JPS5842863B2 - S,s′−ビスシクロテトラペプチド及びその製造方法 - Google Patents
S,s′−ビスシクロテトラペプチド及びその製造方法Info
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- JPS5842863B2 JPS5842863B2 JP55040957A JP4095780A JPS5842863B2 JP S5842863 B2 JPS5842863 B2 JP S5842863B2 JP 55040957 A JP55040957 A JP 55040957A JP 4095780 A JP4095780 A JP 4095780A JP S5842863 B2 JPS5842863 B2 JP S5842863B2
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Peptides Or Proteins (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン包接化剤として有用な新規なビスシク
ロテトラペプチド及びその製造方法に関するものである
。
ロテトラペプチド及びその製造方法に関するものである
。
金属イオンと複合体を形成するイオン包接化剤としての
特質を有するペプチドとして、すでに10個のアミノ酸
から戒るアンタマニドなどが知られているが、これらは
単環型の化合物である。
特質を有するペプチドとして、すでに10個のアミノ酸
から戒るアンタマニドなどが知られているが、これらは
単環型の化合物である。
これらの単環型のペプチドにおいて、金属イオン※※錯
体形成能は、ペプチドカルボニル基とイオンとの有効な
イオン−双極子相互作用に左右されるの゛で、有効な相
互作用が行われるためには、構成アミノ酸の数が10以
上のペプチドでなげればならない。
体形成能は、ペプチドカルボニル基とイオンとの有効な
イオン−双極子相互作用に左右されるの゛で、有効な相
互作用が行われるためには、構成アミノ酸の数が10以
上のペプチドでなげればならない。
本発明者は、構成アミノ酸の数が10未満で、従来のペ
プチド以上のイオン包接力を有する化合物を開発すべく
鋭意研究を重ねた結果、特定のビスシクロテトラペプチ
ドがすぐれたイオン包接力を有することを見いだし、こ
の知見に基づいて本発明をなすに至った。
プチド以上のイオン包接力を有する化合物を開発すべく
鋭意研究を重ねた結果、特定のビスシクロテトラペプチ
ドがすぐれたイオン包接力を有することを見いだし、こ
の知見に基づいて本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、一般式
(式中のRはメチル基である)
で表わされるs −s’−ビスシクロテトラペプチドを
提供するものである。
提供するものである。
*七 この一般式(I)で表
わされる化合物は、いずれも文献未載の新規な化合物で
あり、例えば一般式 (式中のRはメチル基、部ま活性エステル基、R“はス
ルフヒドリル保護基である) で表わされるテトラペプチドを環化したのちスルフヒド
リル保護基R//を脱離させ、次いでこれを三量化する
ことにより製造することができる。
わされる化合物は、いずれも文献未載の新規な化合物で
あり、例えば一般式 (式中のRはメチル基、部ま活性エステル基、R“はス
ルフヒドリル保護基である) で表わされるテトラペプチドを環化したのちスルフヒド
リル保護基R//を脱離させ、次いでこれを三量化する
ことにより製造することができる。
また、この際の原料化合物として用いられる前記一般式
(I[)のテトラペプチドは、例えば先ずアミノ基を保
護したサルコシンをL−プロリンアルキルエステルと反
応させてジペプチドとし、次いでアミノ保護基を脱離さ
せたのち、これにアミノ基及びスルフヒドリル基を保護
したL−システィンを反応させてトリペプチドとし、さ
らにアミノ保護基を脱離させたのち、これにアミン基を
保護したグリシンを反応させてテトラペプチドとし、次
にこのテトラペプチドのアルキルエステル部分を加水分
解後活性エステルに変換し、アミノ保護基を脱離させる
ことによって得られる。
(I[)のテトラペプチドは、例えば先ずアミノ基を保
護したサルコシンをL−プロリンアルキルエステルと反
応させてジペプチドとし、次いでアミノ保護基を脱離さ
せたのち、これにアミノ基及びスルフヒドリル基を保護
したL−システィンを反応させてトリペプチドとし、さ
らにアミノ保護基を脱離させたのち、これにアミン基を
保護したグリシンを反応させてテトラペプチドとし、次
にこのテトラペプチドのアルキルエステル部分を加水分
解後活性エステルに変換し、アミノ保護基を脱離させる
ことによって得られる。
前記一般式(IF)における活性エステル基R′とシテ
は、p−ニトロフェニルエステル基、ヒドロキシコハク
酸イミドエステル基を、またスルフヒドリル保護基とし
ては、無水フッ化水素酸の処理により脱離しうる基例え
ばベンジル基、p−メトキシベンジル基などを挙げるこ
とができる。
は、p−ニトロフェニルエステル基、ヒドロキシコハク
酸イミドエステル基を、またスルフヒドリル保護基とし
ては、無水フッ化水素酸の処理により脱離しうる基例え
ばベンジル基、p−メトキシベンジル基などを挙げるこ
とができる。
前記一般式(n)のテトラペプチドを製造する際のアミ
ン保護基としてに−[通常のペプチド合成において用い
られている第三ブチルオキシカルボニル基、ベンジルオ
キシカルボニル基、p−メトキシベンジルオキシカルボ
ニル基、o−ニトロフェニルスルフェニル基を、またカ
ルボキシル基の保護のためのアルキルエステル基として
(東メチルエステル、エチルエステルなどを用いること
ができる。
ン保護基としてに−[通常のペプチド合成において用い
られている第三ブチルオキシカルボニル基、ベンジルオ
キシカルボニル基、p−メトキシベンジルオキシカルボ
ニル基、o−ニトロフェニルスルフェニル基を、またカ
ルボキシル基の保護のためのアルキルエステル基として
(東メチルエステル、エチルエステルなどを用いること
ができる。
一般式(n)のテトラペプチドを形成させる際の、ペプ
チド結合生成反応は、DCC法(ジシクロへキシルカル
ボジイミド法)、活性エステル法、混合酸無水物法など
の従来知られている方法を適当に組み合わせて用いるこ
とができる。
チド結合生成反応は、DCC法(ジシクロへキシルカル
ボジイミド法)、活性エステル法、混合酸無水物法など
の従来知られている方法を適当に組み合わせて用いるこ
とができる。
原料合成中間体のアミノ基及びスルフヒドリル基を保護
したL−シスチル−サルコシル−プロリンアルキルエス
テルの合成及び原料化合物のアミン基を保護したグリシ
ル−スルフヒドリル基を保護したL−シスチル−サルコ
シル−L−プロリンアルキルエステルの合成においては
、DCC法が最も適しており、高収率、高純度でこれら
のペプチドを得ることができる。
したL−シスチル−サルコシル−プロリンアルキルエス
テルの合成及び原料化合物のアミン基を保護したグリシ
ル−スルフヒドリル基を保護したL−シスチル−サルコ
シル−L−プロリンアルキルエステルの合成においては
、DCC法が最も適しており、高収率、高純度でこれら
のペプチドを得ることができる。
本発明のs−s’−ビスシクロテトラペプチドの合成中
間体であるペプチド類は、いずれも酸及びアルカリで洗
い、再結晶することにより容易に単離・精製することが
できる。
間体であるペプチド類は、いずれも酸及びアルカリで洗
い、再結晶することにより容易に単離・精製することが
できる。
本発明方法の原料化合物であるスルフヒドリル基を保護
したテトラペプチド活性エステルは酸塩の形で用いるの
が好ましい。
したテトラペプチド活性エステルは酸塩の形で用いるの
が好ましい。
この酸塩としては、塩酸塩、臭化水素酸塩、フッ化水素
酸塩などがある。
酸塩などがある。
本発明方法における環化反応は、大量の不活性溶媒、例
えばピリジン、ジメチルホルムアミドなどの溶媒中で、
30〜90℃の温度で行うことができる。
えばピリジン、ジメチルホルムアミドなどの溶媒中で、
30〜90℃の温度で行うことができる。
このようにして得られた環状テトラペプチドからスルフ
ヒドリル保護基を脱離するには、アニソール存在下に無
水フッ化水素酸で処理すればよい。
ヒドリル保護基を脱離するには、アニソール存在下に無
水フッ化水素酸で処理すればよい。
S−8結合の生成による三量化反応は、遊離のスルフヒ
ドリル基を有する環状テトラペプチドをメタノール、エ
タノールなどのアルコール中で、1・2−ショートエタ
ン、ヨウ素など適当な触媒の存在下に、空気酸化により
行われる。
ドリル基を有する環状テトラペプチドをメタノール、エ
タノールなどのアルコール中で、1・2−ショートエタ
ン、ヨウ素など適当な触媒の存在下に、空気酸化により
行われる。
反応は1〜2日で完了し、s−s’−ビスシクロテトラ
ペプチドが析出する。
ペプチドが析出する。
本発明の化合物(″J、、赤外線吸収スペクトルで16
60crrL−1にアミド結合カルボニル基に由来する
特性吸収を示し、ニンヒドリン反応及びニトロプルジッ
ド反応は共に負であり、これらによって生成物な同定す
ることができる。
60crrL−1にアミド結合カルボニル基に由来する
特性吸収を示し、ニンヒドリン反応及びニトロプルジッ
ド反応は共に負であり、これらによって生成物な同定す
ることができる。
本発明の化合物は、構成アミノ酸の数が8であるにもか
かわらず、アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イ
オンと複合体を形成するイオン包接化剤としての特性を
有し、イオンセンサーとして分析、医薬及び農業の分野
に広く利用することができる。
かわらず、アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イ
オンと複合体を形成するイオン包接化剤としての特性を
有し、イオンセンサーとして分析、医薬及び農業の分野
に広く利用することができる。
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
参考例
(A) サルコシル−L−プロリンメチルエステル塩
酸塩の合成 t−7”チルオキシカルボニルサルコシン6、OOPを
クロロホルム40m1に溶解し、この中にN−メチルモ
ルホリン3.49m1とインプチルクooホーメート4
.157dを一18℃の温度で加え、2分間かきまぜた
。
酸塩の合成 t−7”チルオキシカルボニルサルコシン6、OOPを
クロロホルム40m1に溶解し、この中にN−メチルモ
ルホリン3.49m1とインプチルクooホーメート4
.157dを一18℃の温度で加え、2分間かきまぜた
。
次に、この溶液に、プロリンメチルエステル5.21’
とN−メチルモルホリン3.49m1を溶かしたクロロ
ホルム溶液1omlを加え、−18℃の温度で1時間、
さらに室温で一夜かきまぜた。
とN−メチルモルホリン3.49m1を溶かしたクロロ
ホルム溶液1omlを加え、−18℃の温度で1時間、
さらに室温で一夜かきまぜた。
反応混合物を沢過し、F液を水、4%炭酸水素ナトリウ
ム水溶液、飽和食塩水で順次洗い、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。
ム水溶液、飽和食塩水で順次洗い、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。
次いで、減圧下に溶媒を留去し、残留した油状物9.5
2P(収率100%)を酢酸エチル20m1に溶解し、
乾燥塩化水素ガスを酢酸エチルに溶解させ濃度を4規定
に調整した溶液280m1を加えて室温で1時間反応さ
せた。
2P(収率100%)を酢酸エチル20m1に溶解し、
乾燥塩化水素ガスを酢酸エチルに溶解させ濃度を4規定
に調整した溶液280m1を加えて室温で1時間反応さ
せた。
反応終了後、溶媒を留去し、残留物を酢酸エチルとエチ
ルエーテルの混合溶媒で結晶化させると、融点167〜
168℃の目的化合物6.12f(収率82%)が得ら
れた。
ルエーテルの混合溶媒で結晶化させると、融点167〜
168℃の目的化合物6.12f(収率82%)が得ら
れた。
このものの物理的性質は次の通りである。
薄層クロマトグラフィーのRf値
Rf1=0.17 (展開溶媒 クロロホルム:メタノ
ール=5:1) Rf2=0.03 (展開溶媒 クロロホルム:メタノ
ール:酢酸=95:5:1) 元素分析値(C9H1□03N2C1として)HN 計算値(%) 45.64 7.24 11.83実
測値(%)45.64 7.23 11.81(B)
5−p−メトキシベンジル−L−シスチル−サルコシ
ル−L−フロリンメチルエステル塩酸塩の合成 第三ブチルオキシカルボニル−8−p−メトキシベンジ
ル−L−システィン・ジシクロヘキシルアミン塩4.9
4fとサルコシン−L−プロリンメチルエステル塩酸塩
2.24Pをり□ロホルムに溶かした溶液60m1に、
ジシクロへキシルカルボジイミド1.95Pをクロロホ
ルムに溶かした溶液10m1を一10℃で加えた。
ール=5:1) Rf2=0.03 (展開溶媒 クロロホルム:メタノ
ール:酢酸=95:5:1) 元素分析値(C9H1□03N2C1として)HN 計算値(%) 45.64 7.24 11.83実
測値(%)45.64 7.23 11.81(B)
5−p−メトキシベンジル−L−シスチル−サルコシ
ル−L−フロリンメチルエステル塩酸塩の合成 第三ブチルオキシカルボニル−8−p−メトキシベンジ
ル−L−システィン・ジシクロヘキシルアミン塩4.9
4fとサルコシン−L−プロリンメチルエステル塩酸塩
2.24Pをり□ロホルムに溶かした溶液60m1に、
ジシクロへキシルカルボジイミド1.95Pをクロロホ
ルムに溶かした溶液10m1を一10℃で加えた。
次いで10℃で5時間、さらに室温で一夜かきまぜて反
応させた。
応させた。
反応混合物を沢過し、p液を減圧濃縮し、残留物を酢酸
エチル50m1に溶解し、再び沢過し、沢液を10%ク
エン酸水溶液、5%炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順
次洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
エチル50m1に溶解し、再び沢過し、沢液を10%ク
エン酸水溶液、5%炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順
次洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
次いで、減圧下に溶媒を留去し、残留物をn−ヘキサン
で固化させ得られた第三ブチルオキシカルボニル−8−
p−メトキシベンジル−L−シスチル−サルコシル−L
−70リンメチルエステル4.24P(収率100%)
を乾燥塩化水素ガスを酢酸エチルに溶解して濃度4規定
に調整した溶液70m1に溶かし室温で1時間反応させ
た。
で固化させ得られた第三ブチルオキシカルボニル−8−
p−メトキシベンジル−L−シスチル−サルコシル−L
−70リンメチルエステル4.24P(収率100%)
を乾燥塩化水素ガスを酢酸エチルに溶解して濃度4規定
に調整した溶液70m1に溶かし室温で1時間反応させ
た。
反応終了後、溶媒を留去し、残留物をエチルエーテルで
結晶化させると融点83〜84℃の目的化合物3.85
P(収率86%)が得られた。
結晶化させると融点83〜84℃の目的化合物3.85
P(収率86%)が得られた。
Rf1=0.54、Rf2=0.44
元素分析値(C20H3005N3SC1として)CK
N 計算値(%) 52.22 6.57 9.13実測
値(%) 52.18 6.64 9.11(q 第
三ブチルオキシカルボニルグリシル−8−p−メトキシ
ベンジル−L−シスチル−サルコシル−L −7’ロリ
ン−p−ニトロフェニルエステルの合成 第三ブチルオキシカルボニルグリシン・ジシクロヘキシ
ルアミン塩1.43S’と5−p−メトキシベンジル−
L−シスチル−サルコシル−L−プロリンメチルエステ
ル1.85 Pヲクロロホルムに溶かした溶液50m1
に、ジシクロへキシルカルボジイミド0.83Pをクロ
ロホルムに溶かした溶液3mlを一10℃で加えた。
N 計算値(%) 52.22 6.57 9.13実測
値(%) 52.18 6.64 9.11(q 第
三ブチルオキシカルボニルグリシル−8−p−メトキシ
ベンジル−L−シスチル−サルコシル−L −7’ロリ
ン−p−ニトロフェニルエステルの合成 第三ブチルオキシカルボニルグリシン・ジシクロヘキシ
ルアミン塩1.43S’と5−p−メトキシベンジル−
L−シスチル−サルコシル−L−プロリンメチルエステ
ル1.85 Pヲクロロホルムに溶かした溶液50m1
に、ジシクロへキシルカルボジイミド0.83Pをクロ
ロホルムに溶かした溶液3mlを一10℃で加えた。
次い”C1B)における第三ブチルオキシカルボニル−
8−p−メトキシベンジルーL−シスチル−サルコシル
−L−プロリンメチルエステルの製法と同様にして、第
三ブチルオキシカルボニルグリシル−5−p−メトキシ
ベンジル−L−シスチルサルコシル−L −フロリンメ
チルエステルをアモルファス物i、 s o y (収
率77%)として得た。
8−p−メトキシベンジルーL−シスチル−サルコシル
−L−プロリンメチルエステルの製法と同様にして、第
三ブチルオキシカルボニルグリシル−5−p−メトキシ
ベンジル−L−シスチルサルコシル−L −フロリンメ
チルエステルをアモルファス物i、 s o y (収
率77%)として得た。
この化合物1.65Pをメタノール10rILlに溶解
し、lN−NaOH5,7mlを加えて室温で1時間反
応させた。
し、lN−NaOH5,7mlを加えて室温で1時間反
応させた。
反応終了後、反応混合物に水101rLlを加え、メタ
ノールを減圧除去し、残留する水溶液をエーテルで洗い
、次いで10%クエン酸水溶液でpHを3〜4に調節し
て油状物を得た。
ノールを減圧除去し、残留する水溶液をエーテルで洗い
、次いで10%クエン酸水溶液でpHを3〜4に調節し
て油状物を得た。
これを石油エーテルで固化すると融点82〜84℃の第
三ブチルオキシカルボニルグリシル−8−p−メトキシ
ベンジル−L−シスチル−サルコシル−L−プロリン1
.30f(収率81%)が得られた。
三ブチルオキシカルボニルグリシル−8−p−メトキシ
ベンジル−L−シスチル−サルコシル−L−プロリン1
.30f(収率81%)が得られた。
次に、この化合物1.19fとp−ニトロフェノール0
.29Fをクロロホルム15−に溶解し、これにジシク
ロへキシルカルボジイミド0.43?をクロロホルムに
溶かした溶液3mlを0℃で加え、0℃で一夜かきまぜ
て反応させた。
.29Fをクロロホルム15−に溶解し、これにジシク
ロへキシルカルボジイミド0.43?をクロロホルムに
溶かした溶液3mlを0℃で加え、0℃で一夜かきまぜ
て反応させた。
反応終了後、反応混合物を沢過し、涙液を減圧濃縮し、
残留物を酢酸2滴を含むアセトン5−に溶解し、再び沢
過した。
残留物を酢酸2滴を含むアセトン5−に溶解し、再び沢
過した。
p液の溶媒を留去すると油状物が得られ、これをエーテ
ルとn−へキサンの混合溶媒で結晶化すると融点59〜
60℃の目的物1.341(収率93%)が得られた。
ルとn−へキサンの混合溶媒で結晶化すると融点59〜
60℃の目的物1.341(収率93%)が得られた。
Rf、=0.76、Rf2−0.07
元素分析値(C32H410t OH5Sとして)HN
計算値(%) 55.88 6.01 10.18実
測値(%) 56.18 5.98 9.92実施
例 (A) シクロ−CJ’)シル−8−p−メトキシベ
ンジル−L−シスチル−サルコシル−L−フロリル)の
合成 第三ブチルオキシカルボニル−8−p−メトキシベンジ
ル−L−シスチル−サルコシル−L−プロリル−p−ニ
トロフェニルエステル1.20S’を、乾燥塩化水素ガ
スを酢酸エチルに溶解して濃度4規定に調整した溶液で
水冷下に1時間処理し、次いで溶媒を留去し、残留物を
エーテルで固化させるとグリシル−8−p−メトキシベ
ンジル−L−シスチル−サルコシルプロリン−p−ニト
ロフェニルエステル・塩酸塩1.10S’(収率100
%)が得られた。
測値(%) 56.18 5.98 9.92実施
例 (A) シクロ−CJ’)シル−8−p−メトキシベ
ンジル−L−シスチル−サルコシル−L−フロリル)の
合成 第三ブチルオキシカルボニル−8−p−メトキシベンジ
ル−L−シスチル−サルコシル−L−プロリル−p−ニ
トロフェニルエステル1.20S’を、乾燥塩化水素ガ
スを酢酸エチルに溶解して濃度4規定に調整した溶液で
水冷下に1時間処理し、次いで溶媒を留去し、残留物を
エーテルで固化させるとグリシル−8−p−メトキシベ
ンジル−L−シスチル−サルコシルプロリン−p−ニト
ロフェニルエステル・塩酸塩1.10S’(収率100
%)が得られた。
これをジメチルホルムアミド8mlに溶かし、得られた
溶液を60℃でピリジン600m1の中に3時間かげて
滴下し、次いで一夜かきまぜて反応させた。
溶液を60℃でピリジン600m1の中に3時間かげて
滴下し、次いで一夜かきまぜて反応させた。
反応終了後、溶媒を留去し、残留物を水とメタノールの
混合溶媒に溶かし、同じ溶媒で洗浄したH十型とOH−
型のイオン交換樹脂カラムの中を通し、未反応物を除去
した。
混合溶媒に溶かし、同じ溶媒で洗浄したH十型とOH−
型のイオン交換樹脂カラムの中を通し、未反応物を除去
した。
次いで、溶媒を留去し、残留物をメタノールに溶かし、
セファデックスLH−20(登録商標名、ファルマシア
ファインケミカルズ社)のカラムを通してゲル沢過を行
って精製したのち、メタノールから再結晶すると、融点
142−143℃のシクロテトラペプチド480■(収
率61%)が得られた。
セファデックスLH−20(登録商標名、ファルマシア
ファインケミカルズ社)のカラムを通してゲル沢過を行
って精製したのち、メタノールから再結晶すると、融点
142−143℃のシクロテトラペプチド480■(収
率61%)が得られた。
この化合物はニンヒドリン反応及びニトロプルジッド反
応が共に負で、赤外線吸収スペクト1 ルでシmaX−1660cfrL 1520CrI
L 11255crIL ’ に吸収があり、マススペ
クトルはM+−448であった。
応が共に負で、赤外線吸収スペクト1 ルでシmaX−1660cfrL 1520CrI
L 11255crIL ’ に吸収があり、マススペ
クトルはM+−448であった。
Rf、 = 0.47、Rf2−0
元素分析値(C21H2805N4S・1/2H20と
して) HN 計算値(%) 55.13 6.39 12.25実
測値(%) 55.17 6.12 12.128)
S−8’−ビスシクロ(グリシル−L−へミシスチルー
サルコシル−L−7”ロリル)の合成シクロ(クリシル
−8−p−メトキシベンジル−L−シスチル−サルコシ
ル−L −7”ロリン)100rn9を、アニソ−)’
Ly0.3mlと無水フッ化水素酸10m1の混合物に
溶かし、0℃で1時間反応させた。
して) HN 計算値(%) 55.13 6.39 12.25実
測値(%) 55.17 6.12 12.128)
S−8’−ビスシクロ(グリシル−L−へミシスチルー
サルコシル−L−7”ロリル)の合成シクロ(クリシル
−8−p−メトキシベンジル−L−シスチル−サルコシ
ル−L −7”ロリン)100rn9を、アニソ−)’
Ly0.3mlと無水フッ化水素酸10m1の混合物に
溶かし、0℃で1時間反応させた。
次いで、無水フッ化水素酸を0℃で留去して得られた残
留物はニトロプルジッド反応が正であった。
留物はニトロプルジッド反応が正であった。
これをメタノールに溶かし、1・2−ショートエタン6
5m9を加え、乾燥空気をニトロプルジッド反応が負に
なるまで導入した。
5m9を加え、乾燥空気をニトロプルジッド反応が負に
なるまで導入した。
反応が完了すると目的物が析出した。これをアルコール
で洗浄すると融点(分解)280〜285℃の白色結晶
として目的物30■(収率41%)が得られた。
で洗浄すると融点(分解)280〜285℃の白色結晶
として目的物30■(収率41%)が得られた。
この化合物は、ニンヒドリン反応及びニトロプルジッド
反応が共に負で、赤外線吸収スペクトルでシmax−1
640CrIL ” 1540CrfL ”に吸収が
あった。
反応が共に負で、赤外線吸収スペクトルでシmax−1
640CrIL ” 1540CrfL ”に吸収が
あった。
Rf1=0.11、Rf2=0
元素分析値(C26H3808N8 S2・3H20と
して) HN
して) HN
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一般式 (式中のRはメチル基である) で表わされるs−s’−ビスシクロテトラペプチト。 **2 一般式 (式中のRはメチル基、RQIi活性エステル基、R1
′はスルフヒドリル保護基である) で表わされるテトラペプチドを環化縮合させたのち、無
水フッ化水素酸で処理してスルフヒドリル保護基を脱離
させ、次いでことを三量化することを特徴とする、一般
式 (式中のRは前記と同じ意味をもつ) で表わされるs −s’−ビスシクロテトラペプチドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55040957A JPS5842863B2 (ja) | 1980-03-29 | 1980-03-29 | S,s′−ビスシクロテトラペプチド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55040957A JPS5842863B2 (ja) | 1980-03-29 | 1980-03-29 | S,s′−ビスシクロテトラペプチド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56138156A JPS56138156A (en) | 1981-10-28 |
| JPS5842863B2 true JPS5842863B2 (ja) | 1983-09-22 |
Family
ID=12594963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55040957A Expired JPS5842863B2 (ja) | 1980-03-29 | 1980-03-29 | S,s′−ビスシクロテトラペプチド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842863B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172093A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-05 | 株式会社大真空 | 静電式表示装置の表示情報交換装置 |
-
1980
- 1980-03-29 JP JP55040957A patent/JPS5842863B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60172093A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-05 | 株式会社大真空 | 静電式表示装置の表示情報交換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56138156A (en) | 1981-10-28 |
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