ ｉ ｒｐ／２ ’で表現される
ので、高速ダイオードに要求される特性は次の二点であ
る。なセＴｒは逆回復時間、ｉ、は逆回復時のピーク電
流である・゛（１） 逆回復時間の小さいこと◎即ち
転流時にサイリスタ偶に再印加されるピーク電圧はダイ
オードの逆回復電荷の影響を受け、ダイオードの逆回復
電荷が大きいほど上昇するので、より高い定格電圧のサ
イリスタが必要となり、サイリスタ応用技術上、逆回復
電荷の大きいダオオードは好鵞しくない０ （り逆回復時のｄｉ／ｄｔが、ゆるやｂｓ （８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ ）であること。即ちダイオードの
逆回復時のｄｉ／ｄｔが、急峻な特性（８ｎａｐ＝ｏｆ
ｆ ）では転流時にサイリスタに再印加される電圧は高
いｄマ／ｄｔを持った電圧が印加され、サイリスタのｄ
ｖ／ｄｔ＃性をおびやかすことになり、サイリスタ応用
技櫂面から８ｆｌ峠−ｏｆｆ轡性を有するダイオードは
好ましくない。
以上の理由によって、前述の目的に使用される高速度ダ
イオードは逆回復時のｄ１／ｄｔが、８ｏｆｔＲｅｃｏ
マ・ｒｙ特性を有するダイオードが望ましい。
イオードは逆回復時のｄ１／ｄｔが、８ｏｆｔＲｅｃｏ
マ・ｒｙ特性を有するダイオードが望ましい。
本−羽は上記の目的のため番こなされたものであり、以
下図面番こより本発明の一実施例について詳細Ｋｍ明す
る。
下図面番こより本発明の一実施例について詳細Ｋｍ明す
る。
嬉１図４１８ａａｐ−ｏｆｆ ４Ｉ性を有するダイオー
ドの逆回復時の電流波形の説明図、第２閣は８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖ＠ｒｙ轡性を有するダイオードの逆−復時の
電流波形の諷−閣である。
ドの逆回復時の電流波形の説明図、第２閣は８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖ＠ｒｙ轡性を有するダイオードの逆−復時の
電流波形の諷−閣である。
ダイオードの逆回復４Ｉ性において、第ｉｌｌのよう化
逆回復時間Ｔｒの短かい急峻なｄｉ／ｄｔの変化を示す
Ｂｎｋｐ−ｏｆｆ ｑＩ性と、鮪冨閣のような逆回復時
間テｒの長く緩やかなｄｌ／ｄｔの変化を示す８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ轡性の差は、ダイオード量材層のラ
イフタイムに関係する。例えばＰ−Ｎｌ−Ｎ＋接脅の鳩
舎にはＮｌられる。
逆回復時間Ｔｒの短かい急峻なｄｉ／ｄｔの変化を示す
Ｂｎｋｐ−ｏｆｆ ｑＩ性と、鮪冨閣のような逆回復時
間テｒの長く緩やかなｄｌ／ｄｔの変化を示す８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ轡性の差は、ダイオード量材層のラ
イフタイムに関係する。例えばＰ−Ｎｌ−Ｎ＋接脅の鳩
舎にはＮｌられる。
本発明は一枚のシリコン円板からなるダイオードウェフ
ァの厚み方向内＃ｃ８ｎａｐ−ｏｆｆ ＩＩ！Ｉ性を有
する領域と８層口Ｒｅｃｏｖｓ＋ｒｙ ４１性を有する
領域を直列に親会せること化より、逆回復時間の小さい
８ｏｆｔＲｅｃｏｖｅｒｙ ＠性を有するダイオード
を実現したものである・ Ｎ１３図は本発明の一実施例を示す高速ダイオードの部
分縦断面図である・ １は金（ムＵ）を主成分としこれに数パーセントのＰ形
不純物金属（ガリウム、ポロン、アルミニウム）を含ん
だアノード電極である。３はＰ層、４はＭ層、Ｓは１層
、６は金属ろう材、７は補強用支持電極でありカソード
電極となる。２は２層３ヘアノード電極１を溶着したこ
とによって形成された再結晶層のＰ層である。
ァの厚み方向内＃ｃ８ｎａｐ−ｏｆｆ ＩＩ！Ｉ性を有
する領域と８層口Ｒｅｃｏｖｓ＋ｒｙ ４１性を有する
領域を直列に親会せること化より、逆回復時間の小さい
８ｏｆｔＲｅｃｏｖｅｒｙ ＠性を有するダイオード
を実現したものである・ Ｎ１３図は本発明の一実施例を示す高速ダイオードの部
分縦断面図である・ １は金（ムＵ）を主成分としこれに数パーセントのＰ形
不純物金属（ガリウム、ポロン、アルミニウム）を含ん
だアノード電極である。３はＰ層、４はＭ層、Ｓは１層
、６は金属ろう材、７は補強用支持電極でありカソード
電極となる。２は２層３ヘアノード電極１を溶着したこ
とによって形成された再結晶層のＰ層である。
第４図は第３図のアノード電極垂直方向における２層２
．Ｐ層３．Ｎ１層４．Ｎ層５の各層のライフタイムキラ
ー（Ａｕ）の濃度分布を示した説明図である。
．Ｐ層３．Ｎ１層４．Ｎ層５の各層のライフタイムキラ
ー（Ａｕ）の濃度分布を示した説明図である。
ライフタイムキラーのａｍはＰ−Ｐ−Ｎ１層近傍（！Ｉ
ｌｌ中ム領域）が最も多く、つぎにＮ１層の中央部（Ｉ
ｔ中中質領域が多く、最も少い場所はＮ −Ｎｉ層近！
ＩＩ（１！ｉＥｌ中Ｃ領域）であるｅ本発明の高速ダイ
オードは第１１１に示す構成で形成することにより第４
図に示した如くライフタイムキラーの＃Ｉ度分布を容品
に得ることが特徴である・ つぎｌ（Ｎ４図に示すライフタイムキラー濃度分布を有
するダイオードの逆回復特性について説明する。
ｌｌ中ム領域）が最も多く、つぎにＮ１層の中央部（Ｉ
ｔ中中質領域が多く、最も少い場所はＮ −Ｎｉ層近！
ＩＩ（１！ｉＥｌ中Ｃ領域）であるｅ本発明の高速ダイ
オードは第１１１に示す構成で形成することにより第４
図に示した如くライフタイムキラーの＃Ｉ度分布を容品
に得ることが特徴である・ つぎｌ（Ｎ４図に示すライフタイムキラー濃度分布を有
するダイオードの逆回復特性について説明する。
導過状態番こある本ダイオードへ逆電圧が印加されると
、導通時のキャリアはＰ −Ｎｌ １１１合を中心とし
て正孔はアノード電極へ、電子はカソード電極へ向って
移動する一方、Ｐ−Ｎ１接舎近傍のライフタイムキラー
−直に依存して再結舎が行われ、キャリア鏝度が減少し
て行き、Ｐ−Ｎｌ接合近傍は逆電圧の値に応じた厚みを
もって空乏層化される。
、導通時のキャリアはＰ −Ｎｌ １１１合を中心とし
て正孔はアノード電極へ、電子はカソード電極へ向って
移動する一方、Ｐ−Ｎ１接舎近傍のライフタイムキラー
−直に依存して再結舎が行われ、キャリア鏝度が減少し
て行き、Ｐ−Ｎｌ接合近傍は逆電圧の値に応じた厚みを
もって空乏層化される。
このと会空乏層の厚みはＰ−Ｎｌ接合の接合面よりＮ１
層の方向に向って拡がって行く〇一般的にみてスイッチ
ング時にダイオードへ印加される逆電圧は定格電圧の１
１５〜”／ｚｏ ＩＩ ！であるから、逆電圧印加によ
って生じる空乏層厚みは概念的にＮ１層の中央部または
それ以下まで拡がると考えてよい・このため空乏層厚み
内のライフタイムキラー濃度が高いほど、空乏層内のキ
ャリアは急激な変化を示すため逆回復電流も急激な変化
を示す。
層の方向に向って拡がって行く〇一般的にみてスイッチ
ング時にダイオードへ印加される逆電圧は定格電圧の１
１５〜”／ｚｏ ＩＩ ！であるから、逆電圧印加によ
って生じる空乏層厚みは概念的にＮ１層の中央部または
それ以下まで拡がると考えてよい・このため空乏層厚み
内のライフタイムキラー濃度が高いほど、空乏層内のキ
ャリアは急激な変化を示すため逆回復電流も急激な変化
を示す。
つぎに空乏層の外側（Ｎｉ層の中央部からＮ＋層まで）
へ移動したキャリアーは、ライフタイムキラー濃度の低
い領域へ移るので、この場所ではキャリアは再結舎によ
り緩やか化減衰するため逆回復電流も緩やかな変化を示
す・ 以上の説明から理解されるように本ダイオードのスイッ
チング時の逆回復電流は、逆回復電流が流れ始めた前期
は急激な電流変化を示す５ｎａｐ−ｏｆｆ善性が現れ、
後半期には緩やかな電流炭化を示す８ｏｆｔ Ｒｅｃｏ
ｖｅｒｙ ４Ｉ性が現れ、本特許の目的とする２段階の
電流変化を示す逆回復特性を得ることができる０ 第５図は上述した状態を説明するための逆回復時の電流
波形を示した説明図である。
へ移動したキャリアーは、ライフタイムキラー濃度の低
い領域へ移るので、この場所ではキャリアは再結舎によ
り緩やか化減衰するため逆回復電流も緩やかな変化を示
す・ 以上の説明から理解されるように本ダイオードのスイッ
チング時の逆回復電流は、逆回復電流が流れ始めた前期
は急激な電流変化を示す５ｎａｐ−ｏｆｆ善性が現れ、
後半期には緩やかな電流炭化を示す８ｏｆｔ Ｒｅｃｏ
ｖｅｒｙ ４Ｉ性が現れ、本特許の目的とする２段階の
電流変化を示す逆回復特性を得ることができる０ 第５図は上述した状態を説明するための逆回復時の電流
波形を示した説明図である。
本ダイオードの逆回復４Ｉ性は５ｎａｐ−ｏｆｆ ％性
を示すｄ Ｉ Ｌ／ｄ ｔの大きい領域８と８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ ４Ｉ性を示すｄ ｌ ｖｄ ｔの小
さい領域９が出現する０高遮ダイオードで４ＨＣＩ！！
な点は領域９のｄｌＶ’ｄｔを小さく押えることであり
、本発明ではこれが可能になった・つぎに本ｌＩ明によ
る高速ダイオードの一実施例の調造工程を第６図を用い
て説明する。
を示すｄ Ｉ Ｌ／ｄ ｔの大きい領域８と８ｏｆｔ
Ｒｅｃｏｖｅｒｙ ４Ｉ性を示すｄ ｌ ｖｄ ｔの小
さい領域９が出現する０高遮ダイオードで４ＨＣＩ！！
な点は領域９のｄｌＶ’ｄｔを小さく押えることであり
、本発明ではこれが可能になった・つぎに本ｌＩ明によ
る高速ダイオードの一実施例の調造工程を第６図を用い
て説明する。
な口第１図と同一符号は同一または相幽部分を示す。
まず、ダイオードウェファの製作化ついて説明すると基
板シリコンとして比抵抗７００１のＮ形シリコンで厚み
Ｇ、ｌｉ？ｍｓ直１１：Ｈｍが使用される〇予め基板シ
リコンの片面には、Ｐ形不純物のボロンを用いて２層３
が５０ＪＭの厚みで形成されており、傭のＩＩＫはＮｊ
ｉｌｌ不純物のリンを用いて表面濃度的Ｉ Ｘ １Ｇ
ａ＠ｏｍｓ／ｃｃで厚み３０Ｊの８層５が形成され、Ｎ
１ｊ１４が１８０−を有し、かつ基−全面に酸化膜１０
を有した円板状シリコンが準備される。
板シリコンとして比抵抗７００１のＮ形シリコンで厚み
Ｇ、ｌｉ？ｍｓ直１１：Ｈｍが使用される〇予め基板シ
リコンの片面には、Ｐ形不純物のボロンを用いて２層３
が５０ＪＭの厚みで形成されており、傭のＩＩＫはＮｊ
ｉｌｌ不純物のリンを用いて表面濃度的Ｉ Ｘ １Ｇ
ａ＠ｏｍｓ／ｃｃで厚み３０Ｊの８層５が形成され、Ｎ
１ｊ１４が１８０−を有し、かつ基−全面に酸化膜１０
を有した円板状シリコンが準備される。
つぎにダイオードウェファの逆回復時間を小さくするた
めＫｐ層層面面上酸化膜１０を除去して、この面に対し
て真空蒸着にて金が蒸着され、８２０°０のａ直で６０
分間の熱処理が行われる。この熱処理によって金の磯直
分布は菖４図に示すＢ、Ｃ，Ｄノ！１１１ 領域となる０金濃共がＣ領域で減少する塩山４よ、金が
Ｎ”ｊｌ Ｂにゲッターされるためである。金のゲッタ
ー効果はリンを拡散して形成したＮ層が特に有効であり
本特許の一つの特徴となっているＯこの熱処理後、表面
を被っている酸化膜１０を除去し、ＰｊｌＢの間化対し
てはアノード電極１となる直径１ｓｔｌｌｓ厚み４０＃
を有する金−ガリウム箔（金９５−、ガリウム５−）を
置き、８層５の面に対してはダイオードウェファと同価
のタングステ行ひ一体に固着されるＯ 固着の際の熱処理温度は、前述の金の熱処理温度が前述
の金の熱処理で得た濃度よりも高くなる温度が必要であ
る・本発明のＮ１論例では固着温度を８６０℃にして５
〜ｌＯ分間熱処理を行い、再結晶層の２層２の厚みを２
０〜２５声にして小らを得ることができた働 以上説明したような二つの熱処理工程を経て第４１１１
に示されるＡ、Ｂ、Ｃのごとく三つの領域を示す金の濃
度分布を１１現することがで合る０固着完成後、電圧阻
止接合であるＰ−Ｎ１接会は球面研磨法等により負ベベ
ルに整形された後にベベル面に対して化学研塵、表面保
護膜形成等がなされてダイオードが完成する・、 このようにして製作されたダイオードの定格は１！１０
ム、２０００Ｖで逆回復時間は約２μ−であり、舎た− な詔、逆關復電荷一定条件としては、原電流３００ム、
屓電滝降下率５０Ａ／μ８で行った。
めＫｐ層層面面上酸化膜１０を除去して、この面に対し
て真空蒸着にて金が蒸着され、８２０°０のａ直で６０
分間の熱処理が行われる。この熱処理によって金の磯直
分布は菖４図に示すＢ、Ｃ，Ｄノ！１１１ 領域となる０金濃共がＣ領域で減少する塩山４よ、金が
Ｎ”ｊｌ Ｂにゲッターされるためである。金のゲッタ
ー効果はリンを拡散して形成したＮ層が特に有効であり
本特許の一つの特徴となっているＯこの熱処理後、表面
を被っている酸化膜１０を除去し、ＰｊｌＢの間化対し
てはアノード電極１となる直径１ｓｔｌｌｓ厚み４０＃
を有する金−ガリウム箔（金９５−、ガリウム５−）を
置き、８層５の面に対してはダイオードウェファと同価
のタングステ行ひ一体に固着されるＯ 固着の際の熱処理温度は、前述の金の熱処理温度が前述
の金の熱処理で得た濃度よりも高くなる温度が必要であ
る・本発明のＮ１論例では固着温度を８６０℃にして５
〜ｌＯ分間熱処理を行い、再結晶層の２層２の厚みを２
０〜２５声にして小らを得ることができた働 以上説明したような二つの熱処理工程を経て第４１１１
に示されるＡ、Ｂ、Ｃのごとく三つの領域を示す金の濃
度分布を１１現することがで合る０固着完成後、電圧阻
止接合であるＰ−Ｎ１接会は球面研磨法等により負ベベ
ルに整形された後にベベル面に対して化学研塵、表面保
護膜形成等がなされてダイオードが完成する・、 このようにして製作されたダイオードの定格は１！１０
ム、２０００Ｖで逆回復時間は約２μ−であり、舎た− な詔、逆關復電荷一定条件としては、原電流３００ム、
屓電滝降下率５０Ａ／μ８で行った。
第 ｉｌｌ
嬉ｌｌ１１１は本実施例によって製作された素子と従来
製作されていた同定格の素子を比較したものである。第
１１１１Ｉから理解されるように本発明による素子は、
逆回復時間が小さく、サイリスタに与えるｄマ／ｄｔ耐
量に大きな影譬力をもつ１１１／ｄｔが従来の素子より
も低減された高速ダイオードが製作可能となった◎この
ためサイリスタ応用技術面に寄与する効果が極めて大き
いものである・
製作されていた同定格の素子を比較したものである。第
１１１１Ｉから理解されるように本発明による素子は、
逆回復時間が小さく、サイリスタに与えるｄマ／ｄｔ耐
量に大きな影譬力をもつ１１１／ｄｔが従来の素子より
も低減された高速ダイオードが製作可能となった◎この
ためサイリスタ応用技術面に寄与する効果が極めて大き
いものである・
第１図は５ｎａｐ−ｏｆｆ ’Ｐｉ性を有するダイオー
ドの逆回復時の電流ｔＩＬ形の説明り第ａｌｌは ８ｏ
ｆｔＲｅｃｏｖ＠ｒｙ ４Ｉ惟を有するダイオードの逆
回復時の電流波形の説明図、第３図は本発明の一実施例
を示す高速ダイオードの部分断面図、第４図は本発明ダ
イオードの金機度分布を示した説明図、ＷＪ５図はその
逆回復時の電流波形を示した説明図、第６図は本発明の
高速ダイオードの一実施例の製造工程を示す縦断面図で
あるＯ １、・・・、アノード電極、２・・・・・Ｐ＋層、３・
・・・・・Ｐ層、４ ・・・・Ｎ１層、５・・・・・Ｎ
＋層、６・・・・・・金属ろう、７・・・・・・支持電
極、１０・・・・・酸化膜Ｏ特許出願人 東洋電機製造株式会社 代表者 土 井 厚 瀾 １図 １図 ８３図 第４Ｗ 第 ５ 図 ′４６凶 手続補正書（自発） ＷＢ和６６都１０月Ｊ日 轡許庁長實 殿 １、事件の表示 喝＄８８年畳許履ｊｌｌｌＨ１４・希 ｉ 発−の本称 高速ダイオード 龜 補正をする者 事件との関係 畳許出願人 郵便曹４） １Ｇ４ 東京都中央区八重洲二丁＠１番２号 嘴麟書のｒａｗの簡単な説明」の欄 ！Ｌ ＠正の内容 （１）＠細書第１１頁第１行目「ダイオードの金機度分
布を・・・・・・」を「ダイオードの会議度分布を・・
・・・・」に訂正する。
ドの逆回復時の電流ｔＩＬ形の説明り第ａｌｌは ８ｏ
ｆｔＲｅｃｏｖ＠ｒｙ ４Ｉ惟を有するダイオードの逆
回復時の電流波形の説明図、第３図は本発明の一実施例
を示す高速ダイオードの部分断面図、第４図は本発明ダ
イオードの金機度分布を示した説明図、ＷＪ５図はその
逆回復時の電流波形を示した説明図、第６図は本発明の
高速ダイオードの一実施例の製造工程を示す縦断面図で
あるＯ １、・・・、アノード電極、２・・・・・Ｐ＋層、３・
・・・・・Ｐ層、４ ・・・・Ｎ１層、５・・・・・Ｎ
＋層、６・・・・・・金属ろう、７・・・・・・支持電
極、１０・・・・・酸化膜Ｏ特許出願人 東洋電機製造株式会社 代表者 土 井 厚 瀾 １図 １図 ８３図 第４Ｗ 第 ５ 図 ′４６凶 手続補正書（自発） ＷＢ和６６都１０月Ｊ日 轡許庁長實 殿 １、事件の表示 喝＄８８年畳許履ｊｌｌｌＨ１４・希 ｉ 発−の本称 高速ダイオード 龜 補正をする者 事件との関係 畳許出願人 郵便曹４） １Ｇ４ 東京都中央区八重洲二丁＠１番２号 嘴麟書のｒａｗの簡単な説明」の欄 ！Ｌ ＠正の内容 （１）＠細書第１１頁第１行目「ダイオードの金機度分
布を・・・・・・」を「ダイオードの会議度分布を・・
・・・・」に訂正する。
Claims (1)
- Ｎｉ１ＩＩ母材から成るシリコン基板の片１１ＫＰ形不
純物を、偽の一面ｉＣＮ形不純物を拡散して形成したｐ
＝Ａｔ−Ｎ”＠台構造ダイオードウェファの逆回復電荷
を小さくするために、Ｐ層表面よりライフタイムキラー
である金を熱拡散した前記ダイオ゛−ドウエファに対し
て、Ｐ層表面に電極を形成するに際して金を主成分とし
た電極材料を用い、この電極と前記１層を固着する鶏処
履温度を、前記金竺散亀直よりも高く設定してこの電極
から金を高い機１１てＰ−Ｎｌｌｌ舎近くに拡散形成し
たことを特徴とする高速ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56132140A JPS5833875A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 高速ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56132140A JPS5833875A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 高速ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833875A true JPS5833875A (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=15074291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56132140A Pending JPS5833875A (ja) | 1981-08-25 | 1981-08-25 | 高速ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833875A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198778A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Toshiba Corp | スイツチング素子 |
| JPH0846221A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Origin Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-08-25 JP JP56132140A patent/JPS5833875A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198778A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Toshiba Corp | スイツチング素子 |
| JPH0846221A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Origin Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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