JPS5841589B2 - 磁気バブル素子の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル素子の製造方法に関し、さらに詳し
くは動作が安定な磁気バブル素子構造の製造方法に関す
る。

よく知られているように磁気バブルは、１軸磁気異方性
を有する磁気板基に適度の大きさの垂直バイアス磁界を
印加することにより発生する。

この磁気バブルを用いて情報記憶、論理演算等を行なわ
せるためには、上記磁性基板内において磁気バブルを自
由に動かし得ることが必要である。

このため通常一般に行なわれている方法としては、磁性
基板上に特定された幾何学的形状を有する磁性体パター
ンを配置し、外部より磁性基板に平行な回転磁界を印加
することで磁気バブルの移動を行なう。

また磁性基板上には磁気バブルを発生するジェネレータ
、磁気バブルの伝播通路を規定するトランスファゲート
、磁気バブルを分割するスプリッタ、磁気バブルを検出
するディテクタ、磁気バブルを消失させるアナイアレー
タ等の各種機能パターンが配置され、これらの機能パタ
ーンは電流の供給をうけて磁気バブルに作用する。

このように磁気バブル素子は、結晶基板上に磁気バブル
に必要な動作を行なわせるための磁性体パターン、導体
パターンが配置されて構成される。

現在では導体パターンが磁性体パターン下にある所謂コ
ンダクタファーストと呼ばれる素子構成が磁界効率が良
いという理由でよく採用されている。

この場合磁性体パターンは導体パターン形成の後に形成
されるため、結晶基板面から遠い位置に配置される。

従って結晶基板内の磁気バブルに及ぼす磁性体パターン
からの発生磁界が有効に磁気バブルに作用しない。

第１図は従来の磁気バブル素子の製造プロセスを示す。

各図において、１は結晶基板、２，６は絶縁層としての
二酸化シリコン（以下Ｓｉｏ２と略す）５は同じく酸化
シリコン（以下Ｓｉｏと略す）３はアルミニウム等から
なる導体層、４，８はレジストパターン、Ｔはパーマロ
イ等で代表される磁性体層である。

以下に製造プロセスを順を追って説明する。

先ず同図ａに示すように、基板１上の全面にスパッタ法
で５ｉｏ２２を厚さ２０００（Ａ）程付着させる。

さらにその上に導体層３を蒸着等により全面に付着させ
る。

さらにその上に導体層３をパターニングするためのレジ
ストパターン４をフォトリングラフィ法により作成する
。

次に同図イに示すように導体層３をエツチング除去する
。

その後レジストパターン４を残したまま全面に５ｉｏ５
を蒸着する。

この状態を同図つに示す。然る後レジストパターン４を
除去するとともに、レジストパターン４上に付着する５
ｉｏ５を除去して同図工の如き構成とする。

次に同図オに示すように５ｉｏ５をスパッタ法、磁性体
層７を蒸着法で夫々全面に付着させるとともに磁性体層
７をパターニングするためのレジストパターン８をフォ
トリングラフィ法により作成する。

そして最後に磁性体層７をエツチング除去して所望の磁
性体パターンを得る。

しかしながら上述の工程を経て得られる磁気バブル素子
は、結晶基板１から最上層の磁性体パターン７までの距
離（図中りで示す距離）が約７，５００（Ａ）と長い。

この距離りは、磁気バブルの通常の伝播動作に対して支
障をきたさないが、例えば磁気バブルを引伸すストレッ
チャー等の他の機能部分に比して比較的大きな駆動力を
必要とする部分では、動作マージンが十分に確保出来な
い。

そこで第１図工の工程で磁性体パターンの配置される部
分の絶縁体層（Ｓｉｏ）に窓あけをして磁性体パターン
を結晶基板面により近接して配置することが考えられる
が、窓あけのためのマスクの位置合わせが非常に困難で
ある。

あるいは絶縁体層エツチングの際、選択エツチングが難
しい等新たに各種の欠点を拒来する。

本発明は上述の如き欠点を解消して動作マージンの広い
基板上に第１の薄膜を形成する第１工程と、該第１の薄
膜の第１のバブル駆動パターン領域と一部または全部の
第２のバブル駆動パターン領域に対応する部分を残して
他の該第１の薄膜を除去する第２の工程と、該基板が露
呈する部分に第１の絶縁層を埋込む第３工程と、該第２
のバブル駆動パターン領域に対応する部分における該第
１の薄膜を除去する第４工程と、該第４工程ののち全面
に第２の絶縁層および第２の薄膜を形成する第５工程と
、該第２の薄膜の一部を除去して該第４工程にて除去さ
れた第１の薄膜領域を含む部分に第２のバブル駆動パタ
ーンを形成する第６エ程とを含んでなる磁気バブル素子
の製造方法とすることにより達成することが出来る。

以下本発明を図面を用いて説明する。

第２図は本発明にか＼る磁気バブル素子の製造方法を説
明するための図で、以下順を追って説明する。

伺図中の番号は、第１図の番号を延用している。

先ず同図アに示すように、結晶基板１上に一様に８１０
２２をスパッタリングした後、アルミニューム等からな
る導体層３を蒸着等により全面に付着させる。

その後作成すべきパターンに応じたレジストパターン４
を形成する。

こ＼までは従来の第１図アに示す工程と同一であるが、
最終的に導体パターンとなる導体層領域以外の最終的に
磁性体パターンが配置される領域にも導体層３が残るよ
うなレジストパターンを形成する点で従来プロセスと異
なる。

すなわち導体パターン領域３Ａの他に絶縁層を薄くした
領域３Ｂの上にもレジストパターンを形成する。

然るのち、露出する導体層３を例えばアルミニュームの
場合、リン酸液に浸してエツチング除去する。

この状態を同図イに示す。

次に同図つに示すようにレジストを塗布したま＼の状態
で５ｉｏ５を蒸着する。

次に同図工に示す如く、レジストパターン４Ａ、４Ｂを
除去するとともに、レジストパターン４上に付着する５
ｉｏ５を除去してプレーナ化する。

次に同図オに示す如く再びレジストパターン８を形成す
る。

レジストパターン８は、絶縁層を薄くしたい領域に形成
された導体パターン３Ｂのみが露呈するように作成され
る。

そしてリン酸系のエツチング液に浸漬して導体パターン
３Ｂをエツチング除去しレジストパターン８を除去する
。

この状態を同図力に示す。

以下同図キないしケに示す。Ｓ ｊ Ｏ２スパツタ工程
、磁性層７蒸着工程、磁性体パターン作成のためのレジ
ストパターン８作成工程、磁性層エツチング工程、レジ
ストパターン８除去工程については、第１図で説明した
。

従来プロセスと同様なのでこＮでは省略する。

結局最終工程を経て作成された磁気バブル素子は第２図
ケに示す構造となる。

同図から明らかなように、磁性体パターンクと結晶基板
１との距離りは第１図力に示す構造に比較してＳｉｏの
膜厚３．０００（Ａ）分だけ短い。

距離りが短いことは、前述したように磁気バブル駆動力
が大きくとれるため比較的大きな駆動力を必要とする磁
気バブル引伸しのためのストレッチャー等の機能パター
ンに適用して特に有効である。

このように本発明の製造プロセスによれば、第２図工に
示すように絶縁層を薄くしたい領域がすでに最初の導体
パターン３Ａ作成のためのレジスドパターン塗布工程で
同時に同一のマスフパターンで導体パターン３Ｂとして
作成されている。

従って第２図才の段階で導体パターンを除去する際導体
パターン除去のためのレジストパターン８の位置合わせ
に然程精度は要求されない。

また従来プロセスの第１図工の工程の後に絶縁層に窓あ
けを行なう場合に比してエツチング領域が導体層と絶縁
層で正確に区分けされているため選択エッチが容易であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気バブル素子の製造プロセスを説明す
る図、第２図は本発明にかかる磁気バブル素子の製造プ
ロセスを説明する図である。 図中１は結晶基板、２，６はＳｉｏ２．３は導体層、４
，８はレジストパターン、５はＳｉｏ、７は磁性体パタ
ーンである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 基板上に第１の薄膜を形成する第１工程と、該第１
   の薄膜の第１のバブル駆動パターン領域と一部または全
   部の第２のバブル駆動パターン領域に対応する部分を残
   して他の該第１の薄膜を除去する第２の工程と、該基板
   が露呈する部分に第１の絶縁層を埋込む第３工程と、該
   第２のバブル駆動パターン領域に対応する部分における
   該第１の薄膜を除去する第４工程と、該第４工程ののち
   全面に第２の絶縁層および第２の薄膜を形成する第５工
   程と、該第２の薄膜の一部を除去して該第４工程にて除
   去された第１の薄膜領域を含む部分に第２のバブル駆動
   パターンを形成する第６エ程とを含んでなる磁気バブル
   素子の製造方法。