JPS5845265B2 - サ−ジエネルギ−吸収素子 - Google Patents

サ−ジエネルギ−吸収素子

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JPS5845265B2
JPS5845265B2 JP10181978A JP10181978A JPS5845265B2 JP S5845265 B2 JPS5845265 B2 JP S5845265B2 JP 10181978 A JP10181978 A JP 10181978A JP 10181978 A JP10181978 A JP 10181978A JP S5845265 B2 JPS5845265 B2 JP S5845265B2
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JP
Japan
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resistor
surge
surge energy
absorbing element
energy absorbing
Prior art date
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Expired
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JP10181978A
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JPS5529259A (en
Inventor
忠 佐藤
崇行 氷瀬
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5529259A publication Critical patent/JPS5529259A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はサージエネルギー吸収素子に係り、特に核融合
装置等に使用する大型の加速器の電極間に生じる絶縁破
壊による電極の消耗を防止するに好適なサージエネルギ
ー吸収素子に関する。
第1図は従来より使用されているサージエネルギー吸収
素子を説明するための回路図であり、第1図にかいて1
は加速器で、加速電極11、アース電極12を有して構
威され、各加速、及びアース電極11.12には電源2
により高圧電源が供給されている。
ところで、加速電極11、及びアース電極12には高電
圧が印加されるため、しばしば絶縁が破壊し、漂遊容量
3に蓄積されていたエネルギーが加速電極11、及びア
ース電極12に放出される。
このため、加速電極11、及びアース電極12の消耗が
著しくなり、ついには加速器1が使用不能になることが
ある。
この加速電極11、及びアース電極12の絶縁破壊によ
る消耗を防11:、するためにサージエネルギー吸収素
子4が使用される。
このサージエネルギー吸収素子4の動作を第2図の等価
回路を用いて説明する。
ここで、第1図に示した加速電極11、及びアース電極
12に相当するギャップを符号5で示し、更にサージエ
ネルギー吸収素子4は、インダクタンス成分6と抵抗成
分7で等価的に表わすことができる。
尚、8は漂遊容量で第1図に示した漂遊容量3の総計に
相当する容量である。
このような第2図Ki−いて、ギャップ5で絶縁が破壊
すると、漂遊容量8に蓄積されているエネルギーがサー
ジ電流となってギャップ5に流入する。
ところが、サージ電流はインダクタンス6によりブロッ
クされるので、サージ電流は抵抗成分Iに流れる。
ここで、サージ電流に伴うサージエネルギーの大部分が
抵抗成分7Vc勢げるジュール熱として消費され、ギャ
ップ5に消費されるエネルギーを著しく低下させる事が
でき、加速電極、及びアース電極の絶縁破壊による消耗
が防止される。
ところで、従来のサージエネルギー吸収素子4は、第3
図に示すように、一般には珪素鋼板、あるいはパーマロ
イ等の強磁性材料でできた薄板9を多数回巻いたコイル
をコアとして使用し、薄板9に蓄積される磁気エネルギ
ーが第2図のインダクタンス成分6を構威し、薄板9の
強磁性材料中を流れるうず電流10によって生じるジュ
ール損によりサージエネルギーを吸収するようにしてい
るものである。
しかしながら、従来のサージエネルギー吸収素子4は、
強磁性材料中に生じるうず電流を利用してエネルギーを
吸収するものであるために、抵抗成分に非線形特性があ
り、設計値と釦りの抵抗成分を設計する事が難しいとい
う問題がある。
本発明は上述の点に鑑み威されたもので、その目的とす
るところは、抵抗成分の設計が容易なサージエネルギー
吸収素子を提供するにある。
本発明はサージ電流が流れる導体に鎖交して設置される
強磁性材のコアをフェライト製とすると共に、該フェラ
イトコアと同軸状に抵抗体を設け、該抵抗体を前記フェ
ライトコアと鎖交するように設置することにより、所期
の目的を遠戚するようになしたものである。
以下、図面の実施例に基づいて本発明の詳細な説明する
第4図、及び第5図に本発明の一実施例を示す。
成因にかいて、101はコアで、うず電流がほとんど無
視できる円筒系のフェライトにより形成され、絶縁スペ
ーサ109で相互に分離、絶縁されている。
更に、このフェライトコア101と同軸状に抵抗体10
6をフェライトコア101の外側に設置すると共に、こ
の抵抗体106を金属導体108で同軸状に接続し、か
つ、そして、フェライトコア101に鎖交するように配
置されている。
尚、導体103はフェライトコア101に鎖交して設け
られた多数個の導体を1本の導体で代表させたもので、
導体103にはサージ電流が流れる。
このような本実施例の構成とすることにより、導体10
3にサージ電流が流れると、フェライトコア101によ
り抵抗体106にはサージ電流が誘起される。
この時、抵抗体106はフェライトコア101と同軸状
になっているため、抵抗体106のインダクタンス分は
無視できる程度に小さくでき、従って、サージエネルギ
ー吸収用の抵抗の設計が容易となり、漂遊容量や加速器
の電極構造を考慮した最適の抵抗値を選ぶことが可能と
なる。
よって、抵抗体106によりサージエネルギーを効率よ
く吸収する事ができるのである。
第6図、及び第7図に本発明の他の実施例を示す。
成因に示す実施例は、第4図、及び第5図に示した実施
例にかける抵抗体106を円筒状のフェライトコア10
1の内側に配置したものである。
このような構成とすることによっても、その効果は上述
した実施例と全く同様であり、特に本実施例の構成は、
導体103とフェライトコア101の間に充分なスペー
スがある時は有効で、より設置面積を小さくできる利点
がある。
第8図に本発明の更に他の実施例を示す。
成因の実施例は、第4図、及び第5図に示す実施例の同
軸状に配置した抵抗体106と金属導体108のかわり
に同軸構造で一様な抵抗体102を使用したもので、こ
れによれば、第4図、及び第5図に示す抵抗体106よ
りさらにインダクタンス分を小さくする事ができ、更に
その効果が期待できる。
尚、従来使用するコアは、周波数特性を良くする必要か
ら、100μ程度の薄板を数百回巻くため高価となって
いたが、上述した本実施例とすることにより、フェライ
トコアと同軸状の抵抗体を使用するので、コアの製作、
かつ安価となる効果もある。
ところで、本実施例での往復導体は、例えば加速器のフ
ィラメントに電流を供給するために使用されるが、加速
電圧100 kVK対し、各導体のアースに対する電位
が100kV−1−10V、100kV−10V程度と
ナッテk r)、100KVの絶縁破壊に対しては1本
の導体と同一視でき、第2図に示す等価回路となるので
問題はない。
以上説明した本発明のサージエネルギー吸収素子によれ
ば、サージ電流が流れる導体に鎖交して設けられる強磁
性材のコアをフェライト製とすると共に、このフェライ
トコアと同軸状に抵抗体を設け、該抵抗体を前記フェラ
イトコアと鎖交するように設置したものであるから、導
体にサージ電流が流れると抵抗体にはサージ電流が誘起
されるが、抵抗体はフェライトコアと同軸状になってい
るため、抵抗体のインダクタンス分は無視できる程度に
小さくでき、従って、抵抗成分の設計が容易なサージエ
ネルギー吸収素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来より使用されているサージエネルギー吸収
素子を説明するための回路図、第2図は第1図の回路の
等価回路図、第3図は従来のサージエネルギー吸収素子
を一部断面して示す正面図、第4図は本発明のサージエ
ネルギー吸収素子の一実施例を一部断面して示す正面図
、第5図は第4図を一部断面して示す側面図、第6図は
本発明の他の実施例を一部断面して示す正面図、第7図
は第6図を一部断面して示す側面図、第8図は本発明の
更に他の実施例を一部断面して示す正面図である。 1・・・加速器、2・・・電源、3,8・・・漂遊容量
、4・・・サージエネルギー吸収素子、5・・・ギャッ
プ、6・・・インダクタンス、7・・・抵抗、9・・・
強磁性材、10・・・うず電流、11・・−jJ鑓電極
、12・・・アース電極、101・・・フェライトコア
、102.106・・・抵抗体、103・・・導体、1
07.108・・・金属導体、109・・・絶縁スペー
サー。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 サージ電流が流れる導体に鎖交して設置される強磁
    性材のコアを備えているサージエネルギー吸収素子に釦
    いて、前記コアをフェライト製とすると共に、該フェラ
    イトコアと同軸状に抵抗体を設け、該抵抗体は前記フェ
    ライトコアに鎖交するように設置されていることを特徴
    とするサージエネルギー吸収素子。
JP10181978A 1978-08-23 1978-08-23 サ−ジエネルギ−吸収素子 Expired JPS5845265B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10181978A JPS5845265B2 (ja) 1978-08-23 1978-08-23 サ−ジエネルギ−吸収素子

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JP10181978A JPS5845265B2 (ja) 1978-08-23 1978-08-23 サ−ジエネルギ−吸収素子

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Publication Number Publication Date
JPS5529259A JPS5529259A (en) 1980-03-01
JPS5845265B2 true JPS5845265B2 (ja) 1983-10-07

Family

ID=14310721

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JP10181978A Expired JPS5845265B2 (ja) 1978-08-23 1978-08-23 サ−ジエネルギ−吸収素子

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS586036A (ja) * 1981-07-03 1983-01-13 株式会社東芝 高電位給電装置
JPS5963925A (ja) * 1982-09-28 1984-04-11 日立電線株式会社 交流変圧器の保護装置
JPH05153728A (ja) * 1991-11-26 1993-06-18 Chubu Electric Power Co Inc 大電流高圧サージ低減装置
JP5754570B2 (ja) * 2012-02-21 2015-07-29 ニチコン株式会社 パルス電源

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JPS5529259A (en) 1980-03-01

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