JPS5839228A - 人工衛星におけるニツケル・カドミウムバツテリの充電制御方式 - Google Patents
人工衛星におけるニツケル・カドミウムバツテリの充電制御方式Info
- Publication number
- JPS5839228A JPS5839228A JP13814181A JP13814181A JPS5839228A JP S5839228 A JPS5839228 A JP S5839228A JP 13814181 A JP13814181 A JP 13814181A JP 13814181 A JP13814181 A JP 13814181A JP S5839228 A JPS5839228 A JP S5839228A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charging
- battery
- nickel
- satellite
- artificial
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は９人工衛星の二次電源であるニッケル・カド
ミウムバッテリの充電制御方式に関（１） するものである。低高度衛星に於いて、上記バッテリを
充電する場合衛星の軌道周期が短かく。
ミウムバッテリの充電制御方式に関（１） するものである。低高度衛星に於いて、上記バッテリを
充電する場合衛星の軌道周期が短かく。
またバッテリの放電深度（ＤＯＤ）も比較的深いことか
ら急速充電に近い効率の良い自動充電法が要求される。
ら急速充電に近い効率の良い自動充電法が要求される。
従来のこの種制御方式として第１図に示すものがあった
。
。
第１図において、（１）は太陽電池（非シャント部）、
（２＋は太陽電池（シャント部）、（３ｉｉシヤントセ
ツ）、＋４１は電力制御器でこのような場合は充電制御
装置（５）からの充電完了信号によりフル充電状態（太
陽電池の剰余電力を全て充電している状態）からト１１
クル充電状態（微少電流による充電）へ充電制御する。
（２＋は太陽電池（シャント部）、（３ｉｉシヤントセ
ツ）、＋４１は電力制御器でこのような場合は充電制御
装置（５）からの充電完了信号によりフル充電状態（太
陽電池の剰余電力を全て充電している状態）からト１１
クル充電状態（微少電流による充電）へ充電制御する。
（６）はニッケル・カドミウムバッテリ、（７）は衛星
の機器である。
の機器である。
次に動作について説明する０太陽電池ｉｌｌ 、 （２
＋によって発生された電力は、衛星の機器（７）へ供給
される。太陽電池の剰余電力は電力制御器（４）を介し
てパスラインからバッテリ（６）へフル充電される。バ
ッテリの充電完了は、充電制御回路（２） （ωによシバツテリ（６）の温度及び電圧を検出し。
＋によって発生された電力は、衛星の機器（７）へ供給
される。太陽電池の剰余電力は電力制御器（４）を介し
てパスラインからバッテリ（６）へフル充電される。バ
ッテリの充電完了は、充電制御回路（２） （ωによシバツテリ（６）の温度及び電圧を検出し。
第２図に示す温度補償されたバッテリ電圧に到達したと
き充電完了と判断し、充電々流をフル充電からトリクル
充電へ制御する。充電完了後の太陽電池の剰余電力はシ
ャントセット（３）により消費する。
き充電完了と判断し、充電々流をフル充電からトリクル
充電へ制御する。充電完了後の太陽電池の剰余電力はシ
ャントセット（３）により消費する。
以上の動作は通常自動（オートモード）で行なわれるが
、地上からのコマンドによ多動作させることもできる。
、地上からのコマンドによ多動作させることもできる。
才だ、第２図の充電完了設定カーブは１通常自動の場合
１本であるが、バッテリの劣化を考慮して数本設は劣化
の程度に応じ地上からのコマンドによう適宜切換える方
式も行左われている。
１本であるが、バッテリの劣化を考慮して数本設は劣化
の程度に応じ地上からのコマンドによう適宜切換える方
式も行左われている。
ところで従来の低高度衛星におけるバッテリ充電方式は
以上のように構成されているので一軌道で充電々流が変
動する場合、第２図の１本の充電制御カーブでは最適な
充電量を得ることができ女い。すなわち、第３図に示す
ニッケル・カドミウムバッテリの充電特性において、Ａ
２（充電々漆工２）のＡ点に充電完了点を設定して（３
） あったとすると、 Ｊｆｆｘ １ （充電々漆工１）の
充電特性における動作点けＢ点となってし才い△Ｑ１だ
け充電量が不足する。このときの動作点け０点まで電圧
を上げる必要がある０才な、屋３（充電々漆工Ｓ）の充
電特性においては、Ａ点の設定電圧まで電圧が土昇しな
いのでバッテリはフル充電のままで過充電になって１．
まり。一方、数本の上記充電完了設定カーブを充電々流
に応じ地上からのコマンドにより切換えるのは低高度衛
星の場合、可視時間の制約から運用土工可能であるとい
う欠点があった。
以上のように構成されているので一軌道で充電々流が変
動する場合、第２図の１本の充電制御カーブでは最適な
充電量を得ることができ女い。すなわち、第３図に示す
ニッケル・カドミウムバッテリの充電特性において、Ａ
２（充電々漆工２）のＡ点に充電完了点を設定して（３
） あったとすると、 Ｊｆｆｘ １ （充電々漆工１）の
充電特性における動作点けＢ点となってし才い△Ｑ１だ
け充電量が不足する。このときの動作点け０点まで電圧
を上げる必要がある０才な、屋３（充電々漆工Ｓ）の充
電特性においては、Ａ点の設定電圧まで電圧が土昇しな
いのでバッテリはフル充電のままで過充電になって１．
まり。一方、数本の上記充電完了設定カーブを充電々流
に応じ地上からのコマンドにより切換えるのは低高度衛
星の場合、可視時間の制約から運用土工可能であるとい
う欠点があった。
この発明はこ九らの欠点を解消するためになされたもの
で、充電々流補償回路を設けることによシ、充電々流に
応じた最適の充電完了設定カーブを自動的に選択し得る
ようにしたもので。
で、充電々流補償回路を設けることによシ、充電々流に
応じた最適の充電完了設定カーブを自動的に選択し得る
ようにしたもので。
以下第４図の実施例によって詳述する。
第４図において、 （１１、（２＋は太陽電池、（３１
はシャントセット＃＋４１は電力制御器、（５）は充電
制御器、（６）けバッチｌ、＋７１は衛星の機器、（８
）は補償回路であって、バッテリ（６）への次電々流値
を検（４） 出し、論理回路によシミ流しベルの判定を行う機能を有
する。
はシャントセット＃＋４１は電力制御器、（５）は充電
制御器、（６）けバッチｌ、＋７１は衛星の機器、（８
）は補償回路であって、バッテリ（６）への次電々流値
を検（４） 出し、論理回路によシミ流しベルの判定を行う機能を有
する。
次に動作について説明する０太陽電池１１ 、１２１に
よって発生された電力は衛星の機器（７）へ供給される
。太陽電池の剰余電力は、電力制御器（４）を介してパ
スラインからバッテリ（６）ヘフル充電される。このと
き、充電々流補償回路（８）により充電々流値を検出し
、論理回路によシミ流しベルの判定を行う。このレベル
信号により充電制御回路（５）内に設けた第５図に示す
１〜Ｎ本の充電完了設定カーブのうちレベル信号に対応
した設定カーブを選択する。この選択された設定カーブ
にバッテリ電圧が到達したとき充電完了と判断し、電力
制御器（４）によシ充電々流をトリクル充電へ切換える
。充電完了後の太陽電池の剰余電力はシャントセット（
３）によ多消費する。
よって発生された電力は衛星の機器（７）へ供給される
。太陽電池の剰余電力は、電力制御器（４）を介してパ
スラインからバッテリ（６）ヘフル充電される。このと
き、充電々流補償回路（８）により充電々流値を検出し
、論理回路によシミ流しベルの判定を行う。このレベル
信号により充電制御回路（５）内に設けた第５図に示す
１〜Ｎ本の充電完了設定カーブのうちレベル信号に対応
した設定カーブを選択する。この選択された設定カーブ
にバッテリ電圧が到達したとき充電完了と判断し、電力
制御器（４）によシ充電々流をトリクル充電へ切換える
。充電完了後の太陽電池の剰余電力はシャントセット（
３）によ多消費する。
以上の動作は、充電々流補償回路（８）を設けたことに
より充電々流値に応じた最適の充電完了設定カーブが自
動的に選択されることから、充電量の過不足を生じない
最適の充電制御を行な（５） うことができる〇 力お１以上の実施例は低高度人工衛星のニッケル・カド
ミウムバッチ１１台の充電制御について述べたが、衛星
の発生電力が大容量化するに従い、同種バッテリが数台
並列して使用される場合にも適用できる。この場合、バ
ッチ１１間のアンバランス（温度環境の違いなどにより
生ずる）によシ充電々流は各バッテリに均一に配分され
ずアンバランスを生ずるケースが多い。
より充電々流値に応じた最適の充電完了設定カーブが自
動的に選択されることから、充電量の過不足を生じない
最適の充電制御を行な（５） うことができる〇 力お１以上の実施例は低高度人工衛星のニッケル・カド
ミウムバッチ１１台の充電制御について述べたが、衛星
の発生電力が大容量化するに従い、同種バッテリが数台
並列して使用される場合にも適用できる。この場合、バ
ッチ１１間のアンバランス（温度環境の違いなどにより
生ずる）によシ充電々流は各バッテリに均一に配分され
ずアンバランスを生ずるケースが多い。
このような場合、この発明による充電方式によれば各バ
ッテリ独自に充電量の過不足なく充電制御することがで
きる０ 以上のようにこの発明によれば充電々流の大小に応じた
充電完了設定カーブを自動的に選択することができるか
ら、自動で運用することが要求される低高度人工衛星の
ニッケル・カドミウムバッテリにとって最適の充電制御
ができる利点かある。
ッテリ独自に充電量の過不足なく充電制御することがで
きる０ 以上のようにこの発明によれば充電々流の大小に応じた
充電完了設定カーブを自動的に選択することができるか
ら、自動で運用することが要求される低高度人工衛星の
ニッケル・カドミウムバッテリにとって最適の充電制御
ができる利点かある。
第１図は従来人工衛星におけるニッケル・力（６）
ドミウムバツテリの充電方式の一実施例を示す図、第２
図は従来の充電完了設定カーブの一例を示す図、第３図
は充電々流の大小により充電量の適不足を示す模式図、
第４図はこの発明の一実施例を示す図、第５図はこの発
明による一実施例に対応するＮ本の充電完了設定カーブ
を示す模式図である。図中、（１）は太陽電池（非シャ
ント部）（２）は太陽電池（シャント部）、（３１けシ
ャントセラ）、＋４１は電力制御器、（５）は充電制御
回路、（６）けバッチ１１．（７）け衛星の機器、（８
）は充電々淀補償回路である。なお２図中、同一あるい
け相当部分には同一符号を付ｌ−て示しである０ 代理人 葛 野 信 − （７） １４３− 〉ε ヒペ１ト：〜噌−田５
図は従来の充電完了設定カーブの一例を示す図、第３図
は充電々流の大小により充電量の適不足を示す模式図、
第４図はこの発明の一実施例を示す図、第５図はこの発
明による一実施例に対応するＮ本の充電完了設定カーブ
を示す模式図である。図中、（１）は太陽電池（非シャ
ント部）（２）は太陽電池（シャント部）、（３１けシ
ャントセラ）、＋４１は電力制御器、（５）は充電制御
回路、（６）けバッチ１１．（７）け衛星の機器、（８
）は充電々淀補償回路である。なお２図中、同一あるい
け相当部分には同一符号を付ｌ−て示しである０ 代理人 葛 野 信 − （７） １４３− 〉ε ヒペ１ト：〜噌−田５
Claims (1)
- 人工衛星のメインバス・ラインを介して太陽電池で生じ
た電力が充電される二次電源としてのニッケル・カドミ
ウムバッテリの充電制御方式において、バッチ】）への
充電々流が衛星の姿勢角及び衛星負荷電力の変化等によ
り一軌道で変動する場合、この充電電流値を検出し、か
つそのレベルを判定する補償回路を設け、上記補償回路
でバッテリの温度２ｗ圧を検出して決定する充電完了レ
ベルの設定を制御しカからバッテリの充電制御を行うこ
とを特徴とする人工衛星におけるニッケル・カドミウム
バッチ１）の充電制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13814181A JPS5839228A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 人工衛星におけるニツケル・カドミウムバツテリの充電制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13814181A JPS5839228A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 人工衛星におけるニツケル・カドミウムバツテリの充電制御方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839228A true JPS5839228A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15214957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13814181A Pending JPS5839228A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 人工衛星におけるニツケル・カドミウムバツテリの充電制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5839228A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379751A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Nippon Tungsten Co Ltd | 超硬合金溶射皮膜の緻密化方法 |
-
1981
- 1981-09-02 JP JP13814181A patent/JPS5839228A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379751A (ja) * | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Nippon Tungsten Co Ltd | 超硬合金溶射皮膜の緻密化方法 |
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