JPS5837692B2 - ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ - Google Patents
ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5837692B2 JPS5837692B2 JP6929375A JP6929375A JPS5837692B2 JP S5837692 B2 JPS5837692 B2 JP S5837692B2 JP 6929375 A JP6929375 A JP 6929375A JP 6929375 A JP6929375 A JP 6929375A JP S5837692 B2 JPS5837692 B2 JP S5837692B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- thin plate
- semiconductor device
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はミニモッドと称される半導体装置の製造方法に
関するものである。
関するものである。
従来のこの種の半導体装置の製造方法は、第１図釦よび
第２図に示すように、まず銅の如き箔状金属を積層した
ポリイミド等よりなるフィルム（薄板）１にエッチング
を施してパターン状のリード部２を備えたフレームを形
成する。
第２図に示すように、まず銅の如き箔状金属を積層した
ポリイミド等よりなるフィルム（薄板）１にエッチング
を施してパターン状のリード部２を備えたフレームを形
成する。
次にフイルム１の孔部３に延出されたリード部２に半導
体素子４をマウントし、この半導体素子マウント部をプ
ラスチック製枠体５及びしき板６で囲い、エポキシ樹脂
７等を注入してキャスティング成形するものである。
体素子４をマウントし、この半導体素子マウント部をプ
ラスチック製枠体５及びしき板６で囲い、エポキシ樹脂
７等を注入してキャスティング成形するものである。
しかしながら上記製造方法によれば、しき板６及び枠体
５を治具に正確に設置するのに多大の時間を要する。
５を治具に正確に設置するのに多大の時間を要する。
捷た多量生産を行なう場合にはフィルム１の各半導体素
子マウント部にそれぞれ枠体５及びしき板６を設置する
が、その際に多大の時間を要するし、これら各枠体５内
に順次樹脂の注入を行なうのでは、これ捷た多犬の時間
を要する。
子マウント部にそれぞれ枠体５及びしき板６を設置する
が、その際に多大の時間を要するし、これら各枠体５内
に順次樹脂の注入を行なうのでは、これ捷た多犬の時間
を要する。
１た枠体５及びしき板６が素子マウント部に正確に固定
されない場合には、フレームと枠体１たはしき板との間
に隙間が生じ、ここから樹脂が流れ出て樹脂ばりと称す
る不要の樹脂突出物が形成されるし、樹脂７０表面に凹
み８が生じたりして使用上問題となる。
されない場合には、フレームと枠体１たはしき板との間
に隙間が生じ、ここから樹脂が流れ出て樹脂ばりと称す
る不要の樹脂突出物が形成されるし、樹脂７０表面に凹
み８が生じたりして使用上問題となる。
本発明は上記従来方法の種々の欠点を改善するためにな
されたもので、作業性が良好でかつ使用上問題が生じる
ことのない半導体装置の製造方法を提供しようとするも
のである。
されたもので、作業性が良好でかつ使用上問題が生じる
ことのない半導体装置の製造方法を提供しようとするも
のである。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第３図にあ・いて１１は樹脂成形を行なう半導体装置、
１２，１３ぱ樹脂成形を行なうための一対の金型を示す
。
１２，１３ぱ樹脂成形を行なうための一対の金型を示す
。
半導体装置１１は、第１図及び第２図に示したものと同
じものであり、可撓性のある絶縁性フイルム１４にパタ
ーン状の金属箔リード部１５が積層形成され、このリー
ド部１５の一部は薄板１４に設けられた孔部１６に延出
されていてこの延出されたリード部１５に半導体素子１
７が金ボール１８を介してマウントされてなるものであ
る。
じものであり、可撓性のある絶縁性フイルム１４にパタ
ーン状の金属箔リード部１５が積層形成され、このリー
ド部１５の一部は薄板１４に設けられた孔部１６に延出
されていてこの延出されたリード部１５に半導体素子１
７が金ボール１８を介してマウントされてなるものであ
る。
金型１２，１３は半導体装置１１の素子マウント部に樹
脂を注入して戒形を行なうためのもので、例えば金型１
３には、リード部１５が形成されていない部分の薄板面
と対向した部分に、金型１２，１３の室１９と連通する
樹脂注入溝２０を設けたものである。
脂を注入して戒形を行なうためのもので、例えば金型１
３には、リード部１５が形成されていない部分の薄板面
と対向した部分に、金型１２，１３の室１９と連通する
樹脂注入溝２０を設けたものである。
この溝２０は図示されていないが外部からの樹脂注入路
に連通している。
に連通している。
しかして第３図に示す如く、フイルム１４０両面を金型
１２，１３で挾んで半導体素子マウント部を室１９内に
収容し、樹脂注入溝２０からエポキシ等よりなる樹脂２
１を注入し素子マウント部を樹脂で低圧成形するもので
ある。
１２，１３で挾んで半導体素子マウント部を室１９内に
収容し、樹脂注入溝２０からエポキシ等よりなる樹脂２
１を注入し素子マウント部を樹脂で低圧成形するもので
ある。
そして樹脂戒形完了後は、全体を金型１２，１３から取
はずし、注入溝２００部分で形戒された樹脂もとりはず
す。
はずし、注入溝２００部分で形戒された樹脂もとりはず
す。
この場合、戒形用エポキシ樹脂２１には離型剤が含有さ
れているため、ポリイミドフイルム１４とは接着せず、
容易に取はずすことができる。
れているため、ポリイミドフイルム１４とは接着せず、
容易に取はずすことができる。
１た本発明ではリードが形或されている面とは反対側の
絶縁性薄板面と対向した金型の面に設けられた樹脂注入
溝から金型内に樹脂を注入している。
絶縁性薄板面と対向した金型の面に設けられた樹脂注入
溝から金型内に樹脂を注入している。
つ寸り樹脂注入溝２０は、リード１５が設けられている
絶縁性薄板１５上ではなく、薄板１５下に設けられる。
絶縁性薄板１５上ではなく、薄板１５下に設けられる。
このため、薄板１５の下面はり一ド１５と薄板との間の
接着剤が配置されない側の面だから、注入溝２０の部分
で形威された樹脂を除去しやすいという利点がある。
接着剤が配置されない側の面だから、注入溝２０の部分
で形威された樹脂を除去しやすいという利点がある。
１た上記のように本発明では注入溝２０ぱ薄板下に設け
られるから、薄板１５上でリード１５がどのように複雑
に（例えば放射状に）配置されていてもリードが樹脂注
人の邪魔にならず、従って樹脂注入が容易化されるとい
う利点がある。
られるから、薄板１５上でリード１５がどのように複雑
に（例えば放射状に）配置されていてもリードが樹脂注
人の邪魔にならず、従って樹脂注入が容易化されるとい
う利点がある。
以上では半導体装置が１個の場合につき説明したが、通
常は多量生産を行なう。
常は多量生産を行なう。
この場合は、当然のことながら金型１２，１３に室１９
と同様のものを多数設け、１たこれら各室に附随して溝
２０と同様の樹脂注入溝を設けることにより、第４図に
示す如・く多数の半導体製品を一度に得るものである。
と同様のものを多数設け、１たこれら各室に附随して溝
２０と同様の樹脂注入溝を設けることにより、第４図に
示す如・く多数の半導体製品を一度に得るものである。
以上説明した如く本発明によれば、半導体素子マウント
部をそなえた絶縁性薄板を金型に配置して成形用樹脂を
注入するだけでよいから、作業性が良く、多量生産に適
し、また金型で絶縁性薄板を押え込むから、不要な樹脂
ばりを生じるお・それがなく、１た金型内に充分樹脂を
注入できるから、第２図の如き凹み８を生じることのな
い半導体装置の製造方法が提供できるものである。
部をそなえた絶縁性薄板を金型に配置して成形用樹脂を
注入するだけでよいから、作業性が良く、多量生産に適
し、また金型で絶縁性薄板を押え込むから、不要な樹脂
ばりを生じるお・それがなく、１た金型内に充分樹脂を
注入できるから、第２図の如き凹み８を生じることのな
い半導体装置の製造方法が提供できるものである。
第１図、第２図は従来の半導体装置の製造方法を説明す
るための斜視図、断面図、第３図は本発明の一実施例を
説明するための断面図、第４図はこれにより得られた半
導体装置の斜視図である。 １２．１３・・・金型、１４・・・フイルム、１５・・
・り・・・ド部、１６・・・孔部、１７・・・半導体素
子、２０・・・樹脂注入溝、２１・・・戒形樹脂。
るための斜視図、断面図、第３図は本発明の一実施例を
説明するための断面図、第４図はこれにより得られた半
導体装置の斜視図である。 １２．１３・・・金型、１４・・・フイルム、１５・・
・り・・・ド部、１６・・・孔部、１７・・・半導体素
子、２０・・・樹脂注入溝、２１・・・戒形樹脂。
Claims (1)
- １ 可撓性のある絶縁性薄板に７９−ン状の金属箔リー
ドが積層形威され、このリードの一部は前記薄板に設け
られた孔部に延出されていてこの孔部に延出されたリー
ドには半導体素子がマウントされてなる半導体装置の前
記半導体素子を樹脂で覆うために、前記薄板の両面を金
型で挾んで該金型内に前記半導体素子のマウント部を収
容し、前記リードが形或されている面とは反対側の薄板
面と対向した金型の面に設けられた樹脂注入溝から金型
内に樹脂を注入して前記素子マウント部を樹脂で低圧成
形することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6929375A JPS5837692B2 (ja) | 1975-06-09 | 1975-06-09 | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6929375A JPS5837692B2 (ja) | 1975-06-09 | 1975-06-09 | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51144579A JPS51144579A (en) | 1976-12-11 |
| JPS5837692B2 true JPS5837692B2 (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=13398376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6929375A Expired JPS5837692B2 (ja) | 1975-06-09 | 1975-06-09 | ハンドウタイソウチノ セイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837692B2 (ja) |
-
1975
- 1975-06-09 JP JP6929375A patent/JPS5837692B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51144579A (en) | 1976-12-11 |
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