JPS5839059A - トランジスタの電極導出方法 - Google Patents
トランジスタの電極導出方法Info
- Publication number
- JPS5839059A JPS5839059A JP56136772A JP13677281A JPS5839059A JP S5839059 A JPS5839059 A JP S5839059A JP 56136772 A JP56136772 A JP 56136772A JP 13677281 A JP13677281 A JP 13677281A JP S5839059 A JPS5839059 A JP S5839059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- transistor
- electrode
- layer
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はトランジスタの電極導出方法にかかり、特に
モニタトランジスタの電極導出方法に関する。
モニタトランジスタの電極導出方法に関する。
トランジスタ、ＩＣのトランジスタ部等の量産工程て、
例えばトランジスタの電気的特性の１つのｈ□（電流増
＠軍）をモニタトランジスタで測定しながらこの値を所
望の範囲内に収めるものがある。上記モニタトランジス
タによって例えば熱拡散工程中に測定するには、モニタ
トランジスタの電極に測定装置の測定針を接触させて測
定を施すが、最近ＸＣ等の高密度化、高周波用トランジ
スタの特性向上郷をはかるため、−１図、第２図に示す
ようにトランジスタの領域、特にエミッタ領域（至）は
コレクタ領域初の中にある狭小なベース領域（幻のさら
に中に形成されるので、その露出面に設けられる電極は
１〜５μ幅の細条になる。この方法は測定針を接触させ
て測定を行なうために所要の最小寸法のｌ０ＪＩＸＩＯ
Ｊを割るもので、測定が不能である。そこで、モニタト
ランジスタのみ大ｍｔｃ形成して測定を可能にすること
も考えられるが、エミッタ拡散の時間によってｈａｌｌ
値の変化が緩漫になる傾向があるのでモニタトランジス
タの意義が薄れてしまう欠点がある。
例えばトランジスタの電気的特性の１つのｈ□（電流増
＠軍）をモニタトランジスタで測定しながらこの値を所
望の範囲内に収めるものがある。上記モニタトランジス
タによって例えば熱拡散工程中に測定するには、モニタ
トランジスタの電極に測定装置の測定針を接触させて測
定を施すが、最近ＸＣ等の高密度化、高周波用トランジ
スタの特性向上郷をはかるため、−１図、第２図に示す
ようにトランジスタの領域、特にエミッタ領域（至）は
コレクタ領域初の中にある狭小なベース領域（幻のさら
に中に形成されるので、その露出面に設けられる電極は
１〜５μ幅の細条になる。この方法は測定針を接触させ
て測定を行なうために所要の最小寸法のｌ０ＪＩＸＩＯ
Ｊを割るもので、測定が不能である。そこで、モニタト
ランジスタのみ大ｍｔｃ形成して測定を可能にすること
も考えられるが、エミッタ拡散の時間によってｈａｌｌ
値の変化が緩漫になる傾向があるのでモニタトランジス
タの意義が薄れてしまう欠点がある。
この発明は上記従来の欠点を改良するもので、モニタト
ランジスタの電極層を電気結縁層上に延在させて一定用
の接触針で接触できる広さのノクツド部を形成すること
を特徴とする電極導出方法を提供する。
ランジスタの電極層を電気結縁層上に延在させて一定用
の接触針で接触できる広さのノクツド部を形成すること
を特徴とする電極導出方法を提供する。
以下にこの発明を１実施例につき図面を参照して詳細に
説明する。第３図および第４図に示すトランジスタはエ
ミッタ領域（１１）、ベース領域（２烏）、コレクタ領
域（３ｍ）がいずれも主面に短ａｍで３声幅のエミッタ
領域露出部（１ｂ）、ベース領域露出部（２ｂ）、コレ
クタ領域露出部（３ｂ）を有し、これらの夫々が主面を
被覆する酸化シリコン層（４）（電気絶縁層）の開孔で
ドープドポリシリコン層にオーミックに接続するととも
に酸化シリコン層上に延在して接触針を接触させるため
のパッド部のエミッタパラ）’（ｌｃ）、ベースノット
（２ｃ ） 、コレクタ／ぞラド（３ｃ）が設けられｔ
いる。上記各・ぞラドはいずれも接触針を接触させてた
とえばｈＰ］ｌを測定できる広さの１０μ×１０ｓ以上
に形成する。また、上記／ぞラド部を備える電極層の形
成には各領域に対しその基板主面の露出部でオーミック
接続し基板土間上の酸化シリコン層上に全頁にドープド
ポリシリコン層を被着し、ついでレジスト層を被着し・
ぞターニングしたのち、このレジストノ々ターン層をマ
スクにしてプラズマエツチングを施して達成される。
説明する。第３図および第４図に示すトランジスタはエ
ミッタ領域（１１）、ベース領域（２烏）、コレクタ領
域（３ｍ）がいずれも主面に短ａｍで３声幅のエミッタ
領域露出部（１ｂ）、ベース領域露出部（２ｂ）、コレ
クタ領域露出部（３ｂ）を有し、これらの夫々が主面を
被覆する酸化シリコン層（４）（電気絶縁層）の開孔で
ドープドポリシリコン層にオーミックに接続するととも
に酸化シリコン層上に延在して接触針を接触させるため
のパッド部のエミッタパラ）’（ｌｃ）、ベースノット
（２ｃ ） 、コレクタ／ぞラド（３ｃ）が設けられｔ
いる。上記各・ぞラドはいずれも接触針を接触させてた
とえばｈＰ］ｌを測定できる広さの１０μ×１０ｓ以上
に形成する。また、上記／ぞラド部を備える電極層の形
成には各領域に対しその基板主面の露出部でオーミック
接続し基板土間上の酸化シリコン層上に全頁にドープド
ポリシリコン層を被着し、ついでレジスト層を被着し・
ぞターニングしたのち、このレジストノ々ターン層をマ
スクにしてプラズマエツチングを施して達成される。
′ 次に、別の１実施例を第５図に示す。これはコレク
タ領域が一般に基板面へ広い露出面（３１）’）を有す
るので、露出面から離してパッド部を設けることをせず
、その露出面の周囲へ拡散してパッド部（３ｃ’）に形
成している。
タ領域が一般に基板面へ広い露出面（３１）’）を有す
るので、露出面から離してパッド部を設けることをせず
、その露出面の周囲へ拡散してパッド部（３ｃ’）に形
成している。
この発明によれば、モニタトランジスタによって製造工
程がコントロールする製造方法に、）う／ジスタの領域
の基板主面への露出部がきわめて狭い高密度のものでも
、電極の導出が容易にできる。また、接触針を接触（圧
接）させることにより半導体素子のジャンクション部が
加圧されないので、ジャンクションに歪を生ぜずｈ□の
変化がないなどの利点もある。
程がコントロールする製造方法に、）う／ジスタの領域
の基板主面への露出部がきわめて狭い高密度のものでも
、電極の導出が容易にできる。また、接触針を接触（圧
接）させることにより半導体素子のジャンクション部が
加圧されないので、ジャンクションに歪を生ぜずｈ□の
変化がないなどの利点もある。
ナ右、本発明において、ベース電極もエミッタ電極と同
じドープ剤によるドープドポリシリコン層で形成される
ので、ベース領域とＮＰジャンクションが形成されるが
、耐圧が約５ｖであり、トランジスタの場合１１つまり
電流変化もあるので第６図に示される回路で測定される
のでｈ□の測定には問題がない。
じドープ剤によるドープドポリシリコン層で形成される
ので、ベース領域とＮＰジャンクションが形成されるが
、耐圧が約５ｖであり、トランジスタの場合１１つまり
電流変化もあるので第６図に示される回路で測定される
のでｈ□の測定には問題がない。
第１図および第２図はトランジスタの領域を示す第１図
は断面斜視図、第２図は上面図、第３図および第４図は
１実施例のトランジスタを示す第３図は断面図、第４因
は導出電極の上藺図、第５図は別の１実施例のトランジ
スタの導出電極を示す上面図、第６図は測定回路図であ
る。 １■ 玉ミーツタ領域 １ｂ エミッタ領域露出部 １＠ エミッタパッド ２ａ ベース領域 ２ｂ ベース領域露出部・ ２ｃ ベースノぞラド ３ｓ コレクタ領域 ｓｂ、ｓｂ コレクタ領域露出部３ｃ、３ｃ
コレクタパッド ４ 酸化シリコン膜 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図
は断面斜視図、第２図は上面図、第３図および第４図は
１実施例のトランジスタを示す第３図は断面図、第４因
は導出電極の上藺図、第５図は別の１実施例のトランジ
スタの導出電極を示す上面図、第６図は測定回路図であ
る。 １■ 玉ミーツタ領域 １ｂ エミッタ領域露出部 １＠ エミッタパッド ２ａ ベース領域 ２ｂ ベース領域露出部・ ２ｃ ベースノぞラド ３ｓ コレクタ領域 ｓｂ、ｓｂ コレクタ領域露出部３ｃ、３ｃ
コレクタパッド ４ 酸化シリコン膜 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図
Claims (1)
- トランジスタのｈ□をモニタトランジスタによってコン
トロールして製造するためのモニタトランジスタの電極
を導出するにあたり、モニタトランジスタの電極層を電
気絶縁層上に延在させて測定用の接触針で接触できる広
さのパッド部を形成することを特徴とするモニタトラン
ジスタの電極導出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136772A JPS5839059A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | トランジスタの電極導出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56136772A JPS5839059A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | トランジスタの電極導出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839059A true JPS5839059A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15183147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56136772A Pending JPS5839059A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | トランジスタの電極導出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5839059A (ja) |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP56136772A patent/JPS5839059A/ja active Pending
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