JPS5845140B2 - イオンビ−ム源 - Google Patents

イオンビ−ム源

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JPS5845140B2
JPS5845140B2 JP50033546A JP3354675A JPS5845140B2 JP S5845140 B2 JPS5845140 B2 JP S5845140B2 JP 50033546 A JP50033546 A JP 50033546A JP 3354675 A JP3354675 A JP 3354675A JP S5845140 B2 JPS5845140 B2 JP S5845140B2
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JP
Japan
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ion beam
lattice structure
ion
filament
assembly
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JP50033546A
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JPS50135500A (ja
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ドメニツク ロツシーニ ジヨージ
ルイス ジヤーラツシユ ロバート
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BARIAN ASOSHEITSU Inc
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BARIAN ASOSHEITSU Inc
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Publication date
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Publication of JPS5845140B2 publication Critical patent/JPS5845140B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/20Ion sources; Ion guns using particle beam bombardment, e.g. ionisers

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔本発明の分野〕 この発明はイオンビームを発生する技術の改良に関する
〔従来技術の説明〕
イオンビームの使用に関する多くの応用例の中で、表面
のスパッター洗浄あるいはエツチングが特に重要である
例えばオージェ表面分析装置を用いれば試料の表面を電
子ビームで衝撃することによってその表面の化学的組成
が非破壊的に分析され得る。
しかしながらその表面から不純物と汚染物を取除くため
に電子衝撃の前にそのような表面をイオン衝撃にさらす
ことが望ましいことがしばしばある。
もし試料内の連続する層の連続的なオージェ分析を行う
ことが望ましいならば、分析後の連続する層の夫々をイ
オン衝撃によって取除き新しい層が分析のための電子ビ
ームにさらされ得ることが必要である。
従来のイオンビーム衝撃装置においては、イオンビーム
源とイオンビームによって衝撃されるターゲットとは排
気可能な框体内に設置され、アルゴンガスのようなイオ
ン化しやすいガスの前記框体内での圧力は10−4から
10 ’hル(Torr)の範囲に維持されていた。
イオンビーム源は電子エミッタと、電子を引寄せる格子
構造物と、イオン引出し器と、静電レンズ系より戒って
いた。
電子放出体は典型的にはフィラメント状の陰極であった
格子構造物は螺旋状に巻かれたかごのようなワイヤの構
造で、典型的には1インチにつき10回のピッチで巻か
れた0、005インチの直径のタングステンのワイヤ製
であった。
従来装置の格子構造の螺旋配置は明らかに、1969年
3月25日に付与されそしてパリアン・アソシエイツに
譲渡された米国特許第3,435,334号に記載され
たゲージのような真空イオン化ゲージのための格子構造
物のデザインからの転用であった。
フィラメントから電子は格子構造物の近傍に引出され、
その場所でのこれら電子と格子構造物の近傍のガス原子
との非弾性衝突がイオンを生じていた。
イオン引出し器は典型的には、フィラメントと格子構造
物との両方を包囲する円筒形のスクリーンであり、この
イオン引出し器はイオンを格子構造物の近傍から引出し
て静電レンズ系の静電力の及ぶ範囲に向けて加速するた
めの適当な電位に維持されていた。
静電レンズ系は引出されたイオンをビームに絞りこれを
ターゲットに向けて加速する働きをしていた。
静電レンズ系の原理は周知であり、ビー・パズコフス千
−(B、Paszkowski )による「電子光学J
(Electron 0ptics。
11iffe Books London、 I 96
8 )やピー・グリベット(P、Grivet)による
「電子光学」(Electron 0ptics、Pe
rgamon Press 5London、 196
5 )のような本で取扱われている○ 従来のイオンビーム装置においては、電子を放出するフ
ィラメント、電子を引出す格子構造物そしてイオン引出
し器のすべては1個の組立体として真空貫通部材上に据
付けられ、該真空貫通部材は排気框体の外側との電気接
続を提供していた。
時には静電レンズ系の様々な部品もまた同じ組立体の部
品として据付けられていた。
フィラメントまたは格子構造物を取替えるためにはイオ
ン引出し器をフィラメントと格子構造物とを包囲する位
置から取りはずす必要もあった。
従来技術の格子構造物は本質的には、溶接によって取付
けられた棒のような支持部材を有する螺旋状のワイヤで
あった。
格子構造物支持部材はバレル・コネクタまたは溶接によ
って真空貫通部材に取付けられていた。
このようにして従来技術においては、格子構造物を取替
えるためには古い格子構造物を取除くためにバレル・コ
ネクタQつたくさんのねじを抜き、次いで新しい格子構
造物を再配置し、同時にバレル・コネクタのねじを再挿
入して締める必要があった。
さもなければ破壊してたくさんの溶接をしなおす必要が
あった。
〔本発明の概要〕
本発明は、イオンビーム装置のフィラメント、格子構造
物、イオン引出し器及び静電レンズ系の改良された取付
は配置を提供するものである。
更に本発明は、ビームの外形とイオンビームの電流密度
を最適化するイオンビームの格子構造物のための新規な
配置を提供する。
特に、電子を放出するフィラメントと電子を弓出す格子
構造物は同一の組立体上に取付けられ、一方イオン引出
し器と静電レンズ系部品はそれとは異なる組立体の上に
取付けられる。
フィラメント−格子組立体は、他の組立体の接合部分に
対応する組立体プラグの接合部分を有することによって
、引出し器−レンズ組立体と一体となる。
しかしながらこれら2つの組立体は、イオン引出し器と
レンズ系部品とをそれらの組立体から取りはずすことな
く、容易に分離でき、それによってフィラメントと格子
構造物には容易に近づきやすいこととなる。
格子構造物は従来技術におけるような多数ノバレル・コ
ネクタによらず、むしろ1個のねじによってフィラメン
ト−格子組立体に取りはずし可能に取付けられている。
このようにして、本発明の取付は配置を使用することに
よって格子構造物の取替えは従来技術の装置の場合より
はるかにたやすくなる。
本発明においては引出し器−レンズ系は全体としてフィ
ラメント−格子組立体から抜かれ、それによってイオン
引出し器と静電レンズ系の部品を取りはずすことなくフ
ィラメント格子構造物に接近することができる。
格子構造物それ自体は1個のねじを取除くことによって
フィラメント−格子組立体から取除くことができ、格子
構造物の取替えは1個のねじを再挿入することによって
適切な配置に置替えることができる。
格子構造物を適切に配置するための多数のバレル・コネ
クタを調整するという従来技術に本質的に存在するやっ
かいな取付は技術はそれによって取除かれる。
更に、この発明の格子構造物は従来技術におけるような
螺旋構造ではなく、耐熱性金属によって細かなメツシュ
に作製されている。
この発明のメツシュ配置は従来技術の螺旋配置をしのぐ
幾つかの重安な利益を提供する。
例えは、一定のフィラメントと格子の間の間隔には、細
かいメツシュ格子構造物を用いることによって螺旋格子
構造物を使用する場合より低い電圧で空間電荷制限電流
が生じることが発見された。
これは細かいメツシュ格子構造物を使用することによっ
てより効率的に電子かフィラメントから撤退することを
意味する。
このより大きな効率は、従来技術のフィラメントと螺旋
格子との間で生じ得た電界強度より、この発明のフィラ
メントと目の細かいメツシュ格子の間で得ることが可能
なより大きな電界強度に帰因する。
また、一定のフィラメント−格子・電子放出電流のもと
では、結果として生ずるイオンビーム電流密度は、この
発明の細かいメツシュ格子を用いた場合に従来技術の螺
旋格子を用いる場合よりはるかに高いことが発見された
この増加したイオンビーム電流密度は、細かいメツシュ
の格子配置の領域において維持可能な電場分布が従来技
術の螺旋格子配置内の電場分布より更に均一であること
に帰因する。
従ってこの発明の細かいメツシュ格子配置の近傍におい
では、より均一な電子密度が達成される。
更に、細かいメツシュ格子配置を有する装置によって発
生されたイオンビームの外形は、従来技術の装置によっ
て発生されたイオンビームのそれよりすぐれていること
が発見された。
明確には、この発明に従う装置によって発生されたイオ
ンビーム外形は従来技術において得ることができたそれ
よりも更に狭くそして均一である。
このより狭く均一なイオンビームの外形は同様にして、
細かいメツシュ格子構造物内の電場分布と電子密度が従
来技術においで使用さ石た格子構造物の螺旋タイプのそ
れらよりより均一であるという事実に帰因する。
〔本発明の詳細な説明〕
第1図はイオンビーム装置を示すものであり、この図に
おいでイオンビーム源10とイオンビーム11による衝
撃を受ける試料21を保持するための試料保持手段20
とがチャンバー25内に取付けられ、チャンバー25は
真空気密ノ框体22によって囲まれている。
試料保持手段20は電気的に接地した試料保持器でどの
ような適当な機械的設計0ものでもよく、例えは本件と
同時に米国特許出願をし、パリアン・−rソシエイッに
譲渡され、該特許出願の明細書に記載された回転木馬形
の試料保持器でもよい。
チャンバー25は壁22の開口23を通じて適当な真空
排気手段によって排気可能であり、アルゴンのような不
活性のイオン化可能なガスが壁22の開口24を通じて
排気されたチャンバー25内に導かれ得る。
イオンビーム源10は参照数字30/40によって指示
されたフィラメント−格子組立体と参照数字50/60
によって指示された引出し器−レンズ組立体を含む。
フィラメント−格子組立体30/40の主要な部品は電
子放出体であるフィラメント30と目の細いメツシュ格
子構造物40である。
引出し器−レンズ組立体50/60の主要な部品はイオ
ン引出器50と静電レンズ系60である。
フィラメント30は好適には、218−タングステンな
るカタログ名称のもとにジェネラル・イレクトリック社
(General Electnic Com−pan
y )により販売されているタイプの直径が0.00フ
インチのたるみのないタングステンワイヤ製である。
フィラメント30は例えばU字形の配置にされ、そのさ
きはバレル・コネクタ31と32によって固定の電気導
線33と34に取りはずし可能に取付けられている。
電気導線33と34とは絶縁セラミック板35を通って
真空框体22の外側の電気接触ピン(図示せず)に伸び
ている。
フィラメント30を電子放出が行われるまでの温度に電
気抵抗加熱するための、そしてフィラメントを所望の電
位、例えば2.8キロボルト、に維持するための電気回
路に前記電気接触ピンが接続されている。
格子構造物40はほぼ円筒形に形成された目の細かなメ
ツシュ41より成り、このメツシュはタングステン、イ
リジウム、タンタル及びモリブデンのような耐熱性金属
より作製されている。
メツシュ41は第1図に示されている編合わされたワイ
ヤのネットのようなスクリーン、あるいは代わりに第2
図に示されている耐熱性金属の穴のあいた薄板から形成
されても差支えない。
金属薄板の穴は第2図に示されているように円形でもよ
く、あるいは正方形や長方形のような他の形でもよい。
メツシュ41は目の細かなメツシュとして特色づけられ
、測定された「目の細かさ」は20−メツシュから10
0−メツシュの範囲にある。
ネットのようなスクリーンの実施例と穴をあけた薄板の
実施例のいずれのメツシュ41でモ目の細かさにおいて
、例えば1インチにつき20から100の範囲の目の細
かさで均等に間隔があけられた0、001インチの直径
のワイヤのスクリーンと同等である。
好適には100メツシユの細かさが用いられる。
メツシュ41は本来非固定である。それ酸ネットのよう
なスクリーンの実施例の場合においでは、非固定0メツ
シユの円筒の両端は、金属リング42と43に溶接のよ
うな方法で取付けられている。
非固定のメツシュ41を固定円筒配置内に保持するため
の固定骨組を提供するように、円筒の長手方向に伸びて
いる2つあるいはそれ以上の固定支持部材44がリング
42と43とに結合されている。
第1図に示されているネットのようなスクリーンの実施
例の場合には、幾つかの金属の竹馬のような支え45の
夫々の一端は溶接のような方法でリング43に取付けら
れている。
第2図に示されている穴をあけた薄板の実施例の場合に
は、メツシュ41のために、金属の竹馬のような支え4
5を円筒の長手方向に沿って伸ばすことによって固定の
円筒配置が維持され得る。
いずれの場合においても、支持部材45の夫々の他端は
溶接のような方法によってカップのような金属土台部材
46に取付けられる。
土台部材46は1個のねじ47によって金属板48に取
りはずし可能に取付けられ、金属板48はねじ36とね
じ37によってセラミック板35に取付けられている。
電気導線38はボルト3Tと電気的に接触し、真空框体
22の外側に伸びている電気接触ビン(図示せず)に達
している。
該電気接触ビンは格子構造物40を所望の電位、例えば
3.0千ロボルト、に維持するための電気回路と接続し
ている。
セラミック板35は、第1図ではボルト70によって代
表されている多数のボルトによってフランジ付き環状金
属取付は具39の一側面上に締めつけられている。
セラミック板35は取付は具39の一側面上の開口をお
おっている。
電気導線33と34はセラミック板35を通過し、電気
導線38はセラミック板35を貫通している電気伝導性
のボルト31に接続されている。
これらの導線はすべて取付は具39の開口に伸び取付は
具39を通過して0゛・る。
他の電気導線84,85及び86はまた取付は具39の
開口に伸ひ取付は具39を通過している。
これら3つの導線の機能は後に述べる。
セラミックプラグ71は取付は具39の他の側面におけ
る開口にきちんと接合する。
電気導線33,34,38,84,85及び86のすべ
ては取付は具39の開口を経て取付は具39を通過し、
それからセラミックプラグ71を通過し、そして真空框
体22の外側に伸びている電気接触ビン(図示せず)に
達する。
フランジ付き環状取付は具39は外側フランジ内にはめ
込まれでいる。
セラミックプラグ71と取付は具39の間の及び取付は
具39と外側フランジ72の間の真空気密シールは真空
技術に周知の手段(図示せず)によって行われる。
外側フランジ72はボルト74と75によって接合フラ
ンジ73に締めつけられて接合フランジ73は開口アロ
の周囲の框体22の壁と一体に形成され、開口γ6はイ
オンビーム源10がチャンバー25内に突出するのを可
能とするに十分な大きさである。
フランジ72と73の接合の真空シールは金属シールガ
スケット77によって提供され、このガスケットは19
65年9月28日に付与され、パリアン・アソシエイツ
に譲渡された米国特許第3,208,758号で十分に
述べられている。
格子構造物40の円筒軸はU字形のフィラメント30の
直線部に対して実質的に平行に配置されている。
格子構造物40は、単に1個のねじ47を取除きそして
再挿入することによって、格子構造物40は容易に取り
はずすことができ、新しい格子構造物をフィラメント3
0の直線部に適当な配置の状態でその元の位置に置換え
ることができるのが、本発明の特徴である。
一方、従来技術の格子構造物の取付は技術においては、
螺旋形の格子構造物に取付けられた多数の支持部材が、
絶縁土台に取付けられた支持部材の同数の支持部材にバ
レル・コネクタによって接合されでいた。
従来技術の取付は技術にとっては格子構造物が適切に配
列されるようにバレル・コネクタを調整することはやっ
かいな手順であった。
本発明の取付は技術を用いれば、1個のねじ47を締め
ることによって格子構造物の適切な配列を得ることがで
きる。
従来技術の取付は技術がこうむった他の困難は、従来技
術の装置のイオン引出し器が、そして時にはイオン引出
し器と静電レンズ系の部品が、格子構造物とフィラメン
トの取付けられた同一組立体の部品として取付けられた
ことである。
従って従来技術においては、格子構造物あるいはフィラ
メントに接近するためにはイオン引出し器を多分静電レ
ンズ系の部品と共に取りはずす必要かあった。
一方、本発明においては、イオン引出し器50と静電レ
ンズ系60は、フィラメント30と格子構造物40より
成る組立体30/40から容易に分離可能な組立体50
/60の部品として取付けられている。
イオン引出し器50はほぼ円筒形のネットのようなスク
リーン51より成り、このスクリーンは格子構造物40
のメツシュ41とフィラメント30の大部分を包囲して
いる。
引出し器50の円筒軸は実質的に格子構造物40の円筒
軸とフィラメント30の直線部に平行である。
好適な実施例においては、ネットのようなスクリーン5
1は100メツシユのステンレス・スチールのよウナ金
属ワイヤで直径が0.003インチのものから作製され
ている。
本発明に基づくスクリーンは通常経験する温度ではねじ
曲ることもなく固定されているであろう。
スクリーン51は溶接のような方法によってフランジ付
き金属環状部材52に取付けらイ]、金属環状部材52
はその内部の環状開口55を除いて静電レンズ系60に
隣接する引出し器50の端をおおっている。
環状開口55は格子構造物40と中心を共通にするが、
直径はおよそ20%はど格子構造物40のそれより小さ
い。
格子構造物の近傍から引出されたイオンは加速されて開
口55を通って静電レンズ系に内力)う。
引出し器50は環状部材52によってイオンビーム源1
0内に取付けられている。
セラミック支え54のような電気絶縁イオン引出し器支
持部材を内部に固定配置している金属製の円筒スリーブ
53はフィラメント−格子組立体30/40を包囲する
が、この組立体から分離できる。
金属環状部材52のフランジ部分はセラミック支え54
の接合部分に受入れられて固定され、それによってイオ
ン引出し器50はスリーブ53上に機械的に取付けられ
ている。
しかしイオン引出し器50はスリーブ53とは電気的に
絶縁されている。
−L述のネットのようなスクリーン51は]、 OO−
メツシュの穴をあけた金属の薄板から作製された円筒構
造物によって置換えることが可能であることが予期され
る。
イオン引出し器50は格子構造物40の近傍から正のイ
オンを引付けるため、例えは2.7キロボルトのような
電位に維持される。
この電位はより高い3.0千ロボルトにも維持される。
イオン引出し器50はこのようにしてフィラメント30
と格子構造物40を金属製スリーブ53から静電的に絶
縁し、イオンを静電レンズ系60に向けて加速する働き
をする。
イオン引出器50の操作は周知であり、カーター(G、
Carter)とコリガン(J 、S 、CollCo
11iによる「固体のイオン衝撃J (Jon Bom
t)ardment of 5olids。
American Elsevier Publish
ing Com−pany、New York、196
8 )、特に423頁以降、のような本に更に詳細に説
明されている。
イオン引出し器50のための新規な他の実施例が第3図
に示されている。
特に、環状おおい部材52から静電レンズ系60に最も
近いレンズ素子61中に突出しているスリーブ57上に
取付けられている100−メツシュでo、ooiインチ
の直径の新規なタングステンワイヤが備えられでいる。
開口を設けた端スクリーン56は突出しているスリーブ
57と協力して、端スクリーン56と突出しているスリ
ーブ57なしで生ずるよりは小さなエネルギーでイオン
ビームのより鮮明な焦点合わせを生せしめる。
第3図に示された実施例において突出しているスリーブ
57はおおい部材52と一体に形成され、そして円筒形
の静電レンズ素子61の内部に伸ひている。
開口を設けた端スクリーン56がスリーブ57の端に溶
接のような方法によって取付けられ、おおい部材52の
開口55をおおっている。
格子構造物40の近傍で発生したイオンはスクリーン5
6を通過し、静電レンズ系60にはいり、ここでイオン
はイオンビーム11に底形される。
電気接触プラグ59で終わる電気導線58はイオン引出
し器50に取付けられ、そしてイオン引出し器50を所
望の電位に維持するための手段を提供する。
プラグ59は、金属製スリーブ53に固定されている絶
縁体90中の電気伝導性中空係合手段(図示せず)に挿
入可能である。
電気通路はプラグ59から絶縁体90を通って絶縁体9
0の反対側の凸部係合手段(図示せず)まで提供されて
いる。
絶縁体90のこの凸部係合手段はセラミック板35の凹
部受容手段(図示せず)中に挿入可能であり、これによ
ってセラミック板35を通過して電気導線86に達する
電気通路が提供される。
電気導線86は取付は具39の開口を介してセラミック
プラグ71を通して電気接触ピン(図示せず)に達する
このピンは真空框体22の外側に伸びている。
イオン引出し器50はこの外側の空気接触ピンによって
その適当な電位に維持されでいる。
静電レンズ系60は典型的には参照数字61゜62及び
63によって示されているような多数の円筒形状に配置
されたレンズ素子より成り、これらレンズ素子はイオン
をイオンビームに成形し、このイオンビームをターゲッ
ト21に向けて加速する。
レンズ素子61,62及び63は、イオン引出し器50
がスリーブ53上に取付けられている方法と同様にして
スリーブ53上に取付けらイ1ている。
第1図に示されている様に、電気絶縁性の支持部材64
,65及び66は金属製スリーブ53内に固定され、夫
々レンズ素子61,62及び63のための機械的な支え
として働く。
レンズ素子6L62及び63は夫々電気導線67.68
及び69によってそれらの所望の電位に維持されている
第1図に石されている静電レンズ系の配置lこおいて、
レンズ素子61及び63は同一の電位に維持されている
ため電気導線69はスリーブ53内の空間内においで電
気導線67に接続され得る。
電気導線67と68はそれからスリーブ53内でイオン
引出し器50の外側の領域を通過し、そして夫々電気接
触プラグに達する。
プラグ87と88は絶縁体90中の夫々電気伝導性中空
接触体92及び93中に挿入可能である。
プラグ8Tから絶縁体90を通って突出接触体94に達
する電気通路とプラグ88から絶縁体90を通って突出
接触体95に達する電気通路が提供され、接触体94と
95の両方は中空接触体92と93とは絶縁体90の反
対側に位置している。
突出接触体94と95は夫々セラミック板35内の金属
製中空受容器82と83内部に挿入可能である。
セラミック板35とセラミックプラグ71の間の領域に
面しでいる受容器82と83の端は夫々電気導線84と
85とに電気的に接触している。
電気導線84と85は取付は具39の開口を介してセラ
ミックプラグ71を通って前述の図示しない外部電気接
触ピンに達する。
静電レンズ系60のレンズ素子はこれら外部の電気接触
ピンによってそイユらの適当な電位に維持される。
金属製スリーブ53、支持部材64,65及び66とそ
れに支持されたレンズ素子61.62及び63、電気導
線6γ、68及び69、それらの終端となるプラグ87
及び88、イオン引出し器50、その支持部材54、電
気導線58及びその終端となるプラグ59、プラグを受
容する絶縁体90のこれらすべては集合的に引出し器−
レンズ組立体50/60を構成する。
フィラメント30と格子構造物40かイオン引出し器5
0の円筒内部に受入れられ、静電レンズ系60σつため
の突出接触体94と95及びイオン引出し器50のため
の突出した接触体(図示せず)は対応する中空受容器8
2.83及び図示していないセラミック板35内の他の
接触体と電気伝導摩擦接触するように挿入される、よう
にスリーブ53をセラミック板35の周囲に置くことに
よって、全体の引出し器−レンズ組立体50/60がフ
ィラメント−格子組立体30/40に関して適当な位置
に取付けられることが、第1図より理解することができ
る。
スリーブ53はセラミック板35と取付は具39のフラ
ンジ部に密着して適合する。
スリーブ53は参照数字99によって代表される1つ或
いはそれ以上のねじによって取付は具39にしっかりと
、しかし取りはずし可能に取付けられる。
ねじ99はスリーブ53と取付は具39の両方にわたる
一直線に合わせられたねじ切り穴を通過する。
引出し器−レンズ組立体50/60を取りはずすにはね
じ99を取去りスリーブ53をセラミック板35から持
−上げさえすれはよい。
そうすることによってフィラメント30と格子構造物4
0は容易に露出される。
この発明に従う装置の従来技術装置をしりぐ長所は第4
図及び第5図に示される曲線によって鮮明に示されてい
る。
第4図の曲線は従来技術の装置によって発生された2つ
の異なるエネルギーレベル、即ち1000電子ボルトと
2000電子ボルト、について測定したもので、ミリメ
ートルで測定されたイオンビームの断面の幅に対し、マ
イクロアンペア・パー・平方センナメートルで測定した
イオンビーム電流密度をプロットしたものである。
第5図の曲線は本発明に従う装置について第4図におけ
るパラメータと同一のパラメータを示すものである。
一定イオンビームエネルギーについての第4図と第5図
の曲線を比較することによって、本発明に従う装置は従
来技術装置で得ることができるものより幅が狭く、そし
てより対称的であることを理解することができる。
この発明に従うイオンビーム装置の製造の細部の変更は
この明細書中に記載したような発明の範囲から離脱する
ことなく達成される。
従って本発明は特許請求の範囲によってのみ限定される
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を具体化するイオンビーム装置の縦断面
図、第2図は本発明の格子構造物の他の配置を示す図、
第3図は本発明に従うイオンビーム装置のイオン引出し
器の他の実施例の部分縦断面図、第4図は従来技術装置
のイオンビームの外形を示す曲線図、第5図は本発明に
従う装置のイオンビームの外形を示す曲線図である。 10・・・・・・イオンビーム源、11・・・・・・イ
オンビーム、20・・・・・・試料保持手段、21・・
・・・・試料、22・・・・・・真空気密框体、30・
・・・・・フィラメント、35・・・・・・絶縁セラミ
ック板、40・・・・・・格子構造物、41・・・・・
・メツシュ、50・・・・・・イオン引出し器、5L5
6・・・・・・スクリーン、53・・・・・・金属製円
筒スリーブ、55・・・・・・環状間l」、57・・・
・・・金属製スリーブ、61.62,63・・・・・・
レンズ素子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 イオンビーム源であって: 電子放出体; 耐熱性金属メツシュから成る格子構造物であって、電子
    とイオン化可能なガス原子との当該格子構造物の近傍に
    おける衝突によってイオンを生成するため、前記放出体
    から当該格子構造物の近傍に向けて電子を引きつけるた
    めの電位に維持可能である格子構造物; 該格子構造物の近傍から前記イオンを引出すためのイオ
    ン引出し手段;並びに 前記イオンをイオンビームに成形するためのイオンビー
    ム成形手段; から成り、 前記電子放出体及び前記格子構造物は、第1の組立部材
    上に取付けられて、第1の組立体ユニットを形成し: 前記イオン引出し手段及び前記イオンビーム成形手段は
    、第2の組立部材上に取付けられて、第2の組立体ユニ
    ットを形威し; 前記第2の組立部材は、RIJ記第1の組立部材に対し
    て取外し可能に固着され;且つ 前記電子放出体は、前記第1の組立部材に取外し可能に
    固着され; 以て、前記第2の組立体ユニットは前記第1の組立体ユ
    ニットとは独立に挿入可能且つ除去可能であり、前記電
    子放出体は個々的ユニットとして挿入可能且つ除去可能
    である; ところのイオンビーム源。
JP50033546A 1974-03-22 1975-03-22 イオンビ−ム源 Expired JPS5845140B2 (ja)

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JPS50135500A JPS50135500A (ja) 1975-10-27
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JP50033546A Expired JPS5845140B2 (ja) 1974-03-22 1975-03-22 イオンビ−ム源

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GB (1) GB1494398A (ja)

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US3930163A (en) 1975-12-30
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FR2265171B3 (ja) 1977-04-15
DE2512626A1 (de) 1975-09-25
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