JPS583538B2 - ケイヒサンケイカンコウセイジユシヨウゲンゾウエキ - Google Patents
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は現像液に関するものである。
更に詳しくは桂皮酸系感光性樹脂に適した現像液に関す
るものである。
るものである。
最近桂皮酸系感光性樹脂の応用面での著しい精密化、高
度化に伴い、画像の微細化、安定化がさらに要望されて
きた。
度化に伴い、画像の微細化、安定化がさらに要望されて
きた。
例えば、半導体分野でのIC,LSIの製造において収
率、性能の向上から使用するフオトレジストは均一な画
質と画像の微細化、安定化の要望が高まってきている。
率、性能の向上から使用するフオトレジストは均一な画
質と画像の微細化、安定化の要望が高まってきている。
ところが従来の現像液では、現像時に著しく膨潤が起り
画像の直線性、エッジのシャープネス、表面状態に乱れ
を生じ均一な画質と良好な微細画像が得られなかった。
画像の直線性、エッジのシャープネス、表面状態に乱れ
を生じ均一な画質と良好な微細画像が得られなかった。
特にg−線(4358Å)を用いて投影焼付するとその
欠点は顕著であった。
欠点は顕著であった。
本発明者らはかかる点に着目し、鋭意研究の結果、特定
の化合物を現像液に含有させると、一挙に従来の欠点が
解消することを見出し本発明を完成した。
の化合物を現像液に含有させると、一挙に従来の欠点が
解消することを見出し本発明を完成した。
すなわち本発明の要旨は、テトラヒドロフルフリールア
ルコールおよび/またはケトンアルコールを含有するこ
とを特徴とする、一般式 (式中Rは酸素原子又は酸素若しくはイオウを含んでい
てもよい炭化水素残基を示し、XおよびYはそれぞれ水
素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基を示し、
Arは置換されてもよいアリール基を示し、nは1又は
2の数を示す。
ルコールおよび/またはケトンアルコールを含有するこ
とを特徴とする、一般式 (式中Rは酸素原子又は酸素若しくはイオウを含んでい
てもよい炭化水素残基を示し、XおよびYはそれぞれ水
素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基を示し、
Arは置換されてもよいアリール基を示し、nは1又は
2の数を示す。
)で表わされる繰返し単位を分子中に含む桂皮酸系感光
性樹脂用現像液に存する。
性樹脂用現像液に存する。
以下に本発明を詳細に説明するに、本発明現像液はテト
ラヒドロフルフリールアルコールおよび/またはケトン
アルコールを含有することが必要である。
ラヒドロフルフリールアルコールおよび/またはケトン
アルコールを含有することが必要である。
ケトンアルコールとは分子中にケトン基と水酸基の両者
を含む化合物であるが、本発明ではこれらのうち炭素数
が3〜8の脂肪族ものが好ましく、その具体例としては
オキシアセトン、プロピオニルカルビノール、アセチル
メチル力ルビノール、アセチルエチルカルビノール プ
ロピオニルメチルカルビノール アセチルジメチルカル
嘱 ビノール、プロピオノイン イソブチロイン 2一アセ
トエチルアルコール アセトイソプロピルアルコール
3−メチル−2−ペンタノール−4一オン ジアセトン
アルコール、r−アセトフロパノールなどが挙げられる
。
を含む化合物であるが、本発明ではこれらのうち炭素数
が3〜8の脂肪族ものが好ましく、その具体例としては
オキシアセトン、プロピオニルカルビノール、アセチル
メチル力ルビノール、アセチルエチルカルビノール プ
ロピオニルメチルカルビノール アセチルジメチルカル
嘱 ビノール、プロピオノイン イソブチロイン 2一アセ
トエチルアルコール アセトイソプロピルアルコール
3−メチル−2−ペンタノール−4一オン ジアセトン
アルコール、r−アセトフロパノールなどが挙げられる
。
これらのうちジアセトンアルコールが特に好ましい。
本発明現像液はテトラヒドロフルフリールアルコール単
独、ケトンアルコール単独またはテトラヒドロフルフリ
ールアルコールとケトンアルコールの混合物として使用
されるが、他の溶剤によって稀釈しても使用することが
できる。
独、ケトンアルコール単独またはテトラヒドロフルフリ
ールアルコールとケトンアルコールの混合物として使用
されるが、他の溶剤によって稀釈しても使用することが
できる。
かかる溶剤としてはヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノ
ナン、デカン、ウンデカン、ドデカンなどの脂肪族鎖状
炭化水素:シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シ
クロへブタン、シクロオクタンなどの脂項式炭化水素;
メタノール、エタノール、n−プロパノール、インプロ
パノール、n−ブタノール、イソブタノール、sec−
ブタノール、tert−ブタノールなどの脂肪族アルコ
ール;エチルエーテル、エチルプロピルエーテル エチ
ルイソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、エチ
ルイソブチルエーテル エチルイソアミルエーテル プ
ロビルエーテル イソプロビルエーテル プロピルブチ
ルエーテル プロピルイソアミルエーテル、プチルエー
テルなどの脂肪族エーテル;ジヒドロフラン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンなどの環式エーテル;ギ酸メチ
ル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソプロビル、ギ
酸ブチル、ギ酸イソブチルなどのギ酸エステル:酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸プロビル、酢酸イソプロビル、
酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソアミルなどの酢
酸エステル;アセトン、メチルエチルケトン、メチルー
n−プロビルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、ジエチルケトンなどの脂肪族ケトン;シ
クロヘキサノンなどの環式ケトン;1−メトキシプロパ
ノン−2 1−エトキシプロパノン−2、4−メトキシ
ブタノン−2、4−エトキシブタノン−2 1−メトキ
シペンタノン−2 1−エトキシペンタノン−2 1一
メトキシペンタノン−3、1−エトキシペンタノン−3
4−メトキシー4−メチルペンタノン−24−エトキ
シー4−メチルペンタノン−2などのケトエーテル;ク
ロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、1,1−お
よび1,2−ジクロロエタン、1,1,1,一および1
,1.2−トリクロロエタン、トリクロロエチレン、テ
トラクロロエチレンなどの塩素化炭化水素;ベンゼン、
トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化
水素:クロルベンゼン、o−ジクロルベンゼンなどのハ
ロゲン化芳香族炭化水素;及びエピクロルヒドリン、ジ
メチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、メチルセ
ロソルブアセテート エチルセロソルブアセテート、ソ
ルベントナフサなどを挙げることかできる。
ナン、デカン、ウンデカン、ドデカンなどの脂肪族鎖状
炭化水素:シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シ
クロへブタン、シクロオクタンなどの脂項式炭化水素;
メタノール、エタノール、n−プロパノール、インプロ
パノール、n−ブタノール、イソブタノール、sec−
ブタノール、tert−ブタノールなどの脂肪族アルコ
ール;エチルエーテル、エチルプロピルエーテル エチ
ルイソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、エチ
ルイソブチルエーテル エチルイソアミルエーテル プ
ロビルエーテル イソプロビルエーテル プロピルブチ
ルエーテル プロピルイソアミルエーテル、プチルエー
テルなどの脂肪族エーテル;ジヒドロフラン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサンなどの環式エーテル;ギ酸メチ
ル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸イソプロビル、ギ
酸ブチル、ギ酸イソブチルなどのギ酸エステル:酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸プロビル、酢酸イソプロビル、
酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソアミルなどの酢
酸エステル;アセトン、メチルエチルケトン、メチルー
n−プロビルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、ジエチルケトンなどの脂肪族ケトン;シ
クロヘキサノンなどの環式ケトン;1−メトキシプロパ
ノン−2 1−エトキシプロパノン−2、4−メトキシ
ブタノン−2、4−エトキシブタノン−2 1−メトキ
シペンタノン−2 1−エトキシペンタノン−2 1一
メトキシペンタノン−3、1−エトキシペンタノン−3
4−メトキシー4−メチルペンタノン−24−エトキ
シー4−メチルペンタノン−2などのケトエーテル;ク
ロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、1,1−お
よび1,2−ジクロロエタン、1,1,1,一および1
,1.2−トリクロロエタン、トリクロロエチレン、テ
トラクロロエチレンなどの塩素化炭化水素;ベンゼン、
トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化
水素:クロルベンゼン、o−ジクロルベンゼンなどのハ
ロゲン化芳香族炭化水素;及びエピクロルヒドリン、ジ
メチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、メチルセ
ロソルブアセテート エチルセロソルブアセテート、ソ
ルベントナフサなどを挙げることかできる。
溶剤とテトラヒドロフルフリールアルコールおよび/ま
たはケトンアルコールとの混合比は溶剤が85%以下が
好まし<、70%以下が特に好ましい。
たはケトンアルコールとの混合比は溶剤が85%以下が
好まし<、70%以下が特に好ましい。
本発明の現像液が使用される桂皮酸系感光性樹脂として
は、桂皮酸基およびその誘導体を分子中に含む樹脂を挙
げることができ、具体的には分子中に、一般式 又は (式中Rは酸素原子又は酸素若しくはイオウを含んでい
てもよい炭化水素残基、R′は水素原子又は低級アルキ
ル基を示し、XおよびYは、それぞれ水素原子、ハロゲ
ン原子、シアン基又はニトロ基を示し、Arは置換され
ていてもよいアリール基を示し、nは1又は2の数を示
す。
は、桂皮酸基およびその誘導体を分子中に含む樹脂を挙
げることができ、具体的には分子中に、一般式 又は (式中Rは酸素原子又は酸素若しくはイオウを含んでい
てもよい炭化水素残基、R′は水素原子又は低級アルキ
ル基を示し、XおよびYは、それぞれ水素原子、ハロゲ
ン原子、シアン基又はニトロ基を示し、Arは置換され
ていてもよいアリール基を示し、nは1又は2の数を示
す。
)で表わされる繰返し単位を含んでいる重合体である。
具体例としては、例えばポリ桂皮酸グリシジル、ポリシ
ンナミリデン酢酸グリシジル等のオキシラン項の開環重
合体;側鎖にハロゲン化アルキルを含む重合体に感光基
を有するカルボン酸塩を非プロトン性極性溶媒中で、高
分子反応を行って全部あるいは部分的に感光基を導入し
た重合体、例えばポリエピクロルヒドリン、ポリエピプ
ロムヒドリン等に桂皮酸若しくはその誘導体の塩を反応
させて得た重合体などを挙げることができる。
ンナミリデン酢酸グリシジル等のオキシラン項の開環重
合体;側鎖にハロゲン化アルキルを含む重合体に感光基
を有するカルボン酸塩を非プロトン性極性溶媒中で、高
分子反応を行って全部あるいは部分的に感光基を導入し
た重合体、例えばポリエピクロルヒドリン、ポリエピプ
ロムヒドリン等に桂皮酸若しくはその誘導体の塩を反応
させて得た重合体などを挙げることができる。
本発明の現像液が使用できる桂皮酸系感光性樹脂の基板
としては、特に制約がなく、周知のシリコンウエハー、
クロム、酸化鉄、酸化クロム、アルミニウム、銅などの
薄板が用いられる。
としては、特に制約がなく、周知のシリコンウエハー、
クロム、酸化鉄、酸化クロム、アルミニウム、銅などの
薄板が用いられる。
現像液の使用方法についても特に制約がなく例えば、5
秒間以上のスプレ一方式または15秒間以上の浸漬方式
が用いられ、現像液の温度も室温でもよいし、加熱して
使用してもよい。
秒間以上のスプレ一方式または15秒間以上の浸漬方式
が用いられ、現像液の温度も室温でもよいし、加熱して
使用してもよい。
また、本発明現像液による現像後、リンス液によりリン
スするのが優れた画像を得るためには望ましい。
スするのが優れた画像を得るためには望ましい。
この場合に用いるリンス液としては上記の脂肪族鎖式炭
化水素、脂肪族環式炭化水素、脂肪族アルコール、脂肪
族エーテル、ギ酸エステルおよび塩素化炭化水素が用い
られるが、特に一般式 R10CH2CH20R2 (式中R1は水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基、
R2は炭素数1〜5のアルキル基を示す。
化水素、脂肪族環式炭化水素、脂肪族アルコール、脂肪
族エーテル、ギ酸エステルおよび塩素化炭化水素が用い
られるが、特に一般式 R10CH2CH20R2 (式中R1は水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基、
R2は炭素数1〜5のアルキル基を示す。
)で示される化合物でリンスすることが好ましい。
なお、現像後リンス前に現像液とリンス液との混合物を
用いてリンス(所謂二段リンス)してもよい。
用いてリンス(所謂二段リンス)してもよい。
以上本発明現像液を用いると、現像時膨潤が起らず均一
な画質と良好な微細画像が得られ、特にg−線を用いて
投影焼付しても優れた画像が得られる。
な画質と良好な微細画像が得られ、特にg−線を用いて
投影焼付しても優れた画像が得られる。
そこで、本発明現像液はIC,LSIの製造およびそれ
に使用するマスクなどの製造に好適である。
に使用するマスクなどの製造に好適である。
以下本発明を実施例について更に詳細に説明するが、そ
の要旨を超えない限り以下の実施例に限定されるもので
はない。
の要旨を超えない限り以下の実施例に限定されるもので
はない。
実施例 1
一般式
で示され環元粘度(テトラヒドロフラン溶媒25℃)が
0.86の桂皮酸系感光性樹脂(以下CIEPと略す)
を4−メチル−4−メトキシーペンタノン−2(以下ペ
ントキソンと略す)に溶解し9重量チ溶液きする。
0.86の桂皮酸系感光性樹脂(以下CIEPと略す)
を4−メチル−4−メトキシーペンタノン−2(以下ペ
ントキソンと略す)に溶解し9重量チ溶液きする。
これに増感剤として6.11−ジクロロペンズアンスロ
ンをCIEPに対して3モル係添加し感光性組成物とす
る。
ンをCIEPに対して3モル係添加し感光性組成物とす
る。
この感光液を表面にクロムを蒸着した2.5インチ角の
ガラス基板にスピンナーを用いて、0.5μに塗布した
。
ガラス基板にスピンナーを用いて、0.5μに塗布した
。
60℃で15分乾燥し解像力テスト用シースルーマスク
(凸版印刷株式会社製)を密着しプリンターにはさんで
減圧下で高圧水銀灯(ウシオ電機製ユニパルス)を光源
として光学濃度1.0のNDフィルターを通し、50c
mの距離から15秒間照射した。
(凸版印刷株式会社製)を密着しプリンターにはさんで
減圧下で高圧水銀灯(ウシオ電機製ユニパルス)を光源
として光学濃度1.0のNDフィルターを通し、50c
mの距離から15秒間照射した。
浸漬方法を用いてテトラヒドロフルフリールアルコール
(以下THFAと略す。
(以下THFAと略す。
)/イソプロパノール(以下IPAと略す。
) =8/2 (V)の現像液で60秒間現像し、TH
FA/IPA =5 / 5 (V)の溶液で、次にI
PA単独で順に60秒間ずつリンスした後、150℃で
30分間ポストベーキングを行い、その後コダック組成
エツチャント(硝酸第二セリウムアンモニウム164.
5gに70%の過塩素酸液43mAを加え、水で1lに
したもの。
FA/IPA =5 / 5 (V)の溶液で、次にI
PA単独で順に60秒間ずつリンスした後、150℃で
30分間ポストベーキングを行い、その後コダック組成
エツチャント(硝酸第二セリウムアンモニウム164.
5gに70%の過塩素酸液43mAを加え、水で1lに
したもの。
以下同じ)でエッチングした。
得られた画像は解像力1.5μで直線性、エッヂのシャ
ープネスが良好で寸法再現性も±5%以内と優れた画質
であり、IC用フォトマスクとして充分に使用できるも
のを得た。
ープネスが良好で寸法再現性も±5%以内と優れた画質
であり、IC用フォトマスクとして充分に使用できるも
のを得た。
IPAの代わりにエチレングリコールモノエチルエーテ
ルを用いてリンスしたところ、これも良好な画質が得ら
れた。
ルを用いてリンスしたところ、これも良好な画質が得ら
れた。
比較例としてペントキソンで現像し、ソルベントナフサ
/IPA=7/3(V)で1回目の、ソノレベントナフ
サ/ I PA= 3/7 (V)で2回目のリンスを
した場合は表面の均一性が乱れ、直線性の点も不充分で
寸法再現性も±10%以内であった。
/IPA=7/3(V)で1回目の、ソノレベントナフ
サ/ I PA= 3/7 (V)で2回目のリンスを
した場合は表面の均一性が乱れ、直線性の点も不充分で
寸法再現性も±10%以内であった。
実施例 2
照射方法が実施例1と異なり高圧水銀灯(ウシオ電機製
ユニパルス)を光源として、色ガラスフイルター(東芝
製VY43およびV−CIA)を通しg−線を50cm
の距離から30秒間照射したその他の条件は実施例1と
同様にして行った。
ユニパルス)を光源として、色ガラスフイルター(東芝
製VY43およびV−CIA)を通しg−線を50cm
の距離から30秒間照射したその他の条件は実施例1と
同様にして行った。
得られた画像はg−線を用いたにもかかわらす実施例1
と同様に解像力1.5μで、直線性、エッジのシャープ
ネス、寸法再現性、又シワもなく表面状態も良好でIC
用フォトマスクとして充分に使用できる画質を得た。
と同様に解像力1.5μで、直線性、エッジのシャープ
ネス、寸法再現性、又シワもなく表面状態も良好でIC
用フォトマスクとして充分に使用できる画質を得た。
実施例3
実施例1で用いた感光液を8102ウエハーにスピンナ
ーを用いて0.5μに塗布した。
ーを用いて0.5μに塗布した。
60℃で15分乾燥し解像カテスト用シースルーマスク
を密着しプリンターにはさんで減圧下で高圧水銀灯を光
源として光学濃度1.0のNDフィルターを通し50c
mの距離から17秒間照射した。
を密着しプリンターにはさんで減圧下で高圧水銀灯を光
源として光学濃度1.0のNDフィルターを通し50c
mの距離から17秒間照射した。
浸漬方法を用いてTHFA/IPA=8/2(V)で6
0秒間現像しTHFA/IPA=5/5(V)、IPA
の各々の溶媒で順に60秒間リンスした後150℃で3
0分間ポストベーキングを行いその後バツファードフツ
酸でエッチングを行った。
0秒間現像しTHFA/IPA=5/5(V)、IPA
の各々の溶媒で順に60秒間リンスした後150℃で3
0分間ポストベーキングを行いその後バツファードフツ
酸でエッチングを行った。
得られた画像は解像力2μできれいに窓あけが行なわれ
た。
た。
実施例4
実施例1と同様にして現像工程をジアセトンアルコール
(以下DAAと略す。
(以下DAAと略す。
)/IPA=8/2関で60秒間現像しDAA/IPA
=5/5(V)、IPAの各々の溶媒で順に60秒間リ
ンスを行った後、150℃で30分間ポストベーキング
を行い、その後コダック組成エツチャントでエッチング
した。
=5/5(V)、IPAの各々の溶媒で順に60秒間リ
ンスを行った後、150℃で30分間ポストベーキング
を行い、その後コダック組成エツチャントでエッチング
した。
得られた画像は解像力1.5μで直線性、エツヂのシャ
ープネス、寸法再現性の点で優れた画質であり、■C用
フォトマスクとして充分に使用できるものを得た。
ープネス、寸法再現性の点で優れた画質であり、■C用
フォトマスクとして充分に使用できるものを得た。
実施例5
DAAの代わりにアセチルジメチルカルビノールを使用
する外は、実施例4と全く同様に画像を作成したところ
、実施例4と同様に優れた画質のものが得られた。
する外は、実施例4と全く同様に画像を作成したところ
、実施例4と同様に優れた画質のものが得られた。
実施例6
実施例1と同様にしてTHFA/キシレン/IPA=7
/1/2(V)で60秒間現像し、THFA/キシレン
/IPA=3.5/0.5/6(V)で1回目の、IP
A単独で2回目のリンスを各々60秒間行なった後、1
50℃で30分間ポストベーキングを行い、その後コダ
ック組成エツチャントでエツチングした。
/1/2(V)で60秒間現像し、THFA/キシレン
/IPA=3.5/0.5/6(V)で1回目の、IP
A単独で2回目のリンスを各々60秒間行なった後、1
50℃で30分間ポストベーキングを行い、その後コダ
ック組成エツチャントでエツチングした。
得られた画像は実施例1と同様に良好であった。
実施例7
THFAの代わりに2−アセトエチルアルコールを使用
する外は、実施例6と全く同様に画像を作成したところ
、同様に良好な画像が得られた。
する外は、実施例6と全く同様に画像を作成したところ
、同様に良好な画像が得られた。
実施例8
実施例1と同様にして現像工程をTHFA/n−プロパ
ノール=8/2(V)で60秒間現像し、THFA/n
−プロパノール=5/5(V)、n−プロパノールの各
々の溶媒で順に60秒間リンスを行った後、150℃で
30分間ポストベーキングを行い、その後コダック組成
エツチャントでエッチングした。
ノール=8/2(V)で60秒間現像し、THFA/n
−プロパノール=5/5(V)、n−プロパノールの各
々の溶媒で順に60秒間リンスを行った後、150℃で
30分間ポストベーキングを行い、その後コダック組成
エツチャントでエッチングした。
得られた画像は実施例1に同様であった。
実施例9
実施例1と同様にして現像工程をTHFA/sec=ブ
タノール=8/2(V)で60秒間現像し、THEA/
sec−ブタノール=5/5(V)、sec−ブタノー
ルの各々の溶媒で順に60秒間リンスを行った後、15
0℃で30分間ポストベーキングを行いその後コダック
組成エツチャントでエッチングした。
タノール=8/2(V)で60秒間現像し、THEA/
sec−ブタノール=5/5(V)、sec−ブタノー
ルの各々の溶媒で順に60秒間リンスを行った後、15
0℃で30分間ポストベーキングを行いその後コダック
組成エツチャントでエッチングした。
得られた画像は実施例1と同様に良好であった。
比較例
実施例1で使用した現像液の代わりに下表の現像液を使
用して、60秒間現像し、現像時の画線部の膨潤性を比
較した。
用して、60秒間現像し、現像時の画線部の膨潤性を比
較した。
結果を下表に示す。下表からも本発明現像液の必須成分
であるTHFAおよびDAAの優秀性が判る。
であるTHFAおよびDAAの優秀性が判る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 テトラヒドロフルフリールアルコールおよび/また
はケトンアルコールを含有することを特徴とする、一般
式 (式中Rは酸素原子又は酸素若しくは、イオウを含んで
いてもよい炭化水素残基を示し、XおよびYは、それぞ
れ水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基を示
し、Arは置換されていてもよいアリール基を示し、n
は1又は2の数を示す。 )で表わされる繰返し単位を分子中に含む桂皮酸系感光
性樹脂用現像液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18375A JPS583538B2 (ja) | 1974-12-26 | 1974-12-26 | ケイヒサンケイカンコウセイジユシヨウゲンゾウエキ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18375A JPS583538B2 (ja) | 1974-12-26 | 1974-12-26 | ケイヒサンケイカンコウセイジユシヨウゲンゾウエキ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5175522A JPS5175522A (ja) | 1976-06-30 |
| JPS583538B2 true JPS583538B2 (ja) | 1983-01-21 |
Family
ID=11466872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18375A Expired JPS583538B2 (ja) | 1974-12-26 | 1974-12-26 | ケイヒサンケイカンコウセイジユシヨウゲンゾウエキ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583538B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56132345A (en) * | 1980-03-21 | 1981-10-16 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | Developer composition for lithographic plate |
-
1974
- 1974-12-26 JP JP18375A patent/JPS583538B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5175522A (ja) | 1976-06-30 |
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