JPS5844406A - 色分解ストライプフィルタ - Google Patents
色分解ストライプフィルタInfo
- Publication number
- JPS5844406A JPS5844406A JP56144504A JP14450481A JPS5844406A JP S5844406 A JPS5844406 A JP S5844406A JP 56144504 A JP56144504 A JP 56144504A JP 14450481 A JP14450481 A JP 14450481A JP S5844406 A JPS5844406 A JP S5844406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- light
- refractive index
- layer
- transmitting
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、簡易形カラーカメラ等に用いられる色分解ス
トライプフィルタに関するものである。
トライプフィルタに関するものである。
従来、簡易形カラーカメラ用フィルタ内蔵撮像管に用い
ら扛る無機材料色分解ストライプフィルタのうち、耐熱
性にすぐｒｔたものとして光の干渉を利用するダイクロ
イックフィルタがある。また、グイクロイックフィルタ
以りの無機分解ストライプフィルタとして、製造が容易
でかつ分光透過特性のばらつきが少ない半導体フィルタ
がある。この半導体フィルタは半導体の基礎吸収を利用
するものである。
ら扛る無機材料色分解ストライプフィルタのうち、耐熱
性にすぐｒｔたものとして光の干渉を利用するダイクロ
イックフィルタがある。また、グイクロイックフィルタ
以りの無機分解ストライプフィルタとして、製造が容易
でかつ分光透過特性のばらつきが少ない半導体フィルタ
がある。この半導体フィルタは半導体の基礎吸収を利用
するものである。
従来の色分解ストライプフィルタとしテ、第１図にＺｎ
ｘＣｄｌ−ｘｓ （、’ Ｏ＜ １ ＜ ７ ＞ ’ｆ
ｔ 用イ；周波数分離方式用交差型ストライプフィルタ
の断面−を示す。同図において１１はガラス基板、１２
はガラス基板１１上にストライプ状に形成されたシアン
色透過ダイクロイックフィルタ、１３は光学的整合層と
なるム１２０３膜、１４は第１の透光性薄膜層としての
ＺｒＯ２膜、１６はＺｎｘＣｄｌｚｓ（０（ｘ （１）
゛よりなる半導体フィルタ、１６は第２の透光性薄膜層
としてのＺｒＯ２膜、１７はガラス基板１１と同一のガ
ラス材料（Ｓｉ０２等）よりなる透光性誘電体層、１８
はＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等
よりなる透明電極、１９は光導電体膜である。なお、第
１図中の（Ｉ）は白色透過部、（１） Ｕシアン色透過
部、（至）は黄色透過部、面は交差部の緑色透過部であ
る。
ｘＣｄｌ−ｘｓ （、’ Ｏ＜ １ ＜ ７ ＞ ’ｆ
ｔ 用イ；周波数分離方式用交差型ストライプフィルタ
の断面−を示す。同図において１１はガラス基板、１２
はガラス基板１１上にストライプ状に形成されたシアン
色透過ダイクロイックフィルタ、１３は光学的整合層と
なるム１２０３膜、１４は第１の透光性薄膜層としての
ＺｒＯ２膜、１６はＺｎｘＣｄｌｚｓ（０（ｘ （１）
゛よりなる半導体フィルタ、１６は第２の透光性薄膜層
としてのＺｒＯ２膜、１７はガラス基板１１と同一のガ
ラス材料（Ｓｉ０２等）よりなる透光性誘電体層、１８
はＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）等
よりなる透明電極、１９は光導電体膜である。なお、第
１図中の（Ｉ）は白色透過部、（１） Ｕシアン色透過
部、（至）は黄色透過部、面は交差部の緑色透過部であ
る。
第２図は白色透過部中における透過率全１００俤とした
ときの各部（１）、 （ＨＤ、（ト）における分光透過
特性を示しており、この色分解ストライプフィルタは一
応良好な分光透過特性を示していることがわかる。
ときの各部（１）、 （ＨＤ、（ト）における分光透過
特性を示しており、この色分解ストライプフィルタは一
応良好な分光透過特性を示していることがわかる。
しかし、このような良好な分光透過特性を得るためには
、前記＋７）Ａ１２０３膜１ ’ ３ ｙ ＺｒＯ２膜
１４ｔ １６の膜厚が各々正確に制御さｎる必要がある
。例えば、第１図においてシアン色透過部について考え
てみると、シアン色ダイクロイックフィルタ１２にはム
１２０３膜１３と二層のＺｒＯ２膜１４，１６が重なっ
て、多層膜となっているため、フィルタの半値波長（透
過率が６０％になる波長をいう）が太きくずｎることに
なる。 □ 例えば、第３図はシアン色透過ダイクロイックフィルタ
１２が単独の場合の半値波長ｙｏとして、第１と第２の
ＺｒＯ２膜１４，１６の膜厚全一定とした時、ム１２０
５膜１３を変化させたときの半値波長のずｎ’ｔ（ｎｍ
）単位で表わしたものである。このよう−半値波長のす
ｎは、赤色系統の色再現に変化會もたらす。このような
問題を解決するためには、製造時に前記ム１２０３膜’
３ｔ Ｚｒ６２膜１４．１６の膜厚の正確な制−が必
要となるが、これ全達成することは必ずしも容易なこと
ではない。
、前記＋７）Ａ１２０３膜１ ’ ３ ｙ ＺｒＯ２膜
１４ｔ １６の膜厚が各々正確に制御さｎる必要がある
。例えば、第１図においてシアン色透過部について考え
てみると、シアン色ダイクロイックフィルタ１２にはム
１２０３膜１３と二層のＺｒＯ２膜１４，１６が重なっ
て、多層膜となっているため、フィルタの半値波長（透
過率が６０％になる波長をいう）が太きくずｎることに
なる。 □ 例えば、第３図はシアン色透過ダイクロイックフィルタ
１２が単独の場合の半値波長ｙｏとして、第１と第２の
ＺｒＯ２膜１４，１６の膜厚全一定とした時、ム１２０
５膜１３を変化させたときの半値波長のずｎ’ｔ（ｎｍ
）単位で表わしたものである。このよう−半値波長のす
ｎは、赤色系統の色再現に変化會もたらす。このような
問題を解決するためには、製造時に前記ム１２０３膜’
３ｔ Ｚｒ６２膜１４．１６の膜厚の正確な制−が必
要となるが、これ全達成することは必ずしも容易なこと
ではない。
本発明は前ｉ掟来の欠点を除去する木のであり、製造が
容易に行なえ、分光透過特性の良好な色分解ストライプ
フィルタ全提供するものである。
容易に行なえ、分光透過特性の良好な色分解ストライプ
フィルタ全提供するものである。
以下、本発明の実施例における色分解ストライプフィル
タを図面とともに詳細に説゛明する。
タを図面とともに詳細に説゛明する。
（実施例１）
ライブフィルタの要部断面図を示している。同フィルタ
は第１図と同様、周波数分離方式交差型フィルタである
。
は第１図と同様、周波数分離方式交差型フィルタである
。
同図において、４１は屈折率ｎ５＝１．６ノバリウムク
ラウン系のガラス基板、４２は多層膜構造を有し、光の
干渉を利用するシアン色透過ダイクロイックフィルタ、
４３ＦＸ、屈折率がｎＭ＝１．６２である光学的整合層
となるム１２０５膜、４６は屈折率ｎｙ ＝ ２−５
（Ｄ ＺｎｘＣｄ、 １ ｇ（０（ｎ （１）半導体ス
） ５イア’７ （ルタ、４７は透光性誘電体層となる
ガラス層であり、ガラス基板４１と同一の屈折率ｎＤ＝
１．６のバリウムクラウン系ガラス膜をスパッタ蒸着に
より形成したものである。
ラウン系のガラス基板、４２は多層膜構造を有し、光の
干渉を利用するシアン色透過ダイクロイックフィルタ、
４３ＦＸ、屈折率がｎＭ＝１．６２である光学的整合層
となるム１２０５膜、４６は屈折率ｎｙ ＝ ２−５
（Ｄ ＺｎｘＣｄ、 １ ｇ（０（ｎ （１）半導体ス
） ５イア’７ （ルタ、４７は透光性誘電体層となる
ガラス層であり、ガラス基板４１と同一の屈折率ｎＤ＝
１．６のバリウムクラウン系ガラス膜をスパッタ蒸着に
より形成したものである。
４４・ ４６は透光性薄膜層となる第１および第２のＺ
ｒＯ２膜であり、そｎぞｎの屈折率ｎテ１ｓ、ｎＴ２は
２．０でｎＭ＜ ｎｔｌ＜ ｎｙ ｚ ｎｎ ＜ ｎｙ
ｔ ＜ ｎｙなる反射防止条件を満たすｈ−膜である。
ｒＯ２膜であり、そｎぞｎの屈折率ｎテ１ｓ、ｎＴ２は
２．０でｎＭ＜ ｎｔｌ＜ ｎｙ ｚ ｎｎ ＜ ｎｙ
ｔ ＜ ｎｙなる反射防止条件を満たすｈ−膜である。
各薄膜層の屈折率をこのような大小関係にすることで、
ガラス基板胃からの入射光の各層における反射による損
失を極力少なくすることができ：半導体フィルタの分光
特性でイエロー色透過率を良くしている。また、４８は
透明電極、４９は光導電膜である。
ガラス基板胃からの入射光の各層における反射による損
失を極力少なくすることができ：半導体フィルタの分光
特性でイエロー色透過率を良くしている。また、４８は
透明電極、４９は光導電膜である。
このような本実施例の色分解ストライプフィルタにおい
ては、シアン色透過ダイクロイックフィルタ４２上に、
ガラス薄膜と屈折率がほぼ同じのム１２０３膜４３のみ
が存在している。このため、ム１２０５膜４３はガラス
層４７の一部と見なすことができ、シアン色透過ダイク
ロイックフィルタ４２を通過する光の半値波長のずれは
なくなる。
ては、シアン色透過ダイクロイックフィルタ４２上に、
ガラス薄膜と屈折率がほぼ同じのム１２０３膜４３のみ
が存在している。このため、ム１２０５膜４３はガラス
層４７の一部と見なすことができ、シアン色透過ダイク
ロイックフィルタ４２を通過する光の半値波長のずれは
なくなる。
また、ｚｒ０２膜４４，４６はシアン色透過ダイクロイ
ックフィルタ４２の膜厚とは独立して膜厚を選定できる
。実験にょｎばｚｒ０２膜４４，４６の膜厚が０・４６
〜０・７５μｍのとき特性が最良であった。
ックフィルタ４２の膜厚とは独立して膜厚を選定できる
。実験にょｎばｚｒ０２膜４４，４６の膜厚が０・４６
〜０・７５μｍのとき特性が最良であった。
サラに、本実施例の色分解ストライプフィルタの構造は
、製造の点からも有利である。すなわち、第１図のよう
な従来の色分解ストライプフィルタにおいては、ム１２
０３膜１３とｚｒ０２膜１４は電子ビーム加熱により真
空蒸着を行なって形成し、次にＺｎｚＣ６４−ｘｓｉ蒸
着した後、フォトエツチング技術を使ってＺｎｚＣｄｌ
−ｘｆ３Ｍｋストライプ化していたため、工程の途中で
幾度が真空容器よジ取り出す等の手間が必要であつぇ・
。 ・ こｎに対して、本実施例の色分解ストライプフィルタに
おいては、ム１２０３膜４３ 、 Ｚｆ０２膜４４゜Ｚ
ｎｚＣｄ＋−２ｓ膜４６．およびＺｒＯ２膜４６を順次
真空蒸着によって形成し、最後にフォトエツチングによ
り各膜４４，４５，４６全ストライブ状にする工程によ
り製造できるため、製造中に同フィルタを真空蒸着装置
から取り出す回数を少なくとも１回省略でき、製造時間
を短縮できる。
、製造の点からも有利である。すなわち、第１図のよう
な従来の色分解ストライプフィルタにおいては、ム１２
０３膜１３とｚｒ０２膜１４は電子ビーム加熱により真
空蒸着を行なって形成し、次にＺｎｚＣ６４−ｘｓｉ蒸
着した後、フォトエツチング技術を使ってＺｎｚＣｄｌ
−ｘｆ３Ｍｋストライプ化していたため、工程の途中で
幾度が真空容器よジ取り出す等の手間が必要であつぇ・
。 ・ こｎに対して、本実施例の色分解ストライプフィルタに
おいては、ム１２０３膜４３ 、 Ｚｆ０２膜４４゜Ｚ
ｎｚＣｄ＋−２ｓ膜４６．およびＺｒＯ２膜４６を順次
真空蒸着によって形成し、最後にフォトエツチングによ
り各膜４４，４５，４６全ストライブ状にする工程によ
り製造できるため、製造中に同フィルタを真空蒸着装置
から取り出す回数を少なくとも１回省略でき、製造時間
を短縮できる。
゛ナオ、本実施例の色分解ストライプフィルタはｚｒ０
２膜４４． ＺｎｚＣｄｌ−２ｓ膜４５ 、 ＺｒＯ２
膜４６の３層全一度にストラ身プ化するため通常の化学
エツチングを用いずに、ムｒガスにょふ物理スパッタエ
ツチングを用いた。この時使用するレジスｌｊム２レジ
スト（シブレイ社−ポジ形レジスト）等が有効である。
２膜４４． ＺｎｚＣｄｌ−２ｓ膜４５ 、 ＺｒＯ２
膜４６の３層全一度にストラ身プ化するため通常の化学
エツチングを用いずに、ムｒガスにょふ物理スパッタエ
ツチングを用いた。この時使用するレジスｌｊム２レジ
スト（シブレイ社−ポジ形レジスト）等が有効である。
このレジストに８０〜１７０℃の高い温度テホストヘー
クをすることによりスパッタエツチングの際の耐性が大
きくなる・ −このようにして製造さｎた色分解
ストライプフィルタは、第６図に示すようにそｎぞｔの
箇所における分光透過特性が良好で、しかもその再現性
も優ｔていた。
クをすることによりスパッタエツチングの際の耐性が大
きくなる・ −このようにして製造さｎた色分解
ストライプフィルタは、第６図に示すようにそｎぞｔの
箇所における分光透過特性が良好で、しかもその再現性
も優ｔていた。
（実施例２）
以上の実施例１では透光性誘電体層としてガラス基板４
１と同一の屈折率ｎＤ＝１・６を有するバリウムクラウ
ン系ガラス層４７を用いたが、こｎに限らｎるものでは
なく、他の実施例として透光性誘電体層に屈折率ｎＤ＝
１．４６の５１０２膜を用いることもできる。このとき
光学的整合層として・ム１２０５膜の代わりに、５１０
２膜を用いると透過光特性が良好になる。このｉ合の透
光性薄膜層としてＺｒＯ２の代わ’）Ｋ ｎｉ＋ ＜ｎ
ｙｌ、、〈ｎｙ ｔ ｎｏ ＜ｎｙ２＜ｎｙなる反射条
件ケ満たす屈折率ｎＴＬ＋ ｎＴ２がそｎぞれ１９の
Ｙ２Ｏ３膜またはＩｎ２Ｏ！！膜を用いるとよい。
１と同一の屈折率ｎＤ＝１・６を有するバリウムクラウ
ン系ガラス層４７を用いたが、こｎに限らｎるものでは
なく、他の実施例として透光性誘電体層に屈折率ｎＤ＝
１．４６の５１０２膜を用いることもできる。このとき
光学的整合層として・ム１２０５膜の代わりに、５１０
２膜を用いると透過光特性が良好になる。このｉ合の透
光性薄膜層としてＺｒＯ２の代わ’）Ｋ ｎｉ＋ ＜ｎ
ｙｌ、、〈ｎｙ ｔ ｎｏ ＜ｎｙ２＜ｎｙなる反射条
件ケ満たす屈折率ｎＴＬ＋ ｎＴ２がそｎぞれ１９の
Ｙ２Ｏ３膜またはＩｎ２Ｏ！！膜を用いるとよい。
（実施例３）
さらに、他の実施例として光学的整合層音用いない色分
解ストライプフィルタが考えらｎる。例クフィルタの最
上層に透光性透電体層と同程度の屈折率の材料゛整相い
る場合がｉげらｎる。例えば、透光性薄膜層体層として
屈折率ｎＤ＝１．４６のＳｉＯ２膜を用いる時、（ＬＳ
Ｉ）Ｌ形（ここでＬは５ｉ０２薄膜ＳＨはＴｉｅ２薄膜
ケ示し、光学的膜厚比が約１：３の多層構造）を基本と
したダイクロイックフィルタ全シアン色透過フィルタと
して用い【ばよい。
解ストライプフィルタが考えらｎる。例クフィルタの最
上層に透光性透電体層と同程度の屈折率の材料゛整相い
る場合がｉげらｎる。例えば、透光性薄膜層体層として
屈折率ｎＤ＝１．４６のＳｉＯ２膜を用いる時、（ＬＳ
Ｉ）Ｌ形（ここでＬは５ｉ０２薄膜ＳＨはＴｉｅ２薄膜
ケ示し、光学的膜厚比が約１：３の多層構造）を基本と
したダイクロイックフィルタ全シアン色透過フィルタと
して用い【ばよい。
この時の入射光の反射防止条件は、光学的整合層が存在
しないため、ｎｓ ＜ ｎ丁＋ ＜ ｎｙ ＋ ｎＤ
＜ ｎｙ２＜ｎｙなる条件金満たせばよい。
しないため、ｎｓ ＜ ｎ丁＋ ＜ ｎｙ ＋ ｎＤ
＜ ｎｙ２＜ｎｙなる条件金満たせばよい。
なお、この場合シアン色透過ダイクロイックフィルタの
最上層のＬ（ＳｉＯ２薄膜）は、上部に位置する半導体
フィルタ等をスパッタエツチングする際に、一部エッチ
ングさｎてもシアン色透過ダイクロイックフィルタ上に
は、５ｉＯ２よすなる膜厚８μｍ程度の透光性誘電体層
が形成さ扛ているため、前記最上層の変化は無視できる
。
最上層のＬ（ＳｉＯ２薄膜）は、上部に位置する半導体
フィルタ等をスパッタエツチングする際に、一部エッチ
ングさｎてもシアン色透過ダイクロイックフィルタ上に
は、５ｉＯ２よすなる膜厚８μｍ程度の透光性誘電体層
が形成さ扛ているため、前記最上層の変化は無視できる
。
以上の実施例１〜３でに、半導体フィルタとしＺｎｘＳ
ｅｌ−ｚＴｅ（０＜ｘ ＜１）ｔ Ｚｎ８ｘＴｅ１−ｘ
（０＜ｘ〈１）なども使用できる。ｆた、第１および
第２の透光性薄膜層とＬ テＺｒＯ２＃ Ｙ２Ｏ５ｓ
Ｉｎ２ｏ３膜全用イア’ｃが、Ｔｈ０２ 、 Ｈｆ
Ｏ２、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ３。
ｅｌ−ｚＴｅ（０＜ｘ ＜１）ｔ Ｚｎ８ｘＴｅ１−ｘ
（０＜ｘ〈１）なども使用できる。ｆた、第１および
第２の透光性薄膜層とＬ テＺｒＯ２＃ Ｙ２Ｏ５ｓ
Ｉｎ２ｏ３膜全用イア’ｃが、Ｔｈ０２ 、 Ｈｆ
Ｏ２、ＣｅＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ３。
Ｚｎ０ 、 ＩＣｎ２０３ 、 Ｌａ２Ｏ５などの１種
以上も使用できる。
以上も使用できる。
以上説明したように、本発明の色分解ストライプフィル
タは分光特性音長くするために設けた第１および第２の
透光性薄膜層の不要な部分を選択的に除去したもので、
安定した特性が得らｎｌかつ製造を容易にできる効果が
ある。
タは分光特性音長くするために設けた第１および第２の
透光性薄膜層の不要な部分を選択的に除去したもので、
安定した特性が得らｎｌかつ製造を容易にできる効果が
ある。
第１図は従来の色分解ストライプフィルタの断面図、第
２図は同フィルタの分光特性図、第３図は同フィルタに
おけるム１２０６膜厚と半値波長のずｎとの関係を示す
図、第４図は本発明の一実施例における色分解ストライ
プフィルタの断面図、第６図は同フィルタの分光特性図
である。 ４１・・・・・・透光性基板（ガラス基板）、４２・・
・・・・ストライプ色フィルタ（シアン色透過ダイクロ
イックフ・イルタ）、４３・・・・・・光学的整合層（
ム１２０５膜）、４４・・・・・・第１の透光性薄膜層
（ＺｒＯ２膜）、４６・・・・・・半導体ストライプフ
ィルタ（ＺｎｘＣｄｌ−ｘ Ｓ ）、４６・・・・・・
第２の透光性薄膜層（ＺｒＯ２膜）、４７・・・・・・
透光性誘電体層（ガラス層）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１基筒
Ｉｌｌ 第２図 うメ町 長 （ｎｍ） 第３図 第４５１ 。
２図は同フィルタの分光特性図、第３図は同フィルタに
おけるム１２０６膜厚と半値波長のずｎとの関係を示す
図、第４図は本発明の一実施例における色分解ストライ
プフィルタの断面図、第６図は同フィルタの分光特性図
である。 ４１・・・・・・透光性基板（ガラス基板）、４２・・
・・・・ストライプ色フィルタ（シアン色透過ダイクロ
イックフ・イルタ）、４３・・・・・・光学的整合層（
ム１２０５膜）、４４・・・・・・第１の透光性薄膜層
（ＺｒＯ２膜）、４６・・・・・・半導体ストライプフ
ィルタ（ＺｎｘＣｄｌ−ｘ Ｓ ）、４６・・・・・・
第２の透光性薄膜層（ＺｒＯ２膜）、４７・・・・・・
透光性誘電体層（ガラス層）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１基筒
Ｉｌｌ 第２図 うメ町 長 （ｎｍ） 第３図 第４５１ 。
Claims (2)
- （１）透光性基板上に所定間隔全おいて複数のストライ
フ色フィルタを形成し、前記ストライプ色フィルタの一
部領域上と前記透光性基板の一部領域上に・半導体スト
ライプフィルタを形成し、この半導体ストライプフィル
タ上を透光性誘電体層で被覆してなる色分解ストライプ
フィルタみ第１の透光性薄膜層を、さらに前記半導体ス
トライプフィルタと前記透光性誘電体層の間にのみ第２
のイ光性薄膜層を介在させ、前記透光性基板の屈折率を
４．前記半導体ストライプフィルタの屈折率’ｔ ｎｙ
ｔ前記透光性誘電体層の屈折率ｔｎｎｓ前記第１と第２
の透光性薄膜層の屈折率をそれぞれｎテ１．ｎ！２とし
たとき、蚤なくともフィルタ透光波長領域において、１
１ｓ＜ｎｒ＋＜ ｎｙ ＊ ｎｏ ＜ ｎｙ２＜ ｎｙ
なる関係ケ有することを特徴とする色分解ストライプフ
ィルタ。 - （２）透光性基板上に所定間隔をおいて複数本のストラ
イプ色フィル、り全形板し、前記ストライプ色フィルタ
上およびその間の領域を覆う光学的整合層全形成し、前
記ストライプ色フィルタの＝部領域上−半導体スト、ラ
イブフィルタを前記光学的整合層を介して形成し、この
半導体ストライプフィルタ上を透光性誘電体層で被覆し
てなる色分解ストライプフィルタであって、前記光学的
整合層と前記半導体ストライプフィルタの間にのみ第１
の透光性薄膜層を、さらに前記半導体ストライプフイ、
ルタと前記透光性誘電体層の間にのみ第２の透光性薄膜
層を介在させ、前記光学的整合層の屈折率ｋ ｎＭ＋前
記半導体、ストライプフィルタの屈折率ヲ町、前記透光
性誘電体層の屈折率’ｋ ”Ｄ ｓ前記第１と第２の透
光性薄膜層の屈折率をそｎぞれｎ丁１ｓｎ？２としたと
き、少なくともフィルタ透光波長領域において、するこ
とを特徴とする色分解ストライプフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144504A JPS5844406A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 色分解ストライプフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144504A JPS5844406A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 色分解ストライプフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5844406A true JPS5844406A (ja) | 1983-03-15 |
Family
ID=15363893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56144504A Pending JPS5844406A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 色分解ストライプフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844406A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011026942A2 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Radisens Diagnostics Limited | An integrated cytometric sensor system and method |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP56144504A patent/JPS5844406A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011026942A2 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Radisens Diagnostics Limited | An integrated cytometric sensor system and method |
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