JPS5836738B2 - カツセイガスブンアツソクテイソウチ - Google Patents
カツセイガスブンアツソクテイソウチInfo
- Publication number
- JPS5836738B2 JPS5836738B2 JP50100782A JP10078275A JPS5836738B2 JP S5836738 B2 JPS5836738 B2 JP S5836738B2 JP 50100782 A JP50100782 A JP 50100782A JP 10078275 A JP10078275 A JP 10078275A JP S5836738 B2 JPS5836738 B2 JP S5836738B2
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- Japan
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- vacuum
- target
- primary
- ions
- active gas
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- Expired
Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は活性ガスの真空度を測定する装置に関する。
従来、活性ガスを広い範囲の真空変にわたって測定する
ことは困難であった。
ことは困難であった。
例えばガス測定によく用いられている電離真空計では、
活性ガスを測定しようとすると、活性ガスが熱フィラメ
ントあるいは測定球の壁に吸看されるγこめ、測定値の
変動が大きく、再現性よく真空度を測定できなかった。
活性ガスを測定しようとすると、活性ガスが熱フィラメ
ントあるいは測定球の壁に吸看されるγこめ、測定値の
変動が大きく、再現性よく真空度を測定できなかった。
また隔膜真空計は、ガスによらず、ガス正の絶対値の測
定ができるが、高真空では測定できないこと、また隔膜
がハロゲンのような腐食性ガスにより寿命が短くなるな
どの欠点を持っていた。
定ができるが、高真空では測定できないこと、また隔膜
がハロゲンのような腐食性ガスにより寿命が短くなるな
どの欠点を持っていた。
まγこ、他の真空計についても同様な欠点があった。
本発明は、酸素,ハロゲン等の活性ガスを高真空10
” Torrから10−3Torrまでの範囲にわたり
再現性よく測定できるようにしたもので、その一実施例
を添付図面にもとづいて説明する。
” Torrから10−3Torrまでの範囲にわたり
再現性よく測定できるようにしたもので、その一実施例
を添付図面にもとづいて説明する。
第1図に示すように、一次イオン発生部1で一次イオン
ビームとなるイオンを作成する。
ビームとなるイオンを作成する。
このとき、一次イオン種はHe,Ar等の不活性ガスを
使用する。
使用する。
作成したイオンは引出し電極に引出し電位を加えること
により加速し、一次イオン収束部2に導く。
により加速し、一次イオン収束部2に導く。
一次イオン収束部2では、イオンを収束し、これをイオ
ンビームとし、またビーム径を変えることにより、電流
密度を変化させることができる。
ンビームとし、またビーム径を変えることにより、電流
密度を変化させることができる。
ターゲット部3は、測定しようとする活性ガスが存在す
る真空部と連絡されており、真空部より活性ガスが導入
される。
る真空部と連絡されており、真空部より活性ガスが導入
される。
上記ターゲットm3は活性ガスが存在するとともに、タ
ーゲットホルダーおよびターゲットからなる。
ーゲットホルダーおよびターゲットからなる。
外部力)ら真空を破壊することなく、ターゲットホルダ
ーを回転させることによりターゲットは変えることがで
きる。
ーを回転させることによりターゲットは変えることがで
きる。
ターゲットは金属または半導体力)らなり、次イオンの
ターゲットの衝撃により発生しγこ二次イオンを、二次
イオン収束部4で効率よく二次イオン検出部5に導く。
ターゲットの衝撃により発生しγこ二次イオンを、二次
イオン収束部4で効率よく二次イオン検出部5に導く。
二次イオン検出部5では二次イオンを電流量として検出
する。
する。
このように、一次イオンによってターゲットをスパッタ
リングするγこめ、常に新γこなターゲット面が現われ
、活性ガスによりターゲット表面が変化しても、本発明
では正確な活性ガスの真空度測定を行うことができる。
リングするγこめ、常に新γこなターゲット面が現われ
、活性ガスによりターゲット表面が変化しても、本発明
では正確な活性ガスの真空度測定を行うことができる。
二次イオン収束部4および二次イオン検出部5とターゲ
ット部3、また、一次イオン発生部1および一次イオン
収束部2とターゲット部3の間にスリットを設けて差動
排気する。
ット部3、また、一次イオン発生部1および一次イオン
収束部2とターゲット部3の間にスリットを設けて差動
排気する。
本発明の装置の実施例を第2図に示す。
図において、7は一次イオン発生部となるPIGイオン
源で、一次イオン種としてArを使用する。
源で、一次イオン種としてArを使用する。
加速電モは500V〜12KVである。
8はアインツエルレンズ、9は静電四極レンズで、これ
らによって一次イオンの電流密度を変形させる一次イオ
ン収束部を構威している。
らによって一次イオンの電流密度を変形させる一次イオ
ン収束部を構威している。
電流値は10−9〜10−6Aであり、一次イオンの電
流密度は10−5AX一〜10−7人/dまで変えるこ
とができる。
流密度は10−5AX一〜10−7人/dまで変えるこ
とができる。
電流密度は切換ダイヤルにより1桁ずつ変えられるよう
にしてある。
にしてある。
10は排気系、11はターゲットで、ターゲットにはA
A’,Fe.Ni,Siが使用され、回転できるターゲ
ットホルダー12に取付けられている。
A’,Fe.Ni,Siが使用され、回転できるターゲ
ットホルダー12に取付けられている。
13はターゲット変換ダイヤル、14は一次イオンの衝
撃で発生した二次イオンを引き出す二次イオン引き出し
電極で、二次イオン収束部を構成する。
撃で発生した二次イオンを引き出す二次イオン引き出し
電極で、二次イオン収束部を構成する。
15は二次イオンを検出するファラデー箱である。
排気は、第1図に示すようにスリットを設けて差動排気
し、一次イオン発生部、一次イオン収束部、二次イオン
検出部をデイフユージョンポンプもしくはロータリポン
プにより排気される。
し、一次イオン発生部、一次イオン収束部、二次イオン
検出部をデイフユージョンポンプもしくはロータリポン
プにより排気される。
本発明の装置において、第3図に示すように活性ガス雰
囲気中で発生する二次イオン強度は、活性ガスの真空度
により変化する。
囲気中で発生する二次イオン強度は、活性ガスの真空度
により変化する。
この図から明らかなように、真空度の増大につれて二次
イオンがほぼ直線的に変化する領域がある。
イオンがほぼ直線的に変化する領域がある。
この範囲は真空度で1桁程度である。
一次イオンの電流密度を変えることにより、図のように
直線部分が平行移動する。
直線部分が平行移動する。
したがって、一次イオンの電流密度を変えれば、広い範
囲にわたって活性ガスの真空度を求めることができる。
囲にわたって活性ガスの真空度を求めることができる。
このように、第1.2図の装置によれば、ある電流密変
のとき、二次イオンを測定して活性ガスの真空度を広範
囲にかつ容易に求めることができる。
のとき、二次イオンを測定して活性ガスの真空度を広範
囲にかつ容易に求めることができる。
すなわちあら力)しめ、電流密度を切りかえるようにし
ておけば、広い範囲にわたって真空度を容易に測定でき
る。
ておけば、広い範囲にわたって真空度を容易に測定でき
る。
また、ターゲットホルダーの回転によりターゲットを変
えることにより、測定するガスにより適当なターゲット
の材質を選ぶことができる。
えることにより、測定するガスにより適当なターゲット
の材質を選ぶことができる。
また一次イオンによるスパッタリングによりターゲット
が変形した場合も、新しい面を使用できるので、真空計
の寿命は長くなる。
が変形した場合も、新しい面を使用できるので、真空計
の寿命は長くなる。
ターゲット部を差動排気することにより測定する真空部
が10−3Torrの真空度のときでも、一次イオン発
生部、一次イオン収束部、二次イオン収束部、二次イオ
ン検出部が安定に動作する。
が10−3Torrの真空度のときでも、一次イオン発
生部、一次イオン収束部、二次イオン収束部、二次イオ
ン検出部が安定に動作する。
以上のように、本発明によれば、活性ガスの真空匪を広
範囲にかつ容易に測定することができ、活性ガスの真空
度の測定に大きく寄与するものである。
範囲にかつ容易に測定することができ、活性ガスの真空
度の測定に大きく寄与するものである。
第1図は本発明の一実施例にか力)る活性ガスの真空度
測定装置のブロック図、第2図は同装置の構或説明図、
第3図は電流密度をパラメータとする酸素ガスモカに対
する二次イオン強度の関係を示す図である。 2・・・・・・一次イオン収束部、3・・・・・・ター
ゲット部、5・・・・・・二次イオン検出部、11・・
・・・・ターゲット。
測定装置のブロック図、第2図は同装置の構或説明図、
第3図は電流密度をパラメータとする酸素ガスモカに対
する二次イオン強度の関係を示す図である。 2・・・・・・一次イオン収束部、3・・・・・・ター
ゲット部、5・・・・・・二次イオン検出部、11・・
・・・・ターゲット。
Claims (1)
- 1 不活性ガスを一次イオン種とし一次イオンの電流密
度を変化できる電流密度可変のイオン源と、金属または
半導体からなるターゲットを有し、被検出成分である活
性ガスが存在するターゲット部と、前記ターゲットに一
次イオンを衝撃したとき発生する二次イオンをレンズ系
で検出部に導く手段とを有し、前記検出部で前記二次イ
オンを測定することにより前記活性ガスの真空度を測定
することを特徴とする活性ガスの真空度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50100782A JPS5836738B2 (ja) | 1975-08-19 | 1975-08-19 | カツセイガスブンアツソクテイソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50100782A JPS5836738B2 (ja) | 1975-08-19 | 1975-08-19 | カツセイガスブンアツソクテイソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5223979A JPS5223979A (en) | 1977-02-23 |
| JPS5836738B2 true JPS5836738B2 (ja) | 1983-08-11 |
Family
ID=14283022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50100782A Expired JPS5836738B2 (ja) | 1975-08-19 | 1975-08-19 | カツセイガスブンアツソクテイソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5836738B2 (ja) |
-
1975
- 1975-08-19 JP JP50100782A patent/JPS5836738B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5223979A (en) | 1977-02-23 |
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