JPS5843607A - 表面弾性波フイルタの製造方法 - Google Patents
表面弾性波フイルタの製造方法Info
- Publication number
- JPS5843607A JPS5843607A JP14098681A JP14098681A JPS5843607A JP S5843607 A JPS5843607 A JP S5843607A JP 14098681 A JP14098681 A JP 14098681A JP 14098681 A JP14098681 A JP 14098681A JP S5843607 A JPS5843607 A JP S5843607A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- surface acoustic
- acoustic wave
- pattern
- wave filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、表面弾性波フィルタの製造方法に係!I)、
!に、放電防止された高歩留りの製造方法を提供するも
のである。
!に、放電防止された高歩留りの製造方法を提供するも
のである。
従来、表面弾性波(SAW)フィルタの製造方法におい
て、各種の昇臨プロセスや機械的ストレスのあるプロセ
スでの誘電体基板表面への帯電を低減する丸め、昇温速
度を遅くしたシ、プロセス処理温度を低くし九シ、出来
る限シ、取扱いをていねいに行なって、集電効果等によ
る帯電を低く押えていた。しかし、金属の交差電極寸法
が1μm程度に微細化してくると、帯電電位が結晶表面
内で異なシ、これが交差電極の狭いギャップを通して放
電し、ht電極を傅断すると云う欠点があった。
て、各種の昇臨プロセスや機械的ストレスのあるプロセ
スでの誘電体基板表面への帯電を低減する丸め、昇温速
度を遅くしたシ、プロセス処理温度を低くし九シ、出来
る限シ、取扱いをていねいに行なって、集電効果等によ
る帯電を低く押えていた。しかし、金属の交差電極寸法
が1μm程度に微細化してくると、帯電電位が結晶表面
内で異なシ、これが交差電極の狭いギャップを通して放
電し、ht電極を傅断すると云う欠点があった。
本発明の目的は、上記の点に着目してなされたものであ
ル、金属交差電極間に放電のない高歩留のSAWフィル
タの製造方法を提供することにある。
ル、金属交差電極間に放電のない高歩留のSAWフィル
タの製造方法を提供することにある。
SAWフィルタの材料として使用される誘電体基板は、
比較的、集電率Pも大きい。そこで、本発明では複数の
交差電極で構成される、金属膜間に同電位K”−7−る
放電防止用の電極パタンを設けるととKより、各種プロ
セスでの帯電電荷を中和し、放電による電極の溶断を防
止するものである。
比較的、集電率Pも大きい。そこで、本発明では複数の
交差電極で構成される、金属膜間に同電位K”−7−る
放電防止用の電極パタンを設けるととKより、各種プロ
セスでの帯電電荷を中和し、放電による電極の溶断を防
止するものである。
以下、本発明の一実施例を図によシ説明する。
即ち800MHg低損失、帯域通過!ll8AWフィル
タについて例示する。基板1はLITaOs B6゜X
−Yカット単結晶板で、大きさ35■×30■、厚さα
4■の片面鏡面研磨、裏面す600に仕上げしである0
次に金属膜としてAtを結晶表面に厚さ1000人に真
空蒸着し、次にポジ型レジス)AZ−1350Jを塗布
し、90Gで20分間プリベークする。さらに、所望の
マスク又はレチクルを°轡いて、密着露光法か縮小投影
露光法等により露光し、現象並びにポストベーク(12
0G。
タについて例示する。基板1はLITaOs B6゜X
−Yカット単結晶板で、大きさ35■×30■、厚さα
4■の片面鏡面研磨、裏面す600に仕上げしである0
次に金属膜としてAtを結晶表面に厚さ1000人に真
空蒸着し、次にポジ型レジス)AZ−1350Jを塗布
し、90Gで20分間プリベークする。さらに、所望の
マスク又はレチクルを°轡いて、密着露光法か縮小投影
露光法等により露光し、現象並びにポストベーク(12
0G。
20分)11、A tt−リン酸系ケ2カルエツチング
液でエッチするか、あるいはドライエツチングしてパタ
ン2を形成する。その後、後工程として、ダイシング、
グイボンド、さらにワイヤボンドを行なって組立を完了
する。
液でエッチするか、あるいはドライエツチングしてパタ
ン2を形成する。その後、後工程として、ダイシング、
グイボンド、さらにワイヤボンドを行なって組立を完了
する。
図は、上記フィルタのパタン例を示す。主要パタン部3
は、トランスデエーを部(入力・出力電力を表面弾性波
に変換する部分)、反射器部(トランスデユーサ部で発
生した表面弾性波を反射させる九めのもの)、マルチス
トリップカプラ一部(表面波の一部を他に分岐させるた
めのもの)等よシ成11.イ、と8.、二8,8□□、
0〜□、2μmの゛交差電極となつ榛る。その周辺には
ポンディングパッドを構成する電極4,5,6.7が設
けられている。また、スクライプ領域(一つ一つの素子
に分割する境界線)もしくはダイシング本発明による放
電対策パタン10−18が設けられている。本例の放電
対策パタンは、ダイシング等によ〕チップに分割された
後は、門別に切シ離され良シ、消失したシして、8AW
フイルタの本来性能への影響はなかつ九。
は、トランスデエーを部(入力・出力電力を表面弾性波
に変換する部分)、反射器部(トランスデユーサ部で発
生した表面弾性波を反射させる九めのもの)、マルチス
トリップカプラ一部(表面波の一部を他に分岐させるた
めのもの)等よシ成11.イ、と8.、二8,8□□、
0〜□、2μmの゛交差電極となつ榛る。その周辺には
ポンディングパッドを構成する電極4,5,6.7が設
けられている。また、スクライプ領域(一つ一つの素子
に分割する境界線)もしくはダイシング本発明による放
電対策パタン10−18が設けられている。本例の放電
対策パタンは、ダイシング等によ〕チップに分割された
後は、門別に切シ離され良シ、消失したシして、8AW
フイルタの本来性能への影響はなかつ九。
放電対策パタンの導入効果を調べるため、実験として、
試料を200C,10分間加熱台上で加熱麩環した前後
でのAtパタン焼損、電極間放電痕跡を調べた結果、放
電対策パタン1μmでは、改善率20%、また2μmバ
タンでは40%、さらに3μmバタンでは80%であっ
た。
試料を200C,10分間加熱台上で加熱麩環した前後
でのAtパタン焼損、電極間放電痕跡を調べた結果、放
電対策パタン1μmでは、改善率20%、また2μmバ
タンでは40%、さらに3μmバタンでは80%であっ
た。
以上説明した如く一本発明によれば、昇1プロセスによ
って生ずる基板の帯電を放電防止バタ7によって中和出
来るので、微細金属パタンの放電による溶断がな臂肥高
歩留シで8AWフイルタの製作が可能となり苑。
って生ずる基板の帯電を放電防止バタ7によって中和出
来るので、微細金属パタンの放電による溶断がな臂肥高
歩留シで8AWフイルタの製作が可能となり苑。
なお本実施例では、フィルタ素子に分割された後には、
放電防止パタンか、分断又は消失するよう設計されたバ
タン例番示したが、使用周波数が比較的高い用途では、
放電防止パタンのインピーダンスがその周波数で高くな
るよう、インダクテイプにするか、共振条件を設けるこ
とによシ、直流的にi1各種電極間か短絡されてい為パ
タンとすることも出来る。この場合は、フィルタ素子に
分割後も、そのま\、放電防止パタンを残せるので、素
子完成後の各種一度テストによる放電事故を防止出来る
。
放電防止パタンか、分断又は消失するよう設計されたバ
タン例番示したが、使用周波数が比較的高い用途では、
放電防止パタンのインピーダンスがその周波数で高くな
るよう、インダクテイプにするか、共振条件を設けるこ
とによシ、直流的にi1各種電極間か短絡されてい為パ
タンとすることも出来る。この場合は、フィルタ素子に
分割後も、そのま\、放電防止パタンを残せるので、素
子完成後の各種一度テストによる放電事故を防止出来る
。
図は、本発明の一実施例を説明する図で、放電防止パタ
ンを設けた表面弾性波フィルタのバタン例を示す。
ンを設けた表面弾性波フィルタのバタン例を示す。
Claims (1)
- 誘電り板上に複数個の金属指交差電極を設けてなる表面
弾性波フィルタの製造方法において、異なる電極間を同
電位にする放電防止用パタンを設けた仁とを4!像とす
る表面弾性波フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14098681A JPS5843607A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 表面弾性波フイルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14098681A JPS5843607A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 表面弾性波フイルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843607A true JPS5843607A (ja) | 1983-03-14 |
Family
ID=15281472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14098681A Pending JPS5843607A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 表面弾性波フイルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843607A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58187012A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-01 | Toshiba Corp | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JPS6120409A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 表面弾性波素子の製造方法 |
| JPS6343390A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路用基板 |
| JPH05299960A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| US6486752B1 (en) | 1999-11-04 | 2002-11-26 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Surface acoustic wave filter pattern with grounding via connection lines to dicing lines |
-
1981
- 1981-09-09 JP JP14098681A patent/JPS5843607A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58187012A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-01 | Toshiba Corp | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JPS6120409A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 表面弾性波素子の製造方法 |
| JPS6343390A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路用基板 |
| JPH05299960A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
| US6486752B1 (en) | 1999-11-04 | 2002-11-26 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Surface acoustic wave filter pattern with grounding via connection lines to dicing lines |
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