JPS5844740B2 - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
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- JPS5844740B2 JPS5844740B2 JP13929079A JP13929079A JPS5844740B2 JP S5844740 B2 JPS5844740 B2 JP S5844740B2 JP 13929079 A JP13929079 A JP 13929079A JP 13929079 A JP13929079 A JP 13929079A JP S5844740 B2 JPS5844740 B2 JP S5844740B2
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- JP
- Japan
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- vapor
- control plate
- evaporation source
- vapor deposition
- inert gas
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属等の蒸発物質の蒸気をイオン化して斜方
蒸着を行う蒸着装置に関する。
蒸着を行う蒸着装置に関する。
真空蒸着において、蒸着膜の電磁気特性を向上させる方
法に、磁場配向や斜方蒸着等により配向効果を持たせる
方法がある。
法に、磁場配向や斜方蒸着等により配向効果を持たせる
方法がある。
ところで、斜方蒸着の場合、配向効果を大にするために
蒸発源角度を大きくすると成膜速度が遅くなってしまう
問題がある。
蒸発源角度を大きくすると成膜速度が遅くなってしまう
問題がある。
本発明は、上記の問題点に鑑み、蒸気をイオン化し、イ
オン化蒸気を正電位の蒸気制御板で制御するとともにイ
オン化蒸気に不活性ガスを送ることによって、斜方蒸着
の配向効果を持たせると同時に成膜効率の向上を図った
蒸着装置を提供しようとするものである。
オン化蒸気を正電位の蒸気制御板で制御するとともにイ
オン化蒸気に不活性ガスを送ることによって、斜方蒸着
の配向効果を持たせると同時に成膜効率の向上を図った
蒸着装置を提供しようとするものである。
以下、本発明の蒸着装置の実施例を図面に従って説明す
る。
る。
図において、ベルジャ１はベースプレート２上に気密に
設置されており、ベルジャ１内に真空室３が形成されて
いる。
設置されており、ベルジャ１内に真空室３が形成されて
いる。
ベースプレート２には排気口４が設けられ、この排気口
４には拡散ポンプ等の真空排気系が接続されていて、真
空室３内を真空に排気する。
４には拡散ポンプ等の真空排気系が接続されていて、真
空室３内を真空に排気する。
前記ベースプレート２上には電子銃式蒸発源５が設置さ
れ、この蒸発源５の上方位置にイオン化装置６の高周波
コイル７が配置される。
れ、この蒸発源５の上方位置にイオン化装置６の高周波
コイル７が配置される。
さらに、高周波コイル７の上方に、蒸発源５を通る垂線
に対し角度θだけ傾斜して蒸気制御板８が配置され、こ
の蒸気制御板８の延長線上に被蒸着物としての基板９を
保持した基板ホルダ１０が設けられる。
に対し角度θだけ傾斜して蒸気制御板８が配置され、こ
の蒸気制御板８の延長線上に被蒸着物としての基板９を
保持した基板ホルダ１０が設けられる。
前記蒸気制御板８は絶縁体１１でベースプレート２に対
し絶縁支持され、この蒸気制御板８には蒸発源５に対し
正電圧＋Ｖが印加される。
し絶縁支持され、この蒸気制御板８には蒸発源５に対し
正電圧＋Ｖが印加される。
また、蒸気制御板８に沿って不活性ガスを吹出すための
ガス導入管１２がベルジャ１を貫通して設けられる。
ガス導入管１２がベルジャ１を貫通して設けられる。
以上の構成において、電子銃式蒸発源５で溶融された鉄
、ニッケル、コバルト等の蒸発物質２０は蒸気となって
上昇し、イオン化装置６の高周波により励振されている
高周波コイル７によりイオン化される。
、ニッケル、コバルト等の蒸発物質２０は蒸気となって
上昇し、イオン化装置６の高周波により励振されている
高周波コイル７によりイオン化される。
イオン化された蒸気は正イオンとなっているから正電位
の蒸気制御板８に反発し、ガス導入管１２から矢印Ａの
如く吹出された不活性ガスにより蒸気制御板８の下側に
沿って上昇する蒸気流となって蒸発源５に対し負電位の
基板９に蒸着する。
の蒸気制御板８に反発し、ガス導入管１２から矢印Ａの
如く吹出された不活性ガスにより蒸気制御板８の下側に
沿って上昇する蒸気流となって蒸発源５に対し負電位の
基板９に蒸着する。
上記実施例によれば、電子銃式蒸発源５の直上でイオン
化された蒸気が正イオンになって正電位の蒸気制御板８
で反発された状態で不活性ガス流にて斜め上方に吹上げ
られるから、配向効果を高めることができる。
化された蒸気が正イオンになって正電位の蒸気制御板８
で反発された状態で不活性ガス流にて斜め上方に吹上げ
られるから、配向効果を高めることができる。
また、蒸発源５で発生された蒸気を効果的に基板９へ運
ぶことができ、蒸気制御板８に蒸気が付着することもな
いから、成膜速度を充分大きくすることが可能である。
ぶことができ、蒸気制御板８に蒸気が付着することもな
いから、成膜速度を充分大きくすることが可能である。
従って、配向効果と同時に成膜効率を上げることかでき
る。
る。
さらに、蒸気制御板８に印力目する正電圧を変えること
によって、成膜速度を制御することができる利点もある
。
によって、成膜速度を制御することができる利点もある
。
なお、実施例では、高周波コイル６に高周波を供給する
ことで高周波イオン化を行ったが、他のイオン化手段の
採用も可能である。
ことで高周波イオン化を行ったが、他のイオン化手段の
採用も可能である。
叙上のように、本発明の蒸着装置によれば、斜方蒸着に
おいて配向効果及び成膜効率共に向上させることかでき
、一般の蒸着膜の形成の他、蒸着テープ（メタルテープ
）製造に使用可能である。
おいて配向効果及び成膜効率共に向上させることかでき
、一般の蒸着膜の形成の他、蒸着テープ（メタルテープ
）製造に使用可能である。
図は本発明に係る蒸着装置の実施例を示す概略構成図で
ある。 １・・・・・・ベルジャ、２・・・・・・ベースプレー
ト、３・・・・・・真空室、４・・・・・・排気口、５
・・・・・・電子銃式蒸発源、６・・・・・・イオン化
装置、７・・・・・・高周波コイル、８・・・・・・蒸
気制御板、９・・・・・・基板、１０・・・・・・基板
ホルダ、１２・・・・・・ガス導入管、２０曲°°蒸発
物質。
ある。 １・・・・・・ベルジャ、２・・・・・・ベースプレー
ト、３・・・・・・真空室、４・・・・・・排気口、５
・・・・・・電子銃式蒸発源、６・・・・・・イオン化
装置、７・・・・・・高周波コイル、８・・・・・・蒸
気制御板、９・・・・・・基板、１０・・・・・・基板
ホルダ、１２・・・・・・ガス導入管、２０曲°°蒸発
物質。
Claims (1)
- １ 蒸発源と、この蒸発源からの蒸気をイオン化するイ
オン化手段と、前記蒸発源上方に斜めに配置される正電
位の蒸気制御板と、この蒸気制御板に沿って不活性ガス
を吹出すガス導入手段と、前記蒸気制御板のほぼ延長線
上に前記不活性ガスで送られる蒸気流を受けるように被
蒸着物を支持する手段とを備えたことを特徴とする蒸着
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13929079A JPS5844740B2 (ja) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13929079A JPS5844740B2 (ja) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5662963A JPS5662963A (en) | 1981-05-29 |
| JPS5844740B2 true JPS5844740B2 (ja) | 1983-10-05 |
Family
ID=15241831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13929079A Expired JPS5844740B2 (ja) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844740B2 (ja) |
-
1979
- 1979-10-30 JP JP13929079A patent/JPS5844740B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5662963A (en) | 1981-05-29 |
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