JPS5837619A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS5837619A JPS5837619A JP57114672A JP11467282A JPS5837619A JP S5837619 A JPS5837619 A JP S5837619A JP 57114672 A JP57114672 A JP 57114672A JP 11467282 A JP11467282 A JP 11467282A JP S5837619 A JPS5837619 A JP S5837619A
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- Japan
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- display
- layer
- crystal display
- display element
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/44—Arrangements combining different electro-active layers, e.g. electrochromic, liquid crystal or electroluminescent layers
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示素子に関し、詳しくは偏光板の上に
直接電極を形成した電極板を備えた液晶表示素子に関す
る。
直接電極を形成した電極板を備えた液晶表示素子に関す
る。
従来の液晶表示素子は、一対のガラス電極板によって形
成した空隙に液晶を配置した構造の液晶セルが用いられ
、1枚又は1対の偏te板が上述の液晶セルの外側に配
置されている。しかし、この様な液晶表示素子を例えば
カメラのファインダー内情報表示やパワーメーター表示
に利用するために各種機器類に取り付ける際、液晶表示
素子中の偏光板をガラス電極板の外側に接着剤を介して
貼り付けておくことが必要となり、このためこの液晶表
示素子を製造する時の歩溜りを悪くしていもさらに反射
型液晶表示素子では1対の偏光板の間に1対のガラス電
極板を備えていて、そのため2枚の偏光板との間の間隔
が大きく、その分だけ表示素子の厚みが肉厚となり、し
かも二重像を発生することになっている。
成した空隙に液晶を配置した構造の液晶セルが用いられ
、1枚又は1対の偏te板が上述の液晶セルの外側に配
置されている。しかし、この様な液晶表示素子を例えば
カメラのファインダー内情報表示やパワーメーター表示
に利用するために各種機器類に取り付ける際、液晶表示
素子中の偏光板をガラス電極板の外側に接着剤を介して
貼り付けておくことが必要となり、このためこの液晶表
示素子を製造する時の歩溜りを悪くしていもさらに反射
型液晶表示素子では1対の偏光板の間に1対のガラス電
極板を備えていて、そのため2枚の偏光板との間の間隔
が大きく、その分だけ表示素子の厚みが肉厚となり、し
かも二重像を発生することになっている。
本発明の目的は、製造時の歩溜りを向上させた液晶表示
素子を提供することにある。
素子を提供することにある。
本発明の別の目的は、薄くしかも二重像の発生が“/I
「い液晶表示素子を提供することにある。
「い液晶表示素子を提供することにある。
本発明のかかる目的は、偏光板の上に電極を有する電極
板および該電極と対向する電極を有する電極板の間に液
晶ケ挾持した液晶表示素子によって達成される。
板および該電極と対向する電極を有する電極板の間に液
晶ケ挾持した液晶表示素子によって達成される。
本発明による表示素子の機能を有効に用い得るのは各種
測定器の指示目盛9表示板2表示素子である。特にカメ
ラ等に示されるようなファインダー内の情報表示の様に
透光性を有し、色表示が有効な場合には有用である。
測定器の指示目盛9表示板2表示素子である。特にカメ
ラ等に示されるようなファインダー内の情報表示の様に
透光性を有し、色表示が有効な場合には有用である。
また本発明において用いられる液晶表示セルは種々の液
晶表示セルの中でも以下に示す様な機能を有し、動作を
示すものと組み合わせることにより特に線状位置表示と
その記憶が可能なため、測定器類の表示素子とすること
により複合液晶表示素子として有用である。
晶表示セルの中でも以下に示す様な機能を有し、動作を
示すものと組み合わせることにより特に線状位置表示と
その記憶が可能なため、測定器類の表示素子とすること
により複合液晶表示素子として有用である。
本発明における液晶セルの表示方法は、少なくとも一方
が透明である2枚の相対向する基板の一方の基板面に設
けられる第1の抵抗層と、他方の基板の前記抵抗層との
間に液晶が挾持されており、前記層の中、少なくとも透
明基板面に設けられた層が透明である液晶セルの前記第
1の抵抗層の面方向に電位分布を与え、前記導電層面又
は前記第2の抵抗層面の少なくとも一点の電位を前記電
位分布内の電位とすることにより、前記第1の抵抗層と
前記導電層又は前記第2の抵抗層との間に電位差分布を
与えて該電位差分布内の前記液晶の電気光学的閾値を越
えない電位差領域で表示を行う・α 。
が透明である2枚の相対向する基板の一方の基板面に設
けられる第1の抵抗層と、他方の基板の前記抵抗層との
間に液晶が挾持されており、前記層の中、少なくとも透
明基板面に設けられた層が透明である液晶セルの前記第
1の抵抗層の面方向に電位分布を与え、前記導電層面又
は前記第2の抵抗層面の少なくとも一点の電位を前記電
位分布内の電位とすることにより、前記第1の抵抗層と
前記導電層又は前記第2の抵抗層との間に電位差分布を
与えて該電位差分布内の前記液晶の電気光学的閾値を越
えない電位差領域で表示を行う・α 。
ことができる。
この様な液晶表示方法によれば、所望とする商いコント
ラストが容易に得られ、ネガ−ポジ例等の表示も任意に
選択し得る、色表示が本質的に可能である、表示領域の
境界ケ明瞭なコントラストによって識別させろことがで
きる。二つ以上の制御電圧によってアナログ演算機能を
含んだ表示を行うことができる。液晶の閾値温度依存性
を実用」−無視しイ1する。本質的に電界動作であるの
で電流1til+作に対し液晶セルの寿命及び電極構造
上等に多大の利点を有する液晶セルの基本的構成におい
ては電極を基板面にηうに面状に形成するため製造が極
めて容易でル)る(上下の電極の位置合わせ、イ1)1
分化した?I’C極’x形成するためのマスク等を必要
とじ7仁い)等従来の液晶表示方法に比べ数々の利点を
有し、又格段の効果を示すものである。
ラストが容易に得られ、ネガ−ポジ例等の表示も任意に
選択し得る、色表示が本質的に可能である、表示領域の
境界ケ明瞭なコントラストによって識別させろことがで
きる。二つ以上の制御電圧によってアナログ演算機能を
含んだ表示を行うことができる。液晶の閾値温度依存性
を実用」−無視しイ1する。本質的に電界動作であるの
で電流1til+作に対し液晶セルの寿命及び電極構造
上等に多大の利点を有する液晶セルの基本的構成におい
ては電極を基板面にηうに面状に形成するため製造が極
めて容易でル)る(上下の電極の位置合わせ、イ1)1
分化した?I’C極’x形成するためのマスク等を必要
とじ7仁い)等従来の液晶表示方法に比べ数々の利点を
有し、又格段の効果を示すものである。
一方、本発明は記憶性物質の積層形成による表示記憶方
法を併用できる。
法を併用できる。
記憶性物質と1−てば光透過性及び可逆性を有するもの
としてカルコゲナイドガラス、フォトクロミー、エレク
トロクロミーがある。
としてカルコゲナイドガラス、フォトクロミー、エレク
トロクロミーがある。
しかしながら、カルコゲナイドガラスは良好な光透過性
を示すが、記憶パターンコントラストが小さく、低電圧
での効果的動作が出来姉、い等の欠点があり、フォトク
ロミーもまた良好な光透過性を有スるが、記憶パターン
コントラスト及び寿命に問題があり、また最大の欠点と
しては応答特性が良くないことである。
を示すが、記憶パターンコントラストが小さく、低電圧
での効果的動作が出来姉、い等の欠点があり、フォトク
ロミーもまた良好な光透過性を有スるが、記憶パターン
コントラスト及び寿命に問題があり、また最大の欠点と
しては応答特性が良くないことである。
以上の各欠点を改善する特性を示すものがエレクトロク
ロミーである。高光透過性、パターン篩コントラスト、
多色表示、長寿命、高応答性、低↑IL流動作等の数多
くの特長を有している。
ロミーである。高光透過性、パターン篩コントラスト、
多色表示、長寿命、高応答性、低↑IL流動作等の数多
くの特長を有している。
本発明に用いられるエレクトロクロミー発色層は通電に
より発色又は変色し、通電を断つ又もその状態が長時間
保持され、その通電の極性と逆極性(コ の通電によって可逆的に消色或い特元色に復帰する性質
を有するものである。特に本発明に用いられるエレクト
ロクロミー発色物質は遷移金属化合物及び遷移金属化合
物と金属とからなるうえ、合金、その他5n02− F
eCl2. Ti02−MoCe2 等の4元合金に電
子供与性又は受容性を示す有機化合物。
より発色又は変色し、通電を断つ又もその状態が長時間
保持され、その通電の極性と逆極性(コ の通電によって可逆的に消色或い特元色に復帰する性質
を有するものである。特に本発明に用いられるエレクト
ロクロミー発色物質は遷移金属化合物及び遷移金属化合
物と金属とからなるうえ、合金、その他5n02− F
eCl2. Ti02−MoCe2 等の4元合金に電
子供与性又は受容性を示す有機化合物。
電解質物質を混合したものである。具体例としてはCd
O、Ag2O,111VO2、H2MOO4、Na2M
oO4,Sn02−Mo等である。
O、Ag2O,111VO2、H2MOO4、Na2M
oO4,Sn02−Mo等である。
更にまた液晶層を透過してきた光をエレクトロクロミ一
層に記憶させるためには光に対応して発色が行われなけ
ればならないから、光に対応して抵抗変化を行わせる光
導電物質を用い、然も透明性の良い光導電物質を用いれ
ば、有効にエレクトロクロミーを発色させ、なおかつ観
察することが出来るようになる。
層に記憶させるためには光に対応して発色が行われなけ
ればならないから、光に対応して抵抗変化を行わせる光
導電物質を用い、然も透明性の良い光導電物質を用いれ
ば、有効にエレクトロクロミーを発色させ、なおかつ観
察することが出来るようになる。
以下実施例に基づき、基本的動作方法とともに、図面を
用いて詳細に説明する。
用いて詳細に説明する。
第1図、第2国は本発明の液晶表示素子に用いる液晶セ
ルの電気光学的特性の一例を説明するための図である。
ルの電気光学的特性の一例を説明するための図である。
ml、2図において横軸は電圧、縦軸は透過光量を示す
。第1図は電界効果ネジレ配向液晶(以下TN効果と略
す)を用いた特性で、第2図は電界効果垂直配向液晶(
以下府効果と略す)の特性である。TN効果の特性は白
色光、DAP効果によるものはλ1.λ2.λ3 の三
つの波長による単色光で測定したものである。各々電気
光学的変調の生じはじめる電圧を閾値電圧とし、vth
で示しである。TN効果はVtbが1〜3Volt 程
度と低(1)AP効果では6〜6■olt 程度で共に
DAM効果の8〜15Voltに比較して充分に低い閾
値1[I、圧を有している。
。第1図は電界効果ネジレ配向液晶(以下TN効果と略
す)を用いた特性で、第2図は電界効果垂直配向液晶(
以下府効果と略す)の特性である。TN効果の特性は白
色光、DAP効果によるものはλ1.λ2.λ3 の三
つの波長による単色光で測定したものである。各々電気
光学的変調の生じはじめる電圧を閾値電圧とし、vth
で示しである。TN効果はVtbが1〜3Volt 程
度と低(1)AP効果では6〜6■olt 程度で共に
DAM効果の8〜15Voltに比較して充分に低い閾
値1[I、圧を有している。
この他、低調値特性を示す電界効果には、TN。
DAP効果を変形したものがあり、これ等は液晶の配向
に対する変形や、偏光板等を用いた表示検出方法の変形
において成されたものである。又、二色性色素を液晶層
中に添加し、偏光板を用いずに配向変化による色変化を
直接識別できる方法もある。
に対する変形や、偏光板等を用いた表示検出方法の変形
において成されたものである。又、二色性色素を液晶層
中に添加し、偏光板を用いずに配向変化による色変化を
直接識別できる方法もある。
本発明の液晶表示素子には、これ等閾値特性を有する液
晶表示セルの全てが適用され得るものであるが、現在知
られている液晶表示セルでは最も低い閾値な有するTN
効果の液晶表示セルが殊に有効である。
晶表示セルの全てが適用され得るものであるが、現在知
られている液晶表示セルでは最も低い閾値な有するTN
効果の液晶表示セルが殊に有効である。
第6図(a)は第4図A )3間の電圧が均一な抵抗層
3′によって生ずる電位分布を直線’ABによって示し
たものである。
3′によって生ずる電位分布を直線’ABによって示し
たものである。
一方、第4図の5“が抵抗層6/に比べて十分低い抵抗
を有する低抵抗層又は導電層から成る場合には附与した
電圧はlの位置によって電圧の変化がないからCcの水
平な直線で示される。液晶セル1内に生ずる電圧分布は
直線ABと直線CC/間で表わされ、第6図においては
数本の矢印を以って示しであるものであるが実際におい
ては電圧分布は連続的なものである。
を有する低抵抗層又は導電層から成る場合には附与した
電圧はlの位置によって電圧の変化がないからCcの水
平な直線で示される。液晶セル1内に生ずる電圧分布は
直線ABと直線CC/間で表わされ、第6図においては
数本の矢印を以って示しであるものであるが実際におい
ては電圧分布は連続的なものである。
本発明に採用される液晶の電気光学的特性には極性(±
)(方向性)がなく、従ってその閾値はCO2を中心に
±vthの11」、即ち2 vthの帯状領域を考え電
位差を示す矢印が該領域に入る領域である111′1内
では電気光学的変調を生じない。
)(方向性)がなく、従ってその閾値はCO2を中心に
±vthの11」、即ち2 vthの帯状領域を考え電
位差を示す矢印が該領域に入る領域である111′1内
では電気光学的変調を生じない。
第6図(b)は、この様な場合の表示状態を示したもの
で四角に囲った全表示領域に対し、111′1に相当す
る非変調領域(1)が表示部を示すものである。
で四角に囲った全表示領域に対し、111′1に相当す
る非変調領域(1)が表示部を示すものである。
この様に本発明では液晶の閾値な越えない領域(I)に
対し閾値を越える領域(Illを充分大きくすることで
見掛」二点状や線状の表示を与えることができるもので
ある。
対し閾値を越える領域(Illを充分大きくすることで
見掛」二点状や線状の表示を与えることができるもので
ある。
即ち本発明に係わる表示方法によると、AB間の電位勾
配変化(直1lABの勾配で示される)やCの電位レベ
ル変化(直線CC/の上下移動で示される)によって全
表示領域内で任意の位置に任意の線巾で無段階的に表示
できる。即ち、完全なアナログ表示ができるものである
。
配変化(直1lABの勾配で示される)やCの電位レベ
ル変化(直線CC/の上下移動で示される)によって全
表示領域内で任意の位置に任意の線巾で無段階的に表示
できる。即ち、完全なアナログ表示ができるものである
。
次に本発明の液晶表示素子の材料、製法、構成に就いて
説明し、更には又、基本構成の液晶表示セルを用いた動
作例や表示方法の変形例をも説明する。
説明し、更には又、基本構成の液晶表示セルを用いた動
作例や表示方法の変形例をも説明する。
先ず第5図を以って説明すればガラス基板1」二に透明
電極2を例えば酸化錫蒸着膜により形成すへ然る後、エ
レクトロクロミー記憶層3、例えば三酸化タングステン
を基本としたエレクトロクロミー発色層の上に光導電物
質層4、例えばポリビニルカルバゾールCdS等の比較
的透明な光導電物質層を積層した稜、透明型@I2′を
設ける。更に偏光板(絶縁板)5上に透明電極7′を形
成し、スペーサ6を設ける。然る後、基板1′上に偏光
板5′を設け、透明電極2“を積層した積層部を、液晶
層部7の注入とともに重ね合わせ液晶を封じ込むことに
よって積層タイプのFE−TNタイプセルを構成した。
電極2を例えば酸化錫蒸着膜により形成すへ然る後、エ
レクトロクロミー記憶層3、例えば三酸化タングステン
を基本としたエレクトロクロミー発色層の上に光導電物
質層4、例えばポリビニルカルバゾールCdS等の比較
的透明な光導電物質層を積層した稜、透明型@I2′を
設ける。更に偏光板(絶縁板)5上に透明電極7′を形
成し、スペーサ6を設ける。然る後、基板1′上に偏光
板5′を設け、透明電極2“を積層した積層部を、液晶
層部7の注入とともに重ね合わせ液晶を封じ込むことに
よって積層タイプのFE−TNタイプセルを構成した。
先ず矢印に示す様な外部光が積層セルに入射されるが予
め記憶しておきたい位置にFE−TNN壬子?11(の
電圧変化を与え、任意位置に暗部を形成する(第61=
L<+ >。次いで該暗部に応じて光導電物質層4の光
」J(抗を低下させ低抵抗部4′を形成する(第7図)
。該光導電物質層とエレクトロクロミー発色層とにはi
i’ E −’II’ N素子部駆動回路とは異なるり
、C0電場を与え、外部光量に応じた光導電層の低抵抗
値化により光電流を対向電極2に流し、工I/りトロク
ロミー発色層の発色を行わしめる。
め記憶しておきたい位置にFE−TNN壬子?11(の
電圧変化を与え、任意位置に暗部を形成する(第61=
L<+ >。次いで該暗部に応じて光導電物質層4の光
」J(抗を低下させ低抵抗部4′を形成する(第7図)
。該光導電物質層とエレクトロクロミー発色層とにはi
i’ E −’II’ N素子部駆動回路とは異なるり
、C0電場を与え、外部光量に応じた光導電層の低抵抗
値化により光電流を対向電極2に流し、工I/りトロク
ロミー発色層の発色を行わしめる。
勿論、この場合、表示に不要の光によるエレクトロクロ
ミ一層の発色(被り)を避ける構造とし、発色後は前記
層の印加電圧を除去する。
ミ一層の発色(被り)を避ける構造とし、発色後は前記
層の印加電圧を除去する。
第8図において発色部6及び未発色部3が示され着色コ
ントラストハターンを形成する。
ントラストハターンを形成する。
第6図〜第8図は作用説明の為の模式図であるから詳細
は省いた。発色後は、FE−TN素子部の暗部は印加電
圧の変化により位置を変更してもエレクトロクロミー発
色層には暗部に対してエレクトロクロミーの発色部、未
発色部が形成される。
は省いた。発色後は、FE−TN素子部の暗部は印加電
圧の変化により位置を変更してもエレクトロクロミー発
色層には暗部に対してエレクトロクロミーの発色部、未
発色部が形成される。
従って液晶表示部の指示した液晶暗部表示部10が記憶
されることになる。
されることになる。
然るに、第9図に示す様に液晶暗部表示部10を矢標方
向に移動させて形成する遂次の情報と光記憶性物質発色
部6′を対比して観察すること及び表示することが可能
である。
向に移動させて形成する遂次の情報と光記憶性物質発色
部6′を対比して観察すること及び表示することが可能
である。
本発明の特色はエレクトロクロミー発色層の発色によっ
て種々の色表示が可能圧なることである。
て種々の色表示が可能圧なることである。
例えばエレクトロクロミー物質の選択によって紺色、青
色、緑色、橙色の表示が可能である。
色、緑色、橙色の表示が可能である。
また、本発明に用いられる液晶の特長が色表示も可能で
あることにあるから、従って2色以上の多色色表示が可
能である。
あることにあるから、従って2色以上の多色色表示が可
能である。
また、エレクトロクロミー発色層の記憶部は電圧無印加
で維持されるものであるが、該層の逆転電場を第10図
に示す様な回路により附与することによって直ちに消去
することができる。
で維持されるものであるが、該層の逆転電場を第10図
に示す様な回路により附与することによって直ちに消去
することができる。
更にまた、エレクトロクロミー発色層部分を第11図に
示す様に液晶表示部の一部に形成するならば部分メモリ
ー、部分メモリー発色表示が可能になる。
示す様に液晶表示部の一部に形成するならば部分メモリ
ー、部分メモリー発色表示が可能になる。
本発明表示素子の応用例としては、各種計測器メータ部
のデータメモリー表示、カメラのファインダー内情報表
示、前後の出力を比較するパワーメータ等に有効に用い
られる。第12図〜第16図に具体的変化形態例を示し
た。第12図は計測器、第16図はカメラへの応用例で
ある。
のデータメモリー表示、カメラのファインダー内情報表
示、前後の出力を比較するパワーメータ等に有効に用い
られる。第12図〜第16図に具体的変化形態例を示し
た。第12図は計測器、第16図はカメラへの応用例で
ある。
従来の各種表示に比し色表示でコントラスト大に表示で
きろために指示の読み取り誤差を少なくし、観察者ある
いは使用者の疲労を著しく軽減させうる。本実施例にお
いてはエレクトロクロミー物質について説明したが他の
記憶性、発色性物質を用いた場合も全く同様である。
きろために指示の読み取り誤差を少なくし、観察者ある
いは使用者の疲労を著しく軽減させうる。本実施例にお
いてはエレクトロクロミー物質について説明したが他の
記憶性、発色性物質を用いた場合も全く同様である。
本発明によれば、従来の液晶表示素子を製造する際の偏
光板を貼り付ける工程を省略できるので、液晶表示素子
の製造時の歩溜りを向上させることができ、しかも表示
素子の厚みを薄くし、二重像の発生を防止できる利点を
有している。
光板を貼り付ける工程を省略できるので、液晶表示素子
の製造時の歩溜りを向上させることができ、しかも表示
素子の厚みを薄くし、二重像の発生を防止できる利点を
有している。
第1図〜第4図は、本発明に用いられる液晶セルの表示
方法に関する基本構成及びuJ作説明図、第5図〜第8
図が本発明による表示素子の基本構成図、断面図及び動
作説明模式図である。 第9図〜第13図は本発明表示素子の表示形態及び実施
例を示す模式的説明図である。 1・・・基板 2 、2’、 2“、2″・・・透明t
i極3・・・光記憶性物質層 6′・・・光記憶性物質
発色部 4・・・光導電物質層 4′・・・低抵抗光導
電物質層 5 、5’−−一偏元4反 6@・Φスペー
サ7・・・液晶層 8・・・電源 9・拳―可変抵抗器
10・・・液晶暗部表示部 出願人 キャノン株式会社 ア //’1 105−
方法に関する基本構成及びuJ作説明図、第5図〜第8
図が本発明による表示素子の基本構成図、断面図及び動
作説明模式図である。 第9図〜第13図は本発明表示素子の表示形態及び実施
例を示す模式的説明図である。 1・・・基板 2 、2’、 2“、2″・・・透明t
i極3・・・光記憶性物質層 6′・・・光記憶性物質
発色部 4・・・光導電物質層 4′・・・低抵抗光導
電物質層 5 、5’−−一偏元4反 6@・Φスペー
サ7・・・液晶層 8・・・電源 9・拳―可変抵抗器
10・・・液晶暗部表示部 出願人 キャノン株式会社 ア //’1 105−
Claims (1)
- 偏光板の上に電極を有するrJL極板極板上6該MT、
極と対向する電極を有する電極板の間に液晶を挾持した
ことを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57114672A JPS5837619A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57114672A JPS5837619A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 液晶表示素子 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50096900A Division JPS5220848A (en) | 1975-08-09 | 1975-08-09 | Multi-liquid crystal display element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837619A true JPS5837619A (ja) | 1983-03-04 |
Family
ID=14643711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57114672A Pending JPS5837619A (ja) | 1982-07-01 | 1982-07-01 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837619A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5926307A (en) * | 1996-12-19 | 1999-07-20 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical deflection device |
-
1982
- 1982-07-01 JP JP57114672A patent/JPS5837619A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5926307A (en) * | 1996-12-19 | 1999-07-20 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical deflection device |
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