JPS5835927A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5835927A JPS5835927A JP13515981A JP13515981A JPS5835927A JP S5835927 A JPS5835927 A JP S5835927A JP 13515981 A JP13515981 A JP 13515981A JP 13515981 A JP13515981 A JP 13515981A JP S5835927 A JPS5835927 A JP S5835927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductors
- crucible
- insulating film
- evaporated
- melting point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置製造工札中の絶縁膜の形成方法に関
す。
す。
半導体装置の絶縁膜の形成には目的９条件によって種々
の方法が適用されている。
の方法が適用されている。
例えば、シリコン基板上に形成されるフィールド酸化層
の形成には一般に熱酸化法が適用され、またＭＯ８型電
界効果トランジスタのゲート酸化膜を形成する場合にも
膜厚、耐電圧等の特性を均一に制御するために祉熱酸化
法が最も適しているが、熱酸化法は適用が当然限定され
る０適用範囲の広いＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｅａ／ Ｖ
ａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏ−ｓｉｔｌｏｎ ）法を絶縁膜の
形成に適用すゐ場合には、成長しようとする絶縁膜の融
点よシかなり低い堆積温度で種々の絶縁膜が得られるこ
と、後に述ぺ４他の方法に比較して形成される絶縁膜の
純度が高く、特性も安定であること等の利点を有するが
、形成される膜の均一性、ＪＩ成長速度の遅いことなど
の問題点がある。
の形成には一般に熱酸化法が適用され、またＭＯ８型電
界効果トランジスタのゲート酸化膜を形成する場合にも
膜厚、耐電圧等の特性を均一に制御するために祉熱酸化
法が最も適しているが、熱酸化法は適用が当然限定され
る０適用範囲の広いＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｅａ／ Ｖ
ａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏ−ｓｉｔｌｏｎ ）法を絶縁膜の
形成に適用すゐ場合には、成長しようとする絶縁膜の融
点よシかなり低い堆積温度で種々の絶縁膜が得られるこ
と、後に述ぺ４他の方法に比較して形成される絶縁膜の
純度が高く、特性も安定であること等の利点を有するが
、形成される膜の均一性、ＪＩ成長速度の遅いことなど
の問題点がある。
又、スパッタリング法も堆積温度が低いこと、ターゲッ
ト材料を変えることによって容易に各種の絶縁膜が形成
できることを利点とするが、ＣＶＤ法に比較して形成さ
れた膜の純度が劣ム更にス速度が極めて遅く、高周波ス
パッタリングは直流スパッタリングよシは成長速度が速
いものの、なお速度不足である０ 次ＫＥ−Ｂガン（ＦＪｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ Ｇｕｎ
）法による場合には、形成された絶縁膜のストイキオ
メトリ−の悪さ、製品に対する放射線損傷等の問題があ
り、半導体装置の製造方法として適当でない。
ト材料を変えることによって容易に各種の絶縁膜が形成
できることを利点とするが、ＣＶＤ法に比較して形成さ
れた膜の純度が劣ム更にス速度が極めて遅く、高周波ス
パッタリングは直流スパッタリングよシは成長速度が速
いものの、なお速度不足である０ 次ＫＥ−Ｂガン（ＦＪｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ Ｇｕｎ
）法による場合には、形成された絶縁膜のストイキオ
メトリ−の悪さ、製品に対する放射線損傷等の問題があ
り、半導体装置の製造方法として適当でない。
更にタンタル、モリブデン等の高融点金属よシなるボー
ト状等のヒータを使用した抵抗加熱蒸着法は、蒸着源の
容量の制限を受は易く、更にヒータを形成する金属の蒸
発を伴うことが多いＱまた、８１０等の高速度蒸着が可
能で大容量の抵抗加熱蒸着法として、Ｄｒｕｍｈｅ＃ｅ
ｒの方法等があるが、電流が大きくまたタンタル等の抵
抗体金属のれ 蒸発、混入の危険性を免かない。
ト状等のヒータを使用した抵抗加熱蒸着法は、蒸着源の
容量の制限を受は易く、更にヒータを形成する金属の蒸
発を伴うことが多いＱまた、８１０等の高速度蒸着が可
能で大容量の抵抗加熱蒸着法として、Ｄｒｕｍｈｅ＃ｅ
ｒの方法等があるが、電流が大きくまたタンタル等の抵
抗体金属のれ 蒸発、混入の危険性を免かない。
他方において、半導体装置製造にあたって各工程が一連
のラインに編成され、かつ作業者に起因する作業ミス、
ハンドリング傷、コンタミネーシ璽ン、微小異物等に起
因する歩留シの低下を防止し、半導体装置％に高集積度
のＩｃｅを高品質に、経済的に生産するために製造工程
の自動化が推進されている。しかるに前記ＣＶＤ法或い
はスパッタリング法等は膜形成方法工程所要時間等の点
で自動化或いはライン編成に対する適応性が乏しく大き
い制約となる。
のラインに編成され、かつ作業者に起因する作業ミス、
ハンドリング傷、コンタミネーシ璽ン、微小異物等に起
因する歩留シの低下を防止し、半導体装置％に高集積度
のＩｃｅを高品質に、経済的に生産するために製造工程
の自動化が推進されている。しかるに前記ＣＶＤ法或い
はスパッタリング法等は膜形成方法工程所要時間等の点
で自動化或いはライン編成に対する適応性が乏しく大き
い制約となる。
本発明は、半導体装置の絶Ｉｉ＆膜形成に関して、既知
の製造方法の前記問題点に対処し特に自動化或いはライ
ン編成に対する適応性に富む製造方法を得ることを目的
とする。
の製造方法の前記問題点に対処し特に自動化或いはライ
ン編成に対する適応性に富む製造方法を得ることを目的
とする。
本発明の前記目的は、タングステン等の高融点導体を電
磁誘導によシ加熱し、これに接する絶縁物材料を蒸発さ
せて目的とする面に付着させることにより達成される。
磁誘導によシ加熱し、これに接する絶縁物材料を蒸発さ
せて目的とする面に付着させることにより達成される。
本発明を実施例によシ図面を参照して具体的に説明する
。
。
図面は本発明の実施例を示す断面図である。図中１はす
るつは”であって、本実施例においてはするつぼ”１は
直径約３５ｍ、深さ約５Ｑｉ＋ｉ、肉厚的０．５１１１
でＰ Ｂ Ｎ （Ｐ）’ｒｏｔｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎ１
ｔｒ１ｄｅ ）よシなる。このするつは′１の底部にタ
ングステンのブロックを充填して加熱導体２とした０し
かる後に絶縁膜を形成すべき蒸発物質３を加熱導体２上
に充填したが、本実施例においてはや質３は一酸化シリ
コン（Ｓ１０）である０この状態のするつは”１をワー
クコイル４内に置き、被蒸着ウエノ・５をするつぼ”１
上１５０乃至３００ｍ程度の距離に保持して、周囲を１
０ 乃至１０ｔｏｒｒの真空に保持シ、ワークコイル４
に周波数３５乃至５５ ｋＨｚ ５ＪｆｔＷの電力を印
加して、約１分間の蒸着を実施して、厚さ約１．０／１
ｆＦｌのｓｉｏｇｔ形成した。
るつは”であって、本実施例においてはするつぼ”１は
直径約３５ｍ、深さ約５Ｑｉ＋ｉ、肉厚的０．５１１１
でＰ Ｂ Ｎ （Ｐ）’ｒｏｔｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎ１
ｔｒ１ｄｅ ）よシなる。このするつは′１の底部にタ
ングステンのブロックを充填して加熱導体２とした０し
かる後に絶縁膜を形成すべき蒸発物質３を加熱導体２上
に充填したが、本実施例においてはや質３は一酸化シリ
コン（Ｓ１０）である０この状態のするつは”１をワー
クコイル４内に置き、被蒸着ウエノ・５をするつぼ”１
上１５０乃至３００ｍ程度の距離に保持して、周囲を１
０ 乃至１０ｔｏｒｒの真空に保持シ、ワークコイル４
に周波数３５乃至５５ ｋＨｚ ５ＪｆｔＷの電力を印
加して、約１分間の蒸着を実施して、厚さ約１．０／１
ｆＦｌのｓｉｏｇｔ形成した。
本発明の加熱はワークコイル４の電流からの電磁誘導に
よって加熱導体２に渦電流が発生し、渦電流によるジュ
ール熱により温度が上昇した加熱導体２によって蒸発物
質３が加熱されて蒸発するに到るものである０ この過程において、”るつは”１及び加熱導体２は充分
な耐熱性をもつことが必要でありて、本処理中に蒸発し
、或いは蒸発物質３に溶解し、又はこれと化学変化を生
ずるものであってはならない。本発明においては加熱導
体２の形状が前記Ｄｒａｍｈｅｌｌｅｒ法その他の抵抗
加熱法の如く特殊のカロ工を必要としないために、モリ
ブデン或いはタンタルよシ高融点のタングステンを使用
すること〃五可能である０ また蒸発物質３の形状はさほど制約されない力（、蒸発
作用を均一に行なわせるためには蒸発物質は粉末状態、
特に＃１００以下の微細な粒状であることが望ましい。
よって加熱導体２に渦電流が発生し、渦電流によるジュ
ール熱により温度が上昇した加熱導体２によって蒸発物
質３が加熱されて蒸発するに到るものである０ この過程において、”るつは”１及び加熱導体２は充分
な耐熱性をもつことが必要でありて、本処理中に蒸発し
、或いは蒸発物質３に溶解し、又はこれと化学変化を生
ずるものであってはならない。本発明においては加熱導
体２の形状が前記Ｄｒａｍｈｅｌｌｅｒ法その他の抵抗
加熱法の如く特殊のカロ工を必要としないために、モリ
ブデン或いはタンタルよシ高融点のタングステンを使用
すること〃五可能である０ また蒸発物質３の形状はさほど制約されない力（、蒸発
作用を均一に行なわせるためには蒸発物質は粉末状態、
特に＃１００以下の微細な粒状であることが望ましい。
また本実施例においても蒸発物質３は予め２０乃至３Ｑ
ｄ程度を充填すること〃；可能テアッテ、前記のボート
状抵抗体による力ｏＭＭ着法に比較して容量が大きいが
、更に蒸着処理中に自動供給することも容易でおる０ 本実施例によるＳｉＯの蒸着速度は１乃至５μ炉／−で
あって、前記ＣＶＤ法或いはスパッタリング法の２０
ａｍ ／−程直に比較して５０〜２５０倍の速度である
。更に被蒸着ウエノ・５を連続して供給することも容易
であって、他の工程との連結に適応性がある０ また、必要に応じて被蒸着ウエノＳ５を蒸着中に回転さ
せること等も容易であって、形成される絶縁膜の均一性
を確保することが可能である０なお、前記スパッタ法或
いはＥ−Ｂガン法の女口くイオン或いは電子線等の衝突
を利用しない力・ら製品に対する損傷も発生し離い０ 本発Ｉｊ１１０方法によって得られ九ＳｉＯ絶縁膜社、
例えば厚さ１５０ｎｍにおいて、１００乃至１５０ｖの
電圧に耐えて、Ｐ Ｓ Ｇ （Ｐｈｏｓｐｈｏｒ ５１
４ｃａｔ＠Ｇ＆ｍｓ）と同等以上でｔｂ＃）、又、シリ
コン、二酸化シリコン（ＳｌＯ鵞）ｔ Ｐ Ｓ Ｇ或
いはアルミニウムなどとの密着性にも優れておシ、密度
も高＜、８１０！に比較して亀裂を生じないために、層
間絶縁膜或いは被榎絶縁膜には特に好適である０ 本発明は以上説明した如く、高融点導体特にタングステ
ン管電磁誘導により加熱し、これに接する絶縁物材料ｔ
−蒸発させて目的とする面に付着させることによシ、半
導体装置の絶縁膜を形成するものであって、蒸着速度は
早く、製品に対する損傷も発生し難く、かつ自動化或い
はライン輸成に対する適応性に富む製造方法を与えるも
のである０また本発明の方法によって得られる８１０絶
縁膜は耐電圧が高く、密着性に優れ、亀裂も生じないた
めに層関或い紘被覆絶縁腺に適している。
ｄ程度を充填すること〃；可能テアッテ、前記のボート
状抵抗体による力ｏＭＭ着法に比較して容量が大きいが
、更に蒸着処理中に自動供給することも容易でおる０ 本実施例によるＳｉＯの蒸着速度は１乃至５μ炉／−で
あって、前記ＣＶＤ法或いはスパッタリング法の２０
ａｍ ／−程直に比較して５０〜２５０倍の速度である
。更に被蒸着ウエノ・５を連続して供給することも容易
であって、他の工程との連結に適応性がある０ また、必要に応じて被蒸着ウエノＳ５を蒸着中に回転さ
せること等も容易であって、形成される絶縁膜の均一性
を確保することが可能である０なお、前記スパッタ法或
いはＥ−Ｂガン法の女口くイオン或いは電子線等の衝突
を利用しない力・ら製品に対する損傷も発生し離い０ 本発Ｉｊ１１０方法によって得られ九ＳｉＯ絶縁膜社、
例えば厚さ１５０ｎｍにおいて、１００乃至１５０ｖの
電圧に耐えて、Ｐ Ｓ Ｇ （Ｐｈｏｓｐｈｏｒ ５１
４ｃａｔ＠Ｇ＆ｍｓ）と同等以上でｔｂ＃）、又、シリ
コン、二酸化シリコン（ＳｌＯ鵞）ｔ Ｐ Ｓ Ｇ或
いはアルミニウムなどとの密着性にも優れておシ、密度
も高＜、８１０！に比較して亀裂を生じないために、層
間絶縁膜或いは被榎絶縁膜には特に好適である０ 本発明は以上説明した如く、高融点導体特にタングステ
ン管電磁誘導により加熱し、これに接する絶縁物材料ｔ
−蒸発させて目的とする面に付着させることによシ、半
導体装置の絶縁膜を形成するものであって、蒸着速度は
早く、製品に対する損傷も発生し難く、かつ自動化或い
はライン輸成に対する適応性に富む製造方法を与えるも
のである０また本発明の方法によって得られる８１０絶
縁膜は耐電圧が高く、密着性に優れ、亀裂も生じないた
めに層関或い紘被覆絶縁腺に適している。
図面は本発明の実施例を示す断面図でおる。
図において、１はるつば、２は加熱導体、３は蒸発物質
、４はワークコイル、５は被蒸着ウェハを示す。 ５ ４
、４はワークコイル、５は被蒸着ウェハを示す。 ５ ４
Claims (2)
- （１）高融点導体を電磁誘導により加熱し、該導体に接
する絶縁物を蒸発せしめて、基板上に絶縁膜を形成する
ことｆｔ％徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）前記絶縁物が一酸化シリコンであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13515981A JPS5835927A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13515981A JPS5835927A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835927A true JPS5835927A (ja) | 1983-03-02 |
Family
ID=15145193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13515981A Pending JPS5835927A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5835927A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4780596A (en) * | 1986-05-15 | 1988-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Hot-air circulation cooking oven |
| EP1354979A4 (en) * | 2000-08-10 | 2008-03-26 | Nippon Steel Chemical Co | METHOD AND DEVICE FOR PREPARING ORGANIC EL-ELEMENTS |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13515981A patent/JPS5835927A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4780596A (en) * | 1986-05-15 | 1988-10-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Hot-air circulation cooking oven |
| EP1354979A4 (en) * | 2000-08-10 | 2008-03-26 | Nippon Steel Chemical Co | METHOD AND DEVICE FOR PREPARING ORGANIC EL-ELEMENTS |
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