JPS5840168B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPS5840168B2
JPS5840168B2 JP54026834A JP2683479A JPS5840168B2 JP S5840168 B2 JPS5840168 B2 JP S5840168B2 JP 54026834 A JP54026834 A JP 54026834A JP 2683479 A JP2683479 A JP 2683479A JP S5840168 B2 JPS5840168 B2 JP S5840168B2
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は米国特許４３８６２３６０、篤３８６３３３
２、並びにＡｌｉ：３８６１７８３に開示しであるよう
な種類の液晶表示装置に関する。
前記米国特許／１６３８６２３６０に開示された表示装
置は第７コラム、５ないし１０行目に記しであるように
、液晶物質と接触する反射電極が通常の蒸着もしくはス
パッタリングにより沈着されたアルミニウム、ニッケル
、クロミニラム、金もしくは銀により形成されている。
これは従来の通常の技術であり、広域中、即黒と白との
像を反射するのには充分であった。
しかし、時計の読取部やインストルパネルのような多用
途に適した表示パネルにとっては着色表示パターンを示
すことが望まれている。
開示されている誘電体反射方法の使用により、上述した
金属によるよりも高反射率の反射電極が得られるばかり
ではなく、銀、黄金、深紅色、青並びに緑のような所定
の色を呈することが可能である。
これらの色の選択は二酸化シリコン膜並びにシリコン層
の厚さを制御することにより決定される。
これを使った表示装置はテレビに使用されるだけではな
く、時計や棒グラフ表示にも使用される。
半導体層の光学的特性は他の種々の光学装置に利用され
ているが、波長を選択する反射電極としての価値につい
ては認識されていなかった。
米国特許／１６３７２６５８５では、例えば多重層構造
のものが開示されている。
これは入射臨界角近くで、多重層構造を透過する単色光
線の強度を変えるモデュレーターとして機能するように
配設されている。
多重層のうちの一層は光学共振器として働らき、他の層
の反射率は電圧の印加により変化される。
この従来技術は特定の反射鏡の使用よりも電気的に調整
可能なフィルターを示している。
勿論多重層に反射防止用コーテングをすることは公知で
あり、例えば米国特許涜３２３５３９７並びに４３３５
６５２２に開示されている。
米国特許／４６３６７９２９１により、中間の透過性を
呈し、非対称な反射を果す多重コーテングにより形成さ
れたフィルターが開示されている。
しかし、このフィルターは液晶表示パネルと全（異なっ
た方法で形成されかつ使用されている。
米国特許Ａ６３９１００３３には、二酸化シリコンやフ
ッ化マグネシウムのような物質、好ましくはフィルムの
前面と後面から反射された光相互が干渉し、干渉光を生
じるようにサファイヤで形成された透明フィルムで被覆
されたアナログ読出し時計用の時計ダイアルが開示され
ている。
しかし、液晶表示パネルの分野においては、このような
単一フィルムのコーテングは高反射率も色選択性も果す
ことが不可能である。
したがって、この発明の目的は反射鏡が誘電体の薄フィ
ルムを積層して形成された多重層構造で構成され、上記
従来技術の問題点を解決した液晶表示装置を提供するこ
とである。
次にこの発明に係る液晶表示装置を説明する。
第１図は、前述した米国特許／１６３８６２３６゜の第
２図と同様のパネルを示す。
この米国の発明で開示されている液晶表示装置は反射電
極３６のマトリックスアレイと、表示パネルの各セルの
ための個々のアドレス回路（電界効果トランジスター）
並びに電気的蓄積回路（キャパシター）とを有し、これ
らは各反射電極３６が対応するセル用のキャパシターの
プレート即ち一方のエレメントを形成するように半導体
バックプレート上に形成すしている。
各電界効果トランジスタはマトリックスアレイの対応し
たエレメントをアドレスするのに利用され、対応した蓄
積用キャパシターは液晶２８中に散乱中心が形成される
のに充分な時間の間、液晶セル中の液晶２８間に電圧の
印加を継続する。
この液晶セルは、透明電極層３２の液晶２８に近い側面
を有する上面の平坦なガラス表示パネル３０を備えてい
る。
前記バックプレートにより支持されたシリコン基板６６
は誘電体層６８並びに反射電極３６を支承している。
液晶と接触する反射電極３６はアルミニウム、ニッケル
、クロミウム、金もしくは銀を蒸着もしくはスパッタリ
ングすることにより従来技術と同様に形成され得る。
前記電極の下に形成されたキャパシターは誘電体層６８
によりシリコン基板６６上のｎ十形領域１５から分離さ
れている。
この誘電体層６８は二酸化シリコン（Ｓ ｉ０２ ）、
窒化シリコン（ＳｉＮ４）もしくはこれらの組合せによ
り好ましくは形成されている。
このような表示装置、即ちパネルの構成並びに動作モー
ドの詳細は米国特許に述べられている。
上記装置において、金属製の反射電極３６は第２図に示
すように沈着されたシリコン薄膜と二酸化シリコン層の
二重層により取換えられる。
第２図において、参照符号３ｏは上に透明電極３２を有
する上部がガラスの表示プレートを示し、符号２８は液
晶を、また符号６８は誘電体層を示す。
そして、反射電極３６は薄層（薄膜）３６ａ 、３６ｂ
、３６ｃ 、３６ａ 。
３６ｅの複合層に換えられている。
この構造において、薄層３６ａ 、３６ｃ 、３６ｅは
多結晶シリコンの薄い沈着膜により形成されており、こ
れらには導電性を持たせるためにボロンもしくは燐のよ
うなＰ形もしくはＮ形の不純物がドープされ、また既知
の方法でこれら沈着膜中に沈着された二酸化シリコンで
交互に形成された層３６ｂ。
３６ｄを貫通する中間メンバー３６ｆ 、３６ｇにより
接続されている。
もちろん、前記薄層３６ａが最初に沈着され、薄層３６
ｂが次に沈着される。
この後、薄層３６ｃが沈着される時には、薄層３６ｂを
貫通する孔を最初に形成するようにマスキングとエツチ
ング技術が使用され、かくして薄層３６ｃが沈着された
時に中間メンバー３６ｆが形成される。
そしてこのような工程は所定の厚さの構造になるまで繰
返される。
特長においてＤ−Ｃを示すトランジスタ・マトリックス
のために最後の薄層が多結晶シリコンで形成され、かつ
液晶がり、Ｃ，電流を通す限り、奇数の薄層が使用され
得る。
しかしＡ、Ｃ，モードで表示がおこなわれるのであれば
最後の薄層は５ｉ０２で良く、この薄膜はアラインメン
ト用として使用され得る。
前記反射鏡の反射率は薄層の夫々の屈折率（Ｎ）間のも
とで以下の式により表わさ灯る。
所定の波長、即ち色はシリコン薄層と二酸化シリコン薄
層との組合せ並びに厚さにより決定される。
反射光は以下の表Ａにもとすいて厚さを選択することに
より決定される。
反射率Ｒは次式で表わされる。Ｒ−〔（Ｎ２−Ｎ１）／
（Ｎ２＋Ｎ１）〕２ここでＮ１はシリコン薄層の屈折率
であり３．９〜５．４の値を有し、一方Ｎ２は二酸化シ
リコン薄層の屈折率である１、４５の値を有する。
この表示はサンドインチ構造の２つの薄層に対する反射
率を与える。
反射率の増加は付加のサンドインチ構造の反射層により
得られる。
所望の波長、即ち色は次表にもとすいてシリコン薄層と
二酸化シリコン薄層の組合せ並びに厚さにより決定され
る。
銀色を示す厚さのものは現在のクロムメッキに代って使
用可能であり、より反射率が増すのでより明るい像を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の液晶表示装置を示す断面図、そして第２
図はこの発明の液晶表示装置を説明するための図である
。 ２８・・・・・・液晶、３０・・・・・・ガラス表示パ
ネル、３２・・・・・・透明電極層、３６ａ、３６ｃ、
３６ｅ・・・・・・多結晶シリコンの薄層、３６ｂ 、
３６ｄ・・・・・・二酸化シリコンの薄層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 所定の電位レベルに印加されるための透明電極プレ
    ートと、この透明電極プレートと所定間隔を有して隣接
    して設けられた半導体バックプレートと、前記透明電極
    プレートと所定間隔を有して隣接して位置し、バックプ
    レート上に支承された反射電極手段と、前記透明電極プ
    レートと反射電極手段との間に位置する液晶の性質を規
    制する手段と、前記反射電極手段に制御信号とビデオ信
    号とを与える手段とを有し、制御信号とビデオ信号に応
    答して表示を与える液晶表示装置において、前記反射電
    極手段は交互に沈着されたシリコン層と二酸化シリコン
    層との積層構造を有し、シリコン層は導電性を呈するよ
    うに不純物を含んでいることを特徴とする液晶表示装置
    。 ２ 前記二酸化シリコン層は約１．４５の屈折率を有し
    、前記シリコン層は３．９〜５．４の屈折率を有するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲の第１項に記載の液晶表
    示装置。 ３ 前記二酸化シリコン層は７００人〜１２００人の厚
    さを有し、前記シリコン層は１５０Ａ〜３５０大の厚さ
    を有して銀色の光を反射電極手段により反射することを
    特徴とする特許請求の範囲の第２項に記載の液晶表示装
    置。 ４ 前記二酸化シリコン層は７００人〜１２００λの厚
    さを有し、前記シリコン層は３ｓｏＡ〜５００Ａの厚さ
    を有して黄色の光を反射電極手段により反射することを
    特徴とする特許請求の範囲の第２項に記載の液晶表示装
    置。 ５ 前記二酸化シリコン層は７ｏｏＡ〜１２００人の厚
    さを有し、前記シリコン層は４５０Ａ〜６５ｏＡの厚さ
    を有して赤色の光を反射電極手段により反射することを
    特徴とする特許請求の範囲の第２項に記載の液晶表示装
    置。 ６ 前記二酸化シリコン層は７ｏｏ人〜１２００人の厚
    さを有し、前記シリコン層は６００穴〜７５０人の厚さ
    を有して青色の光を反射電極手段により反射することを
    特徴とする特許請求の範囲の第２項に記載の液晶表示装
    置。 γ 前記二酸化シリコン層はｑｏｏＡ〜１２００人の厚
    さを有し、前記シリコン層は７００穴〜１２ｏｏＡの厚
    さを有して緑色の光を反射電極手段により反射すること
    を特徴とする特許請求の範囲の第２項に記載の液晶表示
    装置。
JP54026834A 1978-03-13 1979-03-09 液晶表示装置 Expired JPS5840168B2 (ja)

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JPS54126560A JPS54126560A (en) 1979-10-01
JPS5840168B2 true JPS5840168B2 (ja) 1983-09-03

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NL (1) NL189880C (ja)

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