JPS5838752B2 - マイクロハソウジユシンソウチ - Google Patents
マイクロハソウジユシンソウチInfo
- Publication number
- JPS5838752B2 JPS5838752B2 JP49047638A JP4763874A JPS5838752B2 JP S5838752 B2 JPS5838752 B2 JP S5838752B2 JP 49047638 A JP49047638 A JP 49047638A JP 4763874 A JP4763874 A JP 4763874A JP S5838752 B2 JPS5838752 B2 JP S5838752B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- center
- long side
- mixer
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導波管型マイクロ波送受信装置に関する。
近年マイクロ波ドツプラ・レーダとして第１図及び第２
図に示す構造の装置が開発されている。
図に示す構造の装置が開発されている。
この装置は矩形導波管１１の短絡板１２から距離（ｔｌ
）が１／２λｇ（λｇは管内波長）で長辺中央に発振素
子即ちガン・ダイオード１３をとりつけ、さらにこれか
ら（ｔ２）が約１／４λｇの位置で長辺中央から端方向
にはなれた位置に受信素子即ちミキサ・ダイオード１４
をとりつけ、入出力用開口部１５を形成しである。
）が１／２λｇ（λｇは管内波長）で長辺中央に発振素
子即ちガン・ダイオード１３をとりつけ、さらにこれか
ら（ｔ２）が約１／４λｇの位置で長辺中央から端方向
にはなれた位置に受信素子即ちミキサ・ダイオード１４
をとりつけ、入出力用開口部１５を形成しである。
ところでこの装置では構造が簡単で小形化しうるという
長所がある反面、発振器と外部との結合が強いため外部
要因によって発振周波数が変動しやすく外部Ｑが低いた
め、温度や負荷変動によって周波数変動が大きく影響さ
れてしまうという欠点がある。
長所がある反面、発振器と外部との結合が強いため外部
要因によって発振周波数が変動しやすく外部Ｑが低いた
め、温度や負荷変動によって周波数変動が大きく影響さ
れてしまうという欠点がある。
またミキサ・ダイオードを破損防止のため管内の最大電
界強度の位置即ち長辺中央から端方向にずらせてとりつ
けであるため、外部からの反射入力信号に対して受信感
度が低くなってしまう。
界強度の位置即ち長辺中央から端方向にずらせてとりつ
けであるため、外部からの反射入力信号に対して受信感
度が低くなってしまう。
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたもので、動
作の高安定度及び高感度を確保し且つ小形化しうるマイ
クロ波送受信装置を提供するものである。
作の高安定度及び高感度を確保し且つ小形化しうるマイ
クロ波送受信装置を提供するものである。
以下図面を参照してその実施例を説明する。
第３図及び第４図に示す実施例の装置は、矩形導波管２
１の一端が短絡板２２で閉塞され、他端が入出力用開口
部２３とされ取付用フランジ２４が設けられている。
１の一端が短絡板２２で閉塞され、他端が入出力用開口
部２３とされ取付用フランジ２４が設けられている。
そこで短絡板２２から開口部２３側に距離（ｔ３）が１
／２λｇ（λｇは管内波長）よりや５短かい位置に発振
素子例えばガン・ダイオード２６が管長辺中央にマウン
トポスト２７．２８によって取付けられている。
／２λｇ（λｇは管内波長）よりや５短かい位置に発振
素子例えばガン・ダイオード２６が管長辺中央にマウン
トポスト２７．２８によって取付けられている。
またこのガン・ダイオード２６からさらに距離（ｔ４）
が約１／４λｇの位置に、受信素子例えばミキサ・ダイ
オード２９が管長辺中央にマウント・ポスト３０．３１
によって取付けられている。
が約１／４λｇの位置に、受信素子例えばミキサ・ダイ
オード２９が管長辺中央にマウント・ポスト３０．３１
によって取付けられている。
そしてガン・ダイオード２６とミキサ・ダイオード２９
との中間位置に、挿入長が調整できる調整ビス３２を長
辺中央から端方向に（Ｓｌ）だけはなしてとりつけてあ
り、さらに短絡板２２とガン・ダイオード２６との中間
に周波数調整用のビス３３を長辺中央にとりつけである
。
との中間位置に、挿入長が調整できる調整ビス３２を長
辺中央から端方向に（Ｓｌ）だけはなしてとりつけてあ
り、さらに短絡板２２とガン・ダイオード２６との中間
に周波数調整用のビス３３を長辺中央にとりつけである
。
このような構造の送受信装置は、短絡板とガンダイオー
ドとの間の導波管共振回路で定まる周波数で発振され、
一部はミキサ・ダイオードに励振電力として入り、残り
は開口部から外部に輻射される。
ドとの間の導波管共振回路で定まる周波数で発振され、
一部はミキサ・ダイオードに励振電力として入り、残り
は開口部から外部に輻射される。
外部の被検出部体によって反射された信号はミキサ・ダ
イオードに入り、ホモダイン検波され、ドツプラ信号が
得られる。
イオードに入り、ホモダイン検波され、ドツプラ信号が
得られる。
さて、ミキサ・ダイオードとガン・ダイオードとの中間
にあたる調整ビスは、ガン・ダイオードから過大な励振
電力がミキサ・ダイオードに入らないように調整するも
のであり、またこれによってミキサ・ダイオードを導波
長辺中央に位置させることができ、入力信号を最大感度
でミキサ・ダイオードに加えることができる。
にあたる調整ビスは、ガン・ダイオードから過大な励振
電力がミキサ・ダイオードに入らないように調整するも
のであり、またこれによってミキサ・ダイオードを導波
長辺中央に位置させることができ、入力信号を最大感度
でミキサ・ダイオードに加えることができる。
同時に長辺中央に位置したミキサ・ダイオードや調整用
のビスは発振回路に対する外部からの影響を弱めるため
、発振回路の外部Ｑを高める効果を奏する。
のビスは発振回路に対する外部からの影響を弱めるため
、発振回路の外部Ｑを高める効果を奏する。
即ち短絡板とガン・ダイオードとの間で構成される導波
管共振回路は、ミキサ・ダイオード及びそのマウントポ
ストのインダクタンスや調整ビスのサセプタンスを介し
て外部負荷と結合されるので、ミキサダイオードが側方
に偏移して位置する場合に比して外部要因による影響も
少なくなり、外部Ｑが高くなる。
管共振回路は、ミキサ・ダイオード及びそのマウントポ
ストのインダクタンスや調整ビスのサセプタンスを介し
て外部負荷と結合されるので、ミキサダイオードが側方
に偏移して位置する場合に比して外部要因による影響も
少なくなり、外部Ｑが高くなる。
これによって装置の周囲温度や、負荷の変動に対しても
発振器の周波数変動は縮少される。
発振器の周波数変動は縮少される。
同時に外部Ｑが高くなることによって入力信号レベルの
変動に対しても、ミキサ・ダイオードによって得られる
ドツプラ信号波形は歪が少ないサイン（ｓｌｎ）波形が
得られるという効果もある。
変動に対しても、ミキサ・ダイオードによって得られる
ドツプラ信号波形は歪が少ないサイン（ｓｌｎ）波形が
得られるという効果もある。
第５図はこの装置でガン・ダイオードとミキサ・ダイオ
ードとの間の調整ビスの挿入長（挿入寸法りと短辺長さ
ｂとの比）を変化させた場合の受信感度（Ｓ）、ミキサ
・ダイオードのセルフバイアス電圧Ｍ、出力電力（Ｐｏ
）の変化を示したもので、感度（Ｓ）及び出力電力（Ｐ
ｏ）はあまり変化せずにセルフ・バイアス電圧ＭがＡ点
において低下する特性となっている。
ードとの間の調整ビスの挿入長（挿入寸法りと短辺長さ
ｂとの比）を変化させた場合の受信感度（Ｓ）、ミキサ
・ダイオードのセルフバイアス電圧Ｍ、出力電力（Ｐｏ
）の変化を示したもので、感度（Ｓ）及び出力電力（Ｐ
ｏ）はあまり変化せずにセルフ・バイアス電圧ＭがＡ点
において低下する特性となっている。
したがって、感度等の特性を調整するためにその分だけ
セルフ・バイアス電圧の調整範囲を拡大できる利点もあ
る。
セルフ・バイアス電圧の調整範囲を拡大できる利点もあ
る。
第１図は従来構造を示す縦断面図、第２図は第１図の２
−２における横断面図、第３図は本発明の一実施例を示
す縦断面図、第４図は第３図の４４における横断面図、
第５図は第３図及び第４図のものの特性図である。 ２１・・・・・・導波管、２２・・・・・・短絡板、２
６・・・・・・ガン・ダイオード、２９・・・・・・ミ
キサ・ダイオード、３２・・・・・・ビス。
−２における横断面図、第３図は本発明の一実施例を示
す縦断面図、第４図は第３図の４４における横断面図、
第５図は第３図及び第４図のものの特性図である。 ２１・・・・・・導波管、２２・・・・・・短絡板、２
６・・・・・・ガン・ダイオード、２９・・・・・・ミ
キサ・ダイオード、３２・・・・・・ビス。
Claims (1)
- １ 矩形導波管短絡面から開口部側へ約１／２λｇ（λ
ｇは管内波長）はなれた位置で導波管長辺中央部に発振
素子を取りつけ、該発振素子からさらに開口部側へ約１
／４λｇはなれた位置に受信素子を取りつけ、上記発振
素子と受信素子との間に長辺中央から端方向にずらした
位置に調整ビスを挿入してなる導波管型マイクロ波送受
信装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49047638A JPS5838752B2 (ja) | 1974-04-30 | 1974-04-30 | マイクロハソウジユシンソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49047638A JPS5838752B2 (ja) | 1974-04-30 | 1974-04-30 | マイクロハソウジユシンソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50140289A JPS50140289A (ja) | 1975-11-10 |
| JPS5838752B2 true JPS5838752B2 (ja) | 1983-08-25 |
Family
ID=12780769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49047638A Expired JPS5838752B2 (ja) | 1974-04-30 | 1974-04-30 | マイクロハソウジユシンソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838752B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593386U (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-10 | 新日本無線株式会社 | ドプラレ−ダ用送受信回路モジユ−ル |
-
1974
- 1974-04-30 JP JP49047638A patent/JPS5838752B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50140289A (ja) | 1975-11-10 |
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