JPS58442U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58442U
JPS58442U JP9394981U JP9394981U JPS58442U JP S58442 U JPS58442 U JP S58442U JP 9394981 U JP9394981 U JP 9394981U JP 9394981 U JP9394981 U JP 9394981U JP S58442 U JPS58442 U JP S58442U
Authority
JP
Japan
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stud
semiconductor
semiconductor equipment
semiconductor device
semiconductor element
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Application number
JP9394981U
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English (en)
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木下　喜順
中澤　春樹
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の断面図、第２図と第３図は
本考案にかかる半導体装置の断面図である。　　　　□ １．１ａ・・・リード、２，２ａ・・・従来技術のスタ
ッド、３・・・半導体素子（ダイオード）、４・・・封
着ガラス管、５，５ａ・・・接触部分、６・・・Ｓ字型
ばね線、７・・・導電部材、１１．ｌｌａ・・・本考案
にかかるスタッド。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子、前記半導体素子の電極に接続され′にスタ
    ッド、前記スタッドに封着され前記半導体、素子を気密
    封止する封止部材とを備えた半導体装置において、前記
    スタッドから導出されるリードは当該スタッドと一体に
    形成されてなることを特徴とする半導体装置。
JP9394981U 1981-06-25 1981-06-25 半導体装置 Pending JPS58442U (ja)

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JP9394981U JPS58442U (ja) 1981-06-25 1981-06-25 半導体装置

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JPS58442U true JPS58442U (ja) 1983-01-05

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55138863A (en) * 1979-04-17 1980-10-30 Nec Corp Semiconductor device
JPS5638862A (en) * 1979-09-06 1981-04-14 Nec Corp Semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55138863A (en) * 1979-04-17 1980-10-30 Nec Corp Semiconductor device
JPS5638862A (en) * 1979-09-06 1981-04-14 Nec Corp Semiconductor device

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